【課題】電源回路を備える装置の低消費電力化と、電源回路が発生させる出力電圧の安定化とを両立させる。
【解決手段】負荷へ供給するための出力電圧を入力電圧に基づいて発生させる一対のＭＯＳトランジスタで構成された電圧発生部と、入力電圧および出力電圧の電圧値を検出する検出部と、検出された電圧値に応じて電圧発生部の駆動を制御する駆動部とを有する電源回路において、負荷の動作状態に応じて駆動部を制御することにより、一対のＭＯＳトランジスタの不感帯の幅を変化させる制御部を有する。 （もっと読む）

【課題】スタンバイ状態でのリーク電流を抑制する。
【解決手段】複数のワード線とビット線とそれらの交差位置に配置されるメモリセルとを有する半導体記憶装置において，ワード線を駆動するワードドライバ回路が，第１のノードと第２のノードとの間に直列に接続されゲートに第３のノードが接続される駆動用ＰＭＯＳトランジスタと駆動用ＮＭＯＳトランジスタとを有し，両トランジスタの接続ノードにワード線が接続される。そして，第３のノードには第１の電圧または第１の電圧より低い第２の電圧が印加され，第１のノードには第１の電圧または第２の電圧が印加される。さらに，前記第３のノードと駆動用ＰＭＯＳトランジスタのゲートとの間に，ゲートに第１の電圧またはその近傍の電圧が印加されたリーク防止用ＮＭＯＳトランジスタが設けられる。 （もっと読む）

【課題】 半導体集積回路に関し、製造上の脆弱なセルおよび周辺ロジックにストレスを加えるテストの際に、ピーク電流の集中を防止できる電圧制御装置を提供する。
【解決手段】オールバンクプリチャージ命令に応答してバーンイン制御信号およびバーンインプリチャージ信号を出力する信号生成手段と、前記バーンイン制御信号と前記バーンインプリチャージ信号に応答して、第１電圧又は前記第１電圧より低い第２電圧のうちいずれか１つをワード線に供給する電圧制御手段とを含む。 （もっと読む）

【課題】パッケージ後の半導体メモリ装置に対して容易に内部電位をモニターし、スイング幅の小さい内部電位を容易にモニターする半導体メモリ装置の内部電位モニター装置及びその方法を提供すること。
【解決手段】テストモード信号に応答して外部から印加される基準電圧に基づき、モニターしようとする内部電位をデジタル信号に変換する変換手段と、前記デジタル信号を前記テストモード信号に応答して予定された任意のパッドに伝送する出力手段とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回路規模を抑制しつつ各メモリコアが独立して動作する。
【解決手段】半導体記憶装置は、第１コア１００Ａに供給するクロックを発生するロウクロック発生器１０Ａ及びカラムクロック発生器・バーストカウンタ２０Ａと、第２コア１００Ｂに供給するクロックを発生するロウクロック発生器１０Ｂ及びカラムクロック発生器・バーストカウンタ２０Ｂと、第１コア１００Ａ及び第２コア１００Ｂに電源を供給する電源系回路２０１と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】複数の内部電源発生回路を備えた半導体集積回路装置のパッド数を削減する。
【解決手段】半導体集積回路装置は、同一チップ上に、複数のメモリ１１ａ〜１１ｄ、メモリ１１ａ〜１１ｄに共通の電源電圧を供給する複数の内部電源回路１２ａ、１２ｂ、メモリ１１ａ〜１１ｄと上記内部電源回路１２ａ、１２ｂとを互いに接続する共通電源配線１７と、共通電源配線に接続された外部パッド１４とを備える。内部電源回路１２ａ、１２ｂは、電源制御信号ＴＥＳＴＶＰＰＩＮによって、電源電圧を供給するかどうかが制御されるようになっている。外部パッド１４から、共通電源配線１７の電圧のモニタや共通電源配線１７への電圧の印加が行われる。 （もっと読む）

【課題】テスタを大幅に複雑化させることなく、微調整後に得られる本来の基準電圧を用いて動作試験を行うことが可能な半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】モードレジスタ１１２に所定のコードが設定されると、切り替え信号生成回路１１１が活性化し、切り替え信号ＴＣＬＫＥがハイレベルとなる。切り替え信号ＴＣＬＫＥがハイレベルとなると、データ入出力端子ＤＱより供給される入力データが内部クロックＩＣＬＫとして用いられる。これにより、ウェハ状態でのテスト時において、複数の半導体記憶装置間でクロック端子、アドレス端子及びコマンド端子がそれぞれ共通接続されていても、クロック信号をデータ入出力端子ＤＱから受け付けることができることから、基準電圧の微調整を擬似的に行うコードをチップごとに個別に供給することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】データの他人使用が回避され、保密効果の達成が期待できる自給式電源供給型記憶装置を提供する。
【解決手段】充電用電池モジュールを用いてダイナミックランダムアクセスメモリの蓄積データ維持に必要な電力を提供し、充電用電池モジュールを介して、主装置電源からの充電により、ダイナミックランダムアクセスメモリにおける無電力供給による蓄積内容の流失を解決する。 （もっと読む）

