紫外線照射装置及び基板処理装置
【課題】小型化及びコスト低減を実現した紫外線照射装置及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板に対する紫外線照射を行う処理室と、少なくとも処理室内の基板を加熱する加熱機構と、処理室内を脱酸素及び脱水分状態に保持するように処理室内に気体を供給する気体供給部と、紫外線照射装置内に基板の搬入を行うための基板搬入口と処理室との間に少なくとも設けられ、処理室に連通されることで処理室内を所定雰囲気に維持する予備室と、を備えた紫外線照射装置に関する。
【解決手段】基板に対する紫外線照射を行う処理室と、少なくとも処理室内の基板を加熱する加熱機構と、処理室内を脱酸素及び脱水分状態に保持するように処理室内に気体を供給する気体供給部と、紫外線照射装置内に基板の搬入を行うための基板搬入口と処理室との間に少なくとも設けられ、処理室に連通されることで処理室内を所定雰囲気に維持する予備室と、を備えた紫外線照射装置に関する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、紫外線照射装置及び基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイなどの表示パネルを構成するガラス基板上には、配線パターンや電極パターンなどの微細なパターンが形成されている。一般的にこのようなパターンは、例えばフォトリソグラフィなどの手法によって形成される。フォトリソグラフィ法では、レジスト膜をガラス基板に塗布する工程、レジスト膜を露光する工程、露光後のレジスト膜を現像する工程及び現像後のレジスト膜に対して紫外線を照射する工程が行われる。
【０００３】
紫外線照射工程では、例えば基板をチャンバ内に収容し、基板を搬送しつつ当該基板に紫外線を照射する紫外線照射装置が用いられる（例えば、特許文献１参照）。このような紫外線照射装置では、チャンバ内の基板搬送経路において脱水分及び脱酸素状態の環境であることが求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−９６８３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来技術では、真空ポンプを用いることでチャンバ（処理室）内を真空引きすることで上述したような脱水分及び脱酸素状態の環境に保持しているため、真空ポンプを用いることで装置のコストが高くなる、或いは装置が大型化して設置面積が嵩むといった問題が生じていた。
【０００６】
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、小型化及びコスト低減を実現した紫外線照射装置及び基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の紫外線照射装置は、基板に対する紫外線照射を行う処理室と、少なくとも前記処理室内の前記基板を加熱する加熱機構と、前記処理室内を脱酸素及び脱水分状態に保持するように該処理室内に気体を供給する気体供給部と、当該紫外線照射装置内に前記基板の搬入を行うための基板搬入口と前記処理室との間に少なくとも設けられ、前記処理室に連通されることで該処理室内を所定雰囲気に維持する予備室と、を備えることを特徴とする。
【０００８】
本発明の紫外線照射装置によれば、予備室を備えることで基板搬入時に処理室内への酸素及び水分の混入を防止しつつ、基体供給部によって処理室及び該処理室に連通する予備室内に気体を供給することで処理室内を所定雰囲気に安定的に維持できる。よって、真空ポンプを不要にできるので、装置の小型化及び低コスト化を実現できる。
【０００９】
また、上記紫外線照射装置においては、前記予備室を複数備えるのが好ましい。
この構成によれば、複数の予備室内の雰囲気を段階的に変化させることで処理室内の雰囲気を所定値に安定的に維持することができる。
【００１０】
また、上記紫外線照射装置においては、前記気体供給部は、前記処理室内に不活性ガスを供給するのが好ましい。
この構成によれば、処理室内に不活性ガスを供給することで処理室内を脱酸素及び脱水分状態に保持できる。
【００１１】
また、上記紫外線照射装置においては、前記気体供給部は、前記不活性ガスとして窒素ガスを供給するのが好ましい。
このように窒素ガスを供給することで処理室内を良好に脱酸素及び脱水分状態に保持できる。
【００１２】
また、上記紫外線照射装置においては、前記複数の予備室における内部圧力は、前記処理室側から前記基板搬入口側に向かって次第に低くなるように設定されるのが好ましい。
