プリント配線板およびその製造方法
【課題】端子部および配線回路を含む導体パターンを構成する導体層のうちの端子部導体層に、Ｎｉ／Ａｕめっきなどの保護用金属層を形成する場合において、端子部導体間のスペースを狭小化しても、保護用金属の異常析出、ブリッジ現象により、隣り合う端子部導体間が導通してしまう事態が発生することを防止し、これにより導体パターンを従来よりも高精細化することを可能とする。
【解決手段】絶縁基材の一面に、配線回路および端子部を構成するパターンで導体層が埋め込まれており、その導体層のうちの端子部導体層の表面に、保護用金属からなる被覆層が形成されてなるプリント配線板において、前記端子部導体層は、その表面が絶縁基材の前記一面から窪んだ状態で形成され、その窪んだ端子部導体層の表面が前記被覆層によって覆われ、しかもその被覆層の表面が、絶縁基材の表面と実質的に同一面以下に位置するように形成されている。
【解決手段】絶縁基材の一面に、配線回路および端子部を構成するパターンで導体層が埋め込まれており、その導体層のうちの端子部導体層の表面に、保護用金属からなる被覆層が形成されてなるプリント配線板において、前記端子部導体層は、その表面が絶縁基材の前記一面から窪んだ状態で形成され、その窪んだ端子部導体層の表面が前記被覆層によって覆われ、しかもその被覆層の表面が、絶縁基材の表面と実質的に同一面以下に位置するように形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種電子・電気機器に使用されるプリント配線基板、特に端子部の導体パターンの高精細化を図ったプリント配線板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のプリント配線板の製造方法、特に回路配線および端子部を構成するパターンの導体層を絶縁基材上に形成するための方法は、サブトラクティブ法、アディティブ法（フルアディティブ法、セミアディティブ法）に大別される。これらのうちでも、セミアディティブ法が、他の方法と比較して微細な導体パターンを精度良く形成することができるため、最近ではセミアディティブ法が多用されるようになっている。
【０００３】
セミアディティブ法は、基本的には、例えば特許文献１に示されているように、絶縁材料からなる基材上に、無電解めっきによって銅などの薄質な金属層（シード層）を形成し、その上に導体パターンを反転したパターンでめっきレジスト層を形成した後、電解めっきによってレジスト層非形成部分に銅などの導体層を形成し、その後にめっきレジスト層を剥離除去し、さらに電解めっきによる導体層が形成されていない部分のシード層をフラッシュエッチングによって除去するものである。
【０００４】
このようなセミアディティブ法によって作製されたプリント配線板における導体パターン形成部分の断面構造を、図１０（Ａ）に模式的に示す。導体層１２は、絶縁基材１０の上面のシード層１１に載った状態、すなわち絶縁基材１０の上面から突出した状態で形成されている。
【０００５】
ここで、セミアディティブ法を適用した場合、電解めっきにより導体層が形成されていない部分（隣り合う導体層１２の間のスペース）のシード層を、前述のようにフラッシュエッチングによって除去する必要がある。ここでフラッシュエッチングでは、実際には、導体層の間のシード層が除去されるだけではなく、図１０（Ｂ）に示しているように、導体層１２も若干エッチングされてしまう。そのため、導体層１２の幅、特に端子部における他の電子部品との接合のために有効な平坦部分の幅ＷＡが狭くなってしまう。したがってセミアディティブ法を適用した場合でも、ある程度以上は高密度、高精度の導体パターンを形成することが困難である。またセミアディティブ法では、導体層のパターンが絶縁基材表面から突出しているため、多層配線板とするために困難を伴うなどの問題もある。
【０００６】
そこで最近では、回路配線や端子部の導体パターンを構成する導体層をプリプレグなどからなる絶縁基材の表面に埋め込んで、導体パターンの側の表面を平滑にしたプリント配線板が実用化されるようになっている。このようなプリント配線板は、例えば特許文献２あるいは特許文献３などに示されており、その断面構造の一例を図１１（Ａ）に示す。図１１（Ａ）において、導体パターンを構成する導体層１２は、絶縁基材１０の表面層に埋め込まれて、導体層１２の表面１２Ａは、絶縁基材１０の上面１０Ａとほぼ同一面とされている。
【０００７】
図１１（Ａ）に示すような基板の製造方法は種々考えられているが、基本的にはサブトラクティブ法やセミアディティブ法など、任意の手法によって支持体表面上に、所定のパターンでその表面から突出する導体層を形成しておき、それを反転させて、導体層の側をプリプレグなどの比較的軟質な絶縁基材の表面に押し付け（積層圧着する）ことによって、絶縁基材の表面層に導体層を押し込み、その後、支持体を任意の手法で除去するのが一般的である。このような工法について、以下この明細書では、平埋め法と称することとし、またこのようにして得られる基板を埋め込み基板と称することとする。
【０００８】
ところで、一般にプリント配線板におけるその表面上の導体層（導体パターン）のうち、ある部分の導体層は、他の電子部品を、ワイヤボンディングやフリップチップボンディングなどにより接合するための端子部として使用されるのが通常である。このような端子部において、導体層の銅がそのまま露出していれば、その導体層は容易に酸化し得る。このように導体層の銅表面が酸化した端子部と電子部品とを接続すれば、両者の間の金属結合が不十分になることがあり、接続信頼性が劣るおそれがある。
そこで端子部については、銅からなる導体層の表面に、無電解めっきもしくは電解めっきにより金（Ａｕ）めっきを施すことが行なわれている。またその場合、金(Ａｕ)めっきだけでは、導体層中の銅（Ｃｕ）が金（Ａｕ）の中に拡散してしまって接合強度が低下する。その拡散防止のためには、Ａｕめっきの下地としてニッケル（Ｎｉ）が最適であるところから、実際上は、銅からなる導体層上に、先ず無電解めっきもしくは電解めっきによりＮｉめっきを施してから、その上にＡｕめっきを施すのが通常である。また場合によっては、先ずＮｉめっきを施し、次いでその上にパラジウム（Ｐｄ）めっきを施し、そのＰｄめっき層上にＡｕめっきを施すこともある。このような、Ｎｉ／ＡｕめっきやＮｉ／Ｐｄ／Ａｕめっきで代表される導体層保護のためのめっき層を、ここでは保護用金属の被覆層と称することとする。なお上記のＮｉ／Ａｕめっきや、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕめっきとしては、最近では無電解めっきを用いることが多くなっている。
【０００９】
上述のような保護用金属の被覆層を導体層上に形成する場合、従来の方法では、次のような問題があった。
すなわち、図１０（Ｂ）に示すようなセミアディティブ法によって導体層１２を形成したプリント配線板について、その導体層１２を覆うための保護用金属被覆層１４として、例えばＮｉ／Ａｕめっきを施した場合、導体層１２の側面にもめっき金属が析出するから、隣り合う導体層１２の間のスペースが小さい場合には、図１０（Ｃ）に示すように、保護用金属被覆層１４が、隣り合う導体層間でブリッジ状に繋がってしまう現象（ブリッジ現象）が生じてしまうことがある。このブリッジ現象が生じれば、隣り合う導体層間で保護用金属被覆層１４が連続してしまい、電気的にも導通してしまうため、プリント配線板としては不良品となってしまう。またこのブリッジ現象は、電解めっき、無電解めっきのいずれでも生じるが、無電解めっきの場合は、隣り合う導体層間のスペースにおける絶縁基材１０表面へのめっき金属の異常析出も問題となる。すなわち、無電解めっきでは、原理的には銅などの金属のみならず絶縁材料にもめっき金属を析出させることができるから、銅からなる導体層上にだけめっき金属を析出させるためには、導体層の表面のみに触媒を担持させたり、めっき処理液に選択性を付与させたりする方策が採られている。しかしながらこのような方策を講じても、隣り合う導体層間のスペースにおける絶縁基材１０表面に、わずかながらもめっき金属が析出してしまう現象、すなわち異常析出が生じてしまうことがある。そしてこのような異常析出が生じれば、前述のブリッジ現象が助長されて、隣り合う導体層間で保護用金属被覆層１４が連続し、電気的導通が生じてしまうことがある。
そしてセミアディティブ法によって導体層１２を形成したプリント配線板では、隣り合う導体層間のスペースが４０μｍ程度以下となれば、ブリッジ現象が頻発するようになり、そのため従来のセミアディティブ法によるプリント配線板では、端子部の導体層上に保護用金属被覆層を形成する場合の端子部導体層間のスペースの狭小化は、４０μｍ程度が限界とされていた。
【００１０】
一方、図１１（Ａ）に示した、平埋め法によるプリント配線板（埋め込み基板）の場合は、導体層１２が絶縁基材１０上に突出していないため、保護用金属めっき時、例えばＮｉ／Ａｕめっき時において、導体層１２の側面へのめっき金属の析出はなく、そのためセミアディティブ法によるプリント配線板の場合よりはブリッジ現象が生じにくい。しかしながら、めっき金属は、図１１（Ｂ）に示すように、絶縁基材１０表面に露出する導体層１２の表面を覆うように丘陵状に隆起しながら析出するから、その隆起した保護用金属被覆層１４が、絶縁基材１０の表面に沿ってその水平方向にある程度延出することを避け得ない。また特に無電解めっきの場合には、隣り合う導体層間において絶縁基材１０の表面に異常析出が生じやすく、そのためブリッジ現象を助長しやすい。
したがって、ブリッジ現象が発生し始めるスペース幅は、セミアディティブ法で発生し始めるスペース幅より小さいといえども、導体間のスペースを、より小さくしたい場合には、このような現象が問題となる。
【００１１】
特に、導体層１２のうちでも、端子部となる部分は、配線回路部となる部分と比較して、その幅（プリント配線板の板面側から見たときのパターン幅）が広くなるように形成されるのが通常であり、その場合、隣り合う端子部導体層間のスペースは、隣り合う配線回路導体層間のスペースよりも小さくなるのが一般的である。したがって、前述のような導体間のスペースを、より狭小化したい場合の問題は、導体層１２のうちでも、端子部となる部分において顕著となる。また一般に酸化防止などのために保護用金属被覆層を導体層上に形成しておくことが望まれるのは、端子部であり、したがってこの点からも、前述の問題は、端子部の導体において発生しやすいのである。
【００１２】
上述のような問題について詳細に検討した結果、埋め込み基板を適用した場合、隣り合う導体層間のスペースが３０μｍ程度以下であってしかも保護用金属のめっきによって形成される保護金属被覆層１４の表面１４Ａと絶縁基材表面１０Ａとの段差ｄｓが２μｍを越えれば、異常析出が発生しやすくなり、導体層間で保護用金属が部分的に連続してしまって、隣り合う導体層間で電気的導通が生じやすくなることが判明した。そのため、埋め込み基板を用いた場合の最小スペース幅は、３０μｍ程度が限界であった。
【００１３】
以上のように、平埋め法によって導体パターンを形成した埋め込み基板を用いた場合は、従来の一般的なセミアディティブ法による場合と比較すれば、導体パターンの隣り合う導体間のスペースを狭くすることが可能ではあったが、より高精細な回路パターンを形成することが望まれる場合には、未だ不充分と言わざるを得なかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２００４−３３５７５１号公報
【特許文献２】特開平５−２９９８１６号公報
【特許文献３】特開２０１０−８０５６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は以上の事情を背景としてなされたもので、配線回路および端子部となる導体パターンを構成する導体層のうち、端子部となる端子部導体層の表面に、Ｎｉ／Ａｕめっきなどの保護用金属被覆層を形成する場合において、隣り合う端子部導体層の間のスペースを３０μｍ以下、さらには２５μｍ以下まで狭小化しても、導体層の間での導体保護用金属のブリッジ現象、異常析出現象によって、隣り合う導体層間が導通してしまうような事態が発生することを未然に防止し、これによって従来よりも一層高精細化することを可能としたプリント配線板を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明では、基本的には、平埋め法によって、絶縁基材表面に所定のパターンで導体層を埋め込んだ構成とすることを前提とし、その場合に端子部となる導体層上に被覆される保護用金属の被覆層が絶縁基材表面から突出しないようにし、これによって、隣り合う端子部の導体層間のスペースでの保護用金属被覆層のブリッジ現象、異常析出により導体間が電気的に導通してしまうことがないようにした。
【００１７】
したがって本発明の基本的な態様（第１の態様）によるプリント配線板は、絶縁基材の一面に、配線回路および端子部を構成するパターンで導体層が埋め込まれており、かつその導体層のうちの端子部の導体層の表面に、導体層の金属とは異なる保護用金属からなる１層以上の被覆層が形成されてなるプリント配線板において、前記端子部の導体層は、その表面が絶縁基材の前記一面から窪んだ状態で形成されており、かつその窪んだ導体層の表面が前記１層以上の被覆層によって覆われており、しかもその１層以上の被覆層は、その表面が、前記絶縁基材の前記一面と実質的に同一面以下に位置するように形成されていることを特徴とするものである。
【００１８】
このような本発明の基本的な態様によれば、絶縁基材に埋め込まれた導体層のうち、端子部を構成する導体層は、絶縁基材の表面から窪んだ状態で形成されており、その端子部の導体層の表面に被覆された保護用金属の被覆層は、その表面位置が絶縁基材の表面と実質的に同一面（実質的に同一レベル）以下とされているため、隣り合う導体層の間での被覆金属（保護用金属）のブリッジ現象の発生が回避される。そのため、隣り合う端子部の導体層間のスペース（最小間隔）を従来よりも狭小化しても、隣り合う導体層の間が保護用金属によって連続して、その間が電気的に導通してしまうことが防止できる。その結果、端子部の導体パターンの最小間隔を従来より小さくして、より高精細なパターンを有するプリント配線板とすることができる。なおここで、保護用金属の被覆層の表面位置が絶縁基材の表面と実質的に同一面（実質的に同一レベル）以下とは、保護用金属被覆層が絶縁基材の表面位置からわずかに突出している場合も許容することを意味しており、その突出高さがわずかであれば、実質的に同一のレベルとみなすことができ、その場合でも、上述のような保護用金属のブリッジ現象の発生を回避することができる。
【００１９】
また本発明の第２の態様によるプリント配線板は、前記第１の態様によるプリント配線板において、前記保護用金属の被覆層の表面が、前記絶縁基材の前記一面より２μｍ高い位置以下に位置するように形成されていることを特徴とするものである。
【００２０】
前述の第１の態様で記載したように、端子部を構成する導体層の表面に被覆された保護用金属の被覆層は、その表面が絶縁基材の表面と実質的に同一面（実質的に同一レベル）以下とされていれば良く、保護用金属の被覆層が絶縁基材の表面位置からわずかに突出している場合も許容されるが、その許容範囲は、第２の態様で、前記絶縁基材の前記一面より２μｍ高い位置までとしている。本発明者等の詳細な実験、検討によれば、保護用金属の被覆層が絶縁基材の表面位置からわずかに突出していても、その範囲が２μｍ以下であれば、保護用金属被覆層形成時において、隣り合う導体層の間で絶縁基材表面に保護用金属の異常析出がほとんど生じないことが確認されている。すなわち、保護用金属被覆層表面と絶縁基材表面との段差が２μｍ以下であれば、保護用金属被覆層表面と絶縁基材表面とが実質的に平坦となっているとみなすことができるのである。
【００２１】
