反転オフセット印刷用除去版およびパターン形成方法
【課題】反転オフセット印刷によるパターン形成おいて、低解像度部と高解像度部が混在したパターンを形成できる除去版を提供する。
【解決手段】反転オフセット印刷に用いられる除去版４４において、パターン形状に応じて深度が異なる複数の凹部領域Ｂ〜Ｇを有し、この凹部領域Ｂ〜Ｇの外接長方形の短辺長をＷ、この凹部領域Ｂ〜Ｇにおける深度をＤとしたときに、０．０３Ｗ≦Ｄ≦０．５Ｗの関係を満たすようにする。なお、凹部領域Ｂ〜Ｇはウェットエッチングにより形成する。さらに、このような除去版４４を用いてパターニングを行うことにより、反転オフセット印刷による低解像度部と高解像度部が混在したパターンを形成できる。
【解決手段】反転オフセット印刷に用いられる除去版４４において、パターン形状に応じて深度が異なる複数の凹部領域Ｂ〜Ｇを有し、この凹部領域Ｂ〜Ｇの外接長方形の短辺長をＷ、この凹部領域Ｂ〜Ｇにおける深度をＤとしたときに、０．０３Ｗ≦Ｄ≦０．５Ｗの関係を満たすようにする。なお、凹部領域Ｂ〜Ｇはウェットエッチングにより形成する。さらに、このような除去版４４を用いてパターニングを行うことにより、反転オフセット印刷による低解像度部と高解像度部が混在したパターンを形成できる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反転オフセット印刷によるパターンの形成に用いられる除去版およびこの除去版を用いた反転オフセット印刷によるパターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子部品の低コスト化および大面積化に対応するため、印刷法によるパターン形成が試みられ、特に微細なパターンが形成可能なものとして、反転オフセット印刷法が提案されている（例えば特許文献１、２参照）。
【０００３】
次に反転オフセット印刷法について図２を用いて説明する。
まず、剥離性表面を有するブランケット１１ａに、転写物を含むインク１２を塗布乾燥し（図２（ａ））、次いでブランケット１１ａの表面に転写物１３ａを形成する（図２（ｂ））。
【０００４】
次に、転写物１３ａ（図２（ｃ））を除去版１４（図２（ｄ））に密着させて（図２（ｅ））、これを転写物１３ｂとともに分離することで、ブランケット１１ａに所望のパターンを有する転写物１３ｃを形成する（図２（ｆ））。以上が除去工程である。
【０００５】
次に、この転写物１３ｃが形成された印刷用ブランケット１１ｃを被転写物１５に密着させ（図２（ｇ））、これを分離することで（図２（ｈ））、被転写物１５にパターンを形成する（図２（ｉ））。以上が反転オフセット印刷法である。
【特許文献１】特開２０００−２８９３２０号公報
【特許文献２】特開２００５−１７５０６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、反転オフセット印刷の問題点の一つは、除去版の凹部へのブランケットの接触である。ブランケットは除去版との密着時の圧力により変形が生じるが、これによりブランケットが除去版の凹部に接触すると、接触部分の転写物も除去されてしまい、結果的に転写後のパターンに抜けが発生する。
【０００７】
その対策としては、凹部の深度を全体的に大きくすることが考えられるが、微細パターン部（高解像度部）と粗大パターン部（低解像度部）が混在している場合は、対応が困難である。これについて以下の図３、図４で説明する。
【０００８】
除去版の形成方法は主にドライエッチングとウェットエッチングである。
図３はドライエッチングで形成した除去版２４を用いた場合の除去工程における現象の一例を示している。この例では凹部の深度が不十分であり、低解像度部２８において凹部の大部分にブランケット２１ｂが接触している。この接触を避けるため深度を全体的に大きくすると凸部のアスペクト比が大きくなるが、所望パターンの解像度が広く分布する場合には、高解像度部２９においてアスペクト比が過大となり、凸部の強度が著しく低下する。
【０００９】
図４はウェットエッチングによる除去版の形成過程の一部を示している。除去版の凹凸構造は、除去版となる基板３６に形成されたレジスト３７を介してウェットエッチングすることで形成される。このウェットエッチングは等方的であり深度と同程度にサイドエッチングが生じるため、深度を大きくすると、各パターンの輪郭が後退する。所望パターンの解像度が広く分布する場合には、低解像度部３８におけるブランケットの接触を抑制可能なまでに深度を全体的に大きくすると、サイドエッチングにより高解像度部３９における凸部が消失し、高解像度部のパターンが失われる。
