発光素子アレイおよび発光素子ヘッド
【課題】 発光素子アレイのボンディング部を樹脂などによってコーティングした場合であっても、樹脂などが発光素子の発光面に流れ出すことを抑制し、発光強度の低下を抑制できる発光素子アレイを提供する。
【解決手段】 基板２に、複数の発光素子３と、複数の電極パッド５とを有する発光素子アレイ１であって、複数の発光素子３は、基板２の一方主面に列状に配置され、複数の電極パッド５は、発光素子アレイ１の一方主面に、発光素子３の配列方向に沿って列状に配置され、複数の発光素子３の列と複数の電極パッド５の列との間における基板２の一方主面に、配列方向に沿った第１の凹部６ａを少なくとも１列有し、第１の凹部６ａの両端は、複数の発光素子３の列および複数の電極パッド５の列における両端よりも外側に位置する。
【解決手段】 基板２に、複数の発光素子３と、複数の電極パッド５とを有する発光素子アレイ１であって、複数の発光素子３は、基板２の一方主面に列状に配置され、複数の電極パッド５は、発光素子アレイ１の一方主面に、発光素子３の配列方向に沿って列状に配置され、複数の発光素子３の列と複数の電極パッド５の列との間における基板２の一方主面に、配列方向に沿った第１の凹部６ａを少なくとも１列有し、第１の凹部６ａの両端は、複数の発光素子３の列および複数の電極パッド５の列における両端よりも外側に位置する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子アレイおよび発光素子ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、各種露光装置等の光源に用いられる光学素子として、発光素子が複数配列された発光素子アレイが採用されている。例えば、特許文献１に記載の発光素子アレイは、発光部を有する半導体層に電極が接続されており、電極に接続される電極パッドと外部の電子部品などがワイヤボンディングにより接続されている。そして、発光素子の配列密度が高くなるにつれ、発光素子アレイ側のボンディングには２次側ボンディング、つまりステッチボンディングが行なわれる。このような発光素子アレイでは、２次側ボンディングの接合面積が小さくなるため接合強度が低下する傾向にあり、発光素子アレイの使用などによって、発光素子アレイ側のワイヤボンディングが剥がれて電気的な接続を維持できないという問題があった。そこで、本発明者は、発光素子アレイ側のワイヤボンディングが剥がれることのないように、ボンディング部を樹脂などでコーティングすることを検討した。
【０００３】
しかしながら、配列密度の高い発光素子アレイの多くは、小型化のため発光素子の発光面と電極パッドとの距離も短く形成されていることから、コーティングした樹脂が流れ出したり、樹脂の溶剤成分が滲み出したりすることによって、発光素子の発光面を汚染し、発光強度を低下させるという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１８４８０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、発光素子アレイのボンディング部を樹脂などによってコーティングした場合であっても、コーティングした樹脂などが発光素子の発光面に流れ出すことを抑制し、発光強度の低下を抑制することができる発光素子アレイを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の発光素子アレイは、長方形状の半導体基板に、複数の発光素子と、該発光素子に金属線を介して電気的に接続されるとともに外部の電子部品にボンディングワイヤを介して電気的に接続される複数の電極パッドとを有する発光素子アレイであって、前記複数の発光素子は、前記半導体基板の一方主面に列状に配置され、前記複数の電極パッドは、前記発光素子アレイの一方主面に、前記発光素子の配列方向に沿って列状に配置され、前記複数の発光素子の列と前記複数の電極パッドの列との間における前記半導体基板の一方主面に、配列方向に沿った第１の凹部を少なくとも１列有し、前記第１の凹部の両端は、前記複数の発光素子の列および前記複数の電極パッドの列における両端よりも外側に位置することを特徴とする。
【０００７】
また、上記構成において、前記第１の凹部を複数列有しており、該複数列の第１の凹部の深さは、前記発光素子と前記電極パッドとの間において該電極パッドから遠ざかるにつれて浅くなっていることを特徴とする。
【０００８】
さらに、上記構成において、前記第１の凹部を複数列有しており、該複数列の第１の凹
部の幅は、前記発光素子と前記電極パッドとの間において該電極パッドに近づくにつれて広くなっていることを特徴とする。
【０００９】
また、上記構成において、前記第１の凹部は、波状またはジグザク状であることを特徴とする。
【００１０】
さらに、上記構成において、前記第１の凹部の両端の各々から、前記複数の電極パッド側に位置する前記半導体基板の長辺に向かって伸びる第２の凹部をさらに有することを特徴とする。
【００１１】
また、電子部品が搭載された基板上に、複数の上記いずれかの構成の発光素子アレイが列状に配置され、前記複数の電極パッドが、それぞれ前記ボンディングワイヤが接続されているとともに樹脂で覆われていることを特徴とする発光素子ヘッドを併せて提供する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の発光素子アレイによれば、基板に、複数の発光素子と、複数の電極パッドとを有する発光素子アレイであって、前記複数の発光素子は、前記基板の一方主面に列状に配置され、前記複数の電極パッドは、前記発光素子アレイの一方主面に、前記発光素子の配列方向に沿って列状に配置され、前記複数の発光素子の列と前記複数の電極パッドの列との間における前記基板の一方主面に、配列方向に沿った凹部を少なくとも１列有し、前記凹部の両端は、前記複数の発光素子の列および前記複数の電極パッドの列における両端よりも外側に位置することから、発光素子アレイが外部の電子部品とワイヤボンディングを介して電極パッドで接続され、ワイヤボンディング部の接続信頼性を確保するために、電極パッドをエポキシ樹脂やシリコーン樹脂などの樹脂でコーティングされたときに、樹脂が流れ出し、または樹脂の成分である溶剤が滲み出すことにより、発光素子の発光面を覆うことによって発光強度が低下することを防止できるため、ボンディング部の接続信頼性が高く、発光強度の低下を抑制することができる発光素子アレイを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態に係る発光素子アレイの平面図である。
