堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置
【課題】ゲートバルブを介して基体を搬送機から処理室へ移動させる際に、基体へのダスト付着を効率良く抑制することにより、堆積膜の品質向上を図るとともに、優れた生産性を有する堆積膜形成方法および堆積膜形成装置を提供する。
【解決手段】２つの弁体は、処理室１６０及び／又は搬送機１２０のそれぞれが有する容器側から順に、第１の弁体１２３及び第２の弁体１２４とする。処理室と搬送機が接続されていない場合であって、処理室が１つの弁体のみを有する場合は、第１の弁体を全閉状態とし、処理室が２つの弁体を有する場合は、少なくとも第２の弁体を全閉状態とする。搬送機が１つの弁体のみを有する場合は、第１の弁体を全閉状態とし、搬送機が２つの弁体を有する場合は、少なくとも第２の弁体を全閉状態とする。排気工程は、第１の弁体を全閉状態とし、第２の弁体を全開状態にして行う。
【解決手段】２つの弁体は、処理室１６０及び／又は搬送機１２０のそれぞれが有する容器側から順に、第１の弁体１２３及び第２の弁体１２４とする。処理室と搬送機が接続されていない場合であって、処理室が１つの弁体のみを有する場合は、第１の弁体を全閉状態とし、処理室が２つの弁体を有する場合は、少なくとも第２の弁体を全閉状態とする。搬送機が１つの弁体のみを有する場合は、第１の弁体を全閉状態とし、搬送機が２つの弁体を有する場合は、少なくとも第２の弁体を全閉状態とする。排気工程は、第１の弁体を全閉状態とし、第２の弁体を全開状態にして行う。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイス、電子写真感光体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバイス、光起電力デバイス等の堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
デバイスを製造する際に、処理室内で堆積膜形成を行う工程を製造工程に含む場合には、処理室内や搬送機内といった、基体が晒される雰囲気の清浄度が製品の品質に大きな影響を与える場合がある。例えば堆積膜の形成前に、基体の表面にダストが付着すると、そのダストが核となって堆積膜が異常成長する個所が発生し、堆積膜の品質を低下させる。
【０００３】
また製造工程の処理能力向上のために、複数の処理室を用意し、処理室間の基体の移動に、処理室と接続及び切り離しが可能な搬送機を用いる構成とすることがある。製造工程をこのような構成とした場合、処理室と搬送機との接続及び切り離しは、ゲートバルブを介して行われることが一般的である。ところが、ゲートバルブの開閉動作や処理室と搬送機のゲートバルブ間の空間を排気する動作が、ダストの発生個所及びダストの付着要因個所となってしまう。このため、ゲートバルブからのダストの発生を低減させることが一般的に行われている。
【０００４】
ゲートチャンバを設けゲートバルブをこのゲートチャンバより取り外し可能とし、処理室をゲートチャンバより移動せずにメンテナンス可能とし、メンテナンスを容易にする堆積膜形成方法が開示されている。（特許文献１）
また、ゲートバルブの稼動部側にクリーンエアーを吹き付けて、ゲートバルブからのダスト発生を低減している堆積膜形成方法が開示されている。（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平５−８７２５８号公報
【特許文献２】特開２００６−７０２９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の技術により、ゲートバルブからのダストの発生を低減することが可能となり、品質の向上した製品を作製することが可能となってきた。
しかし、例えば電子写真装置においては、電子写真装置のデジタル化、フルカラー化に伴い、電子写真装置の中の帯電システム、光学露光システム、現像システム等の改良がなされた。それに伴い、電子写真感光体においても従来以上の画像特性の向上が求められるようになった。
【０００７】
その結果、俗に「ポチ」と呼ばれる、白点状、黒点状の画像欠陥の減少、特に従来は問題にされなかった微少な大きさの「ポチ」の減少が求められるようになった。「ポチ」に関しては、基体の表面に付着したダストを核とした堆積膜の異常成長である「球状突起」が原因となっている。そのため、基体の表面に付着するダストをより減らすことが要求されている。また、品質の良い製品をより効率良く製造できる堆積膜形成方法や堆積膜形成装置も要求されている。
【０００８】
そこで、本発明はゲートバルブと搬送機に着目して、上記課題の解決を目的とするものである。すなわち、ゲートバルブを介して基体を搬送機から処理室へ移動させる際に、基体へのダスト付着を効率良く抑制することにより、堆積膜の品質向上を図るとともに、優れた生産性を有する堆積膜形成方法および堆積膜形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した目的を達成するため、本発明に係る堆積膜形成方法は、真空雰囲気中で搬送機から処理室への基体の搬入を、基体搬出入手段により行う基体搬入工程と、前記処理室内で堆積膜を前記基体の上に形成する工程と、真空雰囲気中で処理室から搬送機への堆積膜形成後の基体の搬出を、基体搬出入手段により行う基体搬出工程とを有する。前記処理室は、処理容器とゲートバルブを少なくとも有し、前記搬送機は、搬送容器とゲートバルブと前記基体搬出入手段とを少なくとも有し、前記ゲートバルブは、前記基体が通過する基体通過室と前記弁体が退避する弁体退避室とを備える。前記処理室と前記搬送機が、それぞれの前記ゲートバルブを介して接続可能である堆積膜形成方法において、前記処理室または前記搬送機の少なくともどちらか一方が、前記基体の搬出入方向に沿って直列に２つの弁体を前記ゲートバルブに有する。前記処理室が１つの弁体のみを有する場合は、当該弁体を第１の弁体とし、前記処理室が２つの弁体を有する場合は、前記処理容器側から順に第１の弁体、第２の弁体とする。前記搬送機が１つの弁体のみを有する場合は、当該弁体を第１の弁体とし、前記搬送機が２つの弁体を有する場合は、前記搬送容器側から順に第１の弁体、第２の弁体とする。
前記基体搬入工程は、接続工程と、排気工程と、搬入工程を少なくとも有する。接続工程は、前記処理室と前記搬送機とをそれぞれの前記ゲートバルブを介して接続する。排気工程は、前記処理室のゲートバルブと前記搬送機のゲートバルブとが接続されることによって形成される空間を排気する。搬入工程は、真空雰囲気中で搬送機から処理室への基体の搬入を、前記基体搬出入手段により行う。
前記処理室と前記搬送機が接続されていない場合であって、
前記処理室が１つの弁体のみを有する場合は、前記第１の弁体を全閉状態とし、前記処理室が２つの弁体を有する場合は、少なくとも前記第２の弁体を全閉状態とし、
前記搬送機が１つの弁体のみを有する場合は、前記第１の弁体を全閉状態とし、前記搬送機が２つの弁体を有する場合は、少なくとも前記第２の弁体を全閉状態とする。
前記排気工程は、前記第１の弁体を全閉状態とし、前記第２の弁体を全開状態にして行われる。
【００１０】
また、本発明に係る堆積膜形成装置は、少なくともゲートバルブと処理容器を有し、堆積膜を基体の上に形成することのできる処理室と、ゲートバルブと搬送容器と基体搬出入手段とを少なくとも有する搬送機とを少なくとも有する。前記ゲートバルブは、前記基体が通過する基体通過室と前記弁体が退避する弁体退避室とを有する。前記処理室と前記搬送機が、それぞれの前記ゲートバルブを介して接続及び切り離しが可能であり、前記基体搬出入手段により前記処理室と前記搬送機との間で前記基体の搬出入を真空雰囲気中で行うことができる。前記処理室または前記搬送機の少なくともどちらか一方が、前記基体の搬出入方向に沿って直列に２つの弁体を前記ゲートバルブに有する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、ゲートバルブを介して基体を搬送機から処理室へ移動させる際に、基体へのダスト付着を抑制することで堆積膜の品質を向上させるとともに、優れた生産性を有する堆積膜形成方法および堆積膜形成装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１Ａ】本発明に係わる堆積膜形成装置の一例を示す模式的断面図
【図１Ｂ】本発明に係わる堆積膜形成装置の一例を示す模式的断面図
【図２】従来の堆積膜形成装置の一例を示す模式的断面図
【図３Ａ】本発明に係わるゲートバルブの一例を示す模式図
【図３Ｂ】本発明に係わるゲートバルブの一例を示す模式図
【図４】電子写真感光体の層構成の一例を示す模式的断面図
【図５Ａ】本発明に係わる基体搬入工程の手順の一例を示す模式図
【図５Ｂ】本発明に係わる基体搬入工程の手順の一例を示す模式図
【図５Ｃ】本発明に係わる基体搬入工程の手順の一例を示す模式図
【図６Ａ】本発明に係わる堆積膜形成後の基体の搬出工程の手順の一例を示す模式図
【図６Ｂ】本発明に係わる堆積膜形成後の基体の搬出工程の手順の一例を示す模式図
【図６Ｃ】本発明に係わる堆積膜形成後の基体の搬出工程の手順の一例を示す模式図
【図６Ｄ】本発明に係わる堆積膜形成後の基体の搬出工程の手順の一例を示す模式図
【図７】従来の基体搬入工程の手順の一例を示す模式図
【図８】従来の堆積膜形成後の基体の搬出工程の手順の一例を示す模式図
【図９Ａ】比較例に係わる基体搬入工程の手順の一例を示す模式図
【図９Ｂ】比較例に係わる基体搬入工程の手順の一例を示す模式図
【図９Ｃ】比較例に係わる基体搬入工程の手順の一例を示す模式図
【図１０】比較例に係わる堆積膜形成後の基体の搬出工程の手順の一例を示す模式図
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の具体的な実施形態について、図面を参照して説明する。
図１Ａおよび図１Ｂは、本発明に係る堆積膜形成装置の一例を模式的に示す断面図である。
堆積膜形成装置１０００は、処理室１１００と搬送機１２００とからなる。そして、処理室１１００は、処理容器１１０１とゲートバルブ１１０２を有する。本発明においては、処理室または搬送機の少なくともどちらか一方が、基体の搬出入方向に沿って直列に、それぞれが有する容器側から第１の弁体及び第２の弁体をゲートバルブに有している。処理室１１００と搬送機１２００は、それぞれのゲートバルブを介して接続可能である。
図１Ａ（Ａ）では、その一例として、第１のゲートバルブ１１０４が第１の弁体１１０６を備え、第２のゲートバルブ１１０３が第２の弁体１１０５を備えている堆積膜形成装置１０００を模式的に示している。
そして図３Ｂ（Ｄ）に示すように、各ゲートバルブは、基体１１０７が通過するための開口８０３、８０４を有する基体通過室８０１と、ゲートバルブが全開状態となった時に、弁体８０５が退避するための弁体退避室８０２とからなる。
【００１４】
第１の弁体１１０６及び第２の弁体１１０５は、図１Ａ（Ａ）に示すように、ゲートバルブを２台用意し、それぞれのゲートバルブに、１つの弁体を有する構成としても良いし、１台のゲートバルブに、２つの弁体を有する構成としても良い。
また、本発明における基体１１０７の搬出入方向は、図１Ａ（Ａ）においては垂直方向であるが、装置構成上、水平方向に基体１１０７を搬出入する場合は、水平方向が基体１１０７の搬出入方向となる。
【００１５】
また、本発明における第１の弁体及び第２の弁体は、処理室及び搬送機のそれぞれが有する容器側から第１の弁体、第２の弁体としている。このため図１Ａ（Ａ）では、処理容器１１０１側から、第１のゲートバルブ１１０４に備えられる弁体が第１の弁体１１０６、第２のゲートバルブ１１０３に備えられる弁体が第２の弁体１１０５となる。
そして、図１Ｂ（Ｄ）に示されるように、搬送機が第１の弁体及び第２の弁体をゲートバルブに有している場合は、搬送容器７０５側から、第１のゲートバルブ７０１に備えられる弁体が第１の弁体７０３となる。そして、第２のゲートバルブ７０２に備えられる弁体が第２の弁体７０４となる。
【００１６】
処理室１１００は、排気装置に接続され、処理容器１１０１の内部を真空雰囲気とすることができ、また、処理容器１１０１の内部で堆積膜を基体１１０７の上に形成することができる構成であればよい。図１Ａ（Ａ）には一例として、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）−ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって、電子写真感光体を製造するためのＲＦ−ＣＶＤ装置を模式的に示している。
【００１７】
電子写真感光体を製造する際の基体１１０７の形状は、使用目的に応じた形状であれば良いが、一般的には円筒状の基体１１０７が用いられる。基体１１０７の材質は、使用目的に応じた性質を有するものであればよい。例えば、銅、アルミニウム、金、銀、白金、鉛、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタン、ステンレスが、電気伝導率が良好であるため、好適である。中でも、加工性や製造コストを考慮すると、アルミニウムが最適である。この場合、例えばＡｌ−Ｍｇ系合金、Ａｌ−Ｍｎ系合金のいずれかを用いることが好ましい。
【００１８】
処理室１１００は、プラズマ処理によって基体１１０７に堆積膜を形成する装置である。カソード電極１１０８、絶縁体１１０９、上壁１１１０、底壁１１１１により、減圧することが可能な処理容器１１０１を形成している。そして、ゲートバルブ１１０２は、基体１１０７の搬出入方向に沿って処理容器１１０１側から順に、第１の弁体１１０６を有する第１のゲートバルブ１１０４と、第２の弁体１１０５を有する第２のゲートバルブ１１０３から構成されている。
【００１９】
処理容器１１０１の下部には、基体１１０７およびキャップ１１１２が装着された基体ホルダ１１１３を保持する基体ホルダ保持手段１１１４が設けられている。なお、基体ホルダ保持手段１１１４は全て導電部材で構成されているため、基体ホルダ１１１３は底壁１１１１と電気的に接続する状態となり接地されている。
処理容器１１０１の内部には、加熱用ヒータ１１１５が設けられている。加熱用ヒータ１１１５は、真空中で使用することが可能なものであればどのようなものを用いてもよい。具体的には、シース状ヒータ、板状ヒータ、セラミックヒータ、カーボンヒータのような電気抵抗発熱体や、ハロゲンランプ、赤外線ランプのような熱放射ランプや、液体、気体を熱媒とした熱交換手段が挙げられる。
【００２０】
また、処理容器１１０１の中には、処理容器１１０１の中に原料ガスを導入するための原料ガス導入管１１１６が設けられている。原料ガス導入管１１１６は、保持される基体１１０７の長手方向に平行に延びている。原料ガス導入管１１１６は接続配管１１１７を介して、原料ガスの流量を調整するためのマスフローコントローラ（不図示）を介在させたミキシング装置１１１８と、原料ガス流入バルブ１１１９からなるガス供給系に接続されている。
【００２１】
