【課題】本発明は、新たな光抽出構造を有する発光素子を提供するためのものである。
【解決手段】本発明に従う発光素子は、透光性の基板、前記基板の上面に複数の突起を有する第１パターン部、前記基板の上面に前記複数の突起の各々の幅より小さな幅を有する複数の凹部を含む第２パターン部、前記基板の下に配置され、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層との間に配置された活性層を含む発光構造物、前記第１導電型半導体層の下に配置された第１電極、前記第２導電型半導体層の下に配置された反射電極層、前記反射電極層の下に配置された第２電極、前記第１電極の下に配置された第１連結電極、前記第２電極の下に配置された第２連結電極、及び前記第１電極及び第１連結電極と前記第２電極及び前記第２連結電極の周りに配置され、セラミック材質の熱拡散剤が添加された絶縁性の支持部材を含む。 （もっと読む）

【課題】コンタクト部における光吸収の抑制と、電極と半導体層との良好なオーミック接触との両立を図り、順方向電圧をさほど上昇させることなく発光出力を向上させることが可能な紫外光を発する半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子１００は、第１伝導型の半導体層１０５と、発光層１０４と、第２伝導型の半導体層１０３とをこの順に含む半導体積層体１０６と、第１伝導型半導体層１０５上に、コンタクト層１０７とオーミック電極層１０８とが積層してなるコンタクト部１０９と、オーミック電極層１０８に接し、第１伝導型半導体層１０５と電気的に接続する第１電極１１３と、第２伝導型半導体層１０３に電気的に接続する第２電極１１２と、を有し、コンタクト部１０９には第１伝導型半導体層１０５が露出する複数の島状の開口部１１１を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤの所望の特性を犠牲にしたり変更することなしに、ＧａＮベースＬＥＤを低コストで大量生産する。
【解決手段】金を含む第１の金属層と、第１の金属層上の第１の電極と、第１の電極は反射層として機能し、第１の電極上に第１の表面を有するＧａＮ半導体構造と、半導体構造は、第１の種類の層、第１の種類の層上の活性層、及び、活性層上の第２の種類の層を備え、第１の種類の層と第１の電極の間の緩衝層と、緩衝層は、ＧａＮ半導体構造を支持し、半導体構造の第２の表面上の第２の電極と、第２の表面は、第１の表面の反対側にあり、第２の電極上の金を含む第２の金属層パッドと、を備え、第１の電極および第２の表面は、第１の電極が活性層からの光を第２の表面に向けて反射させて第２の表面を通過させるように構成され、第１の電極および第２の電極は、半導体構造の反対の表面上にそれぞれ配置され、それにより、装置の輝度を向上させ、第１の電極の幅は、第２の金属層の幅より大きい、発光デバイス。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上させることができ、光の反射効率の最大化によって光抽出効率を向上できる発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子２００は、第１の導電型半導体層２３６、活性層２３４及び第２の導電型半導体層２３２を含む発光構造物と、第１の電極層２１０と、発光構造物と第１の電極層との間に配置された第２の電極層２２０と、第２の導電型半導体層の下側で第２の電極層の縁部を取り囲み、第２の電極層と第１の電極層との間に配置された絶縁層２４０とを含み、第２の電極層は、第２の導電型半導体層と接し、互いに所定間隔だけ離隔するように配置された複数の第１の反射層２２２を有し、第１の電極層は、第２の電極層、第２の導電型半導体層及び活性層を貫通して第１の導電型半導体層に接する。 （もっと読む）

【課題】一種の発光ダイオードアレイに関わし、複数の発光ダイオードユニットを包括する。
【解決手段】各発光ダイオードユニットは一直列接続ルーチンを形成し、その発光ダイオードアレイにはn列（row）及びmコラム(column)を有し、かつm及びnは少なくとも一つが奇数である。 （もっと読む）

【課題】実施例は、信頼性及び効率を向上させ、使用目的に応じて発光領域の面積を調節できる発光素子を提供する。
【解決手段】第１の半導体層、活性層、及び第２の半導体層を含む複数の発光領域を含む発光構造物；前記複数の発光領域のうちいずれか一つの第１の半導体層上に配置される第１の電極部；前記複数の発光領域のうち他のいずれか一つの第２の半導体層上に配置される第２の電極部；前記複数の発光領域のうち少なくとも更に他の一つの第２の半導体層上に配置される中間パッド；及び前記複数の発光領域を順次直列に連結する連結電極；を含み、前記直列に連結される複数の発光領域は第１のグループ〜第ｉのグループの発光領域に区分され、互いに異なるグループに属する発光領域の面積は互いに異なる発光素子を構成する（１＜ｉ≦ｊ, iとjのそれぞれは自然数であり、jは最後の発光領域グループである）。 （もっと読む）

【課題】外部から接続用の電極に応力がかかっても、半導体層を被覆する絶縁膜の開口部において剥離が起きにくい半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｐ型半導体層１３及びｎ型半導体層１２とｐ側及びｎ側の突起電極１７，１８はそれぞれ中間配線１９，１５で接続している。さらに絶縁層１４のｐ側及びｎ側の開口部１９ａ，１５ａとｐ側及びｎ側の突起電極１７，１８とは平面的に重ならない。この結果、開口部１９ａ，１５ａには応力が集中しなくなり、開口部１９ａ，１５ａにおける剥離が起きにくくなる。 （もっと読む）

【課題】高性能で高信頼性の、銀を用いた電極を有する半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、反射電極と、酸化物層と、窒素含有層と、を含む半導体発光素子が提供される。第１半導体層は、第１導電形である。発光部は、第１半導体層の上に設けられる。第２半導体層は、発光部の上に設けられ、第２導電形である。反射電極は、第２半導体層の上に設けられ、Ａｇを含む。酸化物層は、反射電極の上に設けられ、開口部を有し、絶縁性である。窒素含有層は、酸化物層の上に設けられ、開口部に繋がる開口部を有し、絶縁性である。 （もっと読む）

【課題】反射電極層の劣化を抑制できる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置は、第１の主面とその反対側に形成された第２の主面とを有し、発光層を含み、第１の主面側に基板を含まない半導体層と、半導体層の第２の主面に設けられた第１の電極と、半導体層の第２の主面に設けられ銀層を含む第２の電極と、第２の電極を覆うバリアメタル層と、第１の金属ピラーと、半導体層を第１及び第２の金属ピラーとともに支持する樹脂と、半導体層の第１の主面の上に半導体層との間に基板を介することなく設けられた蛍光体層と、を備えている。 （もっと読む）