この構成によれば、複数の予備室内の内部圧力を処理室側から基板搬入口側に向かって次第に低くなるように設定することで処理室内の雰囲気を安定させることができる。
【００１３】
また、上記紫外線照射装置においては、前記予備室及び前記処理室間において前記基板を移動させる基板移動機構を更に備えるのが好ましい。
この構成によれば、予備室及び処理室間において基板を移動させることで装置内を通過する際に要する時間を短縮できる。
【００１４】
また、上記紫外線照射装置においては、前記加熱機構は、前記基板を保持した状態で加熱するプレートを含み、前記基板移動機構の一部は、前記プレートに設けられた溝部内を移動するのが好ましい。
この構成によれば、基板移動機構がプレートの溝部内を移動することで移動時間を短縮できる。また、基板移動機構の一部がプレート内の溝に設けられるので、ゴミ等の異物が基板に付着するのを防止することができる。
【００１５】
また、上記紫外線照射装置においては、前記加熱機構は、前記予備室内の前記基板も加熱するのが好ましい。
この構成によれば、予備室内において基板を予め加熱することができるので、処理室内において基板を所定温度まで短時間で加熱できる。
【００１６】
また、上記紫外線照射装置においては、前記予備室は、内部雰囲気を循環させる循環機構を有するのが好ましい。なお、処理室内にも循環機構を設けるようにしてよい。
この構成によれば、循環機構によって予備室内の雰囲気が循環されるので、予備室内の雰囲気を安定させることができる。
【００１７】
また、上記紫外線照射装置においては、前記循環機構は、ＨＥＰＡフィルターを用いて前記内部雰囲気の循環を行うのが好ましい。
この構成によれば、ＨＥＰＡフィルターを用いることで予備室内の異物を除去した状態で内部雰囲気循環を行うことができる。
【００１８】
また、上記紫外線照射装置においては、前記予備室は、当該紫外線照射装置内から前記基板の搬出を行うための基板搬出口と前記処理室との間にも設けられているのが好ましい。
この構成によれば、基板搬出口から基板の搬出を行う際に処理室内に酸素及び水分が混入するのを防止し、より処理室内の雰囲気を安定させることができる。
【００１９】
本発明の基板処理装置は、基板に処理液の塗布処理を行う塗布装置と、前記基板に塗布された前記処理液の現像処理を行う現像装置と、前記基板に紫外線照射処理を行う紫外線照射装置と、前記塗布処理、前記現像処理及び前記紫外線照射処理の関連処理を行う関連装置と、を備え、前記塗布装置、前記現像装置、前記紫外線照射装置及び前記関連装置の間を直列的に前記基板を搬送する基板処理装置であって、前記紫外線照射装置として、上記紫外線照射装置が用いられていることを特徴とする。
【００２０】
本発明の基板処理装置によれば、小型化及び低コスト化が図られた紫外線照射装置が用いられているため、基板処理装置自体も低コスト且つ小型で信頼性の高いものを提供できる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、小型化及びコスト低減ができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】基板処理装置を示す平面図。
【図２】紫外線処理ユニットを＋Ｚ側から見たときの構成を示す平面図。
【図３】紫外線処理ユニットを＋Ｙ側から見たときの構成を示す側面図。
【図４】紫外線処理ユニットの断面図。
【図５】図４の要部拡大断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。
【００２４】
以下、本発明の紫外線照射装置及びこれを備えた基板処理装置に係る実施例について説明する。
図１は本実施形態に係る基板処理装置ＳＰＡを示す平面図である。基板処理装置ＳＰＡは、例えばＸ方向に一列に配置されたローダ・アンローダＬＵ、塗布現像処理部ＣＤ及びインターフェース部ＩＦを備えている。基板処理装置ＳＰＡは、塗布現像処理部ＣＤがローダ・アンローダＬＵとインターフェース部ＩＦによって挟まれて配置された構成になっている。
【００２５】
（ローダ・アンローダ）
ローダ・アンローダＬＵは、複数の基板Ｇを収容するカセットＣの搬入及び搬出を行う部分である。ローダ・アンローダＬＵは、カセット待機部１０及び搬送機構１１を有している。
【００２６】
カセット待機部１０は、例えば基板処理装置ＳＰＡの−Ｘ側の端部に配置されており、複数のカセットＣを収容する。カセット待機部１０に収容されたカセットＣは、例えばＹ方向に配列されるようになっている。カセット待機部１