処理室１１００が備える排気系は、排気手段である真空ポンプユニット（不図示）が、排気配管１１２０を介して、処理容器１１０１の底壁１１１１の排気口１１２１に接続されている。排気配管１１２０には、排気メインバルブ１１２２が設けられている。また、処理容器１１０１には、その内部の圧力を測定する真空計１１２３が取り付けられている。これらを用いて、処理容器１１０１の中を、各工程に適した所定の圧力に維持することができる。真空ポンプユニットには、例えばロータリーポンプや、メカニカルブースターポンプを用いることができる。カソード電極１１０８には、整合回路を有するマッチングボックス１１２４を介して高周波電源１１２５が電気的に接続されている。カソード電極１１０８の上下は、セラミックスからなる絶縁体１１０９により上壁１１１０および底壁１１１１から絶縁されている。
【００２２】
上壁１１１０には第１の弁体１１０６を有する第１のゲートバルブ１１０４と、第２の弁体１１０５を有する第２のゲートバルブ１１０３が設置されている。これにより、基体１１０７を保持する基体ホルダ１１１３が、真空雰囲気中で、処理容器１１０１へ搬入、設置されること、処理容器１１０１から搬出されることが可能となる。
基体ホルダ１１１３の処理容器１１０１の中への搬入時は、基体搬出入手段１２０３によって、基体ホルダ１１１３の保持部１１２６が保持される。次いで、基体ホルダ１１１３が処理容器１１０１の中へ移動され、基体ホルダ保持手段１１１４に載置される。
【００２３】
次に、搬送機１２００について図面を用いて説明する。
搬送機１２００は、ゲートバルブ１２０１と搬送容器１２０４を有している。そして搬送容器１２０４の内部には、保持部１２０５と基体搬出入手段１２０３を有している。保持部１２０５は基体ホルダ１１１３を保持することが可能である。基体搬出入手段１２０３は上下動することが可能である。更に、搬送機１２００は真空気密することが可能であり、処理室１１００に接続するための上下機構（不図示）を有している。また、搬送機１２００はレール１２０６の上を水平方向に移動することが可能となっている。この搬送機１２００によって、処理容器１１０１が真空状態のまま、基体１１０７を搬入、搬出することができる。
【００２４】
次に、本発明の堆積膜形成方法について説明する。ここでは一例として、処理室１１００が、処理容器１１０１側から第１の弁体１１０６と第２の弁体１１０５を有する、図１Ａ（Ａ）の堆積膜形成装置１０００を用いた場合を説明する。
また本発明においては、基体１１０７のみを移動させる方法を用いても構わないが、基体１１０７をキャップ１１１２と共に基体ホルダ１１１３に装着した状態で移動させる方法を用いても構わない。
【００２５】
ここでは一例として、基体１１０７をキャップ１１１２と共に基体ホルダ１１１３に装着した状態で移動させる方法を用い、ケイ素原子を主成分とする堆積膜を基体１１０７の上に堆積させ、電子写真感光体を作製する堆積膜形成方法について説明する。
まず、図３Ａおよび図３Ｂを用いてゲートバルブ８３０の動作に関して説明する。
図３Ａおよび図３Ｂは、本発明に係わるゲートバルブの一例を示す模式図である。
【００２６】
図３Ａ（Ａ）は、弁体８０５が開口部８０４を閉じている、全閉状態を示している。基体通過室８０１の上側には開口部８０３が、下側には開口部８０４が形成されている。
弁体８０５にはローラ８３７、突出部８３８、ストッパー８４０、Ｏリング８４１が設けられている。弁体８０５はリンク機構８４２を介してゲートベース８４３に支持されている。ゲートベース８４３は、ロッド８４４に取り付けられている。ロッド８４４は、ベース板８４５と弁体退避室８０２を連結している第１の真空ベローズ８４６の中を通り、ベース板８４５に連結されている。ベース板８４５は、第１のエアーシリンダー８４７の第１シャフト８４８に取り付けられている。
第２のエアーシリンダー８４９の第２シャフト８５０は、弁体退避室８０２と第２のエアーシリンダー８４９を連結している第２の真空ベローズ８５１の中を通り、弁体ストッパー８５２に取り付けられている。
【００２７】
次に図３Ａ（Ｂ）に示すように、まず、第１のエアーシリンダー８４７により、ベース板８４５を第１のエアーシリンダー８４７に近づける方向（矢印８６１が示す方向）に移動させる。このときの移動方向を、以後は図３Ａ（Ｂ）に表しているようにＹ方向と規定する。
ベース板８４５が移動することにより、ベース板８４５に取り付けられているロッド８４４および第２シャフト８５０が同様の方向に移動する。するとスプリング８５５の弾性力によりリンク機構８４２が弁体８０５を開口部８０４から離れる方向にほぼ直線的に移動させる。このときの移動方向を、以後は図３Ａ（Ｂ）に表しているようにＸ方向と規定する。
弁体ストッパー８５２の先端が、弁体８０５の面８５６に達したところで、弁体８０５の移動が停止する。弁体８０５は、これ以上はＸ方向に移動することは出来なくなり、基体通過室８０１の中で開口部８０４から最も離れた位置になる。
【００２８】
次に、図３Ａ（Ｃ）に示すように、弁体８０５が図３Ａ（Ｂ）に示したＸ方向の位置を維持したまま、引き続き、ベース板８４５がＹ方向において第１のエアーシリンダー８４７に近づく方向（矢印８６１が示す方向）に移動する。さらに、第１のエアーシリンダー８４７の駆動端まで移動し、全開状態となる。
【００２９】
次に、基体の搬入方法について、図５Ａを用いて説明する。
本発明における基体搬入方法は、接続工程と、排気工程と、搬入工程を少なくとも有する。接続工程は、処理室と搬送機とをそれぞれのゲートバルブを介して接続する。排気工程は、処理室のゲートバルブと搬送機のゲートバルブとが接続されることによって形成される空間を排気する。搬入工程は、真空雰囲気中で搬送機から処理室への基体の搬入を基体搬出入手段により行う。
【００３０】
まず、クリーンルームで清浄化処理がなされた基体１０１を、キャップ１０２と共に基体ホルダ１０３に装着する。そして、基体ホルダ１０３の保持部１０４を搬送機１２０の保持部１０５が保持し、基体搬出入手段１０６が動作することで、基体１０１およびキャップ１０２が装着された基体ホルダ１０３が搬送容器１０７の内部へと搬入される。
次いで、搬送機のゲートバルブ１０８に備えられる弁体１０９を基体通過室１１０へ移動させて開口を塞いだ全閉状態とし、搬送容器１０７の内部を図示しない排気手段により排気し、真空雰囲気とする。
【００３１】
次に、接続工程を行う。接続工程では、真空雰囲気とされた搬送容器１０７が、図５Ａ（Ａ−ａ）に示すように、処理室１６０の上へと移動される。
そして、図５Ａ（Ａ−ｂ）に示すように、搬送機１２０が下降し、搬送機のゲートバルブ１０８が処理室の第２のゲートバルブ１２２と接続される。
本発明においては、搬送機１２０と処理室１６０とが接続されていない場合には、少なくとも第２のゲートバルブ１２２に備えられる第２の弁体１２４は、全閉状態とされていることが重要である。
【００３２】
この状態を本発明の堆積膜形成装置と従来の堆積膜形成装置で比較する。図２の（Ａ）は従来の堆積膜形成装置を示した図である。
図２の（Ａ）に示される、従来の堆積膜形成装置においては、堆積膜形成装置５００が設置された雰囲気中に、ゲートバルブ５０１の弁体５０２、ゲートバルブ５０６の弁体５０５が共に晒されることになる。すなわち、堆積膜形成装置５００が設置された雰囲気中に漂うダストが、弁体５０２、５０５に付着することになる。たとえ堆積膜形成装置５００が設置された雰囲気が、クリーンルームのような清浄な雰囲気であったとしても、ダストが全く存在しない雰囲気とすることは困難である。このため、弁体５０２、５０５が、堆積膜形成装置５００が設置された雰囲気に長時間晒されると、少なからず弁体５０２、５０５にダストが付着してしまうことになる。これらの弁体５０２、５０５に付着したダストは、後述する排気工程において、ゲートバルブ５０１の基体通過室５０３、ゲートバルブ５０６の基体通過室５０７をダストで汚染してしまう原因となる。そして、ゲートバルブ５０１の基体通過室５０３、ゲートバルブ５０６の基体通過室５０７がダストで汚染された状態で搬送機から処理室へと基体が搬入されると、基体にダストが付着し、堆積膜の異常成長の原因となってしまう。
【００３３】
一方、本発明の堆積膜形成装置では、搬送機１２０と処理室１６０とが接続されていない場合には、少なくとも第２の弁体１２４を全閉状態としているため、第１の弁体１２３は堆積膜形成装置１８０が設置された雰囲気中に晒されることはなくなる。
そして、図５Ａ（Ａ−ｃ）に示すように、第１の弁体１２３を全閉状態とし、第２の弁体１２４を弁体退避室１２８へ退避させて全開状態とする。そして、搬送機のゲートバルブ１０８と処理室の第２のゲートバルブ１２２との間を、排気口１２５を介して、図示しない排気装置により排気する。このように、ダストで汚染された第２の弁体１２４を弁体退避室１２８へ退避させた状態で排気工程を行うため、各ゲートバルブの基体通過室１１０，１２７，１２９をダストで汚染してしまうことを抑制することができる。すると、搬送機１２０から処理室１６０へと基体１０１が搬入される際に、基体１０１にダストが付着することを抑制することができ、その結果、堆積膜の異常成長を抑制することができる。
【００３４】
また、図１Ｂ（Ｅ）に示されるように、搬送機９０１のみが搬送容器９０２側から第１の弁体９０３と第２の弁体９０４を有する構成とした場合でも前述の理由から効果は得られる。しかしながら、処理室の上に搬送機が接続される構成の場合、搬送機が第１の弁体と第２の弁体を有する構成は、処理室が第１の弁体と第２の弁体を有する構成に比べて効果は小さい。それは、基体の搬出入方向が垂直方向である堆積膜形成装置の場合は、重力の影響でダストが処理室側へ移動しやすいためである。
なお、基体の搬出入方向が水平方向である堆積膜形成装置の場合は、「重力の影響でダストが処理室側へ移動しやすい」ということはない。このため、搬送機のみが搬送容器側から第１の弁体と第２の弁体を有する構成であっても、処理室のみが処理容器側から第１の弁体と第２の弁体を有する構成と同程度の効果が得られる。
【００３５】
また、図１Ｂ（Ｄ）に示されるように、処理室及び搬送機の両方が、それぞれの容器側から第１の弁体７０３、７０６と第２の弁体７０４、７０７をそれぞれ有する構成とすることがより好ましい。このような構成によって、ゲートバルブ間の排気に伴ってダストが基体通過室に舞い上がることをさらに抑制することが可能になる。
ここで、図３Ｂ（Ｄ）に示されるゲートバルブを第２のゲートバルブとして用い、Ａ−Ａ’断面での基体通過室８０１の断面積をａとし、Ｂ−Ｂ’断面での基体通過室８０１と弁体退避室８０２とを連通する開口部の断面積をｂとする。より詳細には、断面積ａとは、基体通過室８０１を、基体の搬出入方向に平行であって、弁体の移動方向に垂直な方向で断面を取った場合の断面積を示す。また断面積ｂとは、基体通過室８０１と弁体退避室８０２とを連通する開口部を、基体の搬出入方向に平行であって、弁体の移動方向に垂直な方向で断面を取った場合の断面積を指す。なお、基体通過室８０１と弁体退避室８０２とを連通する空間がある場合は、その空間を、基体の搬出入方向に平行であって、弁体の移動方向に垂直な方向で断面を取った場合の断面積のうち、最小の断面積となる個所を開口部とし、その断面積をｂとする。
【００３６】
このように定義したとき、ａ＞ｂであることが、排気工程において、基体通過室８０１が汚染されることをさらに抑制でき、より好ましい。これは、弁体退避室８０２から基体通過室８０１への排気コンダクタンスが小さくなることで、弁体退避室８０２に退避させた第２の弁体８０５に付着したダストが、基体通過室８０１へと侵入し難くなるためであると思われる。その結果、基体通過室８０１がより汚染されにくくなる。
【００３７】
また、弁体退避室８０２の内表面積をｃとしたとき、ｂ／ｃの値が小さい構成であることが、排気工程において、基体通過室８０１が汚染されることをさらに抑制でき、より好ましい。これは、弁体退避室８０２の内表面積が大きくなることで、弁体退避室８０２に退避させた第２の弁体８０５に付着したダストが、弁体退避室８０２の内面に付着しやすくなるため、基体通過室８０１へと侵入するダストがより抑制できるためであると思われる。その結果、基体通過室８０１がより汚染されにくくなる。ｂ／ｃの値の範囲としては、０．０１＜ｂ／ｃ＜０．４であることが、基体通過室８０１へ侵入するダストの抑制及び、タクトタイムという点で好ましい。尚、内表面積ｃをより詳細に説明すると、弁体退避室８０２を形成する枠体８０７の内表面積と、弁体退避室８０２の内部にある部材の表面積とを足し合わせたものである。弁体退避室８０２を形成する枠体８０７の内表面積とは、弁体８０５が退避位置に固定された時の、基体通過室８０１側の弁体８０５の端部（図中Ｄ−Ｄ’）から弁体退避室８０２側の枠体８０７の内表面積を指す。また、弁体退避室８０２の内部にある部材の表面積とは、例えば、弁体８０５を移動させるための部材や枠体８０７を固定するための部材などが挙げられ、これらの部材のうち、弁体退避室８０２の内部にあるものの表面積を指す。ただし、弁体退避室８０２を形成する枠体８０７と弁体退避室８０２の内部にある部材とが接触している場合、その接触している部分の面積は除かれる。
【００３８】
また、図１Ａ（Ａ）に示すように、ゲートバルブ１１０３に備えられる排気口１１２７は、基体通過室１１２８に設けられても構わないし、図１Ｂ（Ｂ）に示すように、弁体退避室２０１に設けられても構わない。弁体退避室２０１に排気口２０３が設けられている場合は、排気工程の際の気流が、基体通過室２０２が上流、弁体退避室２０１が下流となるため、基体通過室２０２を汚染しないという点でより好ましい。これは、弁体退避室２０１に退避させた第２の弁体２０４に付着したダストが、基体通過室２０２へと侵入し難くなるためであると思われる。その結果、基体通過室２０２がより汚染されにくくなる。
【００３９】
また、図１Ｂ（Ｃ）に示すように、排気口３０３が基体通過室３０２に設けられている場合に、基体通過室３０２と弁体退避室３０１との間を隔離するためのシャッター３０５を設けても構わない。このシャッター３０５は、弁体３０４が開閉動作を行う際は全開となり、排気工程の際は全閉とできる機構が備えられているものであれば構わない。このような構成とすることで、弁体退避室３０１に退避させた第２の弁体３０４に付着したダストが、基体通過室３０２へとより侵入し難くなる。
【００４０】
次に、排気工程を行う。排気工程では、搬送機の弁体１０９と処理室の第１の弁体１２３で閉じられた空間が、搬送容器１０７、処理容器１３０の中と略同圧となるまで、図５Ａ（Ａ−ｃ）に示す状態で排気口１２５より排気を行う。排気工程における排気手段としては、真空ポンプユニット（不図示）を用い、真空ポンプユニットが、排気配管を介して排気口１２５に接続されている。真空ポンプユニットには、例えばロータリーポンプやメカニカルブースターポンプを用いることができる。
【００４１】
次に、搬入工程を行う。搬入工程では、搬送機の弁体１０９と処理室の第１の弁体１２３で閉じられた空間が、搬送容器１０７、処理容器１３０の中と略同圧となった時点で、図５Ａ（Ａ−ｄ）に示すように、搬送機の弁体１０９を全開状態とする。
そして、図５Ａ（Ａ−ｅ）に示すように、処理室の第１の弁体１２３を全開状態とする。 そして、図５Ａ（Ａ−ｆ）に示すように、基体搬出入手段１０６を下降させ、基体１０１およびキャップ１０２が装着された基体ホルダ１０３を処理容器１３０の内部へと移動させる。
【００４２】
そして、図５Ａ（Ａ−ｇ）に示すように、基体搬出入手段１０６を搬送容器１０７に収納した後、搬送機の弁体１０９と処理室の第２の弁体１２４を全閉状態とする。この際、処理室の第２の弁体１２４を全閉状態とすることは、堆積膜形成装置１８０が設置された雰囲気中に、処理室１６０に備えられた第１の弁体１２３を晒さ無いようにするために重要である。