また本発明の第３の態様によるプリント配線板は、前記第１もしくは第２の態様によるプリント配線板において、前記導体層のうちの配線回路の導体層は、その表面が絶縁基材の前記一面と実質的に面一に形成されていて、その配線回路の導体層の表面に前記保護用金属被覆層が形成されていないことを特徴とするものである。
【００２２】
導体パターンのうちでも、他の電子部品との接合のために使用される端子部は、Ｎｉ／ＡｕめっきあるいはＮｉ／Ｐｄ／Ａｕめっきで代表される保護用金属の被覆層を形成しておく必要性が高い部分である。一方、保護用金属の被覆層は、導体層（通常は銅）よりも電気抵抗が格段に大きいため、端子部以外の配線回路を構成する導体層についても絶縁基材の表面から窪ませて保護用金属被覆層を形成すれば、配線抵抗が高くなってしまう。この場合、近年の駆動電圧が低い半導体用のプリント配線板では、配線抵抗の増大により正常に機能しなくなってしまうおそれがある。しかるに第３の態様のプリント配線板では、配線回路の導体層は、その表面が絶縁基材の前記一面と実質的に面一に形成されていて、保護用金属の被覆層が形成されていないため、配線回路の電気抵抗の低下は回避され、低電圧駆動でも正常に機能させることができる。
また第３の態様のプリント配線板では、配線回路および端子部を構成するパターンで形成された導体層のうち、端子部を構成する導体層の表面のみに保護用金属の被覆層が形成されるため、導体層を構成する銅などに比較して高価なＡｕやＮｉなどの使用量を抑えて、コスト上昇を防止することができる。
なお、配線回路を構成する導体層の表面に保護用金属の被覆層を形成した場合には、その配線回路を構成する導体層に関しても、隣り合う導体層の間での被覆金属（保護用金属）のブリッジ現象の発生が懸念されるが、第３の態様のプリント配線板では、配線回路を構成する導体層の表面には保護用金属の被覆層を形成していないから、このような懸念は生じない。
【００２３】
さらに本発明の第４の態様によるプリント配線板は、前記第１〜第３のいずれかの態様によるプリント配線板において、前記被覆層で覆われた端子部の導体層における、隣り合う導体層間の最小間隔が２５μｍ以下であることを特徴とするものである。
【００２４】
従来は、平埋め法でも、前述のような保護用金属の被覆時におけるブリッジ現象、異常析出の発生により、隣り合う端子部導体層間の最小間隔（スペース）を３０μｍ程度以下まで小さくすることは困難であったが、本発明によれば、第４の態様として記載したように、２５μｍ以下の狭小なスペースでも、隣り合う端子部導体層の間での保護用金属による電気的導通の発生を防止し、より高精細なプリント配線板を得ることができる。
【００２５】
そしてまた本発明の第５の態様によるプリント配線基板は、前記第１〜第４の態様のうちのいずれかの態様によるプリント配線板において、前記被覆層で覆われた端子部の導体層は、被覆層で覆われた面と前記絶縁基材の前記一面との間の距離が、１〜７μｍの範囲内となるように形成されていることを特徴とするものである。
【００２６】
ここで、端子部の導体層における被覆層で覆われた面と前記絶縁基材の前記一面との間の距離は、導体層の窪み深さと言い換えることができるが、その距離（導体層窪み深さ）が１μｍ未満では、導体層上の保護用金属被覆層を絶縁基材表面から突出しないように形成するためには、被覆層の厚みが薄くなりすぎ、そのため保護用金属としての保護機能を充分に発揮できなくなる。一方、前記距離（導体層窪み深さ）が７μｍを越える厚さに形成するためには、無電解めっきなどによる保護用金属被覆処理時間が長くなって、生産性が悪くなる。そこで、第５の態様として記載したように、前記距離は１〜７μｍの範囲内とすることが望ましい。なお、より好ましくは、前記距離を２〜５μｍの範囲内とする。
【００２７】
さらに本発明の第６の態様によるプリント配線板は、前記第１〜第５の態様のうちのいずれかの態様によるプリント配線板において、前記被覆層で覆われた端子部の導体層は、被覆層で覆われた面と前記絶縁基材の前記一面との間の距離が、導体層の幅方向の中央部で小さく、幅方向両端部で大きくなるように形成されていることを特徴とするものである。
【００２８】
このように端子部の導体層における被覆層で覆われた面と前記絶縁基材の前記一面との間の距離が、幅方向中央部で小さく、幅方向両端部で大きくなるように形成されていることは、端子部導体層の幅方向両端近くの表面に傾斜面が形成されていることを意味する。そしてこのような傾斜面によって、端子部導体層と被覆金属層との間の接触面積を大きく確保することができる。その結果、被覆金属層の端子部導体層に対する被覆金属層の密着強度を高めることができ、被覆金属層を端子部導体層から剥離しにくくすることができる。
【００２９】
また本発明の第７の態様によるプリント配線板は、前記第１〜第６の態様のうちのいずれかの態様によるプリント配線板において、前記導体層が、銅もしくは銅合金によって形成されていることを特徴とするものである。
【００３０】
また本発明の第８の態様によるプリント配線板は、前記第１〜第７の態様のうちのいずれかの態様によるプリント配線板において、前記被覆層の保護用金属の材料として、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ａｇ、はんだ合金のうちから選ばれた１種以上のものが用いられていることを特徴とするものである。
【００３１】
さらに第９〜第１４の態様では、プリント配線板の製造方法を規定している。
すなわち本発明の第８の態様によるプリント配線板の製造方法は、第１〜第８の態様のうちのいずれかの態様のプリント配線板を製造する方法であって：
絶縁基材の一面に、配線回路および端子部を構成するパターンで導体層を埋め込む埋め込み基板形成工程と、
前記導体層のうちの端子部の導体層の表面をエッチングして、その表面を絶縁基材の前記一面から凹状に窪ませるエッチング工程と、
前記エッチングされた端子部の導体層の表面を、導体層の金属とは異なる保護用金属によって、１層以上に被覆して保護用被覆層を形成する被覆工程と、
を有し、かつ前記被覆工程では、保護用被覆層を、その表面が絶縁基材の前記一面と実質的に同一面以下に位置するように形成することを特徴とするものである。
【００３２】
このような第９の態様の製造方法においては、埋め込み基板形成工程によって絶縁基材表面に埋め込まれた導体層のうち、端子部を構成する導体層は、エッチング工程によってその表面が絶縁基材の一面（表面）から窪んだ状態となる。そしてその窪んだ端子部導体層の表面を、被覆工程においてＮｉ／ＡｕあるいはＮｉ／Ｐｄ／Ａｕなどの保護用金属により被覆するにあたっては、被覆層の表面が絶縁基材の表面と実質的に同一面（同一レベル）となるようにする。ここで、保護用金属の被覆時には、端子部導体層は絶縁基材表面から窪んだ状態となっているから、保護用金属被覆のための無電解めっきや電解めっきなどにおいて、保護用金属の析出が導体層の側方（水平方向）に進行することがなく、そのためブリッジ現象も生じない。そのため、隣り合う端子部導体間の最小間隔（スペース）を従来よりも狭小化しても、隣り合う端子部導体層が連続して、その間が電気的に導通してしまうことが防止できる。その結果、端子部の導体パターンの間隔を従来より小さくして、より高精細なパターンを有するプリント配線板とすることができる。
【００３３】
また本発明の第１０の態様のプリント配線板の製造方法は、第９の態様のプリント配線板の製造方法において、前記エッチング工程で、端子部の導体層の表面をエッチングし、その後の被覆工程で、そのエッチングされた端子部の導体層の表面に保護用金属の被覆層を形成することを特徴とするものである。
【００３４】
また本発明の第１１の態様のプリント配線板の製造方法は、第１０の態様のプリント配線板の製造方法において、前記被覆工程で、保護用金属の被覆層を、その表面が絶縁基材の前記一面から２μｍ高い位置以下となるように形成することを特徴とするものである。
【００３５】
既に第２の態様に関して説明したように、保護用金属の被覆層が絶縁基材の表面位置からわずかに突出している場合も許容され、その突出高さが２μｍ以下であれば、保護用金属被覆層形成時において、隣り合う端子部の導体層の間で絶縁基材表面に保護用金属の異常析出がほとんど生じないが確認されている。したがって、プリント配線板の製造時においても、保護用金属被覆層表面と絶縁基材表面との段差が２μｍ以下となるように保護用金属被覆層を形成すれば、隣り合う端子部導体層の間での保護用金属異常析出の発生を回避することができる。
【００３６】
また本発明の第１２の態様のプリント配線板の製造方法は、第９〜第１１のいずれかの態様のプリント配線板の製造方法において、前記エッチング工程で、端子部の導体層を、その表面の最上部が、絶縁基材の前記一面から１〜７μｍだけ窪むまでエッチングすることを特徴とするものである。
【００３７】
さらに本発明の第１３の態様のプリント配線板の製造方法は、第９〜第１２のいずれかの態様のプリント配線板の製造方法において、前記被覆工程が、無電解めっきにより保護用金属を被覆する工程であることを特徴とするものである。
【００３８】
さらに本発明の第１４の態様のプリント配線板の製造方法は、第９〜第１２のいずれかの態様のプリント配線板の製造方法において、前記被覆工程が、電解めっきにより保護用金属を被覆する工程であることを特徴とするものである。
【００３９】
また本発明の第１５の態様のプリント配線板の製造方法は、第９〜第１４のいずれかの態様のプリント配線板の製造方法において、前記埋め込み基板形成工程が、支持体の表面上に導体層をパターンめっきにより形成した後、絶縁基材の一面に前記導体層を押し込み、その後、支持体を除去する工程であることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００４０】
本発明のプリント配線基板においては、パターン形成された導体層のうちの端子部となる導体層が、絶縁基材の表面から窪んだ状態で形成されており、その端子部導体層の表面に被覆された保護用金属の被覆層が絶縁基材の表面と実質的に同一面（同一レベル）以下とされているため、隣り合う端子部導体層の間において被覆金属（保護用金属）が異常析出やブリッジ現象により連続してしまうことが容易に回避される。そのため、隣り合う端子部導体間の最小間隔（スペース）を従来よりも狭小化しても、隣り合う端子部導体が電気的に導通してしまうことが防止でき、その結果、導体パターン、特に端子部の導体パターンの間隔を従来より小さくして、より高精細なパターンを有するプリント配線板とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の第１の実施形態のプリント配線基板の原理的な平面構造を、略解的に示す平面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態のプリント配線基板の原理的な断面構造を、図１におけるＩＩ−ＩＩ線で切断して示す縦断面である。
【図３】本発明の第１の実施形態のプリント配線基板の原理的な断面構造を、図１におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線で切断して示す縦断面である。
【図４】本発明の第２の実施形態のプリント配線基板の原理的な断面構造を、図３と同様な位置で略解的に示す縦断面図である。
【図５】本発明のプリント配線基板の製造方法の一実施形態を段階的にかつ原理的に示す略解図である。
【図６】本発明のプリント配線基板の製造方法の準備工程として、埋め込み基板を製造する方法の一例を段階的かつ原理的に示す略解的図である。
【図７】本発明のプリント配線基板の製造方法の一実施形態のうちの初期の工程を、より具体的かつ段階的に示す略解図である。
【図８】図７に続く工程を、具体的かつ段階的に示す略解図である。
【図９】図８に続く工程を、具体的かつ段階的に示す略解図である。
【図１０】従来のプリント配線板の一例の導体層付近の状況を示す略解的な断面図である。
【図１１】従来のプリント配線板の他の例の導体層付近の状況を示す略解的な断面図である。
【図１２】実施例１〜実施例３および比較例１、比較例２によるプリント配線板の導体層付近の断面の光学顕微鏡で観察した写真である。
【図１３】実施例１によるプリント配線板についての平面および断面を走査型電子顕微鏡で観察した写真である。
【図１４】実施例２によるプリント配線板についての平面および断面を走査型電子顕微鏡で観察した写真である
【図１５】実施例３によるプリント配線板についての平面および断面を走査型電子顕微鏡で観察した写真である
【図１６】比較例１によるプリント配線板についての平面および断面を走査型電子顕微鏡で観察した写真である
【図１７】比較例２によるプリント配線板についての平面および断面を走査型電子顕微鏡で観察した写真である
【発明を実施するための形態】
【００４２】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
図１〜図３には、本発明の第１の実施形態のプリント配線板の要部を原理的に示し、図４には、本発明の第２の実施形態のプリント配線板の要部を原理的に示す。
図１〜図３、および図４において、絶縁基材１０はプリプレグ、あるいは液晶ポリマー（ＬＣＰ）で代表される高耐熱性熱可塑性樹脂などの絶縁性材料からなる薄板状もしくはシート状のものであり、その絶縁基材１０の一方の面（以下単に表面と記す）１０Ａの側には、プリント配線板としての配線回路および端子部を構成する金属銅（Ｃｕ）もしくはＣｕ合金などの良導電材料からなる複数の導体層１２が、絶縁基材１０の板面と平行な方向に伸びる所定のパターンで埋め込まれている。
ここで、導体層１２のうち、符号１２ａの領域は、導体パターンのうちの端子部に相当する部分であり、以下これを端子部導体層１２ａと称する。また導体層１２のうち、符号１２ｂの領域は、導体パターンのうちの配線回路に相当する部分であり、以下これを配線回路導体層１２ｂと称する。
【００４３】
端子部導体層１２ａは、図１〜図３に示す例では、幅Ｗの幅広な領域１２ａ０と、その領域１２ａ０から配線回路導体層１２ｂに向かって連続する幅Ｗ´の相対的に幅狭の領域１２ａ１とによって構成されている。そして配線回路導体層１２ｂは、前記端子部導体層１２ａにおける幅狭の領域１２ａ１に、同じ幅Ｗ´をもって連続している。そして隣り合う導体層１２は、所定の間隔（スペース）を置いて互いに平行となっている。ここで隣り合う端子部導体層１２ａにおける幅広な領域１２ａ０の相互間の間隔（スペース）を、符号Ｓで示す。この間隔Ｓは、隣り合う導体層１２の間における最も小さい間隔と言うことができる。
なお場合によっては、端子部導体層１２ａを、その全長にわたって同じ幅（Ｗ）とし、かつその端子部導体層１２ａに連続する配線回路導体層１２ｂも同じ幅（Ｗ）とすることもある。
【００４４】
端子部導体層１２ａおよび配線回路導体層１２ｂを含め、導体層１２の厚みは特に限定しないが、通常は１０〜２０μｍ程度とされる。導体層１２の厚みが１０μｍ未満では、導体層による配線や端子部の電気抵抗が過大となるおそれがあり、一方２０μを越える厚さとすることは、性能的に無駄で、コストアップを招くばかりでなく、埋め込み基板製造に困難を伴うおそれがある。
【００４５】
前記端子部導体層１２ａは、絶縁基材１０の表面１０Ａから凹状に窪んだ状態で形成されている。すなわち端子部導体層１２ａは、その表面１２Ａが、絶縁基材１０の表面１０Ａの位置から所定の深さＤの位置に位置している。その深さＤは、１〜７μｍの範囲内とすることが望ましく、より好ましくは２〜５μｍの範囲内とする。
【００４６】
端子部導体層１２ａの表面１２Ａ上には、保護用金属の被覆層１４として、例えばＮｉめっき層（第１層）１４−１とＡｕめっき層（第２層）１４−２との２層構造とされている。この被覆層１４の厚みＴは、実質的に導体層表面の窪み深さＤと同等とされている。したがって被覆層１４は、その表面１４Ａの位置が、絶縁基材１０の表面１０Ａと実質的に同一の面もしくはそれ以下の位置となっていて、絶縁基材表面１０Ａから実質的に突出しない状態となっている。
【００４７】