【図２】図１に示した発光素子アレイの１Ｉ−１Ｉ線に沿った断面図である。
【図３】図１に示す発光素子アレイを用いた発光素子ヘッドの平面図である。
【図４】図１に示す発光素子アレイの第１変形例を示す平面図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）は凹部の変形例を説明する断面図であり、（ｃ）、（ｄ）は凹部の変形例を説明する平面図である。
【図６】図１に示す発光素子アレイの第２変形例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
（発光素子アレイ）
以下、本発明の発光素子アレイ、発光素子ヘッドについて、図面を参照しつつ説明する。なお、以下の例は本発明の実施の形態を例示するものであって、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではない。
【００１５】
図１に示す発光素子アレイ１は、ページプリンター等の電子写真装置に組み込まれる光学素子ヘッド等の露光装置における光源として機能する。
【００１６】
発光素子アレイ１は、ベース基板２と、複数の発光素子３と、発光素子３のそれぞれに金属線４を介して接続される複数の電極パッド５と、第１の凹部６ａとを有している。
【００１７】
ベース基板２は、たとえば、シリコン（Ｓｉ）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、ガリウム燐（ＧａＰ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）などの単結晶で形成されており、複数の発光素子３の支持体として機能する。なお、本実施形態のベース基板２は、長方形状のガリウム砒素（ＧａＡｓ）の単結晶で形成されている。そして、シリコン（Ｓｉ）などの一導電型半導体不純物を１×１０１６〜１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度含有し、一導電型半導体としても機能する。ベース基板２の下面には、発光素子３に電力を供給するための裏面電極７が形成されている。
【００１８】
発光素子３は、一導電型半導体層３０と逆導電型半導体層３１とを順次積層した半導体層で形成されており、発光素子アレイ１の光源として機能する。複数の発光素子３は、ベース基板２の上面に列状に配置されている。なお、本実施形態の発光素子３は一列に配列されているが、複数列に配列されていてもよい。
【００１９】
本実施形態の一導電型半導体層３０は、電子の注入層３０ａで構成されている。電子の注入層３０ａは、たとえば、アルミニウムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）で形成され、シリコン（Ｓｉ）などの一導電型半導体不純物を１×１０１６〜１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度含有し、厚みが０．２〜０．４μｍ程度とされている。なお、電子の注入層３０ｂのアルミニウム（Ａｌ）の組成比は０．２４〜０．５程度とされている。
【００２０】
本実施形態の一導電型半導体層３０は、ベース基板２が一導電型半導体層３０の一部として機能するため、電子の注入層３０ａのみで構成されているが、ベース基板２がサファイア（Ａｌ２Ｏ３）などの非導電性基板の場合には、ベース基板２の上面には一導電型半導体層と外部の電子部品との電気的接続を行なうためにオーミックコンタクト層が形成される。
【００２１】
一方、逆導電型半導体層３１は、発光層３１ａ、クラッド層３１ｂおよびオーミックコンタクト層３１ｃで構成されている。発光層３１ａおよびクラッド層３１ｂは、電子の閉じ込め効果と光の取り出し効果とを考慮して、混晶比を異ならせた、たとえば、アルミニウム砒素（ＡｌＡｓ）およびガリウム砒素（ＧａＡｓ）で形成されており、亜鉛（Ｚｎ）などの逆導電型半導体不純物を１×１０１６〜１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度含有し、厚みが０．２〜０．４μｍ程度とされている。オーミックコンタクト層３１ｃは、たとえば、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）で形成されており、亜鉛（Ｚｎ）などの逆導電型半導体不純物を１×１０１９〜１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度含有し、その厚みが０．０１〜０．１μｍ程度とされている。
【００２２】
そして、基板２の発光素子３側の上面と、オーミックコンタクト層３１ｃの上面の一部を除いた発光素子３とを覆うように絶縁層８が形成されている。絶縁層８は、たとえば、窒化シリコン（ＳｉＮ）で形成され、厚みが３０００〜５００００Å程度に形成されている。
【００２３】
絶縁層８の上面には、発光素子３のそれぞれに対応した複数の電極パッド５と、複数の発光素子３を複数の電極パッド５にそれぞれ接続する複数の金属線４とが形成されており、絶縁層８は、複数の電極パッド５および複数の金属線４と、基板２または発光素子３のオーミックコンタクト層３１ｃ以外の半導体層との電気的絶縁を確保する機能を有している。
【００２４】
発光素子３と電極パッド５との電気的な接続は、発光素子３の上面に形成されるオーミックコンタクト層３１ｃの絶縁層８が被覆されていない部分と電極パッド５とが金属線４で接続されることによって行なわれる。
【００２５】
金属線４および複数の電極パッド５は、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）または銅（Ｃｕ）などの金属材料で形成されている。
【００２６】
複数の発光素子３の列と複数の電極パッド５の列との間に位置する基板２の上面に、発光素子３の列または電極パッド５の列の配列方向に沿った第１の凹部６ａが形成されている。上述の絶縁層８および金属線４は、第１の凹部６ａの上面に形成されている。
【００２７】
第１の凹部６ａは、たとえば、深さが５０〜１００μｍ、発光素子３から電極パッド５に向かう方向の幅が５０〜１００μｍで形成されており、第１の凹部６ａの両端は、発光素子３の列および電極パッド５の列における両端よりも外側に位置している。
【００２８】