【００１０】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、低解像度部と高解像度部が混在したパターンを形成することが可能な除去版、およびそれを用いたパターンの形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述の目的を達成するため、本発明の反転オフセット印刷用除去版は、反転オフセット印刷に用いられる除去版であって、パターン形状により深度が異なる複数の凹部領域を有することを特徴とする。また本発明の反転オフセット印刷用除去版は、前記凹部領域の外接長方形の短辺長をＷ、前記凹部領域における深度をＤとしたときに、０．０３Ｗ≦Ｄ≦０．５Ｗの関係を満たすことを特徴とする。さらに本発明の反転オフセット印刷用除去版は、前記凹部領域の外周から内側に距離Ｄ以上離れた点が形成する閉じた領域において、前記０．０３Ｗ≦Ｄ≦０．５Ｗの関係を満たすことを特徴とする。
【００１２】
また本発明のパターン形成方法は、反転オフセット印刷法により、除去版を用いてパターニングを行うパターン形成方法であって、前記除去版はパターン形状により深度が異なる複数の凹部領域を有することを特徴とする。また本発明のパターン形成方法は、前記凹部領域の外接長方形の短辺長をＷ、前記凹部領域における深度をＤとしたときに、０．０３Ｗ≦Ｄ≦０．５Ｗの関係を満たすことを特徴とする。さらに本発明のパターン形成方法は、前記凹部領域の外周から内側に距離Ｄ以上離れた点が形成する閉じた領域において、前記０．０３Ｗ≦Ｄ≦０．５Ｗの関係を満たすことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、反転オフセット印刷における除去版の凹部領域がパターン形状に応じた複数の深度を有することにより、除去版の強度と解像性を損なうことなく、ブランケットと除去版の接触を防ぐことができ、低解像度部と高解像度部が混在したパターンを正確かつ安定的に形成できる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１は本発明の除去版を説明するための概略平面図であり、図１（ａ）は全体図、図１（ｂ）はその部分拡大図である。
本実施の形態による除去版は、材料としてガラス、ステンレス等の金属、各種レジスト材料などが用いられ、複数の深度を有する凹部領域は通常のフォトリソグラフィおよびエッチングを複数回繰り返すことで形成可能である。
エッチングとしてはドライエッチングとウェットエッチングがあるが、ドライエッチングは、ほぼ深さ方向のみにエッチングすることが可能であるが、大面積加工に不向きである。
一方、ウェットエッチングはドライエッチングより簡単で比較的大面積にも対応可能であり、本例のようにパターン解像度に対応する深度で凹部を形成すれば、サイドエッチングの問題は小さいので好ましい。
【００１５】
図１ではガラス板のウェットエッチングにより形成した除去版を示しており、以下、この図１を参照して本発明を説明する。
本例の除去版４４は、凹部領域の解像度が場所により異なり、凹部領域は凹部領域４８Ａ（低解像度領域４８）および凹部領域Ｂ〜Ｇ（高解像度領域）に分割できる。凹部領域Ａは５００μｍ×５００μｍ、凹部領域Ｂ〜Ｇは２０μｍ×２５０μｍの矩形であり、凹部領域Ｂ〜Ｄおよび凹部領域Ｅ〜Ｇは２０μｍの間隔で配置している。
【００１６】
各凹部領域の外接長方形の短辺長Ｗは、凹部領域Ａは５００μｍ、凹部領域Ｂ〜Ｇは２０μｍであり、各凹部領域の深度をＤとしたときに、各凹部領域の外周から内側に距離がＤ以上離れた点が形成する閉じた領域Ｓにおいて、０．０３Ｗ≦Ｄ≦０．５Ｗの関係を満たしている。
すなわち、各凹部領域はサイドエッチングにより形成されるものであるため、各凹部領域の外周近傍では十分な深さにならず、外周よりＤ以上内側の領域Ｓで０．０３Ｗ≦Ｄ≦０．５Ｗが成り立つものとし、領域Ｓの外側の領域では、０．０３Ｗ≦Ｄ≦０．５Ｗは必ずしも成り立たないものである。
【００１７】