ここで、図３では、端子部導体層１２ａの表面１２Ａが平坦な場合について示しているが、端子部導体層１２ａに対するエッチングをある程度以上進行させた場合には、図４に示すように、幅方向中央部１２１よりも幅方向両端部１２２で窪み深さが大きくなることが分かった。すなわち、幅方向中央部１２１の窪み深さＤ１よりも幅方向両端部１２２の窪み深さＤ２が大きくなるような断面凸形状に形成されることが分かった。このように端子部導体層１２ａの幅方向断面形状が凸形状となった場合でも、後に製造方法に関して説明するように、導体層表面に被覆される保護用金属の被覆層１４は、その上面１４Ａを平坦面（絶縁基材１０の表面１０Ａと実質的に面一の平坦面、もしくはそれよりも下方の位置での平坦面）とすることができる。特に無電解めっきを適用した場合は、より平坦とすることができる。
【００４８】
なお以上の説明においては、保護用金属の被覆層１４の上面１４Ａが絶縁基材表面１０Ａから実質的に突出しない、あるいは保護用金属の被覆層１４の上面１４Ａが絶縁基材１０の表面１０Ａと実質的に同一の面以下となると記載したが、ここで“実質的に”とは、保護用金属の被覆層１４の上面１４Ａが絶縁基材表面１０Ａと完全に同一な面もしくはその下方に位置している場合のみならず、保護用金属の被覆層１４の上面１４Ａが絶縁基材表面１０Ａからわずかに突出する場合を許容していることを意味する。そのわずかな突出許容寸法は、通常は＋２μｍまでは許容される。すなわち、絶縁基材表面１０Ａからの保護用金属被覆層１４の上面１４Ａの最大突出寸法が２μｍを越えれば、図１１（Ｂ）に示したと同様に、保護用金属が隣り合う導体層間で部分的に連続してしまうおそれがあるが、その突出寸法が２μｍ以下であれば、隣り合う端子部導体層１２ａ間で、部分的にも連続してしまうおそれが少ない。そこで、保護用金属被覆層１４の上面１４Ａの位置は、絶縁基材表面１０Ａの位置から上方へ２μｍまでは許容され、その許容範囲を含めて、本明細書では、保護用金属被覆層１４の上面１４Ａの位置について、絶縁基材表面１０Ａの位置と実質的に同一の面以下と表現しているのである。
【００４９】
なおまた、保護用金属被覆層１４自体の厚みは特に限定しないが、通常は端子部導体層１２ａの表面１２Ａの絶縁基材表面１０Ａからの窪み深さ（好ましくは１〜７μｍ）および保護用金属被覆層１４の絶縁基材表面１０Ａからの突出許容高さ（好ましくは２μｍ以下）との関係からは、１〜９μｍの範囲内とすることが望ましい。
さらに、保護用金属被覆層１４の上面１４Ａが絶縁基材表面１０Ａから窪んでいる場合には、隣り合う端子部導体層１２ａ間での保護用金属の連続は原理的に生じ得ず、従ってその窪み寸法については特に限定しない。但し、保護用金属被覆層１４の上面１４Ａの絶縁基材表面１０Ａからの窪み深さが１０μｍを越えれば、端子部導体層１２ａの厚みを１０μｍ程度以上に確保することが困難となって、端子部の抵抗が過大となってしまうおそれがあるから、通常は１０μｍ以下とすることが望ましく、より好ましくは７μｍ以下とする。
【００５０】
また上記の例では、保護用金属の被覆層１４を、Ｎｉめっき層（第１層）１４−１とＡｕめっき層（第２層）１４−２との２層構造として説明したが、Ｎｉめっき層（第１層）、Ｐｄめっき層（第２層）、およびＡｕめっき層（第３層）の３層構造とすることもでき、さらに場合によっては単層構造としても良い。また保護用金属の種類も特に限定されず、端子部導体層１２ａを構成する金属、および端子部として接合される相手側の金属の種類に応じて適切な１種又は２種以上の金属を保護用金属として選択すればよい。具体的には、例えばＮｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ａｇ、はんだ合金のうちから選ばれた１種以上のものを、保護用金属として用いることができる。
【００５１】
なお、上述のように導体層１２のうちの端子部導体層１２ａは、絶縁基材表面１０Ａから窪ませて、その上面に保護用金属被覆層１４を形成しているが、導体層１２のうちの配線回路導体層１２ｂは、絶縁基材表面１０Ａから窪ませず、その上面を絶縁基材表面１０Ａと実質的に面一のままとしている。そしてその配線回路導体層１２ｂの表面には、保護用金属被覆層１４を形成していない。
【００５２】
次に図１〜図３、または図４に示される第１、第２実施形態のプリント配線板を製造する方法について、図５の（Ａ）〜（Ｅ）を参照して原理的に説明する。なお図５の（Ａ）〜（Ｅ）においては、導体層１２のうち、端子部導体層１２ａの幅広な領域１２ａ0が現れている断面について示し、配線回路導体層については省略している。
【００５３】
図５（Ａ）は、埋め込み基板形成工程によって、プリプレグ、あるいは液晶ポリマー（ＬＣＰ）で代表される高耐熱性熱可塑性樹脂などの絶縁性材料からなる絶縁基材１０に、既に複数の導体層１２が埋め込まれている状態の基板（埋め込み基板）１８を示す。なおこの状態では、導体層１２の表面１２Ａは、絶縁基材１０の表面１０Ａのレベルと同一のレベルとなっている。すなわち導体層１２によるパターン形成面は平坦な面となっている。
このような状態のもの（埋め込み基板１８）を得るまでの埋め込み基板形成工程の具体的なプロセスは従来の平埋め法と同様であれば良く、その具体例については後に改めて説明する。
【００５４】
本発明の実施形態では、図５（Ａ）に示す段階の埋め込み基板１８に対し、エッチング工程を施す。すなわち、導体層１２を構成しているＣｕもしくはＣｕ合金を溶解させるエッチング液、例えば過硫酸ナトリウムと硫酸とからなるエッチング液を用いて、導体層１２のうちの端子部導体層１２ａを、その表面側からエッチングする。そのエッチングの初期段階の状況を図５（Ｂ）に示す。この段階では、端子部導体層１２ａはほぼ均一な深さで窪んでいる。さらにエッチングを進行させれば、端子部導体層１２ａはその幅方向両端部付近で大きくエッチングされ、図５（Ｃ）に示すような、中央部１２１よりも両端部１２２付近の窪み深さが大きい状態となる。すなわち、幅方向の断面が凸状をなす状態となる。
なお上記のエッチング工程では、導体層１２のうち、配線回路導体層は、適宜エッチングマスクなどでカバーして、エッチングされることを防止する。したがってエッチング工程終了後の段階では、導体層１２は、端子部導体層１２ａのみが窪んだ状態となっており、図示しない配線回路導体層は、その表面が絶縁基材表面１０Ａと実質的に面一のままとなっている。
【００５５】
次いで、保護用金属被覆工程として、図５の（Ｄ）〜（Ｅ）に示すように、端子部導体層１２ａの表面１２Ａ上を、保護用金属で被覆し、被覆層１４を形成する。本実施形態では、先ず無電解めっきもしくは電解めっきにより端子部導体層１２ａの表面１２Ａに第１層１４−１としてＮｉめっきを施し、続いて無電解めっきもしくは電解めっきにより第２層１４−２としてＡｕめっきを施して、２層構造の被覆層１４としている。ここで、被覆層１４はその表面１４Ａが、絶縁基材１０の表面１０Ａとほぼ面一となるように、めっき条件（特にめっき速度）に応じてめっき処理時間を適切に調整する。なお本実施形態においては、保護用金属めっき前の段階（図５（Ｃ））では、端子部導体層１２ａが、幅方向の断面が凸状をなす状態となっているが、被覆層第１層１４−１のＮｉめっきを施すに当たっては、無電解めっき、電解めっきのいずれによる場合も、Ｎｉをある程度以上の厚みでめっきすることにより、そのＮｉめっき層（第１層）１４−１の表面１４−１Ａをほぼ平坦な面とすることができる（図５（Ｄ）参照）。したがって、その後に第２層１４−２としてＡｕめっきを施すにあたっては、均一な厚みでめっきすることにより、容易にその表面１４−２Ａ（被覆層表面１４Ａに相当）を平坦な面とすることができる。その結果、図４に示した第２の実施形態のプリント配線板と同様なプリント配線板を得ることができる。
【００５６】
ここで、上述の保護用金属被覆工程においては、無電解めっき、電解めっきのいずれの場合も、めっき金属（Ｎｉ、Ａｕ）は、絶縁基材表面１０Ａから窪んだ凹部（端子部導体層１２ａの表面１２Ａ上でかつ絶縁基材表面１０Ａの面より低い空間）の内側に析出されるから、隣り合う端子部導体層間で保護用金属のブリッジ現象が生じてしまうことはない。また無電解めっきを適用した場合において、保護金属被覆層１４の表面１４Ａが絶縁基材表面１０Ａからわずかに突出したとしても、その保護金属被覆層１４の表面１４Ａと絶縁基材表面１０Ａとの段差が２μｍ以下であれば、異常析出の発生がほとんどなく、そのため電気的に導通してしまうことを防止できる。そして、隣り合う端子部導体層１２ａの間のスペース（例えば図１、図３、図４に示す端子部導体層１２ａの幅広な領域１２ａ０についての隣り合う導体層間の間隔Ｓ；すなわち導体層間の最小間隔）が２５μｍ以下と、極めて小さい場合でも、そのスペースで保護用金属が連続して電気的導通が生じてしまうことを回避できるため、端子部導体層１２ａ層間の最小間隔を２５μｍ以下として、高精細な導体パターンを有するプリント配線板を作成することができる。なお本発明者らが鋭意検討した結果、上記の最小間隔は十数μｍまで狭小化しても特に問題はないことを確認している。
【００５７】
なお、図５の（Ｂ）に示す段階、すなわちエッチング工程の比較的初期の、端子部導体層１２ａが未だ断面凸状となっていない段階で、次の被覆工程としてＮｉ／Ａｕめっきを施すこともあり、その場合には図３に示したような断面形状を有する第１の実施形態のプリント配線板と同様なプリント配線板を得ることができる。
【００５８】
次に、図５（Ａ）に示されるような埋め込み基板を製造する工程、すなわち埋め込み基板形成工程の原理的な一例について、図６の（Ａ）〜（Ｈ）を参照して説明する。
先ず図６の（Ａ）に示すような支持体２０を用意する。この支持体２０は、特に限定されるものではないが、本実施形態では、銅箔２０Ａの片面上にニッケル膜２０Ｂをめっきなどにより形成したものが用いられている。
【００５９】
次いで、図６の（Ｂ）に示すように、支持体２０におけるニッケル膜２０Ｂの側の面に、めっきレジスト層２２を形成する。このめっきレジスト層２２は、レジストパターン形成のためにフォトリソグラフィ技術を適用する場合は、感光性レジストフィルムを用いればよい。続いて公知のフォトリソグラフィ技術などにより、図６の（Ｃ）に示すように、めっきレジスト層２２にパターンを形成する。その後、図６の（Ｄ）に示すように、例えば電解めっきにより、支持体２０上のめっきレジスト非形成部分に、Ｃｕなどにより導体層１２を形成する。その後、めっきレジスト層２２を、剥離あるいは溶解などによって除去し、図６の（Ｅ）の状態とする。この状態では、支持体２０の表面に導体層１２が所定のパターンで突出形成されている。
【００６０】
その後、図６の（Ｆ）に示すように、プリプレグなどの比較的軟質な絶縁基材１０を用意して、その絶縁基材１０の表面１０Ａを、支持体２０上の導体層１２に対向させ、必要に応じて加熱しながら加圧して、積層圧着させる。これによって、図６の（Ｇ）に示すように、導体層１２が絶縁基材１０に押し込まれる。その後、支持体２０をエッチングなどの適宜の手段によって除去すれば、図６の（Ｈ）に示すような埋め込み基板１８が得られる。
【００６１】
さらに本発明のプリント配線板の製造方法を、より具体化した実施形態を、図７〜図９に示す。なお図７の（Ａ）〜（Ｆ）から図８の（Ａ）〜（Ｄ）、さらに図９の（Ａ）〜（Ｃ）までは、埋め込み基板１８を作成するための埋め込み基板形成工程に相当し、図９の（Ｄ）〜（Ｇ）は、その後の工程を示している。また図７〜図９の各図においても、図５、図６と同様に、導体層１２のうち、端子部導体層１２ａの幅広な領域１２ａ0が現れている断面について示し、配線回路導体層については省略している。
【００６２】
本実施形態においては、先ず図７の（Ａ）に示すように、第１の支持体としての片面銅張積層板３０と、第２の支持体としての比較的軟質な絶縁材、例えばプリプレグ３２と、小サイズの銅箔３４と、大サイズの銅箔３６とを用意する。そしてこれらを上記の順序で積層して加圧し、図７の（Ｂ）に示すような積層体３８を得る。この積層加圧によって、小サイズの銅箔３４は、第２支持体３２の表面層に埋め込まれた状態となる。なお小サイズ銅箔３４と大サイズ銅箔３６との間は接着されていないが、小サイズ銅箔３４の端部よりも外側の領域では大サイズ銅箔３６がプリプレグ３２に直接接して、その間で接合力が作用している。
【００６３】
次いで図７の（Ｃ）に示すように、大サイズの銅箔３６の表面に、無電解めっきもしくは電解めっきなどによって、Ｎｉ層４０を形成する。その後、図７の（Ｄ）に示すように、Ｎｉ層４０の表面に、めっきレジスト４２として、例えば感光性レジストフィルムを積層する。そしてフォトリソグラフィなどの公知の手法によって、図７の（Ｅ）に示すように、めっきレジスト４２にパターンを形成する。
【００６４】
その後、導体金属としてのＣｕの電解めっきを行なって、めっきレジスト４２の非形成部分に導体層１２を形成し、続いてめっきレジスト４２を剥離もしくは溶解によって除去し、図７の（Ｆ）に示すように、積層体３８におけるＮｉ層４０上に導体層１２のパターンを形成する。
【００６５】
次いで、図８の（Ａ）に示すように、プリプレグや液晶ポリマーなどの絶縁基材１０と、銅箔４４とを、積層体３８のＮｉ層４０上における導体層１２の側に配置し、図８の（Ｂ）に示すように、積層、加圧する。これによって導体層１２は、絶縁基材１０に埋め込まれた状態となる。
【００６６】
その後、図８の（Ｃ）に示すように、小サイズ銅箔３４の端部よりも内側の部分で、パターン幅方向に平行な垂直方向に切断し、両端側の部分を中央部側の部分から切り離す。その切断位置を２点鎖線４６で示す。ここで、小サイズ銅箔３４と大サイズ銅箔３６との間は特に接合されていないため、上述のように切り離した後の中央部側の部分は、小サイズ銅箔３４と大サイズ銅箔３６との間で容易に剥離することが可能な状態となる。そこで、図８の（Ｄ）に示すように、小サイズ銅箔３４と大サイズ銅箔３６との間を剥離させる。このようにして剥離した上側の部分を図９の（Ａ）に示す。
【００６７】
この後、図９の（Ａ）〜（Ｂ）に示すように、エッチング液として、Ｃｕは溶解するがＮｉは溶解しにくいエッチング選択性を有する第１の選択エッチング液、例えばメルテックス製エープロセスを用いて、大サイズ銅箔３６をエッチング除去する。これによって、図９の（Ｂ）に示すように、Ｎｉ層４０が露呈した状態となる。なお、この第１の選択エッチングによって、大サイズ銅箔３６とは反対側の銅箔４４も、その全体がエッチング除去されるが、実際のプリント配線板の製造では、この銅箔４４についても公知のフォトリソグラフィ技術を適用してパターン形成することが可能である。
【００６８】
上述のようにして大サイズ銅箔３６が除去されてＮｉ層４０が露呈した後には、図９の（Ｂ）〜（Ｃ）に示すように、Ｎｉは溶解するがＣｕは溶解しにくいエッチング選択性を有する第２の選択エッチング液、例えばメルテックス製メルストリップＮ−９５０を用いて、Ｎｉ層４０をエッチング除去する。これによって、図９の（Ｃ）に示すように、絶縁基材１０に所定のパターンで埋め込まれた導体層１２の表面が露呈した状態となる。すなわち、図６の（Ｈ）で示したものと同様な埋め込み基板（但し図面上では上下が反転している）１８が得られる。
【００６９】
その後、必要に応じて、図９の（Ｄ）に示すように導体層１２に対して反対側の面から、機械加工やレーザ加工によって、絶縁基材１０に開口部４６を、導体層１２に届くように形成し、さらに図９の（Ｅ）に示すように、必要に応じてソルダレジスト層４８を所定のパターンで形成する。
【００７０】
その後の工程は、図５の（Ａ）〜（Ｅ）を参照して説明したプロセスと実質的に同様である。すなわち、導体層１２のうちの端子部導体層１２ａを、絶縁基材１０の表面から所定の深さＤまでエッチングして、図９の（Ｆ）に示す状態とする。その後、図９の（Ｇ）に示すように、端子部導体層１２ａの表面に、保護用金属被覆層１４として、Ｎｉめっき層（第１層）１４−１およびＡｕめっき層（第２層）１４−２を、無電解めっきもしくは電解めっきにより形成する。このとき、保護用金属被覆層１４の表面が絶縁基材１０の表面と実質的に同一の面以下となるようにめっき厚を調整することは、既に述べたとおりである。