また、第２の弁体１２４を全閉状態にした後には、図５Ａ（Ａ−ｈ）に示すように、処理室の第１の弁体１２３を全閉状態としても構わない。
【００４３】
そして、搬送機の弁体１０９と処理室の第２の弁体１２４を全閉状態とした後、搬送機の弁体１０９と処理室の第２の弁体１２４の間に不活性ガスを導入することで大気圧とする。
その後、図５Ａ（Ａ−ｉ）に示すように、搬送機１２０が上昇して処理室１６０と切り離され、処理室１６０への基体１０１の搬入及び設置が終了する。
【００４４】
以上の手順によって堆積膜を形成する準備が完了した後、基体１１０７の表面にケイ素原子を主成分とする堆積膜の形成を行う。その手順を図１Ａ（Ａ）を用いて説明する。
まず、処理容器１１０１の中に、ミキシング装置１１１８、原料ガス流入バルブ１１１９、接続配管１１１７および原料ガス導入管１１１６を介して、基体１１０７の加熱に必要な、例えばＡｒ，Ｈｅガスを導入する。そして、処理容器１１０１の中が所定の圧力になるように、真空計１１２３を確認しながら真空ポンプユニット（不図示）の排気速度を調整する。この調整は、例えば、真空ポンプユニット（不図示）のメカニカルブースターポンプの回転周波数を調整することによって行うことができる。
【００４５】
次に、所定の圧力になった後、加熱用ヒータ１１１５により基体１１０７の温度を２００℃〜４５０℃、より好ましくは２５０℃〜３５０℃の所望の温度に制御する。
そして、堆積膜形成用の原料ガスとして、主原料ガスと希釈ガスおよび特性改善ガスを、ミキシング装置１１１８を介して混合して、原料ガス導入管１１１６を介して処理容器１１０１の中に導入する。
その際、処理容器１１０１の中が１３．３ｍＰａ〜１３３０Ｐａの所望の圧力になるように、真空計１１２３を確認しながら真空ポンプユニット（不図示）の排気速度を調整する。
【００４６】
堆積膜形成時に使用する主原料ガスとしては、シラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、四フッ化珪素（ＳｉＦ４）、六フッ化二珪素（Ｓｉ２Ｆ６）のごときアモルファスシリコン形成用の原料ガス、またはそれらの混合ガスを用いることができる。希釈ガスとしては、水素（Ｈ２）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）を用いることができる。また、特性改善ガスとして、窒素原子を含むもの、酸素原子を含むもの、炭素原子を含むもの、またはフッ素原子を含むもの、あるいはこれらの混合ガスを併用してもよい。この際に用いる窒素原子を含むものとしては、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）が挙げられる。酸素原子を含むものとしては、酸素（Ｏ２）、一酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ２）が挙げられる。炭素原子を含むものとしては、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）が挙げられる。フッ素原子を含むものとしては、四フッ化ゲルマニウム（ＧｅＦ４）、フッ化窒素（ＮＦ３）が挙げられる。また、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）、フッ化硼素（ＢＦ３）、ホスフィン（ＰＨ３）のごとき特性改善ガスを同時に放電空間に導入してもよい。
【００４７】
次に、処理容器１１０１の中の圧力が安定した後、高周波電源１１２５を所望の電力に設定して、高周波電力を高周波マッチングボックス１１２４を介してカソード電極１１０８に供給することで、処理容器１１０１の中に高周波グロー放電を生起させる。供給電力は、例えば、ＲＦ帯、特に１３．５６ＭＨｚの周波数とすることができる。この放電エネルギーによって、処理容器１１０１の中に導入された堆積膜形成用ガスが励起され、基体１１０７の表面にケイ素原子を主成分とする所望の堆積膜が形成される。
【００４８】
以上のようにして基体１１０７の外周面に堆積膜が形成される。
堆積膜が形成された後には、堆積膜形成用の原料ガス、高周波電力の供給および基体１１０７の加熱を停止し、処理容器１１０１の中を排気する。その後、処理容器１１０１、原料ガス導入管１１１６の中をパージガス、例えは、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎ２のごとき不活性ガスを用いてパージ処理する。
パージ処理完了後、基体搬出入手段１２０３を用いて、基体１１０７が装着された基体ホルダ１１１３を処理容器１１０１の中から搬出する工程に移行する。
【００４９】
次に堆積膜形成後の基体の搬出方法について、図６Ａを用いて説明する。
図６Ａ（Ａ−ａ）に示すように、予め搬送容器１０７の内部が真空排気された搬送機１２０を、処理室１６０の上へ移動する。
次に、図６Ａ（Ａ−ｂ）に示すように、搬送機１２０が下降し、搬送機のゲートバルブ１０８が処理室の第２のゲートバルブ１２２と接続される。接続後は、処理室の第１の弁体１２３を全閉状態とし、第２の弁体１２４を全開状態としても良いし、処理室の第１の弁体１２３を全開状態とし、第２の弁体１２４を全閉状態としても良い。
【００５０】
ここでは一例として、図６Ａ（Ａ−ｃ）に示すように、処理室の第１の弁体１２３を全開状態とし、第２の弁体１２４を全閉状態とする。
そして、図６Ａ（Ａ−ｃ）に示す状態で、搬送機の弁体１０９と処理室の第２の弁体１２４で閉じられた空間を、排気口１２５を介して、図示しない排気装置により排気する。基体１０１を搬送機１２０から処理室１６０へ搬入する際とは異なり、処理室の第１の弁体１２３を全開状態とし、第２の弁体１２４を全閉状態として、搬送機１２０と処理室１６０のゲートバルブ間を排気しても良い理由は次の通りである。堆積膜形成後の基体を排出する際は、第２の弁体１２４に付着したダストが基体通過室１１０，１２７，１２９を汚染したとしても、その空間を通過するものが堆積膜形成後の基体であるためである。
【００５１】
そして、搬送機の弁体１０９と処理室の第２の弁体１２４で閉じられた空間が搬送容器１０７、処理容器１３０の中と略同圧となった時点で、図６Ａ（Ａ−ｄ）に示すように、搬送機の弁体１０９を全開状態とする。
次いで、図６Ａ（Ａ−ｅ）に示すように、処理室の第２の弁体１２４を全開状態とする。
次いで、図６Ａ（Ａ−ｆ）に示すように、基体搬出入手段１０６を下降させ、堆積膜形成後の基体およびキャップが装着された基体ホルダ１０３を保持する。
【００５２】
次いで、図６Ａ（Ａ−ｇ）に示すように、基体搬出入手段１０６を上昇させ、堆積膜形成後の基体およびキャップが装着された基体ホルダ１０３が搬送容器１０７の内部へと搬入される。
次いで、図６Ａ（Ａ−ｈ）に示すように、搬送機の弁体１０９を全閉状態とする。
次いで、図６Ａ（Ａ−ｉ）に示すように、処理室の第２の弁体１２４を全閉状態とする。
【００５３】
本発明においては、このような手順とし、処理室の第１の弁体１２３を全開状態としていることが好ましい。これは、次のような理由からである。堆積膜形成後のキャップ１０２や基体ホルダ１０３には、堆積膜形成中に発生した副生成物が多く付着している。そして、堆積膜形成後の基体を搬送機１２０へ搬出する際には、このように副生成物が多く付着したキャップ１０２や基体ホルダ１０３が、各ゲートバルブが形成する空間を通過することになる。この際に各ゲートバルブが形成する空間が、副生成物で汚染される。そして、各ゲートバルブが形成する空間が汚染された状態で処理室の第１の弁体１２３を全閉状態にしてしまうと、副生成物が処理室の第１の弁体１２３に付着し汚染してしまうことになるためである。
【００５４】
また、処理室の第２の弁体１２４を全閉状態とすることで、後述する処理室１６０と搬送機１２０との切り離し作業により早く移ることができ、タクトタイムを短縮できるというメリットもある。処理室１６０と搬送機１２０との切り離し作業を行うには、処理室の第１の弁体１２３もしくは第２の弁体１２４のいずれかの弁体と、搬送機の弁体１０９を全閉状態としなければならない。このとき、各ゲートバルブが形成する空間を浮遊している副生成物によって処理室の第１の弁体１２３を汚染させることなく、処理室の第１の弁体１２３もしくは第２の弁体１２４のいずれかの弁体を全閉状態とするには、次の方法が考えられる。第１の方法は前述のように、処理室の第１の弁体１２３を全開状態にしたままで処理室の第２の弁体１２４を全閉状態とする方法である。第２の方法は、処理室の第１の弁体１２３及び処理室の第２の弁体１２４を全開状態にしたままで、各ゲートバルブが形成する空間を浮遊している副生成物が処理容器１３０へ下降し、各ゲートバルブが形成する空間から無くなるのを待つ。そして、副生成物が、各ゲートバルブが形成する空間から無くなってから、処理室の第１の弁体１２３を全閉状態とする方法である。第１の方法は、各ゲートバルブが形成する空間から副生成物が無くなるのを待つ必要がないため、第２の方法に比べて後述する処理室１６０と搬送機１２０との切り離し作業により早く移ることができ、タクトタイムを短縮できるのである。
【００５５】
次いで、図６Ａ（Ａ−ｊ）に示すように、搬送機の弁体１０９と処理室の第２の弁体１２４を全閉状態とした後、搬送機の弁体１０９と処理室の第２の弁体１２４で閉じられた空間に不活性ガスを導入することで大気圧とする。その後、搬送機１２０が上昇して処理室１６０と切り離され、処理室１６０から堆積膜形成後の基体の搬出が終了する。
また、処理室１６０から堆積膜形成後の基体の搬出が終了した後、処理室の第１の弁体１２３を全閉状態としても構わない。
【００５６】
本発明においては、基体１０１を処理室１６０へ搬入する時と、堆積膜形成後の基体を処理室１６０から搬出する時とで用いる搬送機を分けることが好ましい。
基体搬入用搬送機と基体搬出用搬送機とを区別し、それぞれを独立に用いることで、基体１０１の表面に付着するダストをより減らすことできる。堆積膜形成後のキャップ１０２や基体ホルダ１０３は、堆積膜形成中に発生した副生成物が多く付着している。このため、堆積膜形成後（処理後）の基体を処理室１６０から搬送機１２０へ搬出した後、搬送機の弁体を全閉状態とすると、キャップ１０２や基体ホルダ１０３に付着した副生成物が搬送機の弁体１０９に落下し、搬送機の弁体１０９を汚染してしまう。そして、基体を処理室に搬入する時と基体を処理室から搬出する時とで共通の搬送機を用いる場合は、基体１０１を搬入する際に、搬送機の弁体１０９に付着した副生成物が、堆積膜形成前の基体１０１の表面に付着してしまう場合があるからである。
【００５７】
また、基体１０１を処理室１６０へ搬入する時と、堆積膜形成後の基体を処理室１６０から搬出する時とで用いる搬送機を分けることで、タクトタイムを短縮できるというメリットもある。これは、基体搬入時と堆積膜形成後の基体搬出時とで共通の搬送機を用いる場合は、堆積膜形成後の基体を搬送機から排出してから、堆積膜形成前の基体を搬送機に搬入する工程へ移らなければならない。ところが、基体搬入時と堆積膜形成後の基体搬出時とで別の搬送機を用いる場合には、基体搬出時に用いる搬送機で、基体を処理室から搬送機へ搬出する工程を行っている間に、基体搬入時に用いる搬送機で、基体を搬送機に搬入する工程を行うことができる。そして、基体搬出時に用いる搬送機が、堆積膜形成後の基体を処理室から搬送機へ搬出し終わり、処理室との切り離しが終了してすぐに、基体搬入時に用いる搬送機で、堆積膜形成前の基体を処理室へ搬入する工程へ移れるためである。
【実施例】
【００５８】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。
［実施例１］
図１Ａ（Ａ）に示す堆積膜形成装置１０００を用いて、アルミニウムよりなる外径８４ｍｍ、長さ３８１ｍｍ、肉厚３ｍｍの基体１１０７の表面に、表１に示す条件のアモルファスシリコン堆積膜を形成した電子写真感光体を作製した。
【００５９】
図４は作製した電子写真感光体の断面図を模式的に示した図であり、基体１１０７、下部阻止層４０１、光導電層４０２、および表面層４０３よりなっている。
実施例及び比較例における、各種条件を表２に示す。表２には、処理室及び搬送機のゲートバルブに備えられる弁体の数、及び処理室のゲートバルブに備えられる排気口の位置、処理室の第２のゲートバルブに備えられるシャッターの有無、基体搬入工程と堆積膜形成後の基体搬出工程における搬送機の使用形態、各弁体の各工程での状態や動作を示す。尚、各弁体の各工程での状態や動作については、基体を搬送機から処理室へ搬入する工程を基体搬入工程とし、堆積膜形成後の基体を処理室から搬送機へ搬出する工程を基体搬出工程として表記し、各工程での各弁体の状態や動作を示す図面を表中に示した。
【００６０】
尚、図５Ａにおいては、図５Ａ（Ａ−ｃ）に示す状態で、搬送機の弁体１０９と処理室の第１の弁体１２３で閉じられた空間が、搬送容器１０７、処理容器１３０の中と略同圧となるまで、排気口１２５より排気を行った。
また、図６Ａにおいては、図６Ａ（Ａ−ｃ）に示す状態で、搬送機の弁体１０９と処理室の第２の弁体１２４で閉じられた空間が、搬送容器１０７、処理容器１３０の中と略同圧となるまで、排気口１２５より排気を行った。
【００６１】
これらの条件で、電子写真感光体を２０回連続で２０本作製し、以下の評価を行った。その結果を表３に示す。
【００６２】
【表１】
【００６３】
【表２】
【００６４】
（球状突起の評価）
作製した電子写真感光体を、光学顕微鏡を用いて電子写真感光体全面の観察を行い、球状突起の個数をカウントした。カウントする対象とした球状突起は、電子写真感光体の表面から見た場合の、球状突起の外接円の直径が１５μｍ以上のものとした。そして、作製した電子写真感光体２０本の平均値を算出し、後述する実施例３での平均値をリファレンス（１００％）として、以下のような基準でランク付けを行った。
【００６５】
尚、この評価項目では、平均値が小さいほど、球状突起の発生が抑えられ良好な結果であると判断している。
７：リファレンスに比べて３５％以上４５％未満
６：リファレンスに比べて４５％以上５５％未満
５：リファレンスに比べて５５％以上６５％未満
４：リファレンスに比べて６５％以上７５％未満
３：リファレンスに比べて７５％以上８５％未満
２：リファレンスに比べて８５％以上９５％未満
１：リファレンスに比べて９５％以上１０５％未満
−１：リファレンスに比べて１０５％以上１１５％未満
−２：リファレンスに比べて１１５％以上１２５％未満
尚、球状突起の評価においては、ランク１以上で本発明の効果が得られていると判断している。
【００６６】
（タクトタイムの評価）
１回目の電子写真感光体を作製する際に用いられる基体を基体ホルダに装着してから、電子写真感光体を２０回連続で２０本の作製が終了するまでに要した時間をタクトタイムとした。
そして、後述する実施例３でのタクトタイムをリファレンス（１００％）として、以下のような基準でランク付けを行った。
【００６７】
尚、この評価項目では、タクトタイムが短いほど、優れた生産性を有する良好な結果であると判断している。
３：リファレンスに比べて５０％以上７０％未満
２：リファレンスに比べて７０％以上９０％未満
１：リファレンスに比べて９０％以上１１０％未満
【００６８】
（総合評価）
球状突起、タクトタイムの評価で付与したランクの値を合計した得点をもとに、以下のように総合的にランク付けを行った。
ＡＡ…６点以上のもの
Ａ…１点以上５点以下のもの
Ｂ…０点以下のもの
尚、総合評価においては、Ａランク以上で本発明の効果が得られていると判断している。
【００６９】