このように、本例の除去版では、各凹部領域の深度を、その形状に応じて０．０３Ｗ≦Ｄ≦０．５Ｗの関係で形成したことから、従来の問題点を解決できる。
すなわち、仮に、ＷとＤの関係が０．０３Ｗ＞Ｄの場合、低解像度領域においてブランケットの凹部への接触を避けるのは困難である。また、Ｄ＞０．５Ｗである形状は、形成が困難であったり、除去版の機械的強度の問題が生じることもあるため好ましくない。
そこで本例の除去版では、凹部領域の深度を適正に形成することにより、このような問題を有効に解決できる。
【００１８】
なお、本例のパターン形成方法は、図２に示した反転オフセット印刷において、図１に示した除去版を用いる方法であり、一般的な印刷装置を用いて実施することが可能である。
例えば、円筒状のロールに巻きつけたブランケット１１ａにインク１２を布乾燥し、転写物１３ａが形成されたブランケット１１ｂとした後、ブランケット１１ｂが除去版１４に接触するよう配置させた状態で円筒状ロールを凸版１４上で転がすことで転写物１３ｃが形成されたブランケット１１ｃとし、続いてブランケット１１ｃを被印刷物１５に接触するよう配置させた状態で円筒状ロールを被印刷物１５上で転がすことで転写物１３が形成された被印刷物が得られる。
【実施例１】
【００１９】
＜除去版の作製＞
ガラス板（１００ｍｍ×１００ｍｍ、厚さ０．７ｍｍ）の中央付近に、図１に示したパターンが５０個×５０個で配置した除去版をフォトリソグラフィとウェットエッチングにより形成した。
このパターンの目標深度は、低解像度領域（Ｗ＝５００μｍ）と高解像度領域（Ｗ＝２０μｍ）で、それぞれ５０μｍ、１μｍであり、０．０３Ｗ≦Ｄ≦０．５Ｗの関係を満たすものとする。
【００２０】
また、解像度により深度の異なる凹部領域は、パターンを高解像度部と低解像度部に分離し、それぞれに対応するフォトマスクを用い、高解像度部と低解像度部を順次形成することで形成している。なお、深度はエッチング時間で制御している。また、フォトマスクの寸法はサイドエッチングによる形状変化を目標深度に対応する量で補正してある。
これにより、得られた除去版の深度を各凹部領域の中央付近で測定したところ、目標深度とほぼ同様の深度であった。
【００２１】
＜パターン形成＞
前記除去版を用い導電パターンを形成した。
［材料］
銀粒子水分散液（平均粒径２０ｎｍ、住友電工製）にポリエチレンオキサイド（平均分子量１０，０００、アルドリッチ製）を、（ポリエチレンオキサイド／銀粒子／水）＝（１／８／３１）の重量比となるように溶解させインクを調製した。
東芝ＧＥ社製の２液型シリコーンゴムを、厚さ２ｍｍ、大きさ１００ｍｍ×１００ｍｍに成形してブランケットを作製した。
【００２２】
［プロセス］
ブランケットにインクをバーコータ（＃６）で塗布した後、室温で３分間乾燥させ、ブランケット上に転写物を形成した。
次に、ブランケット上の転写物を除去版に密着させたのち剥離し、転写物のうち除去版に接触した部分をブランケットから除去し、転写物がパターン形成されたブランケットを得た。
次に、ブランケット上にパターニングされた転写物を、厚さ０．７ｍｍ、大きさが１００ｍｍ×１００ｍｍのソーダライムガラス基板上に密着させた後に剥離して、転写した。
次に、これを２００°Ｃで３０分間熱処理して導電パターンを形成した。
ここで得られた導電パターンを光学顕微鏡で観察したところ、低解像度部にパターン抜けは生じず、所望の導電パターンを形成することができた。
【００２３】
＜比較例＞
上記実施例１において、パターンを低解像度部と高解像度部を分離せず、一回のフォトリソエッチングで除去版を作製した。目標深度は９μｍであり、実測値もこれとほぼ同一であった。
【００２４】
なお、フォトマスクの寸法補正により図１に示すパターンが形成可能なのは、サイドエッチングを考慮すると、深度が概ね１０μｍ以下の場合であり、０．０３Ｗ≦Ｄ≦０．５Ｗの関係を低解像度部において満たすことはできない。
この除去版を用い実施例１と同様の方法で導電パターンを形成し、光学顕微鏡で観察したところ、低解像度部の大部分においてパターン抜けが生じ、導電パターンとして機能するものではなかった。
【００２５】
以上のような反転オフセット印刷用除去版およびこれを用いたパターンの形成方法により、低解像度部と高解像度部が広く混在したパターンを形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の除去版を説明するための概略平面図であり、図１（ａ）は全体図、図１（ｂ）はその部分拡大図である。