【００７１】
以下に本発明の実施例を、比較例とともに説明する。なお以下の実施例は、本発明の作用効果を明確化するためのものであって、実施例に記載された条件が本発明の技術的範囲を限定しないことはもちろんである。
【実施例】
【００７２】
実施例１：
図５の（Ａ）に示すように、プリプレグからなる絶縁基材１０に所定のパターンでＣｕからなる導体層１２が埋め込み形成された埋め込み基板１８を準備した。ここで、導体層１２の幅（パターンの幅）は２０μｍ、隣り合う端子部導体層間の間隔、とりわけ端子部導体層１２ａにおける幅広な領域１２ａ０の間隔（パターン間の最小間隔）Ｓは、１４μｍとした。このような埋め込み基板１８の導体層１２のうち、端子部導体層１２ａの表面を、過硫酸ナトリウムと硫酸からなるエッチング液によって、１μｍの深さまでエッチングし、絶縁基材１０の表面から端子部導体層１２ａの表面が窪んでいる状態とした（図５（Ｂ））。次いで、上記の端子部導体層１２ａについて、脱脂処理を行ってから、エッチング量０．３μｍのソフトエッチング処理、脱スマット処理、プリディップ処理、さらに無電解めっきのためのＰｄ触媒の付与処理、ポストディップ処理をその順に行った後、約２μｍの無電解Ｎｉめっき、０．３μｍの無電解Ｐｄめっき、０．１μｍの置換無電解Ａｕめっきを行ない、端子部導体層１２ａ上においてＡｕめっき層表面が絶縁基材表面から１．０μｍ突出しているプリント配線板を得た。
実施例１により得られたプリント配線板の端子部導体層付近の断面の状況を光学顕微鏡によって観察した結果を図１２の（Ａ）に示し、またそのプリント配線板の平面および断面について走査型電子顕微鏡により観察した結果を図１３に示す。なお、図１２の（Ａ）〜（Ｅ）、及び図１３〜図１７の（Ｂ）において、符号ＡはＣｕからなる導体層を示し、符号Ｂは、Ｎｉ／Ａｕめっき層を示す。
【００７３】
実施例２：
図５の（Ａ）に示すように、プリプレグからなる絶縁基材１０に所定のパターンでＣｕからなる導体層１２が埋め込み形成された埋め込み基板１８を準備した。ここで、端子部導体層１２ａの幅（パターンの幅）は２０μｍ、隣り合う端子部導体層１２ａ間の間隔、とりわけ端子部導体層１２ａにおける幅広な領域１２ａ０の間隔（パターン間の最小間隔）Ｓは、１５μｍとした。このような埋め込み基板１８の導体層１２のうち、端子部導体層１２ａの表面を、過硫酸ナトリウムと硫酸からなるエッチング液によって、１μｍの深さまでエッチングし、絶縁基材１０の表面から端子部導体層１２ａの表面が窪んでいる状態（図５（Ｂ））とし、さらにエッチングを継続させて、幅方向の断面が凸状をなす端子部導体層１２ａとした（図５（Ｃ））。ここで、上記のエッチングは、断面凸状の端子部導体層の幅方向中央部の表面（凸状の頂面）が、絶縁基材表面位置から４．５μｍの深さに位置するまで行なった。なおこの状態では、断面凸状の端子部導体層の両端部は、絶縁基材表面位置から７．５μｍの深さに位置していた。次いで、上記の端子部導体層１２ａについて、脱脂処理を行ってから、エッチング量０．３μｍのソフトエッチング処理、脱スマット処理、プリディップ処理、さらに無電解めっきのためのＰｄ触媒の付与処理、ポストディップ処理をその順に行った後、無電解Ｎｉめっきを行なった（図５（Ｄ））。この無電解Ｎｉめっきは、凸状導体層の頂部が絶縁基材表面位置から０．３μｍの深さの位置に達するまで行なったが、この状態では、Ｎｉめっき層は、全体として平坦となっていることが確認された。さらにＮｉめっき層上に、０．２μｍの無電解Ｐｄめっき、および０．１μｍの置換無電解Ａｕめっきを行ない、端子部導体層上のＡｕめっき層表面が絶縁基材表面とほぼ同じ位置となっている平坦なプリント配線板を得た（図５（Ｅ）、図４）。
実施例２により得られたプリント配線板の導体層付近の断面の状況を光学顕微鏡によって観察した結果を図１２の（Ｂ）に示し、またそのプリント配線板の平面および断面について走査型電子顕微鏡により観察した結果を図１４に示す。
【００７４】
実施例３：
図５の（Ａ）に示すように、プリプレグからなる絶縁基材１０に所定のパターンでＣｕからなる導体層１２が埋め込み形成された埋め込み基板１８を準備した。ここで、端子部導体層１２ａの幅（パターンの幅）は１３μｍ、隣り合う端子部導体層１２ａ間の間隔、とりわけ端子部導体層１２ａにおける幅広な領域１２ａ０の間隔（パターン間の最小間隔）Ｓは、２２μｍとした。このような埋め込み基板１８の導体層１２における端子部導体層１２ａの表面を、硫酸と過酸化水素水からなるエッチング液によって、１μｍの深さまでエッチングし、絶縁基材１０の表面から端子部導体層１２ａの表面が窪んでいる状態（図５（Ｂ））とし、さらにエッチングを継続させて、幅方向の断面が凸状をなす端子部導体層とした（図５（Ｃ））。ここで、上記のエッチングは、断面凸状の端子部導体層の幅方向中央部の表面（凸状の頂面）が、絶縁基材表面位置から２．５μｍの深さに位置に達するまで行なった。なおこの状態では、断面凸状の端子部導体層の両端部は、絶縁基材表面位置から５．３μｍの深さに位置していた。次いで、上記の端子部導体層１２ａについて、脱脂処理を行ってから、エッチング量０．３μｍのソフトエッチング処理、電解Ｎｉめっきを行なった（図５（Ｄ））。この電解Ｎｉめっきは、凸状導体層の頂部が絶縁基材表面位置から１．４μｍの高さの位置に達するまで行なったが、この状態では、Ｎｉめっき層は、全体として平坦となっていることが確認された。さらにＮｉめっき層上に、０．１μｍの電解Ａｕめっきを行ない、端子部導体層１２ａ上のＡｕめっき層表面が絶縁基材表面から１．５μｍ突出しているプリント配線板を得た（図５（Ｅ）、図４）。
実施例３により得られたプリント配線板の導体層付近の断面の状況を光学顕微鏡によって観察した結果を図１２の（Ｃ）に示し、またそのプリント配線板の平面および断面について走査型電子顕微鏡により観察した結果を図１５に示す。
【００７５】
比較例１：
図１１（Ａ）に示すように、プリプレグからなる絶縁基材１０に所定のパターンでＣｕからなる導体層１２が埋め込み形成された埋め込み基板１８を準備した。ここで、導体層１２の幅（パターンの幅）は２０μｍ、隣り合う導体層間の間隔、とりわけ端子部導体層１２ａにおける幅広な領域１２ａ０の間隔（パターン間の最小間隔）Ｓは、１５μｍとした。このような埋め込み基板１８の導体層１２の表面について、脱脂処理を行ってから、エッチング量０．３μｍのソフトエッチング処理、脱スマット処理、プリディップ処理、さらに無電解めっきのためのＰｄ触媒の付与処理、ポストディップ処理をその順に行った後、約３．５μｍの無電解Ｎｉめっき、０．２μｍの無電解Ｐｄめっき、０．１μｍの置換無電解Ａｕめっきを行ない、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕの保護用金属被覆層（無電解めっき層）１４の表面が絶縁基材１０の表面から３．５μｍ突出しているプリント配線板を得た（図１１（Ｂ））。
比較例１により得られたプリント配線板の導体層付近の断面の状況を光学顕微鏡によって観察した結果を図１２の（Ｄ）に示し、またそのプリント配線板の平面および断面について走査型電子顕微鏡により観察した結果を図１６に示す。
【００７６】
比較例２：
図１０（Ａ）に示すように、プリプレグからなる絶縁基材１０上に所定のパターンでＣｕからなる導体層１２が突出形成された基板をセミアディティブ工法により準備した。ここで、導体層１２の幅（パターンの幅）は２１μｍ、隣り合う導体層間の間隔、とりわけ端子部導体層１２ａにおける幅広な領域１２ａ０の間隔（パターン間の最小間隔）Ｓは、３０μｍとした。このような絶縁基材１０上の導体層１２の表面について、脱脂処理を行ってから、エッチング量０．３μｍのソフトエッチング処理、脱スマット処理、プリディップ処理、さらに無電解めっきのためのＰｄ触媒の付与処理、ポストディップ処理をその順に行った後、約２μｍの無電解Ｎｉめっき、０．２μｍの無電解Ｐｄめっき、０．１μｍの置換無電解Ａｕめっきを行ない、絶縁基材１０上に突出する導体層１２がＮｉ／Ｐｄ／Ａｕの保護用金属被覆層（無電解めっき層）１４で覆われたプリント配線板を得た（図１０（Ｂ））。
比較例２により得られたプリント配線板の導体層付近の断面の状況を光学顕微鏡によって観察した結果を図１２の（Ｅ）に示し、またそのプリント配線板の平面および断面について走査型電子顕微鏡により観察した結果を図１７に示す。
【００７７】
以上の実施例および比較例によるプリント配線板についての観察結果（図１２の（Ａ）〜（Ｅ）、図１３〜図１７）から、次のような事実が確認された。
すなわち、本発明の実施例１〜３の場合は、いずれも、隣り合う端子部導体層の間の絶縁基材表面に、保護用金属の異常析出が生じておらず、またとそれに伴うブリッジ現象も生じておらず、隣り合う端子部導体層の間が完全に分離していることが確認された。
これに対して、埋め込み基板を適用したが、導体層をエッチングにより窪ませずに保護用金属のめっきを行なった比較例１では、走査型電子顕微鏡での観察の結果、隣り合う導体の間の絶縁基材表面に保護用金属の異常析出が生じて、ブリッジ現象が発生したことが確認された。
さらに、導体層を絶縁基材上に突出した状態で形成した比較例２の場合は、導体層の上面のみならず側面を覆う保護用金属が隣り合う導体層の間で連続してしまって、明確なブリッジ現象が発生していることが確認された。
【００７８】
ここで、比較例２は、従来の一般的なセミアディティブ法を適用した例であり、この場合には、隣り合う導体層間の最小間隔Ｓが３０μｍで、保護用金属のブリッジ現象により隣り合う導体層の間が連続してしまっていた。
これに対して、本発明の実施例１〜３では、隣り合う端子部導体層間の最小間隔Ｓを２５μｍ以下に狭小化し、特に実施例１、実施例２では１５μｍ以下に著しく狭小化しているが、これらの場合でも、隣り合う端子部導体層の間で保護用金属の異常析出やブリッジが認められなかった。したがって本発明によれば、端子部導体層１２ａ間のスペース（最小間隔Ｓ）を２５μｍ以下、さらには１５μｍ以下まで狭小化しうることが明らかである。
なお比較例１では、導体層間の最小間隔Ｓが１５μｍであるが、異常析出していることから、２５μｍ以下まで狭小化することは実際上困難と解され、特に１５μｍ以下まで狭小化することは不可能であることが明らかである。
【符号の説明】
【００７９】
１０ 絶縁基材
１２ 導体層
１２ａ 端子部導体層
１２ｂ 配線回路導体層
１４ 保護用金属の被覆層１４
１８ 平埋め基板
２０ 支持体
１２１ 幅方向中央部
１２２ 幅方向両端部
Ｓ 最小間隔（スペース）
Ｗ 幅
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種電子・電気機器に使用されるプリント配線基板、特に端子部の導体パターンの高精細化を図ったプリント配線板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のプリント配線板の製造方法、特に回路配線および端子部を構成するパターンの導体層を絶縁基材上に形成するための方法は、サブトラクティブ法、アディティブ法（フルアディティブ法、セミアディティブ法）に大別される。これらのうちでも、セミアディティブ法が、他の方法と比較して微細な導体パターンを精度良く形成することができるため、最近ではセミアディティブ法が多用されるようになっている。
【０００３】
セミアディティブ法は、基本的には、例えば特許文献１に示されているように、絶縁材料からなる基材上に、無電解めっきによって銅などの薄質な金属層（シード層）を形成し、その上に導体パターンを反転したパターンでめっきレジスト層を形成した後、電解めっきによってレジスト層非形成部分に銅などの導体層を形成し、その後にめっきレジスト層を剥離除去し、さらに電解めっきによる導体層が形成されていない部分のシード層をフラッシュエッチングによって除去するものである。
【０００４】
このようなセミアディティブ法によって作製されたプリント配線板における導体パターン形成部分の断面構造を、図１０（Ａ）に模式的に示す。導体層１２は、絶縁基材１０の上面のシード層１１に載った状態、すなわち絶縁基材１０の上面から突出した状態で形成されている。
【０００５】
ここで、セミアディティブ法を適用した場合、電解めっきにより導体層が形成されていない部分（隣り合う導体層１２の間のスペース）のシード層を、前述のようにフラッシュエッチングによって除去する必要がある。ここでフラッシュエッチングでは、実際には、導体層の間のシード層が除去されるだけではなく、図１０（Ｂ）に示しているように、導体層１２も若干エッチングされてしまう。そのため、導体層１２の幅、特に端子部における他の電子部品との接合のために有効な平坦部分の幅ＷＡが狭くなってしまう。したがってセミアディティブ法を適用した場合でも、ある程度以上は高密度、高精度の導体パターンを形成することが困難である。またセミアディティブ法では、導体層のパターンが絶縁基材表面から突出しているため、多層配線板とするために困難を伴うなどの問題もある。
【０００６】
そこで最近では、回路配線や端子部の導体パターンを構成する導体層をプリプレグなどからなる絶縁基材の表面に埋め込んで、導体パターンの側の表面を平滑にしたプリント配線板が実用化されるようになっている。このようなプリント配線板は、例えば特許文献２あるいは特許文献３などに示されており、その断面構造の一例を図１１（Ａ）に示す。図１１（Ａ）において、導体パターンを構成する導体層１２は、絶縁基材１０の表面層に埋め込まれて、導体層１２の表面１２Ａは、絶縁基材１０の上面１０Ａとほぼ同一面とされている。
【０００７】
図１１（Ａ）に示すような基板の製造方法は種々考えられているが、基本的にはサブトラクティブ法やセミアディティブ法など、任意の手法によって支持体表面上に、所定のパターンでその表面から突出する導体層を形成しておき、それを反転させて、導体層の側をプリプレグなどの比較的軟質な絶縁基材の表面に押し付け（積層圧着する）ことによって、絶縁基材の表面層に導体層を押し込み、その後、支持体を任意の手法で除去するのが一般的である。このような工法について、以下この明細書では、平埋め法と称することとし、またこのようにして得られる基板を埋め込み基板と称することとする。
【０００８】
ところで、一般にプリント配線板におけるその表面上の導体層（導体パターン）のうち、ある部分の導体層は、他の電子部品を、ワイヤボンディングやフリップチップボンディングなどにより接合するための端子部として使用されるのが通常である。このような端子部において、導体層の銅がそのまま露出していれば、その導体層は容易に酸化し得る。このように導体層の銅表面が酸化した端子部と電子部品とを接続すれば、両者の間の金属結合が不十分になることがあり、接続信頼性が劣るおそれがある。
そこで端子部については、銅からなる導体層の表面に、無電解めっきもしくは電解めっきにより金（Ａｕ）めっきを施すことが行なわれている。またその場合、金(Ａｕ)めっきだけでは、導体層中の銅（Ｃｕ）が金（Ａｕ）の中に拡散してしまって接合強度が低下する。その拡散防止のためには、Ａｕめっきの下地としてニッケル（Ｎｉ）が最適であるところから、実際上は、銅からなる導体層上に、先ず無電解めっきもしくは電解めっきによりＮｉめっきを施してから、その上にＡｕめっきを施すのが通常である。また場合によっては、先ずＮｉめっきを施し、次いでその上にパラジウム（Ｐｄ）めっきを施し、そのＰｄめっき層上にＡｕめっきを施すこともある。このような、Ｎｉ／ＡｕめっきやＮｉ／Ｐｄ／Ａｕめっきで代表される導体層保護のためのめっき層を、ここでは保護用金属の被覆層と称することとする。なお上記のＮｉ／Ａｕめっきや、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕめっきとしては、最近では無電解めっきを用いることが多くなっている。
【０００９】
上述のような保護用金属の被覆層を導体層上に形成する場合、従来の方法では、次のような問題があった。
