Fターム[5H420NC21]の内容
電気的変量の制御(交流、直流、電力等) (13,664) | 基準生成部、出力部以外/全体の構成 (1,615) | 特定の回路構成 (292)
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Fターム[5H420NC21]に分類される特許
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カレントミラー回路
【課題】出力電流の変動の少ないカレントミラー回路を提供する。
【解決手段】ゲート電極同士が接続された第1および第2MOSトランジスタ11、12と、ソース電極が第1MOSトランジスタ11のドレイント電極に接続され、ドレイン電極が第1および第2MOSトランジスタ11、12ゲート電極に接続されて電流入力端子15に接続された第3MOSトランジスタ13と、ゲート電極が第3MOSトランジスタ13のゲート電極に接続され、ソース電極が第2MOSトランジスタ12のドレイン電極に接続され、ドレイン電極が電流出力端子16となる第4MOSトランジスタ14と、第3および第4MOSトランジスタ13、14のゲート電極にバイアス電圧を与えるためのバイアス回路17と、を具備する。
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定電圧発生回路および液晶表示装置
【課題】高精度の定電圧を発生することができる定電圧発生回路を提供する。
【解決手段】本発明に係る定電圧発生回路1は、一対の不揮発メモリFM1・FM2と、平衡状態において各不揮発メモリFM1・FM2に互いに等しい電流を流す一対のトランジスタMP1・MP2と、トランジスタMP1・MP2の出力電圧を入力とするオペアンプAMP2と、オペアンプAMP2の出力電圧Voutの変化を検知して不揮発メモリFM1・FM2に流れる電流が平衡するように制御する抵抗R1・R2と、各不揮発メモリFM1・FM2の閾値電圧を制御する不揮発メモリ制御回路13と、を備え、不揮発メモリ制御回路13が不揮発メモリFM1・FM2の浮動ゲートに保持される電荷量を変化させるときに、不揮発メモリ制御回路13とオペアンプAMP2とを電気的に遮断するスイッチ回路SWと、を備える。
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バンドギャップ回路
【課題】スイッチトキャパシタ型のバンドギャップ回路において、容量の占有面積を増やすことなく、熱電圧に乗じる係数をより細かく設定すること。
【解決手段】第1のスイッチトキャパシタ回路2のオペアンプ回路OP3の入力端子と、第2のスイッチトキャパシタ回路3のオペアンプ回路OP4の出力端子を、結合容量C7により結合する。結合容量C7の容量値は第1のスイッチトキャパシタ回路2のフィードバック容量C6の容量値よりも小さい。各スイッチトキャパシタ回路2,3の各入力容量C5,C8および各フィードバック容量C6,C9と、結合容量C7の各容量値により決まる係数を熱電圧に乗じて得た、絶対温度に比例するPTAT電圧を、電圧発生回路1で発生した、温度の上昇にともなって電圧値が減少する負の温度依存性を有するpn接合の順方向電圧に加算することによって、温度に依存しない基準電圧を発生させる。
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バンドギャップ回路
【課題】 低電源電圧で動作可能な、高PSRR、低ノイズ、低ばらつきのバンドギャップ回路を提供すること。
【解決手段】 フィードバック制御用増幅器31とPMOSトランジスタ32,35を備え、エミッタ面積の異なる2つのバイポーラトランジスタ33,34を有し、エミッタ面積の小さい側のバイポーラトランジスタ33のベース・エミッタ間に抵抗R1,R2,RPを備え、エミッタ面積の大きい側のバイポーラトランジスタ34のベース・コレクタ間に抵抗RPを備えるとともに、ベース・エミッタ間に抵抗R1、R2を備えてバンドギャップ回路を構成する。
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