【図２】反転オフセット印刷の工程を説明する断面図である。
【図３】除去版とブランケットが接触している状態を説明する断面図である。
【図４】ウェットエッチングによる除去版の作製工程を説明する断面図である。
【符号の説明】
【００２７】
１２……インク、１４……除去板、１５……被転写物、２８、３８……低解像度部、２９、３９……高解像度部、４４……除去版、４８……低解像度領域、４９……高解像度領域、Ａ〜Ｇ……凹部領域。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反転オフセット印刷によるパターンの形成に用いられる除去版およびこの除去版を用いた反転オフセット印刷によるパターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子部品の低コスト化および大面積化に対応するため、印刷法によるパターン形成が試みられ、特に微細なパターンが形成可能なものとして、反転オフセット印刷法が提案されている（例えば特許文献１、２参照）。
【０００３】
次に反転オフセット印刷法について図２を用いて説明する。
まず、剥離性表面を有するブランケット１１ａに、転写物を含むインク１２を塗布乾燥し（図２（ａ））、次いでブランケット１１ａの表面に転写物１３ａを形成する（図２（ｂ））。
【０００４】
次に、転写物１３ａ（図２（ｃ））を除去版１４（図２（ｄ））に密着させて（図２（ｅ））、これを転写物１３ｂとともに分離することで、ブランケット１１ａに所望のパターンを有する転写物１３ｃを形成する（図２（ｆ））。以上が除去工程である。
【０００５】
次に、この転写物１３ｃが形成された印刷用ブランケット１１ｃを被転写物１５に密着させ（図２（ｇ））、これを分離することで（図２（ｈ））、被転写物１５にパターンを形成する（図２（ｉ））。以上が反転オフセット印刷法である。
【特許文献１】特開２０００−２８９３２０号公報
【特許文献２】特開２００５−１７５０６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、反転オフセット印刷の問題点の一つは、除去版の凹部へのブランケットの接触である。ブランケットは除去版との密着時の圧力により変形が生じるが、これによりブランケットが除去版の凹部に接触すると、接触部分の転写物も除去されてしまい、結果的に転写後のパターンに抜けが発生する。
【０００７】
その対策としては、凹部の深度を全体的に大きくすることが考えられるが、微細パターン部（高解像度部）と粗大パターン部（低解像度部）が混在している場合は、対応が困難である。これについて以下の図３、図４で説明する。
【０００８】
除去版の形成方法は主にドライエッチングとウェットエッチングである。
図３はドライエッチングで形成した除去版２４を用いた場合の除去工程における現象の一例を示している。この例では凹部の深度が不十分であり、低解像度部２８において凹部の大部分にブランケット２１ｂが接触している。この接触を避けるため深度を全体的に大きくすると凸部のアスペクト比が大きくなるが、所望パターンの解像度が広く分布する場合には、高解像度部２９においてアスペクト比が過大となり、凸部の強度が著しく低下する。
【０００９】
図４はウェットエッチングによる除去版の形成過程の一部を示している。除去版の凹凸構造は、除去版となる基板３６に形成されたレジスト３７を介してウェットエッチングすることで形成される。このウェットエッチングは等方的であり深度と同程度にサイドエッチングが生じるため、深度を大きくすると、各パターンの輪郭が後退する。所望パターンの解像度が広く分布する場合には、低解像度部３８におけるブランケットの接触を抑制可能なまでに深度を全体的に大きくすると、サイドエッチングにより高解像度部３９における凸部が消失し、高解像度部のパターンが失われる。