このような第１の凹部６ａを有することにより、発光素子アレイ１が外部の電子部品とワイヤボンディングを介して電極パッド５で接続され、ワイヤボンディング部の接続信頼性を確保するために電極パッド５をエポキシ樹脂やシリコーン樹脂などの樹脂でコーティングしたときに、樹脂が流れ出し、または樹脂の成分である溶剤が滲み出すことにより、発光素子３の発光面を覆うことによって発光強度が低下することを防止できる。ここで発光面とは、発光素子３の発光層３０ａに対応する上面のことであり、発光素子３の上面から発光層３０ａを透視したときの領域に相当する。
【００２９】
次に、上述の発光素子アレイ１の製造方法を説明する。
【００３０】
まず、基板２の上面に、一導電型半導体層３０と逆導電型半導体層３１とをＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長：Metal-Organic Chemical Vapor Deposition）法、またはＭＢ
Ｅ（分子線エピタキシャル成長：Molecular Beam Epitaxy）法などによって順次積層して形成する。
【００３１】
これらの一導電型半導体層３０および逆導電型半導体層３１は、基板２の温度を７００〜９００℃として、ＴＭＧ（（ＣＨ３）３Ｇａ）、ＴＥＧ（（Ｃ２Ｈ５）３Ｇａ、アルシン（ＡｓＨ３）、ＴＭＡ（（ＣＨ３）３Ａｌ）、ＴＥＡ（（Ｃ２Ｈ５）３Ａｌ）などを原料ガスとして形成される。導電型を制御するためのガスとしては、シラン（ＳｉＨ４）、セレン化水素（Ｈ２Ｓｅ）、ＴＭＺ（（ＣＨ３）３Ｚｎ）などが用いられ、キャリアガスとしては、水素（Ｈ２）などが用いられる。
【００３２】
次に、隣接する発光素子３同士が電気的に分離されるように、一導電型半導体層３０、逆導電型半導体層３１が島状にパターニングされる。パターニングは従来周知のフォトリソグラフィ法によって行なわれ、エッチングは硫酸過酸化水素水系のエッチング液を用いたウェットエッチングやＣＣｌ２Ｆ２ガスを用いたドライエッチングなどによって行なわれる。
【００３３】
次に、基板２の上面において、後に形成される複数の発光素子３の列と、複数の電極パッド５の列との間に対応する位置に、第１の凹部６ａをＣＯ２レーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザーなどにより形成する。第１の凹部６ａの両端は、後に形成される複数の発光素子３の列の両端および複数の電極パッド５の列の両端よりも外側に位置するように形成される。本実施形態では、第１の凹部６ａをレーザー加工によって形成したが、上述の硫酸過酸化水素水系のエッチング液を用いたウェットエッチングやＣＣｌ２Ｆ２ガスを用いたドライエッチングなどによって行なってもよい。なお、エッチングによって第１の凹部６ａを形成する場合には、上述の隣接する発光素子３同士を電気的に分離する工程と同時に行なってもよい。
【００３４】
次に、プラズマＣＶＤ法によって、シランガス（ＳｉＨ４）とアンモニアガス（ＮＨ３
）とを用いて窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる絶縁層８を、基板２と基板２の上面に形成された発光素子３とを覆うように形成する。このとき、発光素子３の表面に形成されるオーミックコンタクト層３１ｃの一部には絶縁層８を形成せず、後に形成する金属線４との電気的接続が可能なようにする。
【００３５】
次に、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）または銅（Ｃｕ）などを蒸着法やスパッタリング法によって、絶縁層８の上面に、発光素子３のそれぞれに対応する複数の電極パッド５と、発光素子３の上面に露出しているオーミックコンタクト層３１ｃと、発光素子３に対応する電極パッド５とをそれぞれ接続する複数の金属線４を形成する。同様に、ベース基板２の発光素子３が搭載された面の反対側に位置する下面に、裏面電極７を形成する。電極パッド５、金属線４および裏面電極７は同時に形成してもよい。
【００３６】
このようにして構成された発光素子アレイ１は、電極パッド５と裏面電極７との間に電力を供給することにより、所望の発光素子３を発光させることができる。
【００３７】
（発光素子ヘッド）
次に、図２に示す発光素子ヘッド１００について説明する。
【００３８】
発光素子ヘッド１００は、上述の複数の発光素子アレイ１が、基板１１０の上面に接着剤１２０を介して列状に配列されており、ページプリンター等の電子写真装置に組み込まれる露光装置として機能する。
【００３９】
基板１１０は、セラミック基板や、ガラスエポキシ樹脂などからなる有機基板で形成され、図示はしないが、上面に発光素子アレイ１や外部との電気的な接続を行なうための電気配線や接続パッドが設けられている。基板１１０は、複数の発光素子３を支持する支持体として、また、発光素子３と外部の電子部品とを電気的に接続する回路基板として機能する。
【００４０】
発光素子アレイ１の電極パッド５は、ワイヤボンディングを行なうことにより、基板１１０の上面に形成された接続パッド（不図示）とワイヤ１３０で接続される。そして、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂などのコーティング樹脂１４０を、電極パッド５および電極パッド５に接続されたワイヤ１３０の接続部に塗布することによって発光素子アレイ１側のワイヤボンディング部をコーティングする。コーティング樹脂の塗布にはディスペンサーなどを用いればよい。
【００４１】
発光素子アレイ１側のワイヤボンディング部を樹脂によってコーティングする理由は、発光素子３の配列密度が高くなるにつれて、電極パッド５はワイヤボンディングの２次側となり、ステッチボンディングが行なわれるため、ワイヤ１３０の接続面積が小さくなることから、ワイヤ１３０が電極パッド５から剥がれたりすることがないように樹脂で補強するためである。
【００４２】
本実施形態の発光素子ヘッド１００が有する発光素子アレイ１によれば、複数の発光素子３の列と複数の電極パッド５の列との間に位置する基板２の上面に、発光素子３の列または電極パッド５の列の配列方向に沿った第１の凹部６ａが形成されており、その両端が発光素子３の列および電極パッド５の列の両端よりも外側に位置しているため、発光素子３と電極パッド５との距離が短くても、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂を電極パッド５の上に塗布した際に、塗布した樹脂が発光素子３の発光面に流れ出したり樹脂に含まれる溶剤成分が滲み出したりすることによって、発光素子３の発光面を汚染することがなく、発光素子３の発光強度の低下を抑制して、比較的高く維持することが可能となる。発光素子３の発光面を汚染することが抑制されるのは、流れ出した樹脂や、樹脂から滲み出した溶
