【課題】テラヘルツ波を発生又は検出するテラヘルツ波素子において、単色性が良いテラヘルツ波を効率良く出射する。
【解決手段】テラヘルツ波素子は、基板１０１の上に形成された第１の半導体層１０２と、第１の半導体層１０２の上に形成された第２の半導体層１０４と、第２の半導体層１０４の上に形成されたゲート電極１０６と、第２の半導体層１０４の上にゲート電極１０６を挟んで対向するように形成されたソース電極１０７及びドレイン電極１０８と、第２の半導体層１０４の上におけるゲート電極１０６とソース電極１０７との間及びゲート電極１０６とドレイン電極１０８との間に形成され、複数の金属膜１０９が周期的に配置された周期構造を有する周期金属膜１０９Ａ，１０９Ｂと、ゲート電極１０６及び複数の金属膜１０９の上方に配置された第１のミラー１１１と、基板１０１の下に形成された第２のミラー１１２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 キャリア走行時間を短く保ち、かつ高い出力を実現する狭帯域動作が可能なフォトダイオードを提供すること。
【解決手段】 n型の半導体カソード層１１上に、低不純物濃度の、第1の半導体層１２、第２の半導体層１３、第３の半導体層１４、およびアノード電極１５が順次積層されており、半導体カソード層１１上の、第１の半導体層１２が形成されていない領域にカソード電極１６が接続されている。第２の半導体層１３のバンドギャップエネルギーは、半導体カソード層１１、第１の半導体層１２、および第３の半導体層１４それぞれのバンドギャップエネルギーよりも小さく、逆バイアス印加時に、第２の半導体層１３が光吸収層として作用するように決定されている。第２の半導体層１３の厚さは、第1の半導体層１２の厚さ以下であり、予め要求された帯域と効率との間のトレードオフを最適化するように設定された厚さ近傍以上である。 （もっと読む）