［実施例２］
実施例１の手順において、堆積膜形成後の基体の搬出工程の手順を表２に示すように変更し、それ以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を２０回連続で２０本作製した。
堆積膜形成後の基体の搬出工程の手順は、図６Ａの（Ａ−ｉ）〜（Ａ−ｊ）の手順を、図６Ｂの（Ｂ−ｉ）〜（Ｂ−ｋ）に変更して行った。
【００７０】
また、図６Ｂにおいては、図６Ｂ（Ｂ−ｃ）に示す状態で、搬送機の弁体１０９と処理室の第２の弁体１２４で閉じられた空間が、搬送容器１０７、処理容器１３０の中と略同圧となるまで、排気口１２５より排気を行った。
そして、実施例１と同様の評価を行い、その結果を表３に示す。
【００７１】
［実施例３］
実施例１の手順において、搬送機及び処理室のゲートバルブに備えられる弁体の数、及び基体搬入工程の手順、堆積膜形成後の基体の搬出工程の手順を表２に示すように変更し、それ以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を２０回連続で２０本作製した。
基体搬入工程の手順は、図５Ａの（Ａ−ｃ）〜（Ａ−ｉ）の手順を、図５Ｂの（Ｂ−ｃ）〜（Ｂ−ｉ）に変更して行った。
【００７２】
堆積膜形成後の基体の搬出工程の手順は、図６Ａの（Ａ−ｃ）〜（Ａ−ｊ）の手順を、図６Ｃの（Ｃ−ｃ）〜（Ｃ−ｋ）に変更して行った。
尚、図５Ｂにおいては、図５Ｂ（Ｂ−ｃ）に示す状態で、搬送機の第１の弁体１３１と処理室の弁体１３２で閉じられた空間が、搬送容器１０７、処理容器１３０の中と略同圧となるまで、排気口１２５より排気を行った。
【００７３】
また、図６Ｃにおいては、図６Ｃ（Ｃ−ｃ）に示す状態で、搬送機の第２の弁体１３３と処理室の弁体１３２で閉じられた空間が、搬送容器１０７、処理容器１３０の中と略同圧となるまで、排気口１２５より排気を行った。
そして、実施例１と同様の評価を行い、その結果を表３に示す。
【００７４】
［実施例４］
実施例１の手順において、基体搬入工程と堆積膜形成後の基体の搬出工程における搬送機の使用形態を表２に示すように変更し、それ以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を２０回連続で２０本作製した。
そして、実施例１と同様の評価を行い、その結果を表３に示す。
【００７５】
［実施例５］
実施例４の手順において、搬送機のゲートバルブに備えられる弁体の数、及び基体搬入工程の手順、堆積膜形成後の基体の搬出工程の手順を表２に示すように変更し、それ以外は実施例４と同様にして電子写真感光体を２０回連続で２０本作製した。
基体搬入工程の手順は、図５Ａの（Ａ−ｃ）〜（Ａ−ｉ）の手順を、図５Ｃの（Ｃ−ｃ）〜（Ｃ−ｉ）に変更して行った。
【００７６】
堆積膜形成後の基体の搬出工程の手順は、図６Ａの（Ａ−ｃ）〜（Ａ−ｊ）の手順を、図６Ｄの（Ｄ−ｃ）〜（Ｄ−ｉ）に変更して行った。
尚、図５Ｃにおいては、図５Ｃ（Ｃ−ｃ）に示す状態で、搬送機の第１の弁体１３１と処理室の第１の弁体１２３で閉じられた空間が、搬送容器１０７、処理容器１３０の中と略同圧となるまで、排気口１２５より排気を行った。
【００７７】
また、図６Ｄにおいては、図６Ｄ（Ｄ−ｃ）に示す状態で、搬送機の第２の弁体１３３と処理室の第２の弁体１２４で閉じられた空間が、搬送容器１０７、処理容器１３０の中と略同圧となるまで、排気口１２５より排気を行った。
そして、実施例１と同様の評価を行い、その結果を表３に示す。
【００７８】
［実施例６］
実施例５の手順において、処理室のゲートバルブに備えられる排気口の位置を表２に示すように変更し、それ以外は実施例５と同様にして電子写真感光体を２０回連続で２０本作製した。
そして、実施例１と同様の評価を行い、その結果を表３に示す。
【００７９】
［実施例７］
実施例５の手順において、処理室の第２のゲートバルブに備えられるシャッターの有無を表２に示すように変更し、それ以外は実施例５と同様にして電子写真感光体を２０回連続で２０本作製した。尚、排気口１２５によって排気を行う際は、シャッターが閉じられた状態で行うため、処理室の第２のゲートバルブの弁体退避室１２８の内部は、排気されない。そして、実施例１と同様の評価を行い、その結果を表３に示す。
【００８０】
［比較例１］
実施例２の手順において、処理室のゲートバルブに備えられる弁体の数、及び基体搬入工程の手順、堆積膜形成後の基体の搬出工程の手順を表２に示すように変更し、それ以外は実施例２と同様にして電子写真感光体を２０回連続で２０本作製した。
基体搬入工程の手順は、図５Ａの（Ａ−ｃ）〜（Ａ−ｉ）の手順を、図７の（ｂ）〜（ｈ）に変更して行った。
【００８１】
堆積膜形成後の基体の搬出工程の手順は、図６Ｂの（Ｂ−ｃ）〜（Ｂ−ｋ）の手順を、図８の（ｂ）〜（ｉ）に変更して行った。
尚、図７においては、図７（ｂ）に示す状態で、搬送機の弁体２００１と処理室の弁体２００２で閉じられた空間が、搬送容器２００３、処理容器２００４の中と略同圧となるまで、排気口２００５より排気を行った。
【００８２】
また、図８においては、図８（ｂ）に示す状態で、搬送機の弁体５００１と処理室の弁体５００２で閉じられた空間が、搬送容器５００３、処理容器５００４の中と略同圧となるまで、排気口５００５より排気を行った。
そして、実施例１と同様の評価を行い、その結果を表３に示す。
【００８３】
［比較例２］
比較例１の手順において、図２（Ｂ）に示すような、処理室に設けられるゲートバルブの弁体の上面を覆う蓋６０１を設けた堆積膜形成装置６００を用いた点のみ変更し、それ以外は比較例１と同様にして電子写真感光体を２０回連続で２０本作製した。
尚、搬送機と処理室とが接続される際には、作業者が蓋６０１を外し、搬送機と処理室が切り離された後は、作業者が蓋６０１をする手法を用いて電子写真感光体を作製した。そして、実施例１と同様の評価を行い、その結果を表３に示す。
【００８４】
［比較例３］
実施例２の手順において、基体搬入工程の手順、堆積膜形成後の基体の搬出工程の手順を表２に示すように変更し、それ以外は実施例２と同様にして電子写真感光体を２０回連続で２０本作製した。
基体搬入工程の手順は、図５Ａの（Ａ−ａ）〜（Ａ−ｃ）の手順を、図９Ａの（Ａ−ａ）〜（Ａ−ｂ）に、図５Ａの（Ａ−ｇ）〜（Ａ−ｉ）の手順を、図９Ａの（Ａ−ｆ）〜（Ａ−ｈ）に変更して行った。
【００８５】
堆積膜形成後の基体の搬出工程の手順は、図６Ｂの（Ｂ−ａ）〜（Ｂ−ｄ）の手順を、図１０の（ａ）〜（ｃ）に、図６Ｂの（Ｂ−ｊ）〜（Ｂ−ｋ）の手順を、図１０の（ｉ）に変更して行った。
尚、図９Ａにおいては、図９Ａ（Ａ−ｂ）に示す状態で、搬送機の弁体３００１と処理室の第１の弁体３００２で閉じられた空間が、搬送容器３００３、処理容器３００４の中と略同圧となるまで、排気口３００５より排気を行った。
【００８６】
また、図１０においては、図１０（ｂ）に示す状態で、搬送機の弁体４００１と処理室の第１の弁体４００２で閉じられた空間が、搬送容器４００３、処理容器４００４の中と略同圧となるまで、排気口４００５より排気を行った。
そして、実施例１と同様の評価を行い、その結果を表３に示す。
【００８７】
［比較例４］
実施例２の手順において、基体搬入工程の手順を表２に示すように変更し、それ以外は実施例２と同様にして電子写真感光体を２０回連続で２０本作製した。
基体搬入工程の手順は、図５Ａの（Ａ−ｃ）〜（Ａ−ｄ）の手順を、図９Ｂの（Ｂ−ｃ）〜（Ｂ−ｄ）に変更して行った。
尚、図９Ｂにおいては、図９Ｂ（Ｂ−ｃ）に示す状態で、搬送機の弁体３００１と処理室の第２の弁体３００６で閉じられた空間が、搬送容器３００３、処理容器３００４の中と略同圧となるまで、排気口３００５より排気を行った。
そして、実施例１と同様の評価を行い、その結果を表３に示す。
【００８８】
［比較例５］
実施例２の手順において、基体搬入工程の手順を表２に示すように変更し、それ以外は実施例２と同様にして電子写真感光体を２０回連続で２０本作製した。
基体搬入工程の手順は、図５Ａの（Ａ−ｃ）〜（Ａ−ｄ）の手順を、図９Ｃの（Ｃ−ｂ）〜（Ｃ−ｃ）に変更して行った。
尚、図９Ｃにおいては、図９Ｃ（Ｃ−ｂ）に示す状態で、搬送機の弁体３００１と処理室の第１の弁体３００２で閉じられた空間が、搬送容器３００３、処理容器３００４の中と略同圧となるまで、排気口３００５、３００７より排気を行った。
そして、実施例１と同様の評価を行い、その結果を表３に示す。
【００８９】
【表３】
【００９０】
表３から以下のことが明らかとなった。
実施例３と比較例１、２、３、４、５との比較から、本発明の条件を満たすことで球状突起が抑制されることが確認された。
実施例２と実施例３から、基体の搬出入方向が垂直方向であり、処理室の上に搬送機が接続される堆積膜形成装置の場合、次のことが確認された。搬送機のみが第１、第２の弁体を有する構成よりも、処理室のみが第１、第２の弁体を有する構成の方が、球状突起抑制効果がより顕著に得られる。
【００９１】
実施例１と実施例２から、基体搬出工程で堆積膜形成後の基体を搬送機内に移動させた後の弁体の動作を、第１の弁体を全閉状態とする前に、第２の弁体を全閉状態とすることで、タクトタイムが短縮でき、また、球状突起がより抑制されることが確認された。
実施例１と実施例４から、搬送機を基体の搬入時と堆積膜形成後の基体の搬出時とでそれぞれ独立の搬送機を用いることで、タクトタイムがさらに短縮でき、また、球状突起がより抑制されることが確認された。
【００９２】
実施例４と実施例５から、処理室及び搬送機の両方が、ゲートバルブに基体の搬出入方向に沿って直列に弁体を２つ有し、ゲートバルブの各弁体が本発明の条件を満たす状態及び動作をすることで、球状突起がより抑制されることが確認された。
実施例５と実施例６から、搬送機の弁体と処理室の第１の弁体で閉じられた空間を排気する際に、弁体退避室に設けられた排気口から排気することで、球状突起がより抑制されることが確認された。
実施例６と実施例７から、第２のゲートバルブにシャッターを設けることで、球状突起がより抑制されることが確認された。
【符号の説明】
【００９３】
１０００‥‥堆積膜形成装置
１１００‥‥処理室
１１０１‥‥処理容器
１１０２‥‥ゲートバルブ
１１０３‥‥第２のゲートバルブ
１１０４‥‥第１のゲートバルブ
１１０５‥‥第２の弁体
１１０６‥‥第１の弁体
１１０７‥‥基体
１１０８‥‥カソード電極
１１０９‥‥絶縁体
１１１０‥‥上壁
１１１１‥‥底壁
１１１２‥‥キャップ
１１１３‥‥基体ホルダ
１１１４‥‥基体ホルダ保持手段
１１１５‥‥加熱用ヒータ
１１１６‥‥原料ガス導入管
１１１７‥‥接続配管
１１１８‥‥ミキシング装置
１１１９‥‥原料ガス流入バルブ
１１２０‥‥排気配管
１１２１‥‥排気口
１１２２‥‥排気メインバルブ
１１２３‥‥真空計
１１２４‥‥マッチングボックス
１１２５‥‥高周波電源
１１２６‥‥保持部
１１２７‥‥排気口
１１２８‥‥基体通過室
１２００‥‥搬送機
１２０１‥‥ゲートバルブ
１２０３‥‥基体搬出入手段
１２０４‥‥搬送容器
１２０５‥‥保持部
１２０６‥‥レール
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイス、電子写真感光体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバイス、光起電力デバイス等の堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
デバイスを製造する際に、処理室内で堆積膜形成を行う工程を製造工程に含む場合には、処理室内や搬送機内といった、基体が晒される雰囲気の清浄度が製品の品質に大きな影響を与える場合がある。例えば堆積膜の形成前に、基体の表面にダストが付着すると、そのダストが核となって堆積膜が異常成長する個所が発生し、堆積膜の品質を低下させる。
【０００３】
また製造工程の処理能力向上のために、複数の処理室を用意し、処理室間の基体の移動に、処理室と接続及び切り離しが可能な搬送機を用いる構成とすることがある。製造工程をこのような構成とした場合、処理室と搬送機との接続及び切り離しは、ゲートバルブを介して行われることが一般的である。ところが、ゲートバルブの開閉動作や処理室と搬送機のゲートバルブ間の空間を排気する動作が、ダストの発生個所及びダストの付着要因個所となってしまう。このため、ゲートバルブからのダストの発生を低減させることが一般的に行われている。
【０００４】
ゲートチャンバを設けゲートバルブをこのゲートチャンバより取り外し可能とし、処理室をゲートチャンバより移動せずにメンテナンス可能とし、メンテナンスを容易にする堆積膜形成方法が開示されている。（特許文献１）
また、ゲートバルブの稼動部側にクリーンエアーを吹き付けて、ゲートバルブからのダスト発生を低減している堆積膜形成方法が開示されている。（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平５−８７２５８号公報
【特許文献２】特開２００６−７０２９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の技術により、ゲートバルブからのダストの発生を低減することが可能となり、品質の向上した製品を作製することが可能となってきた。
しかし、例えば電子写真装置においては、電子写真装置のデジタル化、フルカラー化に伴い、電子写真装置の中の帯電システム、光学露光システム、現像システム等の改良がなされた。それに伴い、電子写真感光体においても従来以上の画像特性の向上が求められるようになった。
【０００７】
その結果、俗に「ポチ」と呼ばれる、白点状、黒点状の画像欠陥の減少、特に従来は問題にされなかった微少な大きさの「ポチ」の減少が求められるようになった。「ポチ」に関しては、基体の表面に付着したダストを核とした堆積膜の異常成長である「球状突起」が原因となっている。そのため、基体の表面に付着するダストをより減らすことが要求されている。また、品質の良い製品をより効率良く製造できる堆積膜形成方法や堆積膜形成装置も要求されている。
【０００８】
そこで、本発明はゲートバルブと搬送機に着目して、上記課題の解決を目的とするものである。すなわち、ゲートバルブを介して基体を搬送機から処理室へ移動させる際に、基体へのダスト付着を効率良く抑制することにより、堆積膜の品質向上を図るとともに、優れた生産性を有する堆積膜形成方法および堆積膜形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した目的を達成するため、本発明に係る堆積膜形成方法は、真空雰囲気中で搬送機から処理室への基体の搬入を、基体搬出入手段により行う基体搬入工程と、前記処理室内で堆積膜を前記基体の上に形成する工程と、真空雰囲気中で処理室から搬送機への堆積膜形成後の基体の搬出を、基体搬出入手段により行う基体搬出工程とを有する。前記処理室は、処理容器とゲートバルブを少なくとも有し、前記搬送機は、搬送容器とゲートバルブと前記基体搬出入手段とを少なくとも有し、前記ゲートバルブは、前記基体が通過する基体通過室と前記弁体が退避する弁体退避室とを備える。前記処理室と前記搬送機が、それぞれの前記ゲートバルブを介して接続可能である堆積膜形成方法において、前記処理室または前記搬送機の少なくともどちらか一方が、前記基体の搬出入方向に沿って直列に２つの弁体を前記ゲートバルブに有する。前記処理室が１つの弁体のみを有する場合は、当該弁体を第１の弁体とし、前記処理室が２つの弁体を有する場合は、前記処理容器側から順に第１の弁体、第２の弁体とする。前記搬送機が１つの弁体のみを有する場合は、当該弁体を第１の弁体とし、前記搬送機が２つの弁体を有する場合は、前記搬送容器側から順に第１の弁体、第２の弁体とする。