すなわち、図１０（Ｂ）に示すようなセミアディティブ法によって導体層１２を形成したプリント配線板について、その導体層１２を覆うための保護用金属被覆層１４として、例えばＮｉ／Ａｕめっきを施した場合、導体層１２の側面にもめっき金属が析出するから、隣り合う導体層１２の間のスペースが小さい場合には、図１０（Ｃ）に示すように、保護用金属被覆層１４が、隣り合う導体層間でブリッジ状に繋がってしまう現象（ブリッジ現象）が生じてしまうことがある。このブリッジ現象が生じれば、隣り合う導体層間で保護用金属被覆層１４が連続してしまい、電気的にも導通してしまうため、プリント配線板としては不良品となってしまう。またこのブリッジ現象は、電解めっき、無電解めっきのいずれでも生じるが、無電解めっきの場合は、隣り合う導体層間のスペースにおける絶縁基材１０表面へのめっき金属の異常析出も問題となる。すなわち、無電解めっきでは、原理的には銅などの金属のみならず絶縁材料にもめっき金属を析出させることができるから、銅からなる導体層上にだけめっき金属を析出させるためには、導体層の表面のみに触媒を担持させたり、めっき処理液に選択性を付与させたりする方策が採られている。しかしながらこのような方策を講じても、隣り合う導体層間のスペースにおける絶縁基材１０表面に、わずかながらもめっき金属が析出してしまう現象、すなわち異常析出が生じてしまうことがある。そしてこのような異常析出が生じれば、前述のブリッジ現象が助長されて、隣り合う導体層間で保護用金属被覆層１４が連続し、電気的導通が生じてしまうことがある。
そしてセミアディティブ法によって導体層１２を形成したプリント配線板では、隣り合う導体層間のスペースが４０μｍ程度以下となれば、ブリッジ現象が頻発するようになり、そのため従来のセミアディティブ法によるプリント配線板では、端子部の導体層上に保護用金属被覆層を形成する場合の端子部導体層間のスペースの狭小化は、４０μｍ程度が限界とされていた。
【００１０】
一方、図１１（Ａ）に示した、平埋め法によるプリント配線板（埋め込み基板）の場合は、導体層１２が絶縁基材１０上に突出していないため、保護用金属めっき時、例えばＮｉ／Ａｕめっき時において、導体層１２の側面へのめっき金属の析出はなく、そのためセミアディティブ法によるプリント配線板の場合よりはブリッジ現象が生じにくい。しかしながら、めっき金属は、図１１（Ｂ）に示すように、絶縁基材１０表面に露出する導体層１２の表面を覆うように丘陵状に隆起しながら析出するから、その隆起した保護用金属被覆層１４が、絶縁基材１０の表面に沿ってその水平方向にある程度延出することを避け得ない。また特に無電解めっきの場合には、隣り合う導体層間において絶縁基材１０の表面に異常析出が生じやすく、そのためブリッジ現象を助長しやすい。
したがって、ブリッジ現象が発生し始めるスペース幅は、セミアディティブ法で発生し始めるスペース幅より小さいといえども、導体間のスペースを、より小さくしたい場合には、このような現象が問題となる。
【００１１】
特に、導体層１２のうちでも、端子部となる部分は、配線回路部となる部分と比較して、その幅（プリント配線板の板面側から見たときのパターン幅）が広くなるように形成されるのが通常であり、その場合、隣り合う端子部導体層間のスペースは、隣り合う配線回路導体層間のスペースよりも小さくなるのが一般的である。したがって、前述のような導体間のスペースを、より狭小化したい場合の問題は、導体層１２のうちでも、端子部となる部分において顕著となる。また一般に酸化防止などのために保護用金属被覆層を導体層上に形成しておくことが望まれるのは、端子部であり、したがってこの点からも、前述の問題は、端子部の導体において発生しやすいのである。
【００１２】
上述のような問題について詳細に検討した結果、埋め込み基板を適用した場合、隣り合う導体層間のスペースが３０μｍ程度以下であってしかも保護用金属のめっきによって形成される保護金属被覆層１４の表面１４Ａと絶縁基材表面１０Ａとの段差ｄｓが２μｍを越えれば、異常析出が発生しやすくなり、導体層間で保護用金属が部分的に連続してしまって、隣り合う導体層間で電気的導通が生じやすくなることが判明した。そのため、埋め込み基板を用いた場合の最小スペース幅は、３０μｍ程度が限界であった。
【００１３】
以上のように、平埋め法によって導体パターンを形成した埋め込み基板を用いた場合は、従来の一般的なセミアディティブ法による場合と比較すれば、導体パターンの隣り合う導体間のスペースを狭くすることが可能ではあったが、より高精細な回路パターンを形成することが望まれる場合には、未だ不充分と言わざるを得なかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２００４−３３５７５１号公報
【特許文献２】特開平５−２９９８１６号公報
【特許文献３】特開２０１０−８０５６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は以上の事情を背景としてなされたもので、配線回路および端子部となる導体パターンを構成する導体層のうち、端子部となる端子部導体層の表面に、Ｎｉ／Ａｕめっきなどの保護用金属被覆層を形成する場合において、隣り合う端子部導体層の間のスペースを３０μｍ以下、さらには２５μｍ以下まで狭小化しても、導体層の間での導体保護用金属のブリッジ現象、異常析出現象によって、隣り合う導体層間が導通してしまうような事態が発生することを未然に防止し、これによって従来よりも一層高精細化することを可能としたプリント配線板を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明では、基本的には、平埋め法によって、絶縁基材表面に所定のパターンで導体層を埋め込んだ構成とすることを前提とし、その場合に端子部となる導体層上に被覆される保護用金属の被覆層が絶縁基材表面から突出しないようにし、これによって、隣り合う端子部の導体層間のスペースでの保護用金属被覆層のブリッジ現象、異常析出により導体間が電気的に導通してしまうことがないようにした。
【００１７】
したがって本発明の基本的な態様（第１の態様）によるプリント配線板は、絶縁基材の一面に、配線回路および端子部を構成するパターンで導体層が埋め込まれており、かつその導体層のうちの端子部の導体層の表面に、導体層の金属とは異なる保護用金属からなる１層以上の被覆層が形成されてなるプリント配線板において、前記端子部の導体層は、その表面が絶縁基材の前記一面から窪んだ状態で形成されており、かつその窪んだ導体層の表面が前記１層以上の被覆層によって覆われており、しかもその１層以上の被覆層は、その表面が、前記絶縁基材の前記一面と実質的に同一面以下に位置するように形成されていることを特徴とするものである。
【００１８】
このような本発明の基本的な態様によれば、絶縁基材に埋め込まれた導体層のうち、端子部を構成する導体層は、絶縁基材の表面から窪んだ状態で形成されており、その端子部の導体層の表面に被覆された保護用金属の被覆層は、その表面位置が絶縁基材の表面と実質的に同一面（実質的に同一レベル）以下とされているため、隣り合う導体層の間での被覆金属（保護用金属）のブリッジ現象の発生が回避される。そのため、隣り合う端子部の導体層間のスペース（最小間隔）を従来よりも狭小化しても、隣り合う導体層の間が保護用金属によって連続して、その間が電気的に導通してしまうことが防止できる。その結果、端子部の導体パターンの最小間隔を従来より小さくして、より高精細なパターンを有するプリント配線板とすることができる。なおここで、保護用金属の被覆層の表面位置が絶縁基材の表面と実質的に同一面（実質的に同一レベル）以下とは、保護用金属被覆層が絶縁基材の表面位置からわずかに突出している場合も許容することを意味しており、その突出高さがわずかであれば、実質的に同一のレベルとみなすことができ、その場合でも、上述のような保護用金属のブリッジ現象の発生を回避することができる。
【００１９】
また本発明の第２の態様によるプリント配線板は、前記第１の態様によるプリント配線板において、前記保護用金属の被覆層の表面が、前記絶縁基材の前記一面より２μｍ高い位置以下に位置するように形成されていることを特徴とするものである。
【００２０】
前述の第１の態様で記載したように、端子部を構成する導体層の表面に被覆された保護用金属の被覆層は、その表面が絶縁基材の表面と実質的に同一面（実質的に同一レベル）以下とされていれば良く、保護用金属の被覆層が絶縁基材の表面位置からわずかに突出している場合も許容されるが、その許容範囲は、第２の態様で、前記絶縁基材の前記一面より２μｍ高い位置までとしている。本発明者等の詳細な実験、検討によれば、保護用金属の被覆層が絶縁基材の表面位置からわずかに突出していても、その範囲が２μｍ以下であれば、保護用金属被覆層形成時において、隣り合う導体層の間で絶縁基材表面に保護用金属の異常析出がほとんど生じないことが確認されている。すなわち、保護用金属被覆層表面と絶縁基材表面との段差が２μｍ以下であれば、保護用金属被覆層表面と絶縁基材表面とが実質的に平坦となっているとみなすことができるのである。
【００２１】
また本発明の第３の態様によるプリント配線板は、前記第１もしくは第２の態様によるプリント配線板において、前記導体層のうちの配線回路の導体層は、その表面が絶縁基材の前記一面と実質的に面一に形成されていて、その配線回路の導体層の表面に前記保護用金属被覆層が形成されていないことを特徴とするものである。
【００２２】
導体パターンのうちでも、他の電子部品との接合のために使用される端子部は、Ｎｉ／ＡｕめっきあるいはＮｉ／Ｐｄ／Ａｕめっきで代表される保護用金属の被覆層を形成しておく必要性が高い部分である。一方、保護用金属の被覆層は、導体層（通常は銅）よりも電気抵抗が格段に大きいため、端子部以外の配線回路を構成する導体層についても絶縁基材の表面から窪ませて保護用金属被覆層を形成すれば、配線抵抗が高くなってしまう。この場合、近年の駆動電圧が低い半導体用のプリント配線板では、配線抵抗の増大により正常に機能しなくなってしまうおそれがある。しかるに第３の態様のプリント配線板では、配線回路の導体層は、その表面が絶縁基材の前記一面と実質的に面一に形成されていて、保護用金属の被覆層が形成されていないため、配線回路の電気抵抗の低下は回避され、低電圧駆動でも正常に機能させることができる。
また第３の態様のプリント配線板では、配線回路および端子部を構成するパターンで形成された導体層のうち、端子部を構成する導体層の表面のみに保護用金属の被覆層が形成されるため、導体層を構成する銅などに比較して高価なＡｕやＮｉなどの使用量を抑えて、コスト上昇を防止することができる。
なお、配線回路を構成する導体層の表面に保護用金属の被覆層を形成した場合には、その配線回路を構成する導体層に関しても、隣り合う導体層の間での被覆金属（保護用金属）のブリッジ現象の発生が懸念されるが、第３の態様のプリント配線板では、配線回路を構成する導体層の表面には保護用金属の被覆層を形成していないから、このような懸念は生じない。
【００２３】
さらに本発明の第４の態様によるプリント配線板は、前記第１〜第３のいずれかの態様によるプリント配線板において、前記被覆層で覆われた端子部の導体層における、隣り合う導体層間の最小間隔が２５μｍ以下であることを特徴とするものである。
【００２４】
従来は、平埋め法でも、前述のような保護用金属の被覆時におけるブリッジ現象、異常析出の発生により、隣り合う端子部導体層間の最小間隔（スペース）を３０μｍ程度以下まで小さくすることは困難であったが、本発明によれば、第４の態様として記載したように、２５μｍ以下の狭小なスペースでも、隣り合う端子部導体層の間での保護用金属による電気的導通の発生を防止し、より高精細なプリント配線板を得ることができる。
【００２５】
そしてまた本発明の第５の態様によるプリント配線基板は、前記第１〜第４の態様のうちのいずれかの態様によるプリント配線板において、前記被覆層で覆われた端子部の導体層は、被覆層で覆われた面と前記絶縁基材の前記一面との間の距離が、１〜７μｍの範囲内となるように形成されていることを特徴とするものである。
【００２６】
ここで、端子部の導体層における被覆層で覆われた面と前記絶縁基材の前記一面との間の距離は、導体層の窪み深さと言い換えることができるが、その距離（導体層窪み深さ）が１μｍ未満では、導体層上の保護用金属被覆層を絶縁基材表面から突出しないように形成するためには、被覆層の厚みが薄くなりすぎ、そのため保護用金属としての保護機能を充分に発揮できなくなる。一方、前記距離（導体層窪み深さ）が７μｍを越える厚さに形成するためには、無電解めっきなどによる保護用金属被覆処理時間が長くなって、生産性が悪くなる。そこで、第５の態様として記載したように、前記距離は１〜７μｍの範囲内とすることが望ましい。なお、より好ましくは、前記距離を２〜５μｍの範囲内とする。
【００２７】
さらに本発明の第６の態様によるプリント配線板は、前記第１〜第５の態様のうちのいずれかの態様によるプリント配線板において、前記被覆層で覆われた端子部の導体層は、被覆層で覆われた面と前記絶縁基材の前記一面との間の距離が、導体層の幅方向の中央部で小さく、幅方向両端部で大きくなるように形成されていることを特徴とするものである。
【００２８】
このように端子部の導体層における被覆層で覆われた面と前記絶縁基材の前記一面との間の距離が、幅方向中央部で小さく、幅方向両端部で大きくなるように形成されていることは、端子部導体層の幅方向両端近くの表面に傾斜面が形成されていることを意味する。そしてこのような傾斜面によって、端子部導体層と被覆金属層との間の接触面積を大きく確保することができる。その結果、被覆金属層の端子部導体層に対する被覆金属層の密着強度を高めることができ、被覆金属層を端子部導体層から剥離しにくくすることができる。
【００２９】
また本発明の第７の態様によるプリント配線板は、前記第１〜第６の態様のうちのいずれかの態様によるプリント配線板において、前記導体層が、銅もしくは銅合金によって形成されていることを特徴とするものである。
【００３０】
また本発明の第８の態様によるプリント配線板は、前記第１〜第７の態様のうちのいずれかの態様によるプリント配線板において、前記被覆層の保護用金属の材料として、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ａｇ、はんだ合金のうちから選ばれた１種以上のものが用いられていることを特徴とするものである。
【００３１】
さらに第９〜第１４の態様では、プリント配線板の製造方法を規定している。
すなわち本発明の第８の態様によるプリント配線板の製造方法は、第１〜第８の態様のうちのいずれかの態様のプリント配線板を製造する方法であって：
絶縁基材の一面に、配線回路および端子部を構成するパターンで導体層を埋め込む埋め込み基板形成工程と、
前記導体層のうちの端子部の導体層の表面をエッチングして、その表面を絶縁基材の前記一面から凹状に窪ませるエッチング工程と、
前記エッチングされた端子部の導体層の表面を、導体層の金属とは異なる保護用金属によって、１層以上に被覆して保護用被覆層を形成する被覆工程と、
を有し、かつ前記被覆工程では、保護用被覆層を、その表面が絶縁基材の前記一面と実質的に同一面以下に位置するように形成することを特徴とするものである。
【００３２】
このような第９の態様の製造方法においては、埋め込み基板形成工程によって絶縁基材表面に埋め込まれた導体層のうち、端子部を構成する導体層は、エッチング工程によってその表面が絶縁基材の一面（表面）から窪んだ状態となる。そしてその窪んだ端子部導体層の表面を、被覆工程においてＮｉ／ＡｕあるいはＮｉ／Ｐｄ／Ａｕなどの保護用金属により被覆するにあたっては、被覆層の表面が絶縁基材の表面と実質的に同一面（同一レベル）となるようにする。ここで、保護用金属の被覆時には、端子部導体層は絶縁基材表面から窪んだ状態となっているから、保護用金属被覆のための無電解めっきや電解めっきなどにおいて、保護用金属の析出が導体層の側方（水平方向）に進行することがなく、そのためブリッジ現象も生じない。そのため、隣り合う端子部導体間の最小間隔（スペース）を従来よりも狭小化しても、隣り合う端子部導体層が連続して、その間が電気的に導通してしまうことが防止できる。その結果、端子部の導体パターンの間隔を従来より小さくして、より高精細なパターンを有するプリント配線板とすることができる。
