【課題】特殊な半導体レーザチップを必要とせず、導電性ダイボンディングペーストを用いても放熱性を損なうことがない半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体レーザ装置では、サブマウント１の第一の面には溝２が形成されており、前記溝底部には１個あるいは複数の個別電極を設け、前記個別電極上に半導体レーザチップ４のアノード側がダイボンディングされてなる光源部を配置し、前記光源部とサブマウント１の第一の面をヒートシンク９の電極領域にダイボンディングしてなることを特徴とする。このように、半導体レーザチップ４からなる光源部を、サブマウント１の表面に形成した溝に配置し、そのサブマウント１の光源部側をヒートシンク９に実装することにより、半導体レーザチップで発生する熱を、より一層効率的に放熱することができる。 （もっと読む）

【課題】 発光素子及び静電気保護素子のバンプによる接合形態の改良により製品歩留り、配光性及び発光輝度を向上し得る半導体発光装置を提供する。
【解決手段】 静電気保護素子としてのツェナーダイオード２をリードフレーム１０のマウント部１０ａに搭載し、フリップチップ型の半導体発光素子１を上面にｐ側及びｎ側の電極を導通させて搭載し、半導体発光素子１の搭載面側と反対側を主光取出し面とした半導体発光装置において、発光素子１とツェナーダイオード２のそれぞれに、両者間を相互に逆極性で導通させるｐ側とｎ側のバンプのいずれかを振り分けて形成し、発光素子１とツェナーダイオード２にバンプを１個ずつ振り分けることで製品の不良率を低下させる。 （もっと読む）