前記基体搬入工程は、接続工程と、排気工程と、搬入工程を少なくとも有する。接続工程は、前記処理室と前記搬送機とをそれぞれの前記ゲートバルブを介して接続する。排気工程は、前記処理室のゲートバルブと前記搬送機のゲートバルブとが接続されることによって形成される空間を排気する。搬入工程は、真空雰囲気中で搬送機から処理室への基体の搬入を、前記基体搬出入手段により行う。
前記処理室と前記搬送機が接続されていない場合であって、
前記処理室が１つの弁体のみを有する場合は、前記第１の弁体を全閉状態とし、前記処理室が２つの弁体を有する場合は、少なくとも前記第２の弁体を全閉状態とし、
前記搬送機が１つの弁体のみを有する場合は、前記第１の弁体を全閉状態とし、前記搬送機が２つの弁体を有する場合は、少なくとも前記第２の弁体を全閉状態とする。
前記排気工程は、前記第１の弁体を全閉状態とし、前記第２の弁体を全開状態にして行われる。
【００１０】
また、本発明に係る堆積膜形成装置は、少なくともゲートバルブと処理容器を有し、堆積膜を基体の上に形成することのできる処理室と、ゲートバルブと搬送容器と基体搬出入手段とを少なくとも有する搬送機とを少なくとも有する。前記ゲートバルブは、前記基体が通過する基体通過室と前記弁体が退避する弁体退避室とを有する。前記処理室と前記搬送機が、それぞれの前記ゲートバルブを介して接続及び切り離しが可能であり、前記基体搬出入手段により前記処理室と前記搬送機との間で前記基体の搬出入を真空雰囲気中で行うことができる。前記処理室または前記搬送機の少なくともどちらか一方が、前記基体の搬出入方向に沿って直列に２つの弁体を前記ゲートバルブに有する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、ゲートバルブを介して基体を搬送機から処理室へ移動させる際に、基体へのダスト付着を抑制することで堆積膜の品質を向上させるとともに、優れた生産性を有する堆積膜形成方法および堆積膜形成装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１Ａ】本発明に係わる堆積膜形成装置の一例を示す模式的断面図
【図１Ｂ】本発明に係わる堆積膜形成装置の一例を示す模式的断面図
【図２】従来の堆積膜形成装置の一例を示す模式的断面図
【図３Ａ】本発明に係わるゲートバルブの一例を示す模式図
【図３Ｂ】本発明に係わるゲートバルブの一例を示す模式図
【図４】電子写真感光体の層構成の一例を示す模式的断面図
【図５Ａ】本発明に係わる基体搬入工程の手順の一例を示す模式図
【図５Ｂ】本発明に係わる基体搬入工程の手順の一例を示す模式図
【図５Ｃ】本発明に係わる基体搬入工程の手順の一例を示す模式図
【図６Ａ】本発明に係わる堆積膜形成後の基体の搬出工程の手順の一例を示す模式図
【図６Ｂ】本発明に係わる堆積膜形成後の基体の搬出工程の手順の一例を示す模式図
【図６Ｃ】本発明に係わる堆積膜形成後の基体の搬出工程の手順の一例を示す模式図
【図６Ｄ】本発明に係わる堆積膜形成後の基体の搬出工程の手順の一例を示す模式図
【図７】従来の基体搬入工程の手順の一例を示す模式図
【図８】従来の堆積膜形成後の基体の搬出工程の手順の一例を示す模式図
【図９Ａ】比較例に係わる基体搬入工程の手順の一例を示す模式図
【図９Ｂ】比較例に係わる基体搬入工程の手順の一例を示す模式図
【図９Ｃ】比較例に係わる基体搬入工程の手順の一例を示す模式図
【図１０】比較例に係わる堆積膜形成後の基体の搬出工程の手順の一例を示す模式図
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の具体的な実施形態について、図面を参照して説明する。
図１Ａおよび図１Ｂは、本発明に係る堆積膜形成装置の一例を模式的に示す断面図である。
堆積膜形成装置１０００は、処理室１１００と搬送機１２００とからなる。そして、処理室１１００は、処理容器１１０１とゲートバルブ１１０２を有する。本発明においては、処理室または搬送機の少なくともどちらか一方が、基体の搬出入方向に沿って直列に、それぞれが有する容器側から第１の弁体及び第２の弁体をゲートバルブに有している。処理室１１００と搬送機１２００は、それぞれのゲートバルブを介して接続可能である。
図１Ａ（Ａ）では、その一例として、第１のゲートバルブ１１０４が第１の弁体１１０６を備え、第２のゲートバルブ１１０３が第２の弁体１１０５を備えている堆積膜形成装置１０００を模式的に示している。
そして図３Ｂ（Ｄ）に示すように、各ゲートバルブは、基体１１０７が通過するための開口８０３、８０４を有する基体通過室８０１と、ゲートバルブが全開状態となった時に、弁体８０５が退避するための弁体退避室８０２とからなる。
【００１４】
第１の弁体１１０６及び第２の弁体１１０５は、図１Ａ（Ａ）に示すように、ゲートバルブを２台用意し、それぞれのゲートバルブに、１つの弁体を有する構成としても良いし、１台のゲートバルブに、２つの弁体を有する構成としても良い。
また、本発明における基体１１０７の搬出入方向は、図１Ａ（Ａ）においては垂直方向であるが、装置構成上、水平方向に基体１１０７を搬出入する場合は、水平方向が基体１１０７の搬出入方向となる。
【００１５】
また、本発明における第１の弁体及び第２の弁体は、処理室及び搬送機のそれぞれが有する容器側から第１の弁体、第２の弁体としている。このため図１Ａ（Ａ）では、処理容器１１０１側から、第１のゲートバルブ１１０４に備えられる弁体が第１の弁体１１０６、第２のゲートバルブ１１０３に備えられる弁体が第２の弁体１１０５となる。
そして、図１Ｂ（Ｄ）に示されるように、搬送機が第１の弁体及び第２の弁体をゲートバルブに有している場合は、搬送容器７０５側から、第１のゲートバルブ７０１に備えられる弁体が第１の弁体７０３となる。そして、第２のゲートバルブ７０２に備えられる弁体が第２の弁体７０４となる。
【００１６】
処理室１１００は、排気装置に接続され、処理容器１１０１の内部を真空雰囲気とすることができ、また、処理容器１１０１の内部で堆積膜を基体１１０７の上に形成することができる構成であればよい。図１Ａ（Ａ）には一例として、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）−ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって、電子写真感光体を製造するためのＲＦ−ＣＶＤ装置を模式的に示している。
【００１７】
電子写真感光体を製造する際の基体１１０７の形状は、使用目的に応じた形状であれば良いが、一般的には円筒状の基体１１０７が用いられる。基体１１０７の材質は、使用目的に応じた性質を有するものであればよい。例えば、銅、アルミニウム、金、銀、白金、鉛、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタン、ステンレスが、電気伝導率が良好であるため、好適である。中でも、加工性や製造コストを考慮すると、アルミニウムが最適である。この場合、例えばＡｌ−Ｍｇ系合金、Ａｌ−Ｍｎ系合金のいずれかを用いることが好ましい。
【００１８】
処理室１１００は、プラズマ処理によって基体１１０７に堆積膜を形成する装置である。カソード電極１１０８、絶縁体１１０９、上壁１１１０、底壁１１１１により、減圧することが可能な処理容器１１０１を形成している。そして、ゲートバルブ１１０２は、基体１１０７の搬出入方向に沿って処理容器１１０１側から順に、第１の弁体１１０６を有する第１のゲートバルブ１１０４と、第２の弁体１１０５を有する第２のゲートバルブ１１０３から構成されている。
【００１９】
処理容器１１０１の下部には、基体１１０７およびキャップ１１１２が装着された基体ホルダ１１１３を保持する基体ホルダ保持手段１１１４が設けられている。なお、基体ホルダ保持手段１１１４は全て導電部材で構成されているため、基体ホルダ１１１３は底壁１１１１と電気的に接続する状態となり接地されている。
処理容器１１０１の内部には、加熱用ヒータ１１１５が設けられている。加熱用ヒータ１１１５は、真空中で使用することが可能なものであればどのようなものを用いてもよい。具体的には、シース状ヒータ、板状ヒータ、セラミックヒータ、カーボンヒータのような電気抵抗発熱体や、ハロゲンランプ、赤外線ランプのような熱放射ランプや、液体、気体を熱媒とした熱交換手段が挙げられる。
【００２０】
また、処理容器１１０１の中には、処理容器１１０１の中に原料ガスを導入するための原料ガス導入管１１１６が設けられている。原料ガス導入管１１１６は、保持される基体１１０７の長手方向に平行に延びている。原料ガス導入管１１１６は接続配管１１１７を介して、原料ガスの流量を調整するためのマスフローコントローラ（不図示）を介在させたミキシング装置１１１８と、原料ガス流入バルブ１１１９からなるガス供給系に接続されている。
【００２１】
処理室１１００が備える排気系は、排気手段である真空ポンプユニット（不図示）が、排気配管１１２０を介して、処理容器１１０１の底壁１１１１の排気口１１２１に接続されている。排気配管１１２０には、排気メインバルブ１１２２が設けられている。また、処理容器１１０１には、その内部の圧力を測定する真空計１１２３が取り付けられている。これらを用いて、処理容器１１０１の中を、各工程に適した所定の圧力に維持することができる。真空ポンプユニットには、例えばロータリーポンプや、メカニカルブースターポンプを用いることができる。カソード電極１１０８には、整合回路を有するマッチングボックス１１２４を介して高周波電源１１２５が電気的に接続されている。カソード電極１１０８の上下は、セラミックスからなる絶縁体１１０９により上壁１１１０および底壁１１１１から絶縁されている。
【００２２】
上壁１１１０には第１の弁体１１０６を有する第１のゲートバルブ１１０４と、第２の弁体１１０５を有する第２のゲートバルブ１１０３が設置されている。これにより、基体１１０７を保持する基体ホルダ１１１３が、真空雰囲気中で、処理容器１１０１へ搬入、設置されること、処理容器１１０１から搬出されることが可能となる。
基体ホルダ１１１３の処理容器１１０１の中への搬入時は、基体搬出入手段１２０３によって、基体ホルダ１１１３の保持部１１２６が保持される。次いで、基体ホルダ１１１３が処理容器１１０１の中へ移動され、基体ホルダ保持手段１１１４に載置される。
【００２３】
次に、搬送機１２００について図面を用いて説明する。
搬送機１２００は、ゲートバルブ１２０１と搬送容器１２０４を有している。そして搬送容器１２０４の内部には、保持部１２０５と基体搬出入手段１２０３を有している。保持部１２０５は基体ホルダ１１１３を保持することが可能である。基体搬出入手段１２０３は上下動することが可能である。更に、搬送機１２００は真空気密することが可能であり、処理室１１００に接続するための上下機構（不図示）を有している。また、搬送機１２００はレール１２０６の上を水平方向に移動することが可能となっている。この搬送機１２００によって、処理容器１１０１が真空状態のまま、基体１１０７を搬入、搬出することができる。
【００２４】
次に、本発明の堆積膜形成方法について説明する。ここでは一例として、処理室１１００が、処理容器１１０１側から第１の弁体１１０６と第２の弁体１１０５を有する、図１Ａ（Ａ）の堆積膜形成装置１０００を用いた場合を説明する。
また本発明においては、基体１１０７のみを移動させる方法を用いても構わないが、基体１１０７をキャップ１１１２と共に基体ホルダ１１１３に装着した状態で移動させる方法を用いても構わない。
【００２５】
ここでは一例として、基体１１０７をキャップ１１１２と共に基体ホルダ１１１３に装着した状態で移動させる方法を用い、ケイ素原子を主成分とする堆積膜を基体１１０７の上に堆積させ、電子写真感光体を作製する堆積膜形成方法について説明する。
まず、図３Ａおよび図３Ｂを用いてゲートバルブ８３０の動作に関して説明する。
図３Ａおよび図３Ｂは、本発明に係わるゲートバルブの一例を示す模式図である。
【００２６】
図３Ａ（Ａ）は、弁体８０５が開口部８０４を閉じている、全閉状態を示している。基体通過室８０１の上側には開口部８０３が、下側には開口部８０４が形成されている。
弁体８０５にはローラ８３７、突出部８３８、ストッパー８４０、Ｏリング８４１が設けられている。弁体８０５はリンク機構８４２を介してゲートベース８４３に支持されている。ゲートベース８４３は、ロッド８４４に取り付けられている。ロッド８４４は、ベース板８４５と弁体退避室８０２を連結している第１の真空ベローズ８４６の中を通り、ベース板８４５に連結されている。ベース板８４５は、第１のエアーシリンダー８４７の第１シャフト８４８に取り付けられている。
第２のエアーシリンダー８４９の第２シャフト８５０は、弁体退避室８０２と第２のエアーシリンダー８４９を連結している第２の真空ベローズ８５１の中を通り、弁体ストッパー８５２に取り付けられている。
【００２７】
次に図３Ａ（Ｂ）に示すように、まず、第１のエアーシリンダー８４７により、ベース板８４５を第１のエアーシリンダー８４７に近づける方向（矢印８６１が示す方向）に移動させる。このときの移動方向を、以後は図３Ａ（Ｂ）に表しているようにＹ方向と規定する。
ベース板８４５が移動することにより、ベース板８４５に取り付けられているロッド８４４および第２シャフト８５０が同様の方向に移動する。するとスプリング８５５の弾性力によりリンク機構８４２が弁体８０５を開口部８０４から離れる方向にほぼ直線的に移動させる。このときの移動方向を、以後は図３Ａ（Ｂ）に表しているようにＸ方向と規定する。
弁体ストッパー８５２の先端が、弁体８０５の面８５６に達したところで、弁体８０５の移動が停止する。弁体８０５は、これ以上はＸ方向に移動することは出来なくなり、基体通過室８０１の中で開口部８０４から最も離れた位置になる。
【００２８】
次に、図３Ａ（Ｃ）に示すように、弁体８０５が図３Ａ（Ｂ）に示したＸ方向の位置を維持したまま、引き続き、ベース板８４５がＹ方向において第１のエアーシリンダー８４７に近づく方向（矢印８６１が示す方向）に移動する。さらに、第１のエアーシリンダー８４７の駆動端まで移動し、全開状態となる。
【００２９】
次に、基体の搬入方法について、図５Ａを用いて説明する。
本発明における基体搬入方法は、接続工程と、排気工程と、搬入工程を少なくとも有する。接続工程は、処理室と搬送機とをそれぞれのゲートバルブを介して接続する。排気工程は、処理室のゲートバルブと搬送機のゲートバルブとが接続されることによって形成される空間を排気する。搬入工程は、真空雰囲気中で搬送機から処理室への基体の搬入を基体搬出入手段により行う。
【００３０】
まず、クリーンルームで清浄化処理がなされた基体１０１を、キャップ１０２と共に基体ホルダ１０３に装着する。そして、基体ホルダ１０３の保持部１０４を搬送機１２０の保持部１０５が保持し、基体搬出入手段１０６が動作することで、基体１０１およびキャップ１０２が装着された基体ホルダ１０３が搬送容器１０７の内部へと搬入される。
次いで、搬送機のゲートバルブ１０８に備えられる弁体１０９を基体通過室１１０へ移動させて開口を塞いだ全閉状態とし、搬送容器１０７の内部を図示しない排気手段により排気し、真空雰囲気とする。
【００３１】