【００３３】
また本発明の第１０の態様のプリント配線板の製造方法は、第９の態様のプリント配線板の製造方法において、前記エッチング工程で、端子部の導体層の表面をエッチングし、その後の被覆工程で、そのエッチングされた端子部の導体層の表面に保護用金属の被覆層を形成することを特徴とするものである。
【００３４】
また本発明の第１１の態様のプリント配線板の製造方法は、第１０の態様のプリント配線板の製造方法において、前記被覆工程で、保護用金属の被覆層を、その表面が絶縁基材の前記一面から２μｍ高い位置以下となるように形成することを特徴とするものである。
【００３５】
既に第２の態様に関して説明したように、保護用金属の被覆層が絶縁基材の表面位置からわずかに突出している場合も許容され、その突出高さが２μｍ以下であれば、保護用金属被覆層形成時において、隣り合う端子部の導体層の間で絶縁基材表面に保護用金属の異常析出がほとんど生じないが確認されている。したがって、プリント配線板の製造時においても、保護用金属被覆層表面と絶縁基材表面との段差が２μｍ以下となるように保護用金属被覆層を形成すれば、隣り合う端子部導体層の間での保護用金属異常析出の発生を回避することができる。
【００３６】
また本発明の第１２の態様のプリント配線板の製造方法は、第９〜第１１のいずれかの態様のプリント配線板の製造方法において、前記エッチング工程で、端子部の導体層を、その表面の最上部が、絶縁基材の前記一面から１〜７μｍだけ窪むまでエッチングすることを特徴とするものである。
【００３７】
さらに本発明の第１３の態様のプリント配線板の製造方法は、第９〜第１２のいずれかの態様のプリント配線板の製造方法において、前記被覆工程が、無電解めっきにより保護用金属を被覆する工程であることを特徴とするものである。
【００３８】
さらに本発明の第１４の態様のプリント配線板の製造方法は、第９〜第１２のいずれかの態様のプリント配線板の製造方法において、前記被覆工程が、電解めっきにより保護用金属を被覆する工程であることを特徴とするものである。
【００３９】
また本発明の第１５の態様のプリント配線板の製造方法は、第９〜第１４のいずれかの態様のプリント配線板の製造方法において、前記埋め込み基板形成工程が、支持体の表面上に導体層をパターンめっきにより形成した後、絶縁基材の一面に前記導体層を押し込み、その後、支持体を除去する工程であることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００４０】
本発明のプリント配線基板においては、パターン形成された導体層のうちの端子部となる導体層が、絶縁基材の表面から窪んだ状態で形成されており、その端子部導体層の表面に被覆された保護用金属の被覆層が絶縁基材の表面と実質的に同一面（同一レベル）以下とされているため、隣り合う端子部導体層の間において被覆金属（保護用金属）が異常析出やブリッジ現象により連続してしまうことが容易に回避される。そのため、隣り合う端子部導体間の最小間隔（スペース）を従来よりも狭小化しても、隣り合う端子部導体が電気的に導通してしまうことが防止でき、その結果、導体パターン、特に端子部の導体パターンの間隔を従来より小さくして、より高精細なパターンを有するプリント配線板とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の第１の実施形態のプリント配線基板の原理的な平面構造を、略解的に示す平面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態のプリント配線基板の原理的な断面構造を、図１におけるＩＩ−ＩＩ線で切断して示す縦断面である。
【図３】本発明の第１の実施形態のプリント配線基板の原理的な断面構造を、図１におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線で切断して示す縦断面である。
【図４】本発明の第２の実施形態のプリント配線基板の原理的な断面構造を、図３と同様な位置で略解的に示す縦断面図である。
【図５】本発明のプリント配線基板の製造方法の一実施形態を段階的にかつ原理的に示す略解図である。
【図６】本発明のプリント配線基板の製造方法の準備工程として、埋め込み基板を製造する方法の一例を段階的かつ原理的に示す略解的図である。
【図７】本発明のプリント配線基板の製造方法の一実施形態のうちの初期の工程を、より具体的かつ段階的に示す略解図である。
【図８】図７に続く工程を、具体的かつ段階的に示す略解図である。
【図９】図８に続く工程を、具体的かつ段階的に示す略解図である。
【図１０】従来のプリント配線板の一例の導体層付近の状況を示す略解的な断面図である。
【図１１】従来のプリント配線板の他の例の導体層付近の状況を示す略解的な断面図である。
【図１２】実施例１〜実施例３および比較例１、比較例２によるプリント配線板の導体層付近の断面の光学顕微鏡で観察した写真である。
【図１３】実施例１によるプリント配線板についての平面および断面を走査型電子顕微鏡で観察した写真である。
【図１４】実施例２によるプリント配線板についての平面および断面を走査型電子顕微鏡で観察した写真である
【図１５】実施例３によるプリント配線板についての平面および断面を走査型電子顕微鏡で観察した写真である
【図１６】比較例１によるプリント配線板についての平面および断面を走査型電子顕微鏡で観察した写真である
【図１７】比較例２によるプリント配線板についての平面および断面を走査型電子顕微鏡で観察した写真である
【発明を実施するための形態】
【００４２】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
図１〜図３には、本発明の第１の実施形態のプリント配線板の要部を原理的に示し、図４には、本発明の第２の実施形態のプリント配線板の要部を原理的に示す。
図１〜図３、および図４において、絶縁基材１０はプリプレグ、あるいは液晶ポリマー（ＬＣＰ）で代表される高耐熱性熱可塑性樹脂などの絶縁性材料からなる薄板状もしくはシート状のものであり、その絶縁基材１０の一方の面（以下単に表面と記す）１０Ａの側には、プリント配線板としての配線回路および端子部を構成する金属銅（Ｃｕ）もしくはＣｕ合金などの良導電材料からなる複数の導体層１２が、絶縁基材１０の板面と平行な方向に伸びる所定のパターンで埋め込まれている。
ここで、導体層１２のうち、符号１２ａの領域は、導体パターンのうちの端子部に相当する部分であり、以下これを端子部導体層１２ａと称する。また導体層１２のうち、符号１２ｂの領域は、導体パターンのうちの配線回路に相当する部分であり、以下これを配線回路導体層１２ｂと称する。
【００４３】
端子部導体層１２ａは、図１〜図３に示す例では、幅Ｗの幅広な領域１２ａ０と、その領域１２ａ０から配線回路導体層１２ｂに向かって連続する幅Ｗ´の相対的に幅狭の領域１２ａ１とによって構成されている。そして配線回路導体層１２ｂは、前記端子部導体層１２ａにおける幅狭の領域１２ａ１に、同じ幅Ｗ´をもって連続している。そして隣り合う導体層１２は、所定の間隔（スペース）を置いて互いに平行となっている。ここで隣り合う端子部導体層１２ａにおける幅広な領域１２ａ０の相互間の間隔（スペース）を、符号Ｓで示す。この間隔Ｓは、隣り合う導体層１２の間における最も小さい間隔と言うことができる。
なお場合によっては、端子部導体層１２ａを、その全長にわたって同じ幅（Ｗ）とし、かつその端子部導体層１２ａに連続する配線回路導体層１２ｂも同じ幅（Ｗ）とすることもある。
【００４４】
端子部導体層１２ａおよび配線回路導体層１２ｂを含め、導体層１２の厚みは特に限定しないが、通常は１０〜２０μｍ程度とされる。導体層１２の厚みが１０μｍ未満では、導体層による配線や端子部の電気抵抗が過大となるおそれがあり、一方２０μを越える厚さとすることは、性能的に無駄で、コストアップを招くばかりでなく、埋め込み基板製造に困難を伴うおそれがある。
【００４５】
前記端子部導体層１２ａは、絶縁基材１０の表面１０Ａから凹状に窪んだ状態で形成されている。すなわち端子部導体層１２ａは、その表面１２Ａが、絶縁基材１０の表面１０Ａの位置から所定の深さＤの位置に位置している。その深さＤは、１〜７μｍの範囲内とすることが望ましく、より好ましくは２〜５μｍの範囲内とする。
【００４６】
端子部導体層１２ａの表面１２Ａ上には、保護用金属の被覆層１４として、例えばＮｉめっき層（第１層）１４−１とＡｕめっき層（第２層）１４−２との２層構造とされている。この被覆層１４の厚みＴは、実質的に導体層表面の窪み深さＤと同等とされている。したがって被覆層１４は、その表面１４Ａの位置が、絶縁基材１０の表面１０Ａと実質的に同一の面もしくはそれ以下の位置となっていて、絶縁基材表面１０Ａから実質的に突出しない状態となっている。
【００４７】
ここで、図３では、端子部導体層１２ａの表面１２Ａが平坦な場合について示しているが、端子部導体層１２ａに対するエッチングをある程度以上進行させた場合には、図４に示すように、幅方向中央部１２１よりも幅方向両端部１２２で窪み深さが大きくなることが分かった。すなわち、幅方向中央部１２１の窪み深さＤ１よりも幅方向両端部１２２の窪み深さＤ２が大きくなるような断面凸形状に形成されることが分かった。このように端子部導体層１２ａの幅方向断面形状が凸形状となった場合でも、後に製造方法に関して説明するように、導体層表面に被覆される保護用金属の被覆層１４は、その上面１４Ａを平坦面（絶縁基材１０の表面１０Ａと実質的に面一の平坦面、もしくはそれよりも下方の位置での平坦面）とすることができる。特に無電解めっきを適用した場合は、より平坦とすることができる。
【００４８】
なお以上の説明においては、保護用金属の被覆層１４の上面１４Ａが絶縁基材表面１０Ａから実質的に突出しない、あるいは保護用金属の被覆層１４の上面１４Ａが絶縁基材１０の表面１０Ａと実質的に同一の面以下となると記載したが、ここで“実質的に”とは、保護用金属の被覆層１４の上面１４Ａが絶縁基材表面１０Ａと完全に同一な面もしくはその下方に位置している場合のみならず、保護用金属の被覆層１４の上面１４Ａが絶縁基材表面１０Ａからわずかに突出する場合を許容していることを意味する。そのわずかな突出許容寸法は、通常は＋２μｍまでは許容される。すなわち、絶縁基材表面１０Ａからの保護用金属被覆層１４の上面１４Ａの最大突出寸法が２μｍを越えれば、図１１（Ｂ）に示したと同様に、保護用金属が隣り合う導体層間で部分的に連続してしまうおそれがあるが、その突出寸法が２μｍ以下であれば、隣り合う端子部導体層１２ａ間で、部分的にも連続してしまうおそれが少ない。そこで、保護用金属被覆層１４の上面１４Ａの位置は、絶縁基材表面１０Ａの位置から上方へ２μｍまでは許容され、その許容範囲を含めて、本明細書では、保護用金属被覆層１４の上面１４Ａの位置について、絶縁基材表面１０Ａの位置と実質的に同一の面以下と表現しているのである。
【００４９】
なおまた、保護用金属被覆層１４自体の厚みは特に限定しないが、通常は端子部導体層１２ａの表面１２Ａの絶縁基材表面１０Ａからの窪み深さ（好ましくは１〜７μｍ）および保護用金属被覆層１４の絶縁基材表面１０Ａからの突出許容高さ（好ましくは２μｍ以下）との関係からは、１〜９μｍの範囲内とすることが望ましい。
さらに、保護用金属被覆層１４の上面１４Ａが絶縁基材表面１０Ａから窪んでいる場合には、隣り合う端子部導体層１２ａ間での保護用金属の連続は原理的に生じ得ず、従ってその窪み寸法については特に限定しない。但し、保護用金属被覆層１４の上面１４Ａの絶縁基材表面１０Ａからの窪み深さが１０μｍを越えれば、端子部導体層１２ａの厚みを１０μｍ程度以上に確保することが困難となって、端子部の抵抗が過大となってしまうおそれがあるから、通常は１０μｍ以下とすることが望ましく、より好ましくは７μｍ以下とする。
【００５０】
また上記の例では、保護用金属の被覆層１４を、Ｎｉめっき層（第１層）１４−１とＡｕめっき層（第２層）１４−２との２層構造として説明したが、Ｎｉめっき層（第１層）、Ｐｄめっき層（第２層）、およびＡｕめっき層（第３層）の３層構造とすることもでき、さらに場合によっては単層構造としても良い。また保護用金属の種類も特に限定されず、端子部導体層１２ａを構成する金属、および端子部として接合される相手側の金属の種類に応じて適切な１種又は２種以上の金属を保護用金属として選択すればよい。具体的には、例えばＮｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ａｇ、はんだ合金のうちから選ばれた１種以上のものを、保護用金属として用いることができる。
【００５１】
なお、上述のように導体層１２のうちの端子部導体層１２ａは、絶縁基材表面１０Ａから窪ませて、その上面に保護用金属被覆層１４を形成しているが、導体層１２のうちの配線回路導体層１２ｂは、絶縁基材表面１０Ａから窪ませず、その上面を絶縁基材表面１０Ａと実質的に面一のままとしている。そしてその配線回路導体層１２ｂの表面には、保護用金属被覆層１４を形成していない。
【００５２】
次に図１〜図３、または図４に示される第１、第２実施形態のプリント配線板を製造する方法について、図５の（Ａ）〜（Ｅ）を参照して原理的に説明する。なお図５の（Ａ）〜（Ｅ）においては、導体層１２のうち、端子部導体層１２ａの幅広な領域１２ａ0が現れている断面について示し、配線回路導体層については省略している。
【００５３】
図５（Ａ）は、埋め込み基板形成工程によって、プリプレグ、あるいは液晶ポリマー（ＬＣＰ）で代表される高耐熱性熱可塑性樹脂などの絶縁性材料からなる絶縁基材１０に、既に複数の導体層１２が埋め込まれている状態の基板（埋め込み基板）１８を示す。なおこの状態では、導体層１２の表面１２Ａは、絶縁基材１０の表面１０Ａのレベルと同一のレベルとなっている。すなわち導体層１２によるパターン形成面は平坦な面となっている。
このような状態のもの（埋め込み基板１８）を得るまでの埋め込み基板形成工程の具体的なプロセスは従来の平埋め法と同様であれば良く、その具体例については後に改めて説明する。
【００５４】
本発明の実施形態では、図５（Ａ）に示す段階の埋め込み基板１８に対し、エッチング工程を施す。すなわち、導体層１２を構成しているＣｕもしくはＣｕ合金を溶解させるエッチング液、例えば過硫酸ナトリウムと硫酸とからなるエッチング液を用いて、導体層１２のうちの端子部導体層１２ａを、その表面側からエッチングする。そのエッチングの初期段階の状況を図５（Ｂ）に示す。この段階では、端子部導体層１２ａはほぼ均一な深さで窪んでいる。さらにエッチングを進行させれば、端子部導体層１２ａはその幅方向両端部付近で大きくエッチングされ、図５（Ｃ）に示すような、中央部１２１よりも両端部１２２付近の窪み深さが大きい状態となる。すなわち、幅方向の断面が凸状をなす状態となる。
なお上記のエッチング工程では、導体層１２のうち、配線回路導体層は、適宜エッチングマスクなどでカバーして、エッチングされることを防止する。したがってエッチング工程終了後の段階では、導体層１２は、端子部導体層１２ａのみが窪んだ状態となっており、図示しない配線回路導体層は、その表面が絶縁基材表面１０Ａと実質的に面一のままとなっている。
【００５５】