【課題】センスアンプを備えた半導体装置に関し、特にセンスアンプに供給される電源電圧を切り換えることで異なる増幅電圧レベルとするセンスアンプの動作方法、及びそのセンスアンプを備えた半導体装置に関する。
【解決手段】センスアンプへの電源電圧供給を切り換える電源電圧切換回路を備え、センスアンプの電源電圧としてメモリセルの情報を増幅する第一電圧レベルと、プリチャージ動作前にメモリセルへの書き込み電圧となる第一電圧レベルより大きな電圧振幅である第二電圧レベルとを供給する。電源電圧供給を二段階とすることで増幅時のノイズ発生が少なく、また第二電圧レベルの印加される期間が短くなるので、高電圧によるデバイス特性の劣化が防止できる。 （もっと読む）

【課題】大規模半導体メモリデバイスに適切に電力を供給する手段を提供する。
【解決手段】本発明のダイナミックランダムアクセスメモリ用の電圧レギュレータは、基準電圧を生成する電圧基準回路と、ダイナミックランダムアクセスメモリに電力を供給するために、供給電圧を増幅する複数の電力増幅器であって、基準電圧に応答し、１よりも大きなゲインを有する複数の電力増幅器と、複数の電力増幅器を制御する制御信号を生成する制御回路と、を有している。また、本発明のダイナミックランダムアクセスメモリ用の電圧レギュレータは、外部から供給された電圧から基準電圧を生成する回路と、第１バス及び第２バスで利用可能な内部供給電圧を生成するために、１単位よりも大きなゲインで基準電圧を増幅するための増幅器と、 増幅器を制御するための制御信号を生成する制御ロジックと、を有している。 （もっと読む）

【課題】動作モードや電源投入時に対応し、必要な電源供給を効率よく且つ適切に行う。
【解決手段】本発明のダイナミックランダムアクセスメモリは、メモリセルからなるアレイと、メモリセルにデータを書き込み、これらメモリセルからデータを読み出すための複数の周辺装置と、 複数の供給電圧を生成する複数の電圧源であって、これら電圧源の少なくとも１つが、複数の電力増幅器を有する電圧レギュレータであり、これら電力増幅器は、設定された出力電力レベルを達成するために、別個の又は同時の操作モードで動作可能な複数のグループに分けられた複数の電圧源と、アレイと複数の周辺装置に、複数の供給電圧を伝送する電力分配バスと、を具えている。 （もっと読む）

【課題】電源電圧のレベルが低くなっても高電圧を安定的に発生可能とする。
【解決手段】高電圧レベル検出器と、制御信号発生器と、高電圧発生器とを備える。高電圧発生器は、第１ポンピング部及び第２ポンピング部を有する。第１ポンピング部は、第１及び第２キャパシタを含み、第１ポンピング制御信号に応答して第１及び第２キャパシタを直列に接続して第１出力ノードをポンピングし、第１出力ノードと第２出力ノードとの間で電荷共有動作を実行させる。第２ポンピング部は、第３及び第４キャパシタを含み、第２ポンピング制御信号に応答して第３及び第４キャパシタを直列に接続して第２出力ノードをポンピングし、第２出力ノードと高電圧発生端子との間で電荷共有動作を実行させる。高電圧発生器はプリチャージ制御信号に応答して第１、第２、第３、及び第４キャパシタを第１プリチャージ電圧レベルと第２プリチャージ電圧レベルとの間に接続する。 （もっと読む）

【課題】大規模半導体メモリデバイスに適切な動作電圧を供給する手段を提供する。
【解決手段】本発明のダイナミックランダムアクセスメモリ用の電圧レギュレータの増幅部を動作させる方法は、メモリアレイが動作している間に、少なくとも１つの電力増幅器を動作させるステップと、電圧ポンプが作動している間、少なくとも１つのブースター増幅器を、電力増幅器とは独立して動作させるステップと、電力増幅器とブースター増幅器の動作状態とは関係なく、スタンバイ増幅器を低電流レベルに維持して動作させるステップと、を有している。 （もっと読む）

【課題】大規模半導体メモリデバイスに適切な動作電圧を供給する手段を提供する。
【解決手段】本発明は、外部電圧に応答して出力電圧を供給するためのダイナミックランダムアクセスメモリ用電圧レギュレータであって、外部電圧がパワーアップ範囲を規定する第１設定値以下であるとき、外部電圧を出力電圧として供給する外部電圧供給回路と、外部電圧を受けると共に、外部電圧と所望の関係を有する基準信号を生成する能動基準回路と、基準信号に応答し、外部電圧が第１設定値以上のとき、基準電圧を生成する１単位ゲイン増幅器と、外部電圧供給回路が外部電圧を出力電圧として供給しないとき、出力電圧を提供するために、１単位より大きなファクターによって基準電圧を増幅する電力増幅器ステージと、外部電圧がバーンイン範囲を規定する第２設定値を超えるとき、外部電圧を追従するように基準電圧をプルアップするプルアップステージとを具えている。 （もっと読む）