剤成分が第１の凹部６ａに溜まることによって、これらが発光面側へ移動することを防止できるためである。
【００４３】
なお、本実施形態では発光素子３は基板１１０の電極パッドに接続されているが、基板１１０の上面に発光素子３を駆動させるための駆動ＩＣをさらに配置して、発光素子３の電極パッドと駆動ＩＣの電極パッドとを接続してもよい。
【００４４】
以上、本発明の具体的な実施形態を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更が可能である。
【００４５】
たとえば、本実施形態における第１の凹部６ａは、１列で形成されているが、図４に示す本実施形態の第１変形例のように、複数列で形成されていてもよい。第１の凹部６を複数列とすることにより、流れ出した樹脂や、樹脂から滲み出した溶剤成分を最も電極パッド５側に位置する第１の凹部６ａで収容しきれなかった場合に、その次の第１の凹部６ａが流れ出した樹脂や、樹脂から滲み出した溶剤成分を収容することにより、発光素子３の発光面に移動することを防止できるからである。
【００４６】
また、上述のように、複数の第１の凹部６ａの列を有する場合には、図５（ａ）に示すように、電極パッド５から発光素子３の方向に向かうにつれて、第１の凹部６ａの深さを浅くしてもよい。このような構造とすることで、流れ出した樹脂や、樹脂から滲み出した溶剤成分の堰止め効果を高めることができる。また、第１の凹部６ａには絶縁層８および金属線４が形成されるが、絶縁層８および金属線４は、プラズマＣＶＤ法、蒸着法またはスパッタリング法などによって形成されるため、第１の凹部６ａへの形成しやすさを考慮すると、第１の凹部６ａの深さは浅い方が有利であることから、樹脂の流れ出しや、樹脂からの溶剤成分の滲み出しが比較的抑制されている発光素子３側で第１の凹部６を浅くすることによって、発光素子３の発光面の汚染を防止しつつ、発光素子３への金属線４の接続信頼性を高めることができる。
【００４７】
さらに、上述のように、複数の第１の凹部６ａの列を有する場合には、図５（ｂ）に示すように、発光素子３から電極パッド５の方向に向かうにつれて第１の凹部６ａの幅を広くしてもよい。これは、流れ出した樹脂を電極パッド５に近い側の幅の広い第１の凹部６ａに収容し、この樹脂から滲み出した溶剤成分の量は比較的少ないため、その次の幅の狭い第１の凹部６ａで収容するようするものである。発光素子３の列と電極パッド５の列との距離は短いため、電極パッド５に近づくにつれて第１の凹部６ａの幅を広くすることにより、樹脂の流れ出し防止と、樹脂からの溶剤成分の滲み出し防止とを効率的に行なう構造である。
【００４８】
当然のことながら、上述の第１の凹部６ａの深さと幅の関係を組み合わせることも可能である。
【００４９】
また、第１の凹部６ａは、本実施形態では一直線状となっているが、図５（ｃ）に示すように、波状であってもよいし、図５（ｄ）に示すように、ジグザグ状であってもよい。ここでいう波状およびジグザク状は、基板２の平面視における第１の凹部６ａの形状のことを表している。第１の凹部６を波状やジグザグ状にすることにより、流れ出した樹脂や樹脂から滲み出した溶剤成分を収容する第１の凹部６ａの体積が増えるため、流れ出し防止および滲み出し防止の効果がより高くなるためである。
【００５０】
さらに、図６に示す本実施形態の第２変形例のように、発光素子３の列に沿った第１の凹部６ａの両端から電極パッド５側に位置する半導体基板２の長辺方向に向かって伸びる第２の凹部６ｂをさらに有していてもよい。このような構成とすることにより、流れ出し
た樹脂が隣接する発光素子アレイ１との間隙に流れ込むのを防止することができ、よって発光素子アレイ１の搭載精度を高くすることが可能になる。なぜなら、発光素子アレイ１同士の間隙にコーティング樹脂１４０が流れ込んだ場合には、コーティング樹脂１４０の硬化に伴う膨張によって、発光素子アレイ１同士の間隙を広げるような応力が発生するため、発光素子アレイ１の位置精度が悪くなるからである。
【符号の説明】
【００５１】
１ 発光素子アレイ
２ ベース基板
３ 発光素子
４ 金属線
５ 電極パッド
６ａ 第１の凹部
６ｂ 第２の凹部
７ 裏面電極
８ 絶縁層
３０ 一導電型半導体層
３０ａ 電子の注入層
３１ 逆導電型半導体層
３１ａ 発光層
３１ｂ クラッド層
３１ｃ オーミックコンタクト層
１００ 発光素子ヘッド
１１０ 基板
１２０ 接着剤
１３０ ワイヤ
１４０ コーティング樹脂
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子アレイおよび発光素子ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、各種露光装置等の光源に用いられる光学素子として、発光素子が複数配列された発光素子アレイが採用されている。例えば、特許文献１に記載の発光素子アレイは、発光部を有する半導体層に電極が接続されており、電極に接続される電極パッドと外部の電子部品などがワイヤボンディングにより接続されている。そして、発光素子の配列密度が高くなるにつれ、発光素子アレイ側のボンディングには２次側ボンディング、つまりステッチボンディングが行なわれる。このような発光素子アレイでは、２次側ボンディングの接合面積が小さくなるため接合強度が低下する傾向にあり、発光素子アレイの使用などによって、発光素子アレイ側のワイヤボンディングが剥がれて電気的な接続を維持できないという問題があった。そこで、本発明者は、発光素子アレイ側のワイヤボンディングが剥がれることのないように、ボンディング部を樹脂などでコーティングすることを検討した。
【０００３】