【００１０】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、低解像度部と高解像度部が混在したパターンを形成することが可能な除去版、およびそれを用いたパターンの形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述の目的を達成するため、本発明の反転オフセット印刷用除去版は、反転オフセット印刷に用いられる除去版であって、パターン形状により深度が異なる複数の凹部領域を有することを特徴とする。また本発明の反転オフセット印刷用除去版は、前記凹部領域の外接長方形の短辺長をＷ、前記凹部領域における深度をＤとしたときに、０．０３Ｗ≦Ｄ≦０．５Ｗの関係を満たすことを特徴とする。さらに本発明の反転オフセット印刷用除去版は、前記凹部領域の外周から内側に距離Ｄ以上離れた点が形成する閉じた領域において、前記０．０３Ｗ≦Ｄ≦０．５Ｗの関係を満たすことを特徴とする。
【００１２】
また本発明のパターン形成方法は、反転オフセット印刷法により、除去版を用いてパターニングを行うパターン形成方法であって、前記除去版はパターン形状により深度が異なる複数の凹部領域を有することを特徴とする。また本発明のパターン形成方法は、前記凹部領域の外接長方形の短辺長をＷ、前記凹部領域における深度をＤとしたときに、０．０３Ｗ≦Ｄ≦０．５Ｗの関係を満たすことを特徴とする。さらに本発明のパターン形成方法は、前記凹部領域の外周から内側に距離Ｄ以上離れた点が形成する閉じた領域において、前記０．０３Ｗ≦Ｄ≦０．５Ｗの関係を満たすことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、反転オフセット印刷における除去版の凹部領域がパターン形状に応じた複数の深度を有することにより、除去版の強度と解像性を損なうことなく、ブランケットと除去版の接触を防ぐことができ、低解像度部と高解像度部が混在したパターンを正確かつ安定的に形成できる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１は本発明の除去版を説明するための概略平面図であり、図１（ａ）は全体図、図１（ｂ）はその部分拡大図である。
本実施の形態による除去版は、材料としてガラス、ステンレス等の金属、各種レジスト材料などが用いられ、複数の深度を有する凹部領域は通常のフォトリソグラフィおよびエッチングを複数回繰り返すことで形成可能である。
エッチングとしてはドライエッチングとウェットエッチングがあるが、ドライエッチングは、ほぼ深さ方向のみにエッチングすることが可能であるが、大面積加工に不向きである。
一方、ウェットエッチングはドライエッチングより簡単で比較的大面積にも対応可能であり、本例のようにパターン解像度に対応する深度で凹部を形成すれば、サイドエッチングの問題は小さいので好ましい。
【００１５】
図１ではガラス板のウェットエッチングにより形成した除去版を示しており、以下、この図１を参照して本発明を説明する。
本例の除去版４４は、凹部領域の解像度が場所により異なり、凹部領域は凹部領域４８Ａ（低解像度領域４８）および凹部領域Ｂ〜Ｇ（高解像度領域）に分割できる。凹部領域Ａは５００μｍ×５００μｍ、凹部領域Ｂ〜Ｇは２０μｍ×２５０μｍの矩形であり、凹部領域Ｂ〜Ｄおよび凹部領域Ｅ〜Ｇは２０μｍの間隔で配置している。
【００１６】
各凹部領域の外接長方形の短辺長Ｗは、凹部領域Ａは５００μｍ、凹部領域Ｂ〜Ｇは２０μｍであり、各凹部領域の深度をＤとしたときに、各凹部領域の外周から内側に距離がＤ以上離れた点が形成する閉じた領域Ｓにおいて、０．０３Ｗ≦Ｄ≦０．５Ｗの関係を満たしている。
すなわち、各凹部領域はサイドエッチングにより形成されるものであるため、各凹部領域の外周近傍では十分な深さにならず、外周よりＤ以上内側の領域Ｓで０．０３Ｗ≦Ｄ≦０．５Ｗが成り立つものとし、領域Ｓの外側の領域では、０．０３Ｗ≦Ｄ≦０．５Ｗは必ずしも成り立たないものである。
【００１７】
このように、本例の除去版では、各凹部領域の深度を、その形状に応じて０．０３Ｗ≦Ｄ≦０．５Ｗの関係で形成したことから、従来の問題点を解決できる。
すなわち、仮に、ＷとＤの関係が０．０３Ｗ＞Ｄの場合、低解像度領域においてブランケットの凹部への接触を避けるのは困難である。また、Ｄ＞０．５Ｗである形状は、形成が困難であったり、除去版の機械的強度の問題が生じることもあるため好ましくない。
そこで本例の除去版では、凹部領域の深度を適正に形成することにより、このような問題を有効に解決できる。
【００１８】
なお、本例のパターン形成方法は、図２に示した反転オフセット印刷において、図１に示した除去版を用いる方法であり、一般的な印刷装置を用いて実施することが可能である。