次いで、保護用金属被覆工程として、図５の（Ｄ）〜（Ｅ）に示すように、端子部導体層１２ａの表面１２Ａ上を、保護用金属で被覆し、被覆層１４を形成する。本実施形態では、先ず無電解めっきもしくは電解めっきにより端子部導体層１２ａの表面１２Ａに第１層１４−１としてＮｉめっきを施し、続いて無電解めっきもしくは電解めっきにより第２層１４−２としてＡｕめっきを施して、２層構造の被覆層１４としている。ここで、被覆層１４はその表面１４Ａが、絶縁基材１０の表面１０Ａとほぼ面一となるように、めっき条件（特にめっき速度）に応じてめっき処理時間を適切に調整する。なお本実施形態においては、保護用金属めっき前の段階（図５（Ｃ））では、端子部導体層１２ａが、幅方向の断面が凸状をなす状態となっているが、被覆層第１層１４−１のＮｉめっきを施すに当たっては、無電解めっき、電解めっきのいずれによる場合も、Ｎｉをある程度以上の厚みでめっきすることにより、そのＮｉめっき層（第１層）１４−１の表面１４−１Ａをほぼ平坦な面とすることができる（図５（Ｄ）参照）。したがって、その後に第２層１４−２としてＡｕめっきを施すにあたっては、均一な厚みでめっきすることにより、容易にその表面１４−２Ａ（被覆層表面１４Ａに相当）を平坦な面とすることができる。その結果、図４に示した第２の実施形態のプリント配線板と同様なプリント配線板を得ることができる。
【００５６】
ここで、上述の保護用金属被覆工程においては、無電解めっき、電解めっきのいずれの場合も、めっき金属（Ｎｉ、Ａｕ）は、絶縁基材表面１０Ａから窪んだ凹部（端子部導体層１２ａの表面１２Ａ上でかつ絶縁基材表面１０Ａの面より低い空間）の内側に析出されるから、隣り合う端子部導体層間で保護用金属のブリッジ現象が生じてしまうことはない。また無電解めっきを適用した場合において、保護金属被覆層１４の表面１４Ａが絶縁基材表面１０Ａからわずかに突出したとしても、その保護金属被覆層１４の表面１４Ａと絶縁基材表面１０Ａとの段差が２μｍ以下であれば、異常析出の発生がほとんどなく、そのため電気的に導通してしまうことを防止できる。そして、隣り合う端子部導体層１２ａの間のスペース（例えば図１、図３、図４に示す端子部導体層１２ａの幅広な領域１２ａ０についての隣り合う導体層間の間隔Ｓ；すなわち導体層間の最小間隔）が２５μｍ以下と、極めて小さい場合でも、そのスペースで保護用金属が連続して電気的導通が生じてしまうことを回避できるため、端子部導体層１２ａ層間の最小間隔を２５μｍ以下として、高精細な導体パターンを有するプリント配線板を作成することができる。なお本発明者らが鋭意検討した結果、上記の最小間隔は十数μｍまで狭小化しても特に問題はないことを確認している。
【００５７】
なお、図５の（Ｂ）に示す段階、すなわちエッチング工程の比較的初期の、端子部導体層１２ａが未だ断面凸状となっていない段階で、次の被覆工程としてＮｉ／Ａｕめっきを施すこともあり、その場合には図３に示したような断面形状を有する第１の実施形態のプリント配線板と同様なプリント配線板を得ることができる。
【００５８】
次に、図５（Ａ）に示されるような埋め込み基板を製造する工程、すなわち埋め込み基板形成工程の原理的な一例について、図６の（Ａ）〜（Ｈ）を参照して説明する。
先ず図６の（Ａ）に示すような支持体２０を用意する。この支持体２０は、特に限定されるものではないが、本実施形態では、銅箔２０Ａの片面上にニッケル膜２０Ｂをめっきなどにより形成したものが用いられている。
【００５９】
次いで、図６の（Ｂ）に示すように、支持体２０におけるニッケル膜２０Ｂの側の面に、めっきレジスト層２２を形成する。このめっきレジスト層２２は、レジストパターン形成のためにフォトリソグラフィ技術を適用する場合は、感光性レジストフィルムを用いればよい。続いて公知のフォトリソグラフィ技術などにより、図６の（Ｃ）に示すように、めっきレジスト層２２にパターンを形成する。その後、図６の（Ｄ）に示すように、例えば電解めっきにより、支持体２０上のめっきレジスト非形成部分に、Ｃｕなどにより導体層１２を形成する。その後、めっきレジスト層２２を、剥離あるいは溶解などによって除去し、図６の（Ｅ）の状態とする。この状態では、支持体２０の表面に導体層１２が所定のパターンで突出形成されている。
【００６０】
その後、図６の（Ｆ）に示すように、プリプレグなどの比較的軟質な絶縁基材１０を用意して、その絶縁基材１０の表面１０Ａを、支持体２０上の導体層１２に対向させ、必要に応じて加熱しながら加圧して、積層圧着させる。これによって、図６の（Ｇ）に示すように、導体層１２が絶縁基材１０に押し込まれる。その後、支持体２０をエッチングなどの適宜の手段によって除去すれば、図６の（Ｈ）に示すような埋め込み基板１８が得られる。
【００６１】
さらに本発明のプリント配線板の製造方法を、より具体化した実施形態を、図７〜図９に示す。なお図７の（Ａ）〜（Ｆ）から図８の（Ａ）〜（Ｄ）、さらに図９の（Ａ）〜（Ｃ）までは、埋め込み基板１８を作成するための埋め込み基板形成工程に相当し、図９の（Ｄ）〜（Ｇ）は、その後の工程を示している。また図７〜図９の各図においても、図５、図６と同様に、導体層１２のうち、端子部導体層１２ａの幅広な領域１２ａ0が現れている断面について示し、配線回路導体層については省略している。
【００６２】
本実施形態においては、先ず図７の（Ａ）に示すように、第１の支持体としての片面銅張積層板３０と、第２の支持体としての比較的軟質な絶縁材、例えばプリプレグ３２と、小サイズの銅箔３４と、大サイズの銅箔３６とを用意する。そしてこれらを上記の順序で積層して加圧し、図７の（Ｂ）に示すような積層体３８を得る。この積層加圧によって、小サイズの銅箔３４は、第２支持体３２の表面層に埋め込まれた状態となる。なお小サイズ銅箔３４と大サイズ銅箔３６との間は接着されていないが、小サイズ銅箔３４の端部よりも外側の領域では大サイズ銅箔３６がプリプレグ３２に直接接して、その間で接合力が作用している。
【００６３】
次いで図７の（Ｃ）に示すように、大サイズの銅箔３６の表面に、無電解めっきもしくは電解めっきなどによって、Ｎｉ層４０を形成する。その後、図７の（Ｄ）に示すように、Ｎｉ層４０の表面に、めっきレジスト４２として、例えば感光性レジストフィルムを積層する。そしてフォトリソグラフィなどの公知の手法によって、図７の（Ｅ）に示すように、めっきレジスト４２にパターンを形成する。
【００６４】
その後、導体金属としてのＣｕの電解めっきを行なって、めっきレジスト４２の非形成部分に導体層１２を形成し、続いてめっきレジスト４２を剥離もしくは溶解によって除去し、図７の（Ｆ）に示すように、積層体３８におけるＮｉ層４０上に導体層１２のパターンを形成する。
【００６５】
次いで、図８の（Ａ）に示すように、プリプレグや液晶ポリマーなどの絶縁基材１０と、銅箔４４とを、積層体３８のＮｉ層４０上における導体層１２の側に配置し、図８の（Ｂ）に示すように、積層、加圧する。これによって導体層１２は、絶縁基材１０に埋め込まれた状態となる。
【００６６】
その後、図８の（Ｃ）に示すように、小サイズ銅箔３４の端部よりも内側の部分で、パターン幅方向に平行な垂直方向に切断し、両端側の部分を中央部側の部分から切り離す。その切断位置を２点鎖線４６で示す。ここで、小サイズ銅箔３４と大サイズ銅箔３６との間は特に接合されていないため、上述のように切り離した後の中央部側の部分は、小サイズ銅箔３４と大サイズ銅箔３６との間で容易に剥離することが可能な状態となる。そこで、図８の（Ｄ）に示すように、小サイズ銅箔３４と大サイズ銅箔３６との間を剥離させる。このようにして剥離した上側の部分を図９の（Ａ）に示す。
【００６７】
この後、図９の（Ａ）〜（Ｂ）に示すように、エッチング液として、Ｃｕは溶解するがＮｉは溶解しにくいエッチング選択性を有する第１の選択エッチング液、例えばメルテックス製エープロセスを用いて、大サイズ銅箔３６をエッチング除去する。これによって、図９の（Ｂ）に示すように、Ｎｉ層４０が露呈した状態となる。なお、この第１の選択エッチングによって、大サイズ銅箔３６とは反対側の銅箔４４も、その全体がエッチング除去されるが、実際のプリント配線板の製造では、この銅箔４４についても公知のフォトリソグラフィ技術を適用してパターン形成することが可能である。
【００６８】
上述のようにして大サイズ銅箔３６が除去されてＮｉ層４０が露呈した後には、図９の（Ｂ）〜（Ｃ）に示すように、Ｎｉは溶解するがＣｕは溶解しにくいエッチング選択性を有する第２の選択エッチング液、例えばメルテックス製メルストリップＮ−９５０を用いて、Ｎｉ層４０をエッチング除去する。これによって、図９の（Ｃ）に示すように、絶縁基材１０に所定のパターンで埋め込まれた導体層１２の表面が露呈した状態となる。すなわち、図６の（Ｈ）で示したものと同様な埋め込み基板（但し図面上では上下が反転している）１８が得られる。
【００６９】
その後、必要に応じて、図９の（Ｄ）に示すように導体層１２に対して反対側の面から、機械加工やレーザ加工によって、絶縁基材１０に開口部４６を、導体層１２に届くように形成し、さらに図９の（Ｅ）に示すように、必要に応じてソルダレジスト層４８を所定のパターンで形成する。
【００７０】
その後の工程は、図５の（Ａ）〜（Ｅ）を参照して説明したプロセスと実質的に同様である。すなわち、導体層１２のうちの端子部導体層１２ａを、絶縁基材１０の表面から所定の深さＤまでエッチングして、図９の（Ｆ）に示す状態とする。その後、図９の（Ｇ）に示すように、端子部導体層１２ａの表面に、保護用金属被覆層１４として、Ｎｉめっき層（第１層）１４−１およびＡｕめっき層（第２層）１４−２を、無電解めっきもしくは電解めっきにより形成する。このとき、保護用金属被覆層１４の表面が絶縁基材１０の表面と実質的に同一の面以下となるようにめっき厚を調整することは、既に述べたとおりである。
【００７１】
以下に本発明の実施例を、比較例とともに説明する。なお以下の実施例は、本発明の作用効果を明確化するためのものであって、実施例に記載された条件が本発明の技術的範囲を限定しないことはもちろんである。
【実施例】
【００７２】
実施例１：
図５の（Ａ）に示すように、プリプレグからなる絶縁基材１０に所定のパターンでＣｕからなる導体層１２が埋め込み形成された埋め込み基板１８を準備した。ここで、導体層１２の幅（パターンの幅）は２０μｍ、隣り合う端子部導体層間の間隔、とりわけ端子部導体層１２ａにおける幅広な領域１２ａ０の間隔（パターン間の最小間隔）Ｓは、１４μｍとした。このような埋め込み基板１８の導体層１２のうち、端子部導体層１２ａの表面を、過硫酸ナトリウムと硫酸からなるエッチング液によって、１μｍの深さまでエッチングし、絶縁基材１０の表面から端子部導体層１２ａの表面が窪んでいる状態とした（図５（Ｂ））。次いで、上記の端子部導体層１２ａについて、脱脂処理を行ってから、エッチング量０．３μｍのソフトエッチング処理、脱スマット処理、プリディップ処理、さらに無電解めっきのためのＰｄ触媒の付与処理、ポストディップ処理をその順に行った後、約２μｍの無電解Ｎｉめっき、０．３μｍの無電解Ｐｄめっき、０．１μｍの置換無電解Ａｕめっきを行ない、端子部導体層１２ａ上においてＡｕめっき層表面が絶縁基材表面から１．０μｍ突出しているプリント配線板を得た。
実施例１により得られたプリント配線板の端子部導体層付近の断面の状況を光学顕微鏡によって観察した結果を図１２の（Ａ）に示し、またそのプリント配線板の平面および断面について走査型電子顕微鏡により観察した結果を図１３に示す。なお、図１２の（Ａ）〜（Ｅ）、及び図１３〜図１７の（Ｂ）において、符号ＡはＣｕからなる導体層を示し、符号Ｂは、Ｎｉ／Ａｕめっき層を示す。
【００７３】
実施例２：
図５の（Ａ）に示すように、プリプレグからなる絶縁基材１０に所定のパターンでＣｕからなる導体層１２が埋め込み形成された埋め込み基板１８を準備した。ここで、端子部導体層１２ａの幅（パターンの幅）は２０μｍ、隣り合う端子部導体層１２ａ間の間隔、とりわけ端子部導体層１２ａにおける幅広な領域１２ａ０の間隔（パターン間の最小間隔）Ｓは、１５μｍとした。このような埋め込み基板１８の導体層１２のうち、端子部導体層１２ａの表面を、過硫酸ナトリウムと硫酸からなるエッチング液によって、１μｍの深さまでエッチングし、絶縁基材１０の表面から端子部導体層１２ａの表面が窪んでいる状態（図５（Ｂ））とし、さらにエッチングを継続させて、幅方向の断面が凸状をなす端子部導体層１２ａとした（図５（Ｃ））。ここで、上記のエッチングは、断面凸状の端子部導体層の幅方向中央部の表面（凸状の頂面）が、絶縁基材表面位置から４．５μｍの深さに位置するまで行なった。なおこの状態では、断面凸状の端子部導体層の両端部は、絶縁基材表面位置から７．５μｍの深さに位置していた。次いで、上記の端子部導体層１２ａについて、脱脂処理を行ってから、エッチング量０．３μｍのソフトエッチング処理、脱スマット処理、プリディップ処理、さらに無電解めっきのためのＰｄ触媒の付与処理、ポストディップ処理をその順に行った後、無電解Ｎｉめっきを行なった（図５（Ｄ））。この無電解Ｎｉめっきは、凸状導体層の頂部が絶縁基材表面位置から０．３μｍの深さの位置に達するまで行なったが、この状態では、Ｎｉめっき層は、全体として平坦となっていることが確認された。さらにＮｉめっき層上に、０．２μｍの無電解Ｐｄめっき、および０．１μｍの置換無電解Ａｕめっきを行ない、端子部導体層上のＡｕめっき層表面が絶縁基材表面とほぼ同じ位置となっている平坦なプリント配線板を得た（図５（Ｅ）、図４）。
実施例２により得られたプリント配線板の導体層付近の断面の状況を光学顕微鏡によって観察した結果を図１２の（Ｂ）に示し、またそのプリント配線板の平面および断面について走査型電子顕微鏡により観察した結果を図１４に示す。
【００７４】
実施例３：
図５の（Ａ）に示すように、プリプレグからなる絶縁基材１０に所定のパターンでＣｕからなる導体層１２が埋め込み形成された埋め込み基板１８を準備した。ここで、端子部導体層１２ａの幅（パターンの幅）は１３μｍ、隣り合う端子部導体層１２ａ間の間隔、とりわけ端子部導体層１２ａにおける幅広な領域１２ａ０の間隔（パターン間の最小間隔）Ｓは、２２μｍとした。このような埋め込み基板１８の導体層１２における端子部導体層１２ａの表面を、硫酸と過酸化水素水からなるエッチング液によって、１μｍの深さまでエッチングし、絶縁基材１０の表面から端子部導体層１２ａの表面が窪んでいる状態（図５（Ｂ））とし、さらにエッチングを継続させて、幅方向の断面が凸状をなす端子部導体層とした（図５（Ｃ））。ここで、上記のエッチングは、断面凸状の端子部導体層の幅方向中央部の表面（凸状の頂面）が、絶縁基材表面位置から２．５μｍの深さに位置に達するまで行なった。なおこの状態では、断面凸状の端子部導体層の両端部は、絶縁基材表面位置から５．３μｍの深さに位置していた。次いで、上記の端子部導体層１２ａについて、脱脂処理を行ってから、エッチング量０．３μｍのソフトエッチング処理、電解Ｎｉめっきを行なった（図５（Ｄ））。この電解Ｎｉめっきは、凸状導体層の頂部が絶縁基材表面位置から１．４μｍの高さの位置に達するまで行なったが、この状態では、Ｎｉめっき層は、全体として平坦となっていることが確認された。さらにＮｉめっき層上に、０．１μｍの電解Ａｕめっきを行ない、端子部導体層１２ａ上のＡｕめっき層表面が絶縁基材表面から１．５μｍ突出しているプリント配線板を得た（図５（Ｅ）、図４）。
実施例３により得られたプリント配線板の導体層付近の断面の状況を光学顕微鏡によって観察した結果を図１２の（Ｃ）に示し、またそのプリント配線板の平面および断面について走査型電子顕微鏡により観察した結果を図１５に示す。
【００７５】
比較例１：
図１１（Ａ）に示すように、プリプレグからなる絶縁基材１０に所定のパターンでＣｕからなる導体層１２が埋め込み形成された埋め込み基板１８を準備した。ここで、導体層１２の幅（パターンの幅）は２０μｍ、隣り合う導体層間の間隔、とりわけ端子部導体層１２ａにおける幅広な領域１２ａ０の間隔（パターン間の最小間隔）Ｓは、１５μｍとした。このような埋め込み基板１８の導体層１２の表面について、脱脂処理を行ってから、エッチング量０．３μｍのソフトエッチング処理、脱スマット処理、プリディップ処理、さらに無電解めっきのためのＰｄ触媒の付与処理、ポストディップ処理をその順に行った後、約３．５μｍの無電解Ｎｉめっき、０．２μｍの無電解Ｐｄめっき、０．１μｍの置換無電解Ａｕめっきを行ない、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕの保護用金属被覆層（無電解めっき層）１４の表面が絶縁基材１０の表面から３．５μｍ突出しているプリント配線板を得た（図１１（Ｂ））。