しかしながら、配列密度の高い発光素子アレイの多くは、小型化のため発光素子の発光面と電極パッドとの距離も短く形成されていることから、コーティングした樹脂が流れ出したり、樹脂の溶剤成分が滲み出したりすることによって、発光素子の発光面を汚染し、発光強度を低下させるという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１８４８０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、発光素子アレイのボンディング部を樹脂などによってコーティングした場合であっても、コーティングした樹脂などが発光素子の発光面に流れ出すことを抑制し、発光強度の低下を抑制することができる発光素子アレイを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の発光素子アレイは、長方形状の半導体基板に、複数の発光素子と、該発光素子に金属線を介して電気的に接続されるとともに外部の電子部品にボンディングワイヤを介して電気的に接続される複数の電極パッドとを有する発光素子アレイであって、前記複数の発光素子は、前記半導体基板の一方主面に列状に配置され、前記複数の電極パッドは、前記発光素子アレイの一方主面に、前記発光素子の配列方向に沿って列状に配置され、前記複数の発光素子の列と前記複数の電極パッドの列との間における前記半導体基板の一方主面に、配列方向に沿った第１の凹部を少なくとも１列有し、前記第１の凹部の両端は、前記複数の発光素子の列および前記複数の電極パッドの列における両端よりも外側に位置することを特徴とする。
【０００７】
また、上記構成において、前記第１の凹部を複数列有しており、該複数列の第１の凹部の深さは、前記発光素子と前記電極パッドとの間において該電極パッドから遠ざかるにつれて浅くなっていることを特徴とする。
【０００８】
さらに、上記構成において、前記第１の凹部を複数列有しており、該複数列の第１の凹
部の幅は、前記発光素子と前記電極パッドとの間において該電極パッドに近づくにつれて広くなっていることを特徴とする。
【０００９】
また、上記構成において、前記第１の凹部は、波状またはジグザク状であることを特徴とする。
【００１０】
さらに、上記構成において、前記第１の凹部の両端の各々から、前記複数の電極パッド側に位置する前記半導体基板の長辺に向かって伸びる第２の凹部をさらに有することを特徴とする。
【００１１】
また、電子部品が搭載された基板上に、複数の上記いずれかの構成の発光素子アレイが列状に配置され、前記複数の電極パッドが、それぞれ前記ボンディングワイヤが接続されているとともに樹脂で覆われていることを特徴とする発光素子ヘッドを併せて提供する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の発光素子アレイによれば、基板に、複数の発光素子と、複数の電極パッドとを有する発光素子アレイであって、前記複数の発光素子は、前記基板の一方主面に列状に配置され、前記複数の電極パッドは、前記発光素子アレイの一方主面に、前記発光素子の配列方向に沿って列状に配置され、前記複数の発光素子の列と前記複数の電極パッドの列との間における前記基板の一方主面に、配列方向に沿った凹部を少なくとも１列有し、前記凹部の両端は、前記複数の発光素子の列および前記複数の電極パッドの列における両端よりも外側に位置することから、発光素子アレイが外部の電子部品とワイヤボンディングを介して電極パッドで接続され、ワイヤボンディング部の接続信頼性を確保するために、電極パッドをエポキシ樹脂やシリコーン樹脂などの樹脂でコーティングされたときに、樹脂が流れ出し、または樹脂の成分である溶剤が滲み出すことにより、発光素子の発光面を覆うことによって発光強度が低下することを防止できるため、ボンディング部の接続信頼性が高く、発光強度の低下を抑制することができる発光素子アレイを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態に係る発光素子アレイの平面図である。
【図２】図１に示した発光素子アレイの１Ｉ−１Ｉ線に沿った断面図である。
【図３】図１に示す発光素子アレイを用いた発光素子ヘッドの平面図である。
【図４】図１に示す発光素子アレイの第１変形例を示す平面図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）は凹部の変形例を説明する断面図であり、（ｃ）、（ｄ）は凹部の変形例を説明する平面図である。
【図６】図１に示す発光素子アレイの第２変形例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
（発光素子アレイ）
以下、本発明の発光素子アレイ、発光素子ヘッドについて、図面を参照しつつ説明する。なお、以下の例は本発明の実施の形態を例示するものであって、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではない。
【００１５】
図１に示す発光素子アレイ１は、ページプリンター等の電子写真装置に組み込まれる光学素子ヘッド等の露光装置における光源として機能する。
【００１６】
発光素子アレイ１は、ベース基板２と、複数の発光素子３と、発光素子３のそれぞれに金属線４を介して接続される複数の電極パッド５と、第１の凹部６ａとを有している。
【００１７】
ベース基板２は、たとえば、シリコン（Ｓｉ）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、ガリウム燐（ＧａＰ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）などの単結晶で形成されており、複数の発光素子３の支持体として機能する。なお、本実施形態のベース基板２は、長方形状のガリウム砒素（ＧａＡｓ）の単結晶で形成されている。そして、シリコン（Ｓｉ）などの一導電型半導体不純物を１×１０１６〜１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度含有し、一導電型半導体としても機能する。ベース基板２の下面には、発光素子３に電力を供給するための裏面電極７が形成されている。
【００１８】
発光素子３は、一導電型半導体層３０と逆導電型半導体層３１とを順次積層した半導体層で形成されており、発光素子アレイ１の光源として機能する。複数の発光素子３は、ベース基板２の上面に列状に配置されている。なお、本実施形態の発光素子３は一列に配列されているが、複数列に配列されていてもよい。
【００１９】
本実施形態の一導電型半導体層３０は、電子の注入層３０ａで構成されている。電子の注入層３０ａは、たとえば、アルミニウムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）で形成され、シリコン（Ｓｉ）などの一導電型半導体不純物を１×１０１６〜１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度含有し、厚みが０．２〜０．４μｍ程度とされている。なお、電子の注入層３０ｂのアルミニウム（Ａｌ）の組成比は０．２４〜０．５程度とされている。
【００２０】