例えば、円筒状のロールに巻きつけたブランケット１１ａにインク１２を布乾燥し、転写物１３ａが形成されたブランケット１１ｂとした後、ブランケット１１ｂが除去版１４に接触するよう配置させた状態で円筒状ロールを凸版１４上で転がすことで転写物１３ｃが形成されたブランケット１１ｃとし、続いてブランケット１１ｃを被印刷物１５に接触するよう配置させた状態で円筒状ロールを被印刷物１５上で転がすことで転写物１３が形成された被印刷物が得られる。
【実施例１】
【００１９】
＜除去版の作製＞
ガラス板（１００ｍｍ×１００ｍｍ、厚さ０．７ｍｍ）の中央付近に、図１に示したパターンが５０個×５０個で配置した除去版をフォトリソグラフィとウェットエッチングにより形成した。
このパターンの目標深度は、低解像度領域（Ｗ＝５００μｍ）と高解像度領域（Ｗ＝２０μｍ）で、それぞれ５０μｍ、１μｍであり、０．０３Ｗ≦Ｄ≦０．５Ｗの関係を満たすものとする。
【００２０】
また、解像度により深度の異なる凹部領域は、パターンを高解像度部と低解像度部に分離し、それぞれに対応するフォトマスクを用い、高解像度部と低解像度部を順次形成することで形成している。なお、深度はエッチング時間で制御している。また、フォトマスクの寸法はサイドエッチングによる形状変化を目標深度に対応する量で補正してある。
これにより、得られた除去版の深度を各凹部領域の中央付近で測定したところ、目標深度とほぼ同様の深度であった。
【００２１】
＜パターン形成＞
前記除去版を用い導電パターンを形成した。
［材料］
銀粒子水分散液（平均粒径２０ｎｍ、住友電工製）にポリエチレンオキサイド（平均分子量１０，０００、アルドリッチ製）を、（ポリエチレンオキサイド／銀粒子／水）＝（１／８／３１）の重量比となるように溶解させインクを調製した。
東芝ＧＥ社製の２液型シリコーンゴムを、厚さ２ｍｍ、大きさ１００ｍｍ×１００ｍｍに成形してブランケットを作製した。
【００２２】
［プロセス］
ブランケットにインクをバーコータ（＃６）で塗布した後、室温で３分間乾燥させ、ブランケット上に転写物を形成した。
次に、ブランケット上の転写物を除去版に密着させたのち剥離し、転写物のうち除去版に接触した部分をブランケットから除去し、転写物がパターン形成されたブランケットを得た。
次に、ブランケット上にパターニングされた転写物を、厚さ０．７ｍｍ、大きさが１００ｍｍ×１００ｍｍのソーダライムガラス基板上に密着させた後に剥離して、転写した。
次に、これを２００°Ｃで３０分間熱処理して導電パターンを形成した。
ここで得られた導電パターンを光学顕微鏡で観察したところ、低解像度部にパターン抜けは生じず、所望の導電パターンを形成することができた。
【００２３】
＜比較例＞
上記実施例１において、パターンを低解像度部と高解像度部を分離せず、一回のフォトリソエッチングで除去版を作製した。目標深度は９μｍであり、実測値もこれとほぼ同一であった。
【００２４】
なお、フォトマスクの寸法補正により図１に示すパターンが形成可能なのは、サイドエッチングを考慮すると、深度が概ね１０μｍ以下の場合であり、０．０３Ｗ≦Ｄ≦０．５Ｗの関係を低解像度部において満たすことはできない。
この除去版を用い実施例１と同様の方法で導電パターンを形成し、光学顕微鏡で観察したところ、低解像度部の大部分においてパターン抜けが生じ、導電パターンとして機能するものではなかった。
【００２５】
以上のような反転オフセット印刷用除去版およびこれを用いたパターンの形成方法により、低解像度部と高解像度部が広く混在したパターンを形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の除去版を説明するための概略平面図であり、図１（ａ）は全体図、図１（ｂ）はその部分拡大図である。
【図２】反転オフセット印刷の工程を説明する断面図である。
【図３】除去版とブランケットが接触している状態を説明する断面図である。
【図４】ウェットエッチングによる除去版の作製工程を説明する断面図である。
【符号の説明】
【００２７】
１２……インク、１４……除去板、１５……被転写物、２８、３８……低解像度部、２９、３９……高解像度部、４４……除去版、４８……低解像度領域、４９……高解像度領域、Ａ〜Ｇ……凹部領域。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反転オフセット印刷に用いられる除去版であって、