比較例１により得られたプリント配線板の導体層付近の断面の状況を光学顕微鏡によって観察した結果を図１２の（Ｄ）に示し、またそのプリント配線板の平面および断面について走査型電子顕微鏡により観察した結果を図１６に示す。
【００７６】
比較例２：
図１０（Ａ）に示すように、プリプレグからなる絶縁基材１０上に所定のパターンでＣｕからなる導体層１２が突出形成された基板をセミアディティブ工法により準備した。ここで、導体層１２の幅（パターンの幅）は２１μｍ、隣り合う導体層間の間隔、とりわけ端子部導体層１２ａにおける幅広な領域１２ａ０の間隔（パターン間の最小間隔）Ｓは、３０μｍとした。このような絶縁基材１０上の導体層１２の表面について、脱脂処理を行ってから、エッチング量０．３μｍのソフトエッチング処理、脱スマット処理、プリディップ処理、さらに無電解めっきのためのＰｄ触媒の付与処理、ポストディップ処理をその順に行った後、約２μｍの無電解Ｎｉめっき、０．２μｍの無電解Ｐｄめっき、０．１μｍの置換無電解Ａｕめっきを行ない、絶縁基材１０上に突出する導体層１２がＮｉ／Ｐｄ／Ａｕの保護用金属被覆層（無電解めっき層）１４で覆われたプリント配線板を得た（図１０（Ｂ））。
比較例２により得られたプリント配線板の導体層付近の断面の状況を光学顕微鏡によって観察した結果を図１２の（Ｅ）に示し、またそのプリント配線板の平面および断面について走査型電子顕微鏡により観察した結果を図１７に示す。
【００７７】
以上の実施例および比較例によるプリント配線板についての観察結果（図１２の（Ａ）〜（Ｅ）、図１３〜図１７）から、次のような事実が確認された。
すなわち、本発明の実施例１〜３の場合は、いずれも、隣り合う端子部導体層の間の絶縁基材表面に、保護用金属の異常析出が生じておらず、またとそれに伴うブリッジ現象も生じておらず、隣り合う端子部導体層の間が完全に分離していることが確認された。
これに対して、埋め込み基板を適用したが、導体層をエッチングにより窪ませずに保護用金属のめっきを行なった比較例１では、走査型電子顕微鏡での観察の結果、隣り合う導体の間の絶縁基材表面に保護用金属の異常析出が生じて、ブリッジ現象が発生したことが確認された。
さらに、導体層を絶縁基材上に突出した状態で形成した比較例２の場合は、導体層の上面のみならず側面を覆う保護用金属が隣り合う導体層の間で連続してしまって、明確なブリッジ現象が発生していることが確認された。
【００７８】
ここで、比較例２は、従来の一般的なセミアディティブ法を適用した例であり、この場合には、隣り合う導体層間の最小間隔Ｓが３０μｍで、保護用金属のブリッジ現象により隣り合う導体層の間が連続してしまっていた。
これに対して、本発明の実施例１〜３では、隣り合う端子部導体層間の最小間隔Ｓを２５μｍ以下に狭小化し、特に実施例１、実施例２では１５μｍ以下に著しく狭小化しているが、これらの場合でも、隣り合う端子部導体層の間で保護用金属の異常析出やブリッジが認められなかった。したがって本発明によれば、端子部導体層１２ａ間のスペース（最小間隔Ｓ）を２５μｍ以下、さらには１５μｍ以下まで狭小化しうることが明らかである。
なお比較例１では、導体層間の最小間隔Ｓが１５μｍであるが、異常析出していることから、２５μｍ以下まで狭小化することは実際上困難と解され、特に１５μｍ以下まで狭小化することは不可能であることが明らかである。
【符号の説明】
【００７９】
１０ 絶縁基材
１２ 導体層
１２ａ 端子部導体層
１２ｂ 配線回路導体層
１４ 保護用金属の被覆層１４
１８ 平埋め基板
２０ 支持体
１２１ 幅方向中央部
１２２ 幅方向両端部
Ｓ 最小間隔（スペース）
Ｗ 幅
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基材の一面に、配線回路および端子部を構成するパターンで導体層が埋め込まれており、かつその導体層のうちの端子部の導体層の表面に、導体層の金属とは異なる保護用金属からなる１層以上の被覆層が形成されてなるプリント配線板において、
前記端子部の導体層は、その表面が絶縁基材の前記一面から窪んだ状態で形成されており、かつその窪んだ導体層の表面が前記１層以上の被覆層によって覆われており、しかもその１層以上の被覆層は、その表面が、前記絶縁基材の前記一面と実質的に同一面以下に位置するように形成されていることを特徴とするプリント配線板。
【請求項２】
請求項１に記載されたプリント配線板において、
前記保護用金属の被覆層の表面が、前記絶縁基材の前記一面より２μｍ高い位置以下に位置するように形成されていることを特徴とするプリント配線板。
【請求項３】
請求項１、請求項２のいずれかの請求項に記載されたプリント配線板において、
前記導体層のうちの配線回路の導体層は、その表面が絶縁基材の前記一面と実質的に面一に形成されていて、その配線回路の導体層の表面に前記保護用金属被覆層が形成されていないことを特徴とするプリント配線板。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれかの請求項に記載されたプリント配線板において、
前記被覆層で覆われた端子部の導体層における、隣り合う導体層間の最小間隔が２５μ以下であることを特徴とするプリント配線板。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のうちのいずれか１の請求項に記載されたプリント配線板において、
前記被覆層で覆われた端子部の導体層は、被覆層で覆われた面と前記絶縁基材の前記一面との間の距離が、１〜７μｍの範囲内となるように形成されていることを特徴とするプリント配線板。
【請求項６】
請求項１〜請求項５のうちのいずれか１の請求項に記載されたプリント配線板において、
前記被覆層で覆われた端子部の導体層は、被覆層で覆われた面と前記絶縁基材の前記一面との間の距離が、導体層の幅方向の中央部で小さく、幅方向両端部で大きくなるように形成されていることを特徴とするプリント配線板。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のうちのいずれか１の請求項に記載されたプリント配線板において、
前記導体層が、銅もしくは銅合金によって形成されていることを特徴とする、プリント配線板。
【請求項８】
請求項１〜請求項７のうちのいずれか１の請求項に記載されたプリント配線板において、
前記被覆層の保護用金属の材料として、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ａｇ、はんだ合金のうちから選ばれた１種以上のものが用いられていることを特徴とする、プリント配線板。
【請求項９】
請求項１〜請求項８のうちのいずれか１の請求項に記載されたプリント配線板を製造する方法であって：
絶縁基材の一面に、配線回路および端子部を構成するパターンで導体層を埋め込む埋め込み基板形成工程と、
前記導体層のうちの端子部の導体層の表面をエッチングして、その表面を絶縁基材の前記一面から凹状に窪ませるエッチング工程と、
前記エッチングされた端子部の導体層の表面を、導体層の金属とは異なる保護用金属によって、１層以上に被覆して保護用被覆層を形成する被覆工程と、
を有し、かつ前記被覆工程では、保護用被覆層を、その表面が絶縁基材の前記一面と実質的に同一面以下に位置するように形成することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載されたプリント配線板の製造方法において、
前記エッチング工程で、端子部の導体層の表面をエッチングし、その後の被覆工程で、そのエッチングされた端子部の導体層の表面に保護用金属の被覆層を形成することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項１１】
請求項９、請求項１０のいずれかの請求項に記載されたプリント配線板の製造方法において、
前記被覆工程で、保護用金属の被覆層を、その表面が絶縁基材の前記一面から２μｍ高い位置以下となるように形成することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項１２】
請求項９〜請求項１１のいずれかの請求項に記載されたプリント配線板の製造方法において、
前記エッチング工程で、端子部の導体層を、その表面の最上部が、絶縁基材の前記一面から．１〜７μｍだけ窪むまでエッチングすることを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項１３】
請求項９〜請求項１２のいずれかの請求項に記載されたプリント配線板の製造方法において、
前記被覆工程が、無電解めっきにより保護用金属を被覆する工程であることを特徴とする、プリント配線板の製造方法。
【請求項１４】
請求項９〜請求項１２のいずれかの請求項に記載されたプリント配線板の製造方法において、
前記被覆工程が、電解めっきにより保護用金属を被覆する工程であることを特徴とする、プリント配線板の製造方法。
【請求項１５】
請求項９〜請求項１４のうちのいずれかの請求項に記載されたプリント配線板の製造方法において、
前記埋め込み基板形成工程が、支持体の表面上に導体層をパターンめっきにより形成したのち、絶縁基材の一面に前記導体層を押し込み、その後、支持体を除去する工程であることを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項１】
絶縁基材の一面に、配線回路および端子部を構成するパターンで導体層が埋め込まれており、かつその導体層のうちの端子部の導体層の表面に、導体層の金属とは異なる保護用金属からなる１層以上の被覆層が形成されてなるプリント配線板において、
前記端子部の導体層は、その表面が絶縁基材の前記一面から窪んだ状態で形成されており、かつその窪んだ導体層の表面が前記１層以上の被覆層によって覆われており、しかもその１層以上の被覆層は、その表面が、前記絶縁基材の前記一面と実質的に同一面以下に位置するように形成されていることを特徴とするプリント配線板。
【請求項２】
請求項１に記載されたプリント配線板において、
前記保護用金属の被覆層の表面が、前記絶縁基材の前記一面より２μｍ高い位置以下に位置するように形成されていることを特徴とするプリント配線板。
【請求項３】
請求項１、請求項２のいずれかの請求項に記載されたプリント配線板において、
前記導体層のうちの配線回路の導体層は、その表面が絶縁基材の前記一面と実質的に面一に形成されていて、その配線回路の導体層の表面に前記保護用金属被覆層が形成されていないことを特徴とするプリント配線板。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれかの請求項に記載されたプリント配線板において、
前記被覆層で覆われた端子部の導体層における、隣り合う導体層間の最小間隔が２５μ以下であることを特徴とするプリント配線板。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のうちのいずれか１の請求項に記載されたプリント配線板において、
前記被覆層で覆われた端子部の導体層は、被覆層で覆われた面と前記絶縁基材の前記一面との間の距離が、１〜７μｍの範囲内となるように形成されていることを特徴とするプリント配線板。
【請求項６】
請求項１〜請求項５のうちのいずれか１の請求項に記載されたプリント配線板において、
前記被覆層で覆われた端子部の導体層は、被覆層で覆われた面と前記絶縁基材の前記一面との間の距離が、導体層の幅方向の中央部で小さく、幅方向両端部で大きくなるように形成されていることを特徴とするプリント配線板。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のうちのいずれか１の請求項に記載されたプリント配線板において、
前記導体層が、銅もしくは銅合金によって形成されていることを特徴とする、プリント配線板。
【請求項８】
請求項１〜請求項７のうちのいずれか１の請求項に記載されたプリント配線板において、
前記被覆層の保護用金属の材料として、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ａｇ、はんだ合金のうちから選ばれた１種以上のものが用いられていることを特徴とする、プリント配線板。
【請求項９】
請求項１〜請求項８のうちのいずれか１の請求項に記載されたプリント配線板を製造する方法であって：
絶縁基材の一面に、配線回路および端子部を構成するパターンで導体層を埋め込む埋め込み基板形成工程と、
前記導体層のうちの端子部の導体層の表面をエッチングして、その表面を絶縁基材の前記一面から凹状に窪ませるエッチング工程と、
前記エッチングされた端子部の導体層の表面を、導体層の金属とは異なる保護用金属によって、１層以上に被覆して保護用被覆層を形成する被覆工程と、
を有し、かつ前記被覆工程では、保護用被覆層を、その表面が絶縁基材の前記一面と実質的に同一面以下に位置するように形成することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載されたプリント配線板の製造方法において、
前記エッチング工程で、端子部の導体層の表面をエッチングし、その後の被覆工程で、そのエッチングされた端子部の導体層の表面に保護用金属の被覆層を形成することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項１１】
請求項９、請求項１０のいずれかの請求項に記載されたプリント配線板の製造方法において、
前記被覆工程で、保護用金属の被覆層を、その表面が絶縁基材の前記一面から２μｍ高い位置以下となるように形成することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項１２】
請求項９〜請求項１１のいずれかの請求項に記載されたプリント配線板の製造方法において、
前記エッチング工程で、端子部の導体層を、その表面の最上部が、絶縁基材の前記一面から．１〜７μｍだけ窪むまでエッチングすることを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項１３】
請求項９〜請求項１２のいずれかの請求項に記載されたプリント配線板の製造方法において、
前記被覆工程が、無電解めっきにより保護用金属を被覆する工程であることを特徴とする、プリント配線板の製造方法。
【請求項１４】
請求項９〜請求項１２のいずれかの請求項に記載されたプリント配線板の製造方法において、
前記被覆工程が、電解めっきにより保護用金属を被覆する工程であることを特徴とする、プリント配線板の製造方法。
【請求項１５】
請求項９〜請求項１４のうちのいずれかの請求項に記載されたプリント配線板の製造方法において、
前記埋め込み基板形成工程が、支持体の表面上に導体層をパターンめっきにより形成したのち、絶縁基材の一面に前記導体層を押し込み、その後、支持体を除去する工程であることを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２０１３−５８７２８（Ｐ２０１３−５８７２８Ａ）
【公開日】平成２５年３月２８日（２０１３．３．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−７３８２０（Ｐ２０１２−７３８２０）
【出願日】平成２４年３月２８日（２０１２．３．２８）
【出願人】（５９７０７９６８１）株式会社 大昌電子 (42)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年３月２８日（２０１３．３．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年３月２８日（２０１２．３．２８）
【出願人】（５９７０７９６８１）株式会社 大昌電子 (42)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]