次に、接続工程を行う。接続工程では、真空雰囲気とされた搬送容器１０７が、図５Ａ（Ａ−ａ）に示すように、処理室１６０の上へと移動される。
そして、図５Ａ（Ａ−ｂ）に示すように、搬送機１２０が下降し、搬送機のゲートバルブ１０８が処理室の第２のゲートバルブ１２２と接続される。
本発明においては、搬送機１２０と処理室１６０とが接続されていない場合には、少なくとも第２のゲートバルブ１２２に備えられる第２の弁体１２４は、全閉状態とされていることが重要である。
【００３２】
この状態を本発明の堆積膜形成装置と従来の堆積膜形成装置で比較する。図２の（Ａ）は従来の堆積膜形成装置を示した図である。
図２の（Ａ）に示される、従来の堆積膜形成装置においては、堆積膜形成装置５００が設置された雰囲気中に、ゲートバルブ５０１の弁体５０２、ゲートバルブ５０６の弁体５０５が共に晒されることになる。すなわち、堆積膜形成装置５００が設置された雰囲気中に漂うダストが、弁体５０２、５０５に付着することになる。たとえ堆積膜形成装置５００が設置された雰囲気が、クリーンルームのような清浄な雰囲気であったとしても、ダストが全く存在しない雰囲気とすることは困難である。このため、弁体５０２、５０５が、堆積膜形成装置５００が設置された雰囲気に長時間晒されると、少なからず弁体５０２、５０５にダストが付着してしまうことになる。これらの弁体５０２、５０５に付着したダストは、後述する排気工程において、ゲートバルブ５０１の基体通過室５０３、ゲートバルブ５０６の基体通過室５０７をダストで汚染してしまう原因となる。そして、ゲートバルブ５０１の基体通過室５０３、ゲートバルブ５０６の基体通過室５０７がダストで汚染された状態で搬送機から処理室へと基体が搬入されると、基体にダストが付着し、堆積膜の異常成長の原因となってしまう。
【００３３】
一方、本発明の堆積膜形成装置では、搬送機１２０と処理室１６０とが接続されていない場合には、少なくとも第２の弁体１２４を全閉状態としているため、第１の弁体１２３は堆積膜形成装置１８０が設置された雰囲気中に晒されることはなくなる。
そして、図５Ａ（Ａ−ｃ）に示すように、第１の弁体１２３を全閉状態とし、第２の弁体１２４を弁体退避室１２８へ退避させて全開状態とする。そして、搬送機のゲートバルブ１０８と処理室の第２のゲートバルブ１２２との間を、排気口１２５を介して、図示しない排気装置により排気する。このように、ダストで汚染された第２の弁体１２４を弁体退避室１２８へ退避させた状態で排気工程を行うため、各ゲートバルブの基体通過室１１０，１２７，１２９をダストで汚染してしまうことを抑制することができる。すると、搬送機１２０から処理室１６０へと基体１０１が搬入される際に、基体１０１にダストが付着することを抑制することができ、その結果、堆積膜の異常成長を抑制することができる。
【００３４】
また、図１Ｂ（Ｅ）に示されるように、搬送機９０１のみが搬送容器９０２側から第１の弁体９０３と第２の弁体９０４を有する構成とした場合でも前述の理由から効果は得られる。しかしながら、処理室の上に搬送機が接続される構成の場合、搬送機が第１の弁体と第２の弁体を有する構成は、処理室が第１の弁体と第２の弁体を有する構成に比べて効果は小さい。それは、基体の搬出入方向が垂直方向である堆積膜形成装置の場合は、重力の影響でダストが処理室側へ移動しやすいためである。
なお、基体の搬出入方向が水平方向である堆積膜形成装置の場合は、「重力の影響でダストが処理室側へ移動しやすい」ということはない。このため、搬送機のみが搬送容器側から第１の弁体と第２の弁体を有する構成であっても、処理室のみが処理容器側から第１の弁体と第２の弁体を有する構成と同程度の効果が得られる。
【００３５】
また、図１Ｂ（Ｄ）に示されるように、処理室及び搬送機の両方が、それぞれの容器側から第１の弁体７０３、７０６と第２の弁体７０４、７０７をそれぞれ有する構成とすることがより好ましい。このような構成によって、ゲートバルブ間の排気に伴ってダストが基体通過室に舞い上がることをさらに抑制することが可能になる。
ここで、図３Ｂ（Ｄ）に示されるゲートバルブを第２のゲートバルブとして用い、Ａ−Ａ’断面での基体通過室８０１の断面積をａとし、Ｂ−Ｂ’断面での基体通過室８０１と弁体退避室８０２とを連通する開口部の断面積をｂとする。より詳細には、断面積ａとは、基体通過室８０１を、基体の搬出入方向に平行であって、弁体の移動方向に垂直な方向で断面を取った場合の断面積を示す。また断面積ｂとは、基体通過室８０１と弁体退避室８０２とを連通する開口部を、基体の搬出入方向に平行であって、弁体の移動方向に垂直な方向で断面を取った場合の断面積を指す。なお、基体通過室８０１と弁体退避室８０２とを連通する空間がある場合は、その空間を、基体の搬出入方向に平行であって、弁体の移動方向に垂直な方向で断面を取った場合の断面積のうち、最小の断面積となる個所を開口部とし、その断面積をｂとする。
【００３６】
このように定義したとき、ａ＞ｂであることが、排気工程において、基体通過室８０１が汚染されることをさらに抑制でき、より好ましい。これは、弁体退避室８０２から基体通過室８０１への排気コンダクタンスが小さくなることで、弁体退避室８０２に退避させた第２の弁体８０５に付着したダストが、基体通過室８０１へと侵入し難くなるためであると思われる。その結果、基体通過室８０１がより汚染されにくくなる。
【００３７】
また、弁体退避室８０２の内表面積をｃとしたとき、ｂ／ｃの値が小さい構成であることが、排気工程において、基体通過室８０１が汚染されることをさらに抑制でき、より好ましい。これは、弁体退避室８０２の内表面積が大きくなることで、弁体退避室８０２に退避させた第２の弁体８０５に付着したダストが、弁体退避室８０２の内面に付着しやすくなるため、基体通過室８０１へと侵入するダストがより抑制できるためであると思われる。その結果、基体通過室８０１がより汚染されにくくなる。ｂ／ｃの値の範囲としては、０．０１＜ｂ／ｃ＜０．４であることが、基体通過室８０１へ侵入するダストの抑制及び、タクトタイムという点で好ましい。尚、内表面積ｃをより詳細に説明すると、弁体退避室８０２を形成する枠体８０７の内表面積と、弁体退避室８０２の内部にある部材の表面積とを足し合わせたものである。弁体退避室８０２を形成する枠体８０７の内表面積とは、弁体８０５が退避位置に固定された時の、基体通過室８０１側の弁体８０５の端部（図中Ｄ−Ｄ’）から弁体退避室８０２側の枠体８０７の内表面積を指す。また、弁体退避室８０２の内部にある部材の表面積とは、例えば、弁体８０５を移動させるための部材や枠体８０７を固定するための部材などが挙げられ、これらの部材のうち、弁体退避室８０２の内部にあるものの表面積を指す。ただし、弁体退避室８０２を形成する枠体８０７と弁体退避室８０２の内部にある部材とが接触している場合、その接触している部分の面積は除かれる。
【００３８】
また、図１Ａ（Ａ）に示すように、ゲートバルブ１１０３に備えられる排気口１１２７は、基体通過室１１２８に設けられても構わないし、図１Ｂ（Ｂ）に示すように、弁体退避室２０１に設けられても構わない。弁体退避室２０１に排気口２０３が設けられている場合は、排気工程の際の気流が、基体通過室２０２が上流、弁体退避室２０１が下流となるため、基体通過室２０２を汚染しないという点でより好ましい。これは、弁体退避室２０１に退避させた第２の弁体２０４に付着したダストが、基体通過室２０２へと侵入し難くなるためであると思われる。その結果、基体通過室２０２がより汚染されにくくなる。
【００３９】
また、図１Ｂ（Ｃ）に示すように、排気口３０３が基体通過室３０２に設けられている場合に、基体通過室３０２と弁体退避室３０１との間を隔離するためのシャッター３０５を設けても構わない。このシャッター３０５は、弁体３０４が開閉動作を行う際は全開となり、排気工程の際は全閉とできる機構が備えられているものであれば構わない。このような構成とすることで、弁体退避室３０１に退避させた第２の弁体３０４に付着したダストが、基体通過室３０２へとより侵入し難くなる。
【００４０】
次に、排気工程を行う。排気工程では、搬送機の弁体１０９と処理室の第１の弁体１２３で閉じられた空間が、搬送容器１０７、処理容器１３０の中と略同圧となるまで、図５Ａ（Ａ−ｃ）に示す状態で排気口１２５より排気を行う。排気工程における排気手段としては、真空ポンプユニット（不図示）を用い、真空ポンプユニットが、排気配管を介して排気口１２５に接続されている。真空ポンプユニットには、例えばロータリーポンプやメカニカルブースターポンプを用いることができる。
【００４１】
次に、搬入工程を行う。搬入工程では、搬送機の弁体１０９と処理室の第１の弁体１２３で閉じられた空間が、搬送容器１０７、処理容器１３０の中と略同圧となった時点で、図５Ａ（Ａ−ｄ）に示すように、搬送機の弁体１０９を全開状態とする。
そして、図５Ａ（Ａ−ｅ）に示すように、処理室の第１の弁体１２３を全開状態とする。 そして、図５Ａ（Ａ−ｆ）に示すように、基体搬出入手段１０６を下降させ、基体１０１およびキャップ１０２が装着された基体ホルダ１０３を処理容器１３０の内部へと移動させる。
【００４２】
そして、図５Ａ（Ａ−ｇ）に示すように、基体搬出入手段１０６を搬送容器１０７に収納した後、搬送機の弁体１０９と処理室の第２の弁体１２４を全閉状態とする。この際、処理室の第２の弁体１２４を全閉状態とすることは、堆積膜形成装置１８０が設置された雰囲気中に、処理室１６０に備えられた第１の弁体１２３を晒さ無いようにするために重要である。
また、第２の弁体１２４を全閉状態にした後には、図５Ａ（Ａ−ｈ）に示すように、処理室の第１の弁体１２３を全閉状態としても構わない。
【００４３】
そして、搬送機の弁体１０９と処理室の第２の弁体１２４を全閉状態とした後、搬送機の弁体１０９と処理室の第２の弁体１２４の間に不活性ガスを導入することで大気圧とする。
その後、図５Ａ（Ａ−ｉ）に示すように、搬送機１２０が上昇して処理室１６０と切り離され、処理室１６０への基体１０１の搬入及び設置が終了する。
【００４４】
以上の手順によって堆積膜を形成する準備が完了した後、基体１１０７の表面にケイ素原子を主成分とする堆積膜の形成を行う。その手順を図１Ａ（Ａ）を用いて説明する。
まず、処理容器１１０１の中に、ミキシング装置１１１８、原料ガス流入バルブ１１１９、接続配管１１１７および原料ガス導入管１１１６を介して、基体１１０７の加熱に必要な、例えばＡｒ，Ｈｅガスを導入する。そして、処理容器１１０１の中が所定の圧力になるように、真空計１１２３を確認しながら真空ポンプユニット（不図示）の排気速度を調整する。この調整は、例えば、真空ポンプユニット（不図示）のメカニカルブースターポンプの回転周波数を調整することによって行うことができる。
【００４５】
次に、所定の圧力になった後、加熱用ヒータ１１１５により基体１１０７の温度を２００℃〜４５０℃、より好ましくは２５０℃〜３５０℃の所望の温度に制御する。
そして、堆積膜形成用の原料ガスとして、主原料ガスと希釈ガスおよび特性改善ガスを、ミキシング装置１１１８を介して混合して、原料ガス導入管１１１６を介して処理容器１１０１の中に導入する。
その際、処理容器１１０１の中が１３．３ｍＰａ〜１３３０Ｐａの所望の圧力になるように、真空計１１２３を確認しながら真空ポンプユニット（不図示）の排気速度を調整する。
【００４６】
堆積膜形成時に使用する主原料ガスとしては、シラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、四フッ化珪素（ＳｉＦ４）、六フッ化二珪素（Ｓｉ２Ｆ６）のごときアモルファスシリコン形成用の原料ガス、またはそれらの混合ガスを用いることができる。希釈ガスとしては、水素（Ｈ２）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）を用いることができる。また、特性改善ガスとして、窒素原子を含むもの、酸素原子を含むもの、炭素原子を含むもの、またはフッ素原子を含むもの、あるいはこれらの混合ガスを併用してもよい。この際に用いる窒素原子を含むものとしては、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）が挙げられる。酸素原子を含むものとしては、酸素（Ｏ２）、一酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ２）が挙げられる。炭素原子を含むものとしては、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）が挙げられる。フッ素原子を含むものとしては、四フッ化ゲルマニウム（ＧｅＦ４）、フッ化窒素（ＮＦ３）が挙げられる。また、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）、フッ化硼素（ＢＦ３）、ホスフィン（ＰＨ３）のごとき特性改善ガスを同時に放電空間に導入してもよい。
【００４７】
次に、処理容器１１０１の中の圧力が安定した後、高周波電源１１２５を所望の電力に設定して、高周波電力を高周波マッチングボックス１１２４を介してカソード電極１１０８に供給することで、処理容器１１０１の中に高周波グロー放電を生起させる。供給電力は、例えば、ＲＦ帯、特に１３．５６ＭＨｚの周波数とすることができる。この放電エネルギーによって、処理容器１１０１の中に導入された堆積膜形成用ガスが励起され、基体１１０７の表面にケイ素原子を主成分とする所望の堆積膜が形成される。
【００４８】
以上のようにして基体１１０７の外周面に堆積膜が形成される。
堆積膜が形成された後には、堆積膜形成用の原料ガス、高周波電力の供給および基体１１０７の加熱を停止し、処理容器１１０１の中を排気する。その後、処理容器１１０１、原料ガス導入管１１１６の中をパージガス、例えは、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎ２のごとき不活性ガスを用いてパージ処理する。
パージ処理完了後、基体搬出入手段１２０３を用いて、基体１１０７が装着された基体ホルダ１１１３を処理容器１１０１の中から搬出する工程に移行する。
【００４９】
次に堆積膜形成後の基体の搬出方法について、図６Ａを用いて説明する。
図６Ａ（Ａ−ａ）に示すように、予め搬送容器１０７の内部が真空排気された搬送機１２０を、処理室１６０の上へ移動する。
次に、図６Ａ（Ａ−ｂ）に示すように、搬送機１２０が下降し、搬送機のゲートバルブ１０８が処理室の第２のゲートバルブ１２２と接続される。接続後は、処理室の第１の弁体１２３を全閉状態とし、第２の弁体１２４を全開状態としても良いし、処理室の第１の弁体１２３を全開状態とし、第２の弁体１２４を全閉状態としても良い。
【００５０】
ここでは一例として、図６Ａ（Ａ−ｃ）に示すように、処理室の第１の弁体１２３を全開状態とし、第２の弁体１２４を全閉状態とする。
そして、図６Ａ（Ａ−ｃ）に示す状態で、搬送機の弁体１０９と処理室の第２の弁体１２４で閉じられた空間を、排気口１２５を介して、図示しない排気装置により排気する。基体１０１を搬送機１２０から処理室１６０へ搬入する際とは異なり、処理室の第１の弁体１２３を全開状態とし、第２の弁体１２４を全閉状態として、搬送機１２０と処理室１６０のゲートバルブ間を排気しても良い理由は次の通りである。堆積膜形成後の基体を排出する際は、第２の弁体１２４に付着したダストが基体通過室１１０，１２７，１２９を汚染したとしても、その空間を通過するものが堆積膜形成後の基体であるためである。
【００５１】