パターン形状により深度が異なる複数の凹部領域を有する、
ことを特徴とする反転オフセット印刷用除去版。
【請求項２】
前記凹部領域の外接長方形の短辺長をＷ、前記凹部領域における深度をＤとしたときに、０．０３Ｗ≦Ｄ≦０．５Ｗの関係を満たすことを特徴とする請求項１記載の反転オフセット印刷用除去版。
【請求項３】
前記凹部領域の外周から内側に距離Ｄ以上離れた点が形成する閉じた領域において、前記０．０３Ｗ≦Ｄ≦０．５Ｗの関係を満たすことを特徴とする請求項２記載の反転オフセット印刷用除去版。
【請求項４】
前記凹部領域がウェットエッチングにより形成されることを特徴とする請求項１、２または３記載の反転オフセット印刷用除去版。
【請求項５】
反転オフセット印刷法により、除去版を用いてパターニングを行うパターン形成方法であって、
前記除去版はパターン形状により深度が異なる複数の凹部領域を有する、
ことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項６】
前記凹部領域の外接長方形の短辺長をＷ、前記凹部領域における深度をＤとしたときに、０．０３Ｗ≦Ｄ≦０．５Ｗの関係を満たすことを特徴とする請求項５記載のパターン形成方法。
【請求項７】
前記凹部領域の外周から内側に距離Ｄ以上離れた点が形成する閉じた領域において、前記０．０３Ｗ≦Ｄ≦０．５Ｗの関係を満たすことを特徴とする請求項６記載のパターン形成方法。
【請求項８】
前記凹部領域がウェットエッチングにより形成されることを特徴とする請求項５、６または７記載のパターン形成方法。
【請求項１】
反転オフセット印刷に用いられる除去版であって、
パターン形状により深度が異なる複数の凹部領域を有する、
ことを特徴とする反転オフセット印刷用除去版。
【請求項２】
前記凹部領域の外接長方形の短辺長をＷ、前記凹部領域における深度をＤとしたときに、０．０３Ｗ≦Ｄ≦０．５Ｗの関係を満たすことを特徴とする請求項１記載の反転オフセット印刷用除去版。
【請求項３】
前記凹部領域の外周から内側に距離Ｄ以上離れた点が形成する閉じた領域において、前記０．０３Ｗ≦Ｄ≦０．５Ｗの関係を満たすことを特徴とする請求項２記載の反転オフセット印刷用除去版。
【請求項４】
前記凹部領域がウェットエッチングにより形成されることを特徴とする請求項１、２または３記載の反転オフセット印刷用除去版。
【請求項５】
反転オフセット印刷法により、除去版を用いてパターニングを行うパターン形成方法であって、
前記除去版はパターン形状により深度が異なる複数の凹部領域を有する、
ことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項６】
前記凹部領域の外接長方形の短辺長をＷ、前記凹部領域における深度をＤとしたときに、０．０３Ｗ≦Ｄ≦０．５Ｗの関係を満たすことを特徴とする請求項５記載のパターン形成方法。
【請求項７】
前記凹部領域の外周から内側に距離Ｄ以上離れた点が形成する閉じた領域において、前記０．０３Ｗ≦Ｄ≦０．５Ｗの関係を満たすことを特徴とする請求項６記載のパターン形成方法。
【請求項８】
前記凹部領域がウェットエッチングにより形成されることを特徴とする請求項５、６または７記載のパターン形成方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２００７−２６１１４４（Ｐ２００７−２６１１４４Ａ）
【公開日】平成１９年１０月１１日（２００７．１０．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−９０６８５（Ｐ２００６−９０６８５）
【出願日】平成１８年３月２９日（２００６．３．２９）
【出願人】（０００００３１９３）凸版印刷株式会社 (10,630)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１０月１１日（２００７．１０．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年３月２９日（２００６．３．２９）
【出願人】（０００００３１９３）凸版印刷株式会社 (10,630)
【Ｆターム（参考）】
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