Fターム[4M104HH00]の内容
半導体の電極 (138,591) | 目的 (7,416)
Fターム[4M104HH00]の下位に属するFターム
エレクトロマイグレーション防止 (153)
ストレスマイグレーション防止 (50)
表面ヒロック防止 (133)
基板領域への突き抜け防止 (165)
電極層間の相互拡散防止(突抜け防止を含む) (265)
チャンネリング防止 (4)
基板、又は電極層間の密着性改善 (419)
絶縁膜との密着性改善 (215)
基板内不純物濃度分布の変化防止 (29)
電極下面(絶縁膜を含む)の照射損傷防止 (27)
平坦性の改善 (219)
段差被覆の改善 (385)
微細加工性向上 (783)
オーミック性向上 (948)
電極バルク、シート抵抗の低減 (810)
ショットキーバリアハイトの調整 (49)
周辺効果の緩和 (144)
シールド (17)
その他 (2,580)
Fターム[4M104HH00]に分類される特許
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基板の温度を制御する方法
【課題】 バイアスされた基板支持体上に取りつけられたクランプされた基板の温度を制御する方法を提供する。
【解決手段】 基板支持体は、基板を加熱または冷却するための裏側ガスの流れを可能にする通路を有し、それによって、裏側ガスの圧力が少なくとも15トルに維持される。高いガス圧が基板を横切って処理の厚さの均一性を改善する。スパッタされたシード層のプラズマ堆積のために、シード層の形状は、基板のエッジ近くで改善され、基板を横切る層の均一性も改善される。
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