本実施形態の一導電型半導体層３０は、ベース基板２が一導電型半導体層３０の一部として機能するため、電子の注入層３０ａのみで構成されているが、ベース基板２がサファイア（Ａｌ２Ｏ３）などの非導電性基板の場合には、ベース基板２の上面には一導電型半導体層と外部の電子部品との電気的接続を行なうためにオーミックコンタクト層が形成される。
【００２１】
一方、逆導電型半導体層３１は、発光層３１ａ、クラッド層３１ｂおよびオーミックコンタクト層３１ｃで構成されている。発光層３１ａおよびクラッド層３１ｂは、電子の閉じ込め効果と光の取り出し効果とを考慮して、混晶比を異ならせた、たとえば、アルミニウム砒素（ＡｌＡｓ）およびガリウム砒素（ＧａＡｓ）で形成されており、亜鉛（Ｚｎ）などの逆導電型半導体不純物を１×１０１６〜１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度含有し、厚みが０．２〜０．４μｍ程度とされている。オーミックコンタクト層３１ｃは、たとえば、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）で形成されており、亜鉛（Ｚｎ）などの逆導電型半導体不純物を１×１０１９〜１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度含有し、その厚みが０．０１〜０．１μｍ程度とされている。
【００２２】
そして、基板２の発光素子３側の上面と、オーミックコンタクト層３１ｃの上面の一部を除いた発光素子３とを覆うように絶縁層８が形成されている。絶縁層８は、たとえば、窒化シリコン（ＳｉＮ）で形成され、厚みが３０００〜５００００Å程度に形成されている。
【００２３】
絶縁層８の上面には、発光素子３のそれぞれに対応した複数の電極パッド５と、複数の発光素子３を複数の電極パッド５にそれぞれ接続する複数の金属線４とが形成されており、絶縁層８は、複数の電極パッド５および複数の金属線４と、基板２または発光素子３のオーミックコンタクト層３１ｃ以外の半導体層との電気的絶縁を確保する機能を有している。
【００２４】
発光素子３と電極パッド５との電気的な接続は、発光素子３の上面に形成されるオーミックコンタクト層３１ｃの絶縁層８が被覆されていない部分と電極パッド５とが金属線４で接続されることによって行なわれる。
【００２５】
金属線４および複数の電極パッド５は、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）または銅（Ｃｕ）などの金属材料で形成されている。
【００２６】
複数の発光素子３の列と複数の電極パッド５の列との間に位置する基板２の上面に、発光素子３の列または電極パッド５の列の配列方向に沿った第１の凹部６ａが形成されている。上述の絶縁層８および金属線４は、第１の凹部６ａの上面に形成されている。
【００２７】
第１の凹部６ａは、たとえば、深さが５０〜１００μｍ、発光素子３から電極パッド５に向かう方向の幅が５０〜１００μｍで形成されており、第１の凹部６ａの両端は、発光素子３の列および電極パッド５の列における両端よりも外側に位置している。
【００２８】
このような第１の凹部６ａを有することにより、発光素子アレイ１が外部の電子部品とワイヤボンディングを介して電極パッド５で接続され、ワイヤボンディング部の接続信頼性を確保するために電極パッド５をエポキシ樹脂やシリコーン樹脂などの樹脂でコーティングしたときに、樹脂が流れ出し、または樹脂の成分である溶剤が滲み出すことにより、発光素子３の発光面を覆うことによって発光強度が低下することを防止できる。ここで発光面とは、発光素子３の発光層３０ａに対応する上面のことであり、発光素子３の上面から発光層３０ａを透視したときの領域に相当する。
【００２９】
次に、上述の発光素子アレイ１の製造方法を説明する。
【００３０】
まず、基板２の上面に、一導電型半導体層３０と逆導電型半導体層３１とをＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長：Metal-Organic Chemical Vapor Deposition）法、またはＭＢ
Ｅ（分子線エピタキシャル成長：Molecular Beam Epitaxy）法などによって順次積層して形成する。
【００３１】
これらの一導電型半導体層３０および逆導電型半導体層３１は、基板２の温度を７００〜９００℃として、ＴＭＧ（（ＣＨ３）３Ｇａ）、ＴＥＧ（（Ｃ２Ｈ５）３Ｇａ、アルシン（ＡｓＨ３）、ＴＭＡ（（ＣＨ３）３Ａｌ）、ＴＥＡ（（Ｃ２Ｈ５）３Ａｌ）などを原料ガスとして形成される。導電型を制御するためのガスとしては、シラン（ＳｉＨ４）、セレン化水素（Ｈ２Ｓｅ）、ＴＭＺ（（ＣＨ３）３Ｚｎ）などが用いられ、キャリアガスとしては、水素（Ｈ２）などが用いられる。
【００３２】
次に、隣接する発光素子３同士が電気的に分離されるように、一導電型半導体層３０、逆導電型半導体層３１が島状にパターニングされる。パターニングは従来周知のフォトリソグラフィ法によって行なわれ、エッチングは硫酸過酸化水素水系のエッチング液を用いたウェットエッチングやＣＣｌ２Ｆ２ガスを用いたドライエッチングなどによって行なわれる。
【００３３】
次に、基板２の上面において、後に形成される複数の発光素子３の列と、複数の電極パッド５の列との間に対応する位置に、第１の凹部６ａをＣＯ２レーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザーなどにより形成する。第１の凹部６ａの両端は、後に形成される複数の発光素子３の列の両端および複数の電極パッド５の列の両端よりも外側に位置するように形成される。本実施形態では、第１の凹部６ａをレーザー加工によって形成したが、上述の硫酸過酸化水素水系のエッチング液を用いたウェットエッチングやＣＣｌ２Ｆ２ガスを用いたドライエッチングなどによって行なってもよい。なお、エッチングによって第１の凹部６ａを形成する場合には、上述の隣接する発光素子３同士を電気的に分離する工程と同時に行なってもよい。
【００３４】
次に、プラズマＣＶＤ法によって、シランガス（ＳｉＨ４）とアンモニアガス（ＮＨ３
）とを用いて窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる絶縁層８を、基板２と基板２の上面に形成された発光素子３とを覆うように形成する。このとき、発光素子３の表面に形成されるオーミックコンタクト層３１ｃの一部には絶縁層８を形成せず、後に形成する金属線４との電気的接続が可能なようにする。
【００３５】
