【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す電子部品を提供すること。
【解決手段】セラミック粒子の内部がＡＢＯ３（ＡはＢａ、ＣａおよびＳｒから選ばれる少なくとも１つであり、ＢはＺｒ）を主成分として含有し、このセラミック粒子の表層部が、Ｂａ及びＴｉとＡＢＯ３が固溶した領域を有することにより、誘電率を下げることなく高温負荷寿命が長い誘電体磁器組成物を得た。この、誘電体磁器組成物を積層し焼成することにより、誘電率と高温負荷寿命を両立させた電子部品を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 静電容量が高くかつ高温負荷状態においても比誘電率の温度変化率の小さいコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体磁器が希土類元素、Ｍｎ、Ｍｇを含み、チタン酸バリウムの結晶粒子９が、粒界から２０ｎｍの深さの範囲におけるマグネシウムの濃度勾配が０．０５原子％／ｎｍ以上である第１結晶群の結晶粒子９ａと、粒界から２０ｎｍの深さの範囲におけるマグネシウムの濃度勾配が０．０３原子％／ｎｍ以下である第２結晶群の結晶粒子９ｂとを有しており、第１の結晶群を構成する結晶粒子９ａおよび前記第２の結晶群を構成する結晶粒子を合わせた平均粒径が０．１５〜０．４０μｍであり、誘電体磁器の研磨面に見られる第１の結晶群を構成する結晶粒子９ａの面積をａ、第２の結晶群を構成する結晶粒子９ｂの面積をｂとしたときに、ｂ／（ａ＋ｂ）が０．４〜０．７である。 （もっと読む）

【課題】ニッケル内部電極を使用した積層セラミックコンデンサに適用可能であり、かつ１００ｎｍ未満の粒径のチタン酸アルカリ土類金属化合物を主原料としても誘電率が向上しうる高誘電率セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】平均粒子径が５０ｎｍ以上１００ｎｍ未満であるチタン酸アルカリ土類金属化合物とランタン化合物とを混合する工程と、前記混合する工程で得られた混合物を、不活性ガス雰囲気下、１０００℃以上１２００℃未満の温度で焼成する工程と、を有し、前記ランタン化合物の混合量が、前記チタン酸アルカリ土類金属化合物に対するランタンの原子数換算で０．５〜１．５ａｔ％である、高誘電率セラミックスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ペロブスカイト粉末、その製造方法及びこれを用いた積層セラミック電子部品に関する。
【解決手段】本発明は、ＡＢＯ_３で表されるペロブスカイト構造を有するコア部と、上記コア部と整合する構造を有し且つ上記コア部と化学的組成が異なるシェル部と、を有し、上記シェル部が上記コア部上にドープされたペロブスカイト粉末を提供する。本発明によると、水熱合成法を用いて整合構造を有し且つ化学的組成が異なるコア−シェル構造のペロブスカイト粉末を製造することにより、信頼性、誘電特性及び電気的特性に優れたペロブスカイト粉末を具現することができる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性と圧電性が良好で、鉛とカリウムを含まない圧電材料、前記圧電材料を用いた圧電素子または積層圧電素子を提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）で表わされるペロブスカイト型金属酸化物からなる圧電材料。
一般式（１）
（１−ｘ）｛（Ｎａ_ｙＢａ_１−ｚ）（Ｎｂ_ｚＴｉ_１−ｚ）Ｏ_３｝−ｘＢｉＦｅＯ_３（式中、ｘ、ｙ、ｚは、０＜ｘ≦０．０１５、０．８０≦ｙ≦０．９５、０．８５≦ｚ≦０．９５を表す。）上記の圧電材料と、前記圧電材料に接して設けられた一対の電極とを少なくとも有する圧電素子。上記の圧電材料からなる圧電材料層と、内部電極を含む電極とが交互に積層された積層圧電素子。 （もっと読む）

【課題】本発明は、誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品に関する。
【解決手段】本発明によると、Ｂａ_ｍＴｉＯ_３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０）を含む母材粉末と、上記母材粉末１００モルに対して、少なくとも一つの希土類元素を含む酸化物または炭酸塩０．０５〜４．００モルを含む第１副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、少なくとも一つの遷移金属を含む酸化物または炭酸塩０．０５〜０．７０モルを含む第２副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、Ｓｉ酸化物０．２０〜２．００モルを含む第３副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、Ａｌ酸化物０．０２〜１．００モルを含む第４副成分と、上記第３副成分に対して、ＢａまたはＣａのうち少なくとも一つを含む酸化物２０〜１４０％を含む第５副成分と、を含む誘電体組成物が提供される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、優秀なマイクロ波誘電特性を持つ非ガラス系マイクロ波誘電体セラミックス、及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 上記の課題を達成するための本発明による誘電体セラミックス組成物は、次の組成式で表現される組成物を含むことを特徴とする誘電体セラミックス組成物であって、
Ｍ^２＋Ｎ^４＋Ｂ_２Ｏ_６
但し、ＭはＢａ、Ｃａ及びＳｒの中のいずれか一つであり、ＮはＳｎ、Ｚｒ及びＴｉの中のいずれか一つであり、
前記誘電体セラミックス組成物の前記Ｎサイトを、前記Ｓｎ、Ｚｒ及びＴｉの中の互いに異なる２個で複数置き換えてＭ^２＋（Ｎ_１−ｙ^４＋Ｎ_ｙ^４＋）Ｂ_２Ｏ_６（但し、０＜ｙ＜１）の組成式で
表現される組成物を含む。 （もっと読む）

【課題】誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品の提供。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３を含む母材粉末と、上記母材粉末１００モルに対して、遷移金属を含む酸化物または炭酸塩０．１〜１．０ａｔ％の含量（ｘ１）を含む第１副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、原子価固定アクセプタ（ｆｉｘｅｄ ｖａｌｅｎｃｅ ａｃｃｅｐｔｏｒ）元素を含む酸化物または炭酸塩０．０１〜３．０ａｔ％の含量（ｙ）を含む第２副成分と、Ｃｅ元素（含量はｚ ａｔ％）及び少なくとも一つの希土類元素（含量はｗ ａｔ％）を含む酸化物または炭酸塩を含む第３副成分と、焼結助剤を含む第４副成分と、を含み、上記母材粉末１００モルに対して、０．０１≦ｚ≦ｘ１＋４ｙであり、０．０１≦ｚ＋ｗ≦ｘ１＋４ｙである誘電体組成物。 （もっと読む）

【課題】希土類元素を用いなくても粒成長抑制及び耐還元性を実現し、優れた高温信頼性を確保できる誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】誘電体組成物は、母材粉末と、上記母材粉末１００モルに対して、遷移金属を含む酸化物または炭酸塩０．１〜１．０ａｔ％の含量（ｘ）を含む第１副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、原子価固定アクセプタ元素を含む酸化物または炭酸塩０．０１〜５．０ａｔ％の含量（ｙ）を含む第２副成分と、ドナー元素を含む酸化物または炭酸塩を含む第３副成分と、焼結助剤を含む第４副成分と、を含有する。セラミック素体１１０を構成する誘電体層１１１は、このような誘電体組成物を含む。 （もっと読む）