【課題】予備電源を備えなくても、制御ＩＣが保護モードにて出力以外に自動復元の動作を行って、一定時間後自動に正常動作する。
【解決手段】システムまたは制御ＩＣの異常状態を検出する異常状態検出部１１０と、異常状態の検出に応じて、保護モードに変更し、該保護モードにて自動回復信号を入力されて動作モードに変更するプロテクション部１２０と、入力電源からの電力の供給後、ＩＣ電源が予め決められた高電圧に到達すると、電力供給遮断信号に応じて入力電源からの電力の供給を遮断し、入力電源からの電力の供給及び遮断を繰り返すＩＣ電源部１３０と、保護モードの開始に応じて、ＩＣ電源部１３０の電力供給信号及び電力供給遮断信号が交互に繰り返されるクロックをカウントし、該カウント数が予め決められた値に到達すると、プロテクション部１２０に自動回復信号を供給する自動再開部１４０とを含む。 （もっと読む）

【課題】リーク電流がスイッチ回路に接続される回路に影響を与えることを抑制することが可能なスイッチ回路の提供。
【解決手段】第１の電位と第２の電位の間の接続状態をオンオフする第１のトランジスタと、該第１のトランジスタのドレインにソースが接続され、前記第１のトランジスタと略同一の特性を有する第２のトランジスタとを備え、前記第１のトランジスタをオフした時に、前記第１のトランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖ_GS1と、前記前記第２のトランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖ_GS2が略等しくなることを特徴とするスイッチ回路。 （もっと読む）

【課題】出力端子に接続された被供給回路の動作が不安定とならず、かつ貫通電流が発生しない電源選択装置を提供する。
【解決手段】本電源選択装置は、電圧源入力端子１と電圧源出力端子３との間に直列に接続されたＰＭＯＳトランジスタ１１ａとＰＭＯＳトランジスタ１１ｂを備え、電圧源入力端子２と電圧源出力端子３との間に直列に接続されたＰＭＯＳトランジスタ１１ｃとＰＭＯＳトランジスタ１１ｄを備え、電源電圧切り替え時に、ＰＭＯＳトランジスタ１１ａ〜１１ｃを遮断状態にし、かつＰＭＯＳトランジスタ１１ｄを導通状態にして、電圧源入力端子２に入力された電圧を、ＰＭＯＳトランジスタ１１ｃの寄生ダイオードを介して電圧源出力端子３へ供給する。 （もっと読む）

【課題】電圧コントローラと制御スイッチとを含む高電圧制御スイッチが提供される。
【解決手段】高電圧制御スイッチは、高電圧の制御スイッチングを２つの範囲に分割する。電圧コントローラは、入力信号が存在する範囲に基づいて印加するのに適切なオン及びオフ電圧を決定する。制御スイッチは、入力を検出し、論理入力に応じて電圧コントローラから発生した電圧を出力する。従って、高電圧制御スイッチは、高電圧スイッチング用途において高速で信頼性のある動作を提供する。 （もっと読む）

【課題】総線量の電離放射線又はバイアス効果によって引き起こされるデバイス特性の変化は望ましくない。
【解決手段】総線量の電離放射線及び／又はバイアスによる劣化によって引き起こされる欠陥の影響を受けやすいデバイスの動作寿命を延ばすシステム及び方法が記載される。そのデバイスは少なくとも一度だけ複製され、１つのデバイスだけが正常に動作しているように、少なくとも１つのスイッチング機構を用いて、それらのデバイス間で反復して用いられる。第１のデバイスが正常に動作しているとき、他のデバイスはバイアスをかけられる。そのバイアス条件は、総線量の電離放射線又はバイアス効果に起因して生じるデバイス変化を、遅くするか、解消するか、又はさらには逆に変化させることができる。 （もっと読む）

【課題】チャージポンプ回路とレギュレータ回路を組み合わせた電源で、ＣＣＤ型固体撮像素子の垂直転送電極を、規定の振幅レベルで駆動する。
【解決手段】入力された電圧に対する電位降下量を制御することで出力端２８の出力電圧を一定に制御する電圧制御手段（２１，２２，２３，２４，２５，２６）を備えるレギュレータ回路において、電圧制御手段の出力電流を監視し該出力電流が所定電流よりも大きくなったか否かを判定する電流判定手段（５１，５２）と、前記電圧制御手段の出力端２８に接続され前記電流判定手段の判定結果に応じて補填電流を出力端２８に流す電流ブースタ手段（５３，５４，５５，５６）とを設ける。 （もっと読む）

【課題】個別に独立して電源電圧が供給される複数の回路ブロックのいずれか１つに電源供給が行われると、他の回路ブロックにも同時に電源が供給されるようにする。
【解決手段】定常状態では、電源端子１１，２１，３１の電源電圧ＶＤＤ１，ＶＤＤ２，ＶＤＤ３を電源配線１２，２２，３２を介して独立して受ける回路ブロック１３，２３，３３を有する半導体集積回路において、共通ノード４０と、電源端子１１，２１，３１と共通ノード４０との間に接続したＮＭＯＳトランジスタＭ１Ａ，Ｍ２Ａ，Ｍ３Ａ等による第１のスイッチと、共通ノード４０と電源配線１２，２２，３２との間接続したＮＭＯＳトランジスタＭ１Ｂ，Ｍ２Ｂ，Ｍ３Ｂ等による第２のスイッチとを設ける。 （もっと読む）

【課題】
単一の電源を有する半導体回路装置において、高い電源電圧を有する電源においても、低い電源電圧を有する電源においても、使用することが可能な半導体回路装置を提供する。つまり、動作回路を駆動させるための電圧よりも低い電圧を有する電源電圧の場合は、昇圧を行い、動作回路における耐圧が、昇圧させたときの電圧よりも低い場合には、昇圧せずに、通常の電源電圧を用いるというような、切替のできる半導体回路装置を提供する。
【解決手段】
単一の電源が接続され、電源の電源電圧Ｖｄｄ又は電源電圧Ｖｄｄと異なる電圧を出力する昇圧部１３と、昇圧部１３が電源の電源電圧Ｖｄｄ又は電源電圧Ｖｄｄと異なる電圧のいずれを出力するかを制御する昇圧制御部１１とを有する半導体回路装置。 （もっと読む）

【課題】 複数の電源電位が供給されて動作する半導体集積回路において、２種類の電源電位の内の一方のみが供給されているときに回路に流れる貫通電流を低減する。
【解決手段】 この半導体集積回路は、第１の電源電位と、該第１の電源電位よりも高い第２の電源電位とを含む複数の電源電位が供給されて動作する半導体集積回路であって、第２の電源電位が供給されて動作し、ゲートに印加された第２の電源電位を降下させてソースから出力するＮチャネルＭＯＳトランジスタを含む電位降下回路３１と、電位降下回路から出力される電位が供給されて動作し、第１の電源電位がハイレベルであるかローレベルであるかを判定する判定回路３２と、判定回路から出力される判定結果に基づいて、第１の電源電位が供給されているか否かを表す制御信号を出力するバッファ回路３３とを具備する。 （もっと読む）