次に、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）または銅（Ｃｕ）などを蒸着法やスパッタリング法によって、絶縁層８の上面に、発光素子３のそれぞれに対応する複数の電極パッド５と、発光素子３の上面に露出しているオーミックコンタクト層３１ｃと、発光素子３に対応する電極パッド５とをそれぞれ接続する複数の金属線４を形成する。同様に、ベース基板２の発光素子３が搭載された面の反対側に位置する下面に、裏面電極７を形成する。電極パッド５、金属線４および裏面電極７は同時に形成してもよい。
【００３６】
このようにして構成された発光素子アレイ１は、電極パッド５と裏面電極７との間に電力を供給することにより、所望の発光素子３を発光させることができる。
【００３７】
（発光素子ヘッド）
次に、図２に示す発光素子ヘッド１００について説明する。
【００３８】
発光素子ヘッド１００は、上述の複数の発光素子アレイ１が、基板１１０の上面に接着剤１２０を介して列状に配列されており、ページプリンター等の電子写真装置に組み込まれる露光装置として機能する。
【００３９】
基板１１０は、セラミック基板や、ガラスエポキシ樹脂などからなる有機基板で形成され、図示はしないが、上面に発光素子アレイ１や外部との電気的な接続を行なうための電気配線や接続パッドが設けられている。基板１１０は、複数の発光素子３を支持する支持体として、また、発光素子３と外部の電子部品とを電気的に接続する回路基板として機能する。
【００４０】
発光素子アレイ１の電極パッド５は、ワイヤボンディングを行なうことにより、基板１１０の上面に形成された接続パッド（不図示）とワイヤ１３０で接続される。そして、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂などのコーティング樹脂１４０を、電極パッド５および電極パッド５に接続されたワイヤ１３０の接続部に塗布することによって発光素子アレイ１側のワイヤボンディング部をコーティングする。コーティング樹脂の塗布にはディスペンサーなどを用いればよい。
【００４１】
発光素子アレイ１側のワイヤボンディング部を樹脂によってコーティングする理由は、発光素子３の配列密度が高くなるにつれて、電極パッド５はワイヤボンディングの２次側となり、ステッチボンディングが行なわれるため、ワイヤ１３０の接続面積が小さくなることから、ワイヤ１３０が電極パッド５から剥がれたりすることがないように樹脂で補強するためである。
【００４２】
本実施形態の発光素子ヘッド１００が有する発光素子アレイ１によれば、複数の発光素子３の列と複数の電極パッド５の列との間に位置する基板２の上面に、発光素子３の列または電極パッド５の列の配列方向に沿った第１の凹部６ａが形成されており、その両端が発光素子３の列および電極パッド５の列の両端よりも外側に位置しているため、発光素子３と電極パッド５との距離が短くても、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂を電極パッド５の上に塗布した際に、塗布した樹脂が発光素子３の発光面に流れ出したり樹脂に含まれる溶剤成分が滲み出したりすることによって、発光素子３の発光面を汚染することがなく、発光素子３の発光強度の低下を抑制して、比較的高く維持することが可能となる。発光素子３の発光面を汚染することが抑制されるのは、流れ出した樹脂や、樹脂から滲み出した溶
剤成分が第１の凹部６ａに溜まることによって、これらが発光面側へ移動することを防止できるためである。
【００４３】
なお、本実施形態では発光素子３は基板１１０の電極パッドに接続されているが、基板１１０の上面に発光素子３を駆動させるための駆動ＩＣをさらに配置して、発光素子３の電極パッドと駆動ＩＣの電極パッドとを接続してもよい。
【００４４】
以上、本発明の具体的な実施形態を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更が可能である。
【００４５】
たとえば、本実施形態における第１の凹部６ａは、１列で形成されているが、図４に示す本実施形態の第１変形例のように、複数列で形成されていてもよい。第１の凹部６を複数列とすることにより、流れ出した樹脂や、樹脂から滲み出した溶剤成分を最も電極パッド５側に位置する第１の凹部６ａで収容しきれなかった場合に、その次の第１の凹部６ａが流れ出した樹脂や、樹脂から滲み出した溶剤成分を収容することにより、発光素子３の発光面に移動することを防止できるからである。
【００４６】
また、上述のように、複数の第１の凹部６ａの列を有する場合には、図５（ａ）に示すように、電極パッド５から発光素子３の方向に向かうにつれて、第１の凹部６ａの深さを浅くしてもよい。このような構造とすることで、流れ出した樹脂や、樹脂から滲み出した溶剤成分の堰止め効果を高めることができる。また、第１の凹部６ａには絶縁層８および金属線４が形成されるが、絶縁層８および金属線４は、プラズマＣＶＤ法、蒸着法またはスパッタリング法などによって形成されるため、第１の凹部６ａへの形成しやすさを考慮すると、第１の凹部６ａの深さは浅い方が有利であることから、樹脂の流れ出しや、樹脂からの溶剤成分の滲み出しが比較的抑制されている発光素子３側で第１の凹部６を浅くすることによって、発光素子３の発光面の汚染を防止しつつ、発光素子３への金属線４の接続信頼性を高めることができる。
【００４７】
さらに、上述のように、複数の第１の凹部６ａの列を有する場合には、図５（ｂ）に示すように、発光素子３から電極パッド５の方向に向かうにつれて第１の凹部６ａの幅を広くしてもよい。これは、流れ出した樹脂を電極パッド５に近い側の幅の広い第１の凹部６ａに収容し、この樹脂から滲み出した溶剤成分の量は比較的少ないため、その次の幅の狭い第１の凹部６ａで収容するようするものである。発光素子３の列と電極パッド５の列との距離は短いため、電極パッド５に近づくにつれて第１の凹部６ａの幅を広くすることにより、樹脂の流れ出し防止と、樹脂からの溶剤成分の滲み出し防止とを効率的に行なう構造である。
【００４８】
当然のことながら、上述の第１の凹部６ａの深さと幅の関係を組み合わせることも可能である。
【００４９】
また、第１の凹部６ａは、本実施形態では一直線状となっているが、図５（ｃ）に示すように、波状であってもよいし、図５（ｄ）に示すように、ジグザグ状であってもよい。ここでいう波状およびジグザク状は、基板２の平面視における第１の凹部６ａの形状のことを表している。第１の凹部６を波状やジグザグ状にすることにより、流れ出した樹脂や樹脂から滲み出した溶剤成分を収容する第１の凹部６ａの体積が増えるため、流れ出し防止および滲み出し防止の効果がより高くなるためである。