そして、搬送機の弁体１０９と処理室の第２の弁体１２４で閉じられた空間が搬送容器１０７、処理容器１３０の中と略同圧となった時点で、図６Ａ（Ａ−ｄ）に示すように、搬送機の弁体１０９を全開状態とする。
次いで、図６Ａ（Ａ−ｅ）に示すように、処理室の第２の弁体１２４を全開状態とする。
次いで、図６Ａ（Ａ−ｆ）に示すように、基体搬出入手段１０６を下降させ、堆積膜形成後の基体およびキャップが装着された基体ホルダ１０３を保持する。
【００５２】
次いで、図６Ａ（Ａ−ｇ）に示すように、基体搬出入手段１０６を上昇させ、堆積膜形成後の基体およびキャップが装着された基体ホルダ１０３が搬送容器１０７の内部へと搬入される。
次いで、図６Ａ（Ａ−ｈ）に示すように、搬送機の弁体１０９を全閉状態とする。
次いで、図６Ａ（Ａ−ｉ）に示すように、処理室の第２の弁体１２４を全閉状態とする。
【００５３】
本発明においては、このような手順とし、処理室の第１の弁体１２３を全開状態としていることが好ましい。これは、次のような理由からである。堆積膜形成後のキャップ１０２や基体ホルダ１０３には、堆積膜形成中に発生した副生成物が多く付着している。そして、堆積膜形成後の基体を搬送機１２０へ搬出する際には、このように副生成物が多く付着したキャップ１０２や基体ホルダ１０３が、各ゲートバルブが形成する空間を通過することになる。この際に各ゲートバルブが形成する空間が、副生成物で汚染される。そして、各ゲートバルブが形成する空間が汚染された状態で処理室の第１の弁体１２３を全閉状態にしてしまうと、副生成物が処理室の第１の弁体１２３に付着し汚染してしまうことになるためである。
【００５４】
また、処理室の第２の弁体１２４を全閉状態とすることで、後述する処理室１６０と搬送機１２０との切り離し作業により早く移ることができ、タクトタイムを短縮できるというメリットもある。処理室１６０と搬送機１２０との切り離し作業を行うには、処理室の第１の弁体１２３もしくは第２の弁体１２４のいずれかの弁体と、搬送機の弁体１０９を全閉状態としなければならない。このとき、各ゲートバルブが形成する空間を浮遊している副生成物によって処理室の第１の弁体１２３を汚染させることなく、処理室の第１の弁体１２３もしくは第２の弁体１２４のいずれかの弁体を全閉状態とするには、次の方法が考えられる。第１の方法は前述のように、処理室の第１の弁体１２３を全開状態にしたままで処理室の第２の弁体１２４を全閉状態とする方法である。第２の方法は、処理室の第１の弁体１２３及び処理室の第２の弁体１２４を全開状態にしたままで、各ゲートバルブが形成する空間を浮遊している副生成物が処理容器１３０へ下降し、各ゲートバルブが形成する空間から無くなるのを待つ。そして、副生成物が、各ゲートバルブが形成する空間から無くなってから、処理室の第１の弁体１２３を全閉状態とする方法である。第１の方法は、各ゲートバルブが形成する空間から副生成物が無くなるのを待つ必要がないため、第２の方法に比べて後述する処理室１６０と搬送機１２０との切り離し作業により早く移ることができ、タクトタイムを短縮できるのである。
【００５５】
次いで、図６Ａ（Ａ−ｊ）に示すように、搬送機の弁体１０９と処理室の第２の弁体１２４を全閉状態とした後、搬送機の弁体１０９と処理室の第２の弁体１２４で閉じられた空間に不活性ガスを導入することで大気圧とする。その後、搬送機１２０が上昇して処理室１６０と切り離され、処理室１６０から堆積膜形成後の基体の搬出が終了する。
また、処理室１６０から堆積膜形成後の基体の搬出が終了した後、処理室の第１の弁体１２３を全閉状態としても構わない。
【００５６】
本発明においては、基体１０１を処理室１６０へ搬入する時と、堆積膜形成後の基体を処理室１６０から搬出する時とで用いる搬送機を分けることが好ましい。
基体搬入用搬送機と基体搬出用搬送機とを区別し、それぞれを独立に用いることで、基体１０１の表面に付着するダストをより減らすことできる。堆積膜形成後のキャップ１０２や基体ホルダ１０３は、堆積膜形成中に発生した副生成物が多く付着している。このため、堆積膜形成後（処理後）の基体を処理室１６０から搬送機１２０へ搬出した後、搬送機の弁体を全閉状態とすると、キャップ１０２や基体ホルダ１０３に付着した副生成物が搬送機の弁体１０９に落下し、搬送機の弁体１０９を汚染してしまう。そして、基体を処理室に搬入する時と基体を処理室から搬出する時とで共通の搬送機を用いる場合は、基体１０１を搬入する際に、搬送機の弁体１０９に付着した副生成物が、堆積膜形成前の基体１０１の表面に付着してしまう場合があるからである。
【００５７】
また、基体１０１を処理室１６０へ搬入する時と、堆積膜形成後の基体を処理室１６０から搬出する時とで用いる搬送機を分けることで、タクトタイムを短縮できるというメリットもある。これは、基体搬入時と堆積膜形成後の基体搬出時とで共通の搬送機を用いる場合は、堆積膜形成後の基体を搬送機から排出してから、堆積膜形成前の基体を搬送機に搬入する工程へ移らなければならない。ところが、基体搬入時と堆積膜形成後の基体搬出時とで別の搬送機を用いる場合には、基体搬出時に用いる搬送機で、基体を処理室から搬送機へ搬出する工程を行っている間に、基体搬入時に用いる搬送機で、基体を搬送機に搬入する工程を行うことができる。そして、基体搬出時に用いる搬送機が、堆積膜形成後の基体を処理室から搬送機へ搬出し終わり、処理室との切り離しが終了してすぐに、基体搬入時に用いる搬送機で、堆積膜形成前の基体を処理室へ搬入する工程へ移れるためである。
【実施例】
【００５８】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。
［実施例１］
図１Ａ（Ａ）に示す堆積膜形成装置１０００を用いて、アルミニウムよりなる外径８４ｍｍ、長さ３８１ｍｍ、肉厚３ｍｍの基体１１０７の表面に、表１に示す条件のアモルファスシリコン堆積膜を形成した電子写真感光体を作製した。
【００５９】
図４は作製した電子写真感光体の断面図を模式的に示した図であり、基体１１０７、下部阻止層４０１、光導電層４０２、および表面層４０３よりなっている。
実施例及び比較例における、各種条件を表２に示す。表２には、処理室及び搬送機のゲートバルブに備えられる弁体の数、及び処理室のゲートバルブに備えられる排気口の位置、処理室の第２のゲートバルブに備えられるシャッターの有無、基体搬入工程と堆積膜形成後の基体搬出工程における搬送機の使用形態、各弁体の各工程での状態や動作を示す。尚、各弁体の各工程での状態や動作については、基体を搬送機から処理室へ搬入する工程を基体搬入工程とし、堆積膜形成後の基体を処理室から搬送機へ搬出する工程を基体搬出工程として表記し、各工程での各弁体の状態や動作を示す図面を表中に示した。
【００６０】
尚、図５Ａにおいては、図５Ａ（Ａ−ｃ）に示す状態で、搬送機の弁体１０９と処理室の第１の弁体１２３で閉じられた空間が、搬送容器１０７、処理容器１３０の中と略同圧となるまで、排気口１２５より排気を行った。
また、図６Ａにおいては、図６Ａ（Ａ−ｃ）に示す状態で、搬送機の弁体１０９と処理室の第２の弁体１２４で閉じられた空間が、搬送容器１０７、処理容器１３０の中と略同圧となるまで、排気口１２５より排気を行った。
【００６１】
これらの条件で、電子写真感光体を２０回連続で２０本作製し、以下の評価を行った。その結果を表３に示す。
【００６２】
【表１】
【００６３】
【表２】
【００６４】
（球状突起の評価）
作製した電子写真感光体を、光学顕微鏡を用いて電子写真感光体全面の観察を行い、球状突起の個数をカウントした。カウントする対象とした球状突起は、電子写真感光体の表面から見た場合の、球状突起の外接円の直径が１５μｍ以上のものとした。そして、作製した電子写真感光体２０本の平均値を算出し、後述する実施例３での平均値をリファレンス（１００％）として、以下のような基準でランク付けを行った。
【００６５】
尚、この評価項目では、平均値が小さいほど、球状突起の発生が抑えられ良好な結果であると判断している。
７：リファレンスに比べて３５％以上４５％未満
６：リファレンスに比べて４５％以上５５％未満
５：リファレンスに比べて５５％以上６５％未満
４：リファレンスに比べて６５％以上７５％未満
３：リファレンスに比べて７５％以上８５％未満
２：リファレンスに比べて８５％以上９５％未満
１：リファレンスに比べて９５％以上１０５％未満
−１：リファレンスに比べて１０５％以上１１５％未満
−２：リファレンスに比べて１１５％以上１２５％未満
尚、球状突起の評価においては、ランク１以上で本発明の効果が得られていると判断している。
【００６６】
（タクトタイムの評価）
１回目の電子写真感光体を作製する際に用いられる基体を基体ホルダに装着してから、電子写真感光体を２０回連続で２０本の作製が終了するまでに要した時間をタクトタイムとした。
そして、後述する実施例３でのタクトタイムをリファレンス（１００％）として、以下のような基準でランク付けを行った。
【００６７】
尚、この評価項目では、タクトタイムが短いほど、優れた生産性を有する良好な結果であると判断している。
３：リファレンスに比べて５０％以上７０％未満
２：リファレンスに比べて７０％以上９０％未満
１：リファレンスに比べて９０％以上１１０％未満
【００６８】
（総合評価）
球状突起、タクトタイムの評価で付与したランクの値を合計した得点をもとに、以下のように総合的にランク付けを行った。
ＡＡ…６点以上のもの
Ａ…１点以上５点以下のもの
Ｂ…０点以下のもの
尚、総合評価においては、Ａランク以上で本発明の効果が得られていると判断している。
【００６９】
［実施例２］
実施例１の手順において、堆積膜形成後の基体の搬出工程の手順を表２に示すように変更し、それ以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を２０回連続で２０本作製した。
堆積膜形成後の基体の搬出工程の手順は、図６Ａの（Ａ−ｉ）〜（Ａ−ｊ）の手順を、図６Ｂの（Ｂ−ｉ）〜（Ｂ−ｋ）に変更して行った。
【００７０】
また、図６Ｂにおいては、図６Ｂ（Ｂ−ｃ）に示す状態で、搬送機の弁体１０９と処理室の第２の弁体１２４で閉じられた空間が、搬送容器１０７、処理容器１３０の中と略同圧となるまで、排気口１２５より排気を行った。
そして、実施例１と同様の評価を行い、その結果を表３に示す。
【００７１】
［実施例３］
実施例１の手順において、搬送機及び処理室のゲートバルブに備えられる弁体の数、及び基体搬入工程の手順、堆積膜形成後の基体の搬出工程の手順を表２に示すように変更し、それ以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を２０回連続で２０本作製した。
基体搬入工程の手順は、図５Ａの（Ａ−ｃ）〜（Ａ−ｉ）の手順を、図５Ｂの（Ｂ−ｃ）〜（Ｂ−ｉ）に変更して行った。
【００７２】
堆積膜形成後の基体の搬出工程の手順は、図６Ａの（Ａ−ｃ）〜（Ａ−ｊ）の手順を、図６Ｃの（Ｃ−ｃ）〜（Ｃ−ｋ）に変更して行った。
尚、図５Ｂにおいては、図５Ｂ（Ｂ−ｃ）に示す状態で、搬送機の第１の弁体１３１と処理室の弁体１３２で閉じられた空間が、搬送容器１０７、処理容器１３０の中と略同圧となるまで、排気口１２５より排気を行った。
【００７３】
また、図６Ｃにおいては、図６Ｃ（Ｃ−ｃ）に示す状態で、搬送機の第２の弁体１３３と処理室の弁体１３２で閉じられた空間が、搬送容器１０７、処理容器１３０の中と略同圧となるまで、排気口１２５より排気を行った。
そして、実施例１と同様の評価を行い、その結果を表３に示す。
【００７４】
［実施例４］
実施例１の手順において、基体搬入工程と堆積膜形成後の基体の搬出工程における搬送機の使用形態を表２に示すように変更し、それ以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を２０回連続で２０本作製した。
そして、実施例１と同様の評価を行い、その結果を表３に示す。
【００７５】
［実施例５］
実施例４の手順において、搬送機のゲートバルブに備えられる弁体の数、及び基体搬入工程の手順、堆積膜形成後の基体の搬出工程の手順を表２に示すように変更し、それ以外は実施例４と同様にして電子写真感光体を２０回連続で２０本作製した。
基体搬入工程の手順は、図５Ａの（Ａ−ｃ）〜（Ａ−ｉ）の手順を、図５Ｃの（Ｃ−ｃ）〜（Ｃ−ｉ）に変更して行った。
【００７６】
堆積膜形成後の基体の搬出工程の手順は、図６Ａの（Ａ−ｃ）〜（Ａ−ｊ）の手順を、図６Ｄの（Ｄ−ｃ）〜（Ｄ−ｉ）に変更して行った。
尚、図５Ｃにおいては、図５Ｃ（Ｃ−ｃ）に示す状態で、搬送機の第１の弁体１３１と処理室の第１の弁体１２３で閉じられた空間が、搬送容器１０７、処理容器１３０の中と略同圧となるまで、排気口１２５より排気を行った。
【００７７】
また、図６Ｄにおいては、図６Ｄ（Ｄ−ｃ）に示す状態で、搬送機の第２の弁体１３３と処理室の第２の弁体１２４で閉じられた空間が、搬送容器１０７、処理容器１３０の中と略同圧となるまで、排気口１２５より排気を行った。
そして、実施例１と同様の評価を行い、その結果を表３に示す。
【００７８】
［実施例６］
実施例５の手順において、処理室のゲートバルブに備えられる排気口の位置を表２に示すように変更し、それ以外は実施例５と同様にして電子写真感光体を２０回連続で２０本作製した。
そして、実施例１と同様の評価を行い、その結果を表３に示す。
【００７９】
［実施例７］
実施例５の手順において、処理室の第２のゲートバルブに備えられるシャッターの有無を表２に示すように変更し、それ以外は実施例５と同様にして電子写真感光体を２０回連続で２０本作製した。尚、排気口１２５によって排気を行う際は、シャッターが閉じられた状態で行うため、処理室の第２のゲートバルブの弁体退避室１２８の内部は、排気されない。そして、実施例１と同様の評価を行い、その結果を表３に示す。
【００８０】
［比較例１］
実施例２の手順において、処理室のゲートバルブに備えられる弁体の数、及び基体搬入工程の手順、堆積膜形成後の基体の搬出工程の手順を表２に示すように変更し、それ以外は実施例２と同様にして電子写真感光体を２０回連続で２０本作製した。
基体搬入工程の手順は、図５Ａの（Ａ−ｃ）〜（Ａ−ｉ）の手順を、図７の（ｂ）〜（ｈ）に変更して行った。
【００８１】
堆積膜形成後の基体の搬出工程の手順は、図６Ｂの（Ｂ−ｃ）〜（Ｂ−ｋ）の手順を、図８の（ｂ）〜（ｉ）に変更して行った。
尚、図７においては、図７（ｂ）に示す状態で、搬送機の弁体２００１と処理室の弁体２００２で閉じられた空間が、搬送容器２００３、処理容器２００４の中と略同圧となるまで、排気口２００５より排気を行った。
【００８２】
また、図８においては、図８（ｂ）に示す状態で、搬送機の弁体５００１と処理室の弁体５００２で閉じられた空間が、搬送容器５００３、処理容器５００４の中と略同圧となるまで、排気口５００５より排気を行った。
そして、実施例１と同様の評価を行い、その結果を表３に示す。
【００８３】
［比較例２］
比較例１の手順において、図２（Ｂ）に示すような、処理室に設けられるゲートバルブの弁体の上面を覆う蓋６０１を設けた堆積膜形成装置６００を用いた点のみ変更し、それ以外は比較例１と同様にして電子写真感光体を２０回連続で２０本作製した。
尚、搬送機と処理室とが接続される際には、作業者が蓋６０１を外し、搬送機と処理室が切り離された後は、作業者が蓋６０１をする手法を用いて電子写真感光体を作製した。そして、実施例１と同様の評価を行い、その結果を表３に示す。
【００８４】
［比較例３］
実施例２の手順において、基体搬入工程の手順、堆積膜形成後の基体の搬出工程の手順を表２に示すように変更し、それ以外は実施例２と同様にして電子写真感光体を２０回連続で２０本作製した。