【００５０】
さらに、図６に示す本実施形態の第２変形例のように、発光素子３の列に沿った第１の凹部６ａの両端から電極パッド５側に位置する半導体基板２の長辺方向に向かって伸びる第２の凹部６ｂをさらに有していてもよい。このような構成とすることにより、流れ出し
た樹脂が隣接する発光素子アレイ１との間隙に流れ込むのを防止することができ、よって発光素子アレイ１の搭載精度を高くすることが可能になる。なぜなら、発光素子アレイ１同士の間隙にコーティング樹脂１４０が流れ込んだ場合には、コーティング樹脂１４０の硬化に伴う膨張によって、発光素子アレイ１同士の間隙を広げるような応力が発生するため、発光素子アレイ１の位置精度が悪くなるからである。
【符号の説明】
【００５１】
１ 発光素子アレイ
２ ベース基板
３ 発光素子
４ 金属線
５ 電極パッド
６ａ 第１の凹部
６ｂ 第２の凹部
７ 裏面電極
８ 絶縁層
３０ 一導電型半導体層
３０ａ 電子の注入層
３１ 逆導電型半導体層
３１ａ 発光層
３１ｂ クラッド層
３１ｃ オーミックコンタクト層
１００ 発光素子ヘッド
１１０ 基板
１２０ 接着剤
１３０ ワイヤ
１４０ コーティング樹脂
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長方形状の半導体基板に、複数の発光素子と、該発光素子に金属線を介して電気的に接続されるとともに外部の電子部品にボンディングワイヤを介して電気的に接続される複数の電極パッドとを有する発光素子アレイであって、
前記複数の発光素子は、前記半導体基板の一方主面に列状に配置され、
前記複数の電極パッドは、前記発光素子アレイの一方主面に、前記発光素子の配列方向に沿って列状に配置され、
前記複数の発光素子の列と前記複数の電極パッドの列との間における前記半導体基板の一方主面に、配列方向に沿った第１の凹部を少なくとも１列有し、
前記第１の凹部の両端は、前記複数の発光素子の列および前記複数の電極パッドの列における両端よりも外側に位置することを特徴とする発光素子アレイ。
【請求項２】
前記第１の凹部を複数列有しており、該複数列の第１の凹部の深さは、前記発光素子と前記電極パッドとの間において該電極パッドから遠ざかるにつれて浅くなっていることを特徴とする請求項１に記載の発光素子アレイ。
【請求項３】
前記第１の凹部を複数列有しており、該複数列の第１の凹部の幅は、前記発光素子と前記電極パッドとの間において該電極パッドに近づくにつれて広くなっていることを特徴とする請求項１または２に記載の発光素子アレイ。
【請求項４】
前記第１の凹部は、波状またはジグザク状であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光素子アレイ。
【請求項５】
前記第１の凹部の両端の各々から、前記複数の電極パッド側に位置する前記半導体基板の長辺に向かって伸びる第２の凹部をさらに有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の発光素子アレイ。
【請求項６】
電子部品が搭載された基板上に、複数の請求項１乃至５のいずれか１項に記載の発光素子アレイが列状に配置され、前記複数の電極パッドが、それぞれ前記ボンディングワイヤが接続されているとともに樹脂で覆われていることを特徴とする発光素子ヘッド。
【請求項１】
長方形状の半導体基板に、複数の発光素子と、該発光素子に金属線を介して電気的に接続されるとともに外部の電子部品にボンディングワイヤを介して電気的に接続される複数の電極パッドとを有する発光素子アレイであって、
前記複数の発光素子は、前記半導体基板の一方主面に列状に配置され、
前記複数の電極パッドは、前記発光素子アレイの一方主面に、前記発光素子の配列方向に沿って列状に配置され、
前記複数の発光素子の列と前記複数の電極パッドの列との間における前記半導体基板の一方主面に、配列方向に沿った第１の凹部を少なくとも１列有し、
前記第１の凹部の両端は、前記複数の発光素子の列および前記複数の電極パッドの列における両端よりも外側に位置することを特徴とする発光素子アレイ。
【請求項２】
前記第１の凹部を複数列有しており、該複数列の第１の凹部の深さは、前記発光素子と前記電極パッドとの間において該電極パッドから遠ざかるにつれて浅くなっていることを特徴とする請求項１に記載の発光素子アレイ。
【請求項３】
前記第１の凹部を複数列有しており、該複数列の第１の凹部の幅は、前記発光素子と前記電極パッドとの間において該電極パッドに近づくにつれて広くなっていることを特徴とする請求項１または２に記載の発光素子アレイ。
【請求項４】
前記第１の凹部は、波状またはジグザク状であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光素子アレイ。
【請求項５】
前記第１の凹部の両端の各々から、前記複数の電極パッド側に位置する前記半導体基板の長辺に向かって伸びる第２の凹部をさらに有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の発光素子アレイ。
【請求項６】
電子部品が搭載された基板上に、複数の請求項１乃至５のいずれか１項に記載の発光素子アレイが列状に配置され、前記複数の電極パッドが、それぞれ前記ボンディングワイヤが接続されているとともに樹脂で覆われていることを特徴とする発光素子ヘッド。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１３−１１５２４６（Ｐ２０１３−１１５２４６Ａ）
【公開日】平成２５年６月１０日（２０１３．６．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２６０３０４（Ｐ２０１１−２６０３０４）
【出願日】平成２３年１１月２９日（２０１１．１１．２９）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年６月１０日（２０１３．６．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月２９日（２０１１．１１．２９）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
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