基体搬入工程の手順は、図５Ａの（Ａ−ａ）〜（Ａ−ｃ）の手順を、図９Ａの（Ａ−ａ）〜（Ａ−ｂ）に、図５Ａの（Ａ−ｇ）〜（Ａ−ｉ）の手順を、図９Ａの（Ａ−ｆ）〜（Ａ−ｈ）に変更して行った。
【００８５】
堆積膜形成後の基体の搬出工程の手順は、図６Ｂの（Ｂ−ａ）〜（Ｂ−ｄ）の手順を、図１０の（ａ）〜（ｃ）に、図６Ｂの（Ｂ−ｊ）〜（Ｂ−ｋ）の手順を、図１０の（ｉ）に変更して行った。
尚、図９Ａにおいては、図９Ａ（Ａ−ｂ）に示す状態で、搬送機の弁体３００１と処理室の第１の弁体３００２で閉じられた空間が、搬送容器３００３、処理容器３００４の中と略同圧となるまで、排気口３００５より排気を行った。
【００８６】
また、図１０においては、図１０（ｂ）に示す状態で、搬送機の弁体４００１と処理室の第１の弁体４００２で閉じられた空間が、搬送容器４００３、処理容器４００４の中と略同圧となるまで、排気口４００５より排気を行った。
そして、実施例１と同様の評価を行い、その結果を表３に示す。
【００８７】
［比較例４］
実施例２の手順において、基体搬入工程の手順を表２に示すように変更し、それ以外は実施例２と同様にして電子写真感光体を２０回連続で２０本作製した。
基体搬入工程の手順は、図５Ａの（Ａ−ｃ）〜（Ａ−ｄ）の手順を、図９Ｂの（Ｂ−ｃ）〜（Ｂ−ｄ）に変更して行った。
尚、図９Ｂにおいては、図９Ｂ（Ｂ−ｃ）に示す状態で、搬送機の弁体３００１と処理室の第２の弁体３００６で閉じられた空間が、搬送容器３００３、処理容器３００４の中と略同圧となるまで、排気口３００５より排気を行った。
そして、実施例１と同様の評価を行い、その結果を表３に示す。
【００８８】
［比較例５］
実施例２の手順において、基体搬入工程の手順を表２に示すように変更し、それ以外は実施例２と同様にして電子写真感光体を２０回連続で２０本作製した。
基体搬入工程の手順は、図５Ａの（Ａ−ｃ）〜（Ａ−ｄ）の手順を、図９Ｃの（Ｃ−ｂ）〜（Ｃ−ｃ）に変更して行った。
尚、図９Ｃにおいては、図９Ｃ（Ｃ−ｂ）に示す状態で、搬送機の弁体３００１と処理室の第１の弁体３００２で閉じられた空間が、搬送容器３００３、処理容器３００４の中と略同圧となるまで、排気口３００５、３００７より排気を行った。
そして、実施例１と同様の評価を行い、その結果を表３に示す。
【００８９】
【表３】
【００９０】
表３から以下のことが明らかとなった。
実施例３と比較例１、２、３、４、５との比較から、本発明の条件を満たすことで球状突起が抑制されることが確認された。
実施例２と実施例３から、基体の搬出入方向が垂直方向であり、処理室の上に搬送機が接続される堆積膜形成装置の場合、次のことが確認された。搬送機のみが第１、第２の弁体を有する構成よりも、処理室のみが第１、第２の弁体を有する構成の方が、球状突起抑制効果がより顕著に得られる。
【００９１】
実施例１と実施例２から、基体搬出工程で堆積膜形成後の基体を搬送機内に移動させた後の弁体の動作を、第１の弁体を全閉状態とする前に、第２の弁体を全閉状態とすることで、タクトタイムが短縮でき、また、球状突起がより抑制されることが確認された。
実施例１と実施例４から、搬送機を基体の搬入時と堆積膜形成後の基体の搬出時とでそれぞれ独立の搬送機を用いることで、タクトタイムがさらに短縮でき、また、球状突起がより抑制されることが確認された。
【００９２】
実施例４と実施例５から、処理室及び搬送機の両方が、ゲートバルブに基体の搬出入方向に沿って直列に弁体を２つ有し、ゲートバルブの各弁体が本発明の条件を満たす状態及び動作をすることで、球状突起がより抑制されることが確認された。
実施例５と実施例６から、搬送機の弁体と処理室の第１の弁体で閉じられた空間を排気する際に、弁体退避室に設けられた排気口から排気することで、球状突起がより抑制されることが確認された。
実施例６と実施例７から、第２のゲートバルブにシャッターを設けることで、球状突起がより抑制されることが確認された。
【符号の説明】
【００９３】
１０００‥‥堆積膜形成装置
１１００‥‥処理室
１１０１‥‥処理容器
１１０２‥‥ゲートバルブ
１１０３‥‥第２のゲートバルブ
１１０４‥‥第１のゲートバルブ
１１０５‥‥第２の弁体
１１０６‥‥第１の弁体
１１０７‥‥基体
１１０８‥‥カソード電極
１１０９‥‥絶縁体
１１１０‥‥上壁
１１１１‥‥底壁
１１１２‥‥キャップ
１１１３‥‥基体ホルダ
１１１４‥‥基体ホルダ保持手段
１１１５‥‥加熱用ヒータ
１１１６‥‥原料ガス導入管
１１１７‥‥接続配管
１１１８‥‥ミキシング装置
１１１９‥‥原料ガス流入バルブ
１１２０‥‥排気配管
１１２１‥‥排気口
１１２２‥‥排気メインバルブ
１１２３‥‥真空計
１１２４‥‥マッチングボックス
１１２５‥‥高周波電源
１１２６‥‥保持部
１１２７‥‥排気口
１１２８‥‥基体通過室
１２００‥‥搬送機
１２０１‥‥ゲートバルブ
１２０３‥‥基体搬出入手段
１２０４‥‥搬送容器
１２０５‥‥保持部
１２０６‥‥レール
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空雰囲気中で搬送機から処理室への基体の搬入を、基体搬出入手段により行う基体搬入工程と、前記処理室内で堆積膜を前記基体の上に形成する工程と、真空雰囲気中で処理室から搬送機への堆積膜形成後の基体の搬出を、基体搬出入手段により行う基体搬出工程とを有し、
前記処理室は、処理容器とゲートバルブを少なくとも有し、
前記搬送機は、搬送容器とゲートバルブと前記基体搬出入手段とを少なくとも有し、
前記ゲートバルブは、前記基体が通過する基体通過室と前記弁体が退避する弁体退避室を備え、
前記処理室と前記搬送機は、それぞれの前記ゲートバルブを介して接続可能である堆積膜形成方法において、
前記処理室または前記搬送機の少なくともどちらか一方が、前記基体の搬出入方向に沿って直列に２つの弁体を前記ゲートバルブに有し、
前記処理室が１つの弁体のみを有する場合は、当該弁体を第１の弁体とし、前記処理室が２つの弁体を有する場合は、前記処理容器側から順に第１の弁体、第２の弁体とし、
前記搬送機が１つの弁体のみを有する場合は、当該弁体を第１の弁体とし、前記搬送機が２つの弁体を有する場合は、前記搬送容器側から順に第１の弁体、第２の弁体とし、
前記基体搬入工程は、前記処理室と前記搬送機とをそれぞれの前記ゲートバルブを介して接続する接続工程と、前記処理室のゲートバルブと前記搬送機のゲートバルブとが接続されることによって形成される空間を排気する排気工程と、真空雰囲気中で搬送機から処理室への基体の搬入を、前記基体搬出入手段により行う搬入工程を少なくとも有し、
前記処理室と前記搬送機が接続されていない場合であって、
前記処理室が１つの弁体のみを有する場合は、前記第１の弁体を全閉状態とし、前記処理室が２つの弁体を有する場合は、少なくとも前記第２の弁体を全閉状態とし、
前記搬送機が１つの弁体のみを有する場合は、前記第１の弁体を全閉状態とし、前記搬送機が２つの弁体を有する場合は、少なくとも前記第２の弁体を全閉状態とし、
前記排気工程が、前記第１の弁体を全閉状態とし、前記第２の弁体を全開状態にして行われることを特徴とする堆積膜形成方法。
【請求項２】
前記基体搬出工程における、前記基体搬出入手段を用いて堆積膜形成後の基体を前記搬送機内に移動させた後の工程において、
前記第１の弁体を全閉状態とする前に、前記第２の弁体を全閉状態とすることを特徴とする請求項１に記載の堆積膜形成方法。
【請求項３】
前記搬送機が、基体搬入用搬送機と基体搬出用搬送機とを独立に具備しており、前記処理室へ前記基体を搬入する際には前記基体搬入用搬送機を用い、前記処理室から処理後の前記基体を搬出する際には前記基体搬出用搬送機を用いることを特徴とする請求項１または２に記載の堆積膜形成方法。
【請求項４】
前記処理室及び前記搬送機の両方が、前記基体の搬出入方向に沿って直列に２つの弁体を前記ゲートバルブに有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の堆積膜形成方法。
【請求項５】
前記排気工程において、前記弁体退避室に設けられた排気口から排気することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の堆積膜形成方法。
【請求項６】
少なくともゲートバルブと処理容器を有し、堆積膜を基体の上に形成することのできる処理室と、
ゲートバルブと搬送容器と基体搬出入手段とを少なくとも有する搬送機と
を少なくとも有する堆積膜形成装置であり、
前記ゲートバルブが、前記基体が通過する基体通過室と前記弁体が退避する弁体退避室とを有し、
前記処理室と前記搬送機が、それぞれの前記ゲートバルブを介して接続及び切り離しが可能であり、前記基体搬出入手段により前記処理室と前記搬送機との間で前記基体の搬出入を真空雰囲気中で行うことができ、
前記処理室または前記搬送機の少なくともどちらか一方が、前記基体の搬出入方向に沿って直列に２つの弁体を前記ゲートバルブに有することを特徴とする堆積膜形成装置。
【請求項７】
前記処理室及び前記搬送機の両方が、前記基体の搬出入方向に沿って直列に２つの弁体を前記ゲートバルブに有することを特徴とする請求項６に記載の堆積膜形成装置。
【請求項８】
前記弁体退避室に排気口が設けられていることを特徴とする請求項６または７に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１】
真空雰囲気中で搬送機から処理室への基体の搬入を、基体搬出入手段により行う基体搬入工程と、前記処理室内で堆積膜を前記基体の上に形成する工程と、真空雰囲気中で処理室から搬送機への堆積膜形成後の基体の搬出を、基体搬出入手段により行う基体搬出工程とを有し、
前記処理室は、処理容器とゲートバルブを少なくとも有し、
前記搬送機は、搬送容器とゲートバルブと前記基体搬出入手段とを少なくとも有し、
前記ゲートバルブは、前記基体が通過する基体通過室と前記弁体が退避する弁体退避室を備え、
前記処理室と前記搬送機は、それぞれの前記ゲートバルブを介して接続可能である堆積膜形成方法において、
前記処理室または前記搬送機の少なくともどちらか一方が、前記基体の搬出入方向に沿って直列に２つの弁体を前記ゲートバルブに有し、
前記処理室が１つの弁体のみを有する場合は、当該弁体を第１の弁体とし、前記処理室が２つの弁体を有する場合は、前記処理容器側から順に第１の弁体、第２の弁体とし、
前記搬送機が１つの弁体のみを有する場合は、当該弁体を第１の弁体とし、前記搬送機が２つの弁体を有する場合は、前記搬送容器側から順に第１の弁体、第２の弁体とし、
前記基体搬入工程は、前記処理室と前記搬送機とをそれぞれの前記ゲートバルブを介して接続する接続工程と、前記処理室のゲートバルブと前記搬送機のゲートバルブとが接続されることによって形成される空間を排気する排気工程と、真空雰囲気中で搬送機から処理室への基体の搬入を、前記基体搬出入手段により行う搬入工程を少なくとも有し、
前記処理室と前記搬送機が接続されていない場合であって、
前記処理室が１つの弁体のみを有する場合は、前記第１の弁体を全閉状態とし、前記処理室が２つの弁体を有する場合は、少なくとも前記第２の弁体を全閉状態とし、
前記搬送機が１つの弁体のみを有する場合は、前記第１の弁体を全閉状態とし、前記搬送機が２つの弁体を有する場合は、少なくとも前記第２の弁体を全閉状態とし、
前記排気工程が、前記第１の弁体を全閉状態とし、前記第２の弁体を全開状態にして行われることを特徴とする堆積膜形成方法。
【請求項２】
前記基体搬出工程における、前記基体搬出入手段を用いて堆積膜形成後の基体を前記搬送機内に移動させた後の工程において、
前記第１の弁体を全閉状態とする前に、前記第２の弁体を全閉状態とすることを特徴とする請求項１に記載の堆積膜形成方法。
【請求項３】
前記搬送機が、基体搬入用搬送機と基体搬出用搬送機とを独立に具備しており、前記処理室へ前記基体を搬入する際には前記基体搬入用搬送機を用い、前記処理室から処理後の前記基体を搬出する際には前記基体搬出用搬送機を用いることを特徴とする請求項１または２に記載の堆積膜形成方法。
【請求項４】
前記処理室及び前記搬送機の両方が、前記基体の搬出入方向に沿って直列に２つの弁体を前記ゲートバルブに有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の堆積膜形成方法。
【請求項５】
前記排気工程において、前記弁体退避室に設けられた排気口から排気することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の堆積膜形成方法。
【請求項６】
少なくともゲートバルブと処理容器を有し、堆積膜を基体の上に形成することのできる処理室と、
ゲートバルブと搬送容器と基体搬出入手段とを少なくとも有する搬送機と
を少なくとも有する堆積膜形成装置であり、
前記ゲートバルブが、前記基体が通過する基体通過室と前記弁体が退避する弁体退避室とを有し、
前記処理室と前記搬送機が、それぞれの前記ゲートバルブを介して接続及び切り離しが可能であり、前記基体搬出入手段により前記処理室と前記搬送機との間で前記基体の搬出入を真空雰囲気中で行うことができ、
前記処理室または前記搬送機の少なくともどちらか一方が、前記基体の搬出入方向に沿って直列に２つの弁体を前記ゲートバルブに有することを特徴とする堆積膜形成装置。
【請求項７】
前記処理室及び前記搬送機の両方が、前記基体の搬出入方向に沿って直列に２つの弁体を前記ゲートバルブに有することを特徴とする請求項６に記載の堆積膜形成装置。
【請求項８】
前記弁体退避室に排気口が設けられていることを特徴とする請求項６または７に記載の堆積膜形成装置。
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図５Ｃ】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図６Ｃ】
【図６Ｄ】
【図７】
【図８】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図９Ｃ】
【図１０】
【図１Ｂ】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図５Ｃ】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図６Ｃ】
【図６Ｄ】
【図７】
【図８】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図９Ｃ】
【図１０】
【公開番号】特開２０１２−５７２０４（Ｐ２０１２−５７２０４Ａ）
【公開日】平成２４年３月２２日（２０１２．３．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２００３４３（Ｐ２０１０−２００３４３）
【出願日】平成２２年９月７日（２０１０．９．７）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年３月２２日（２０１２．３．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年９月７日（２０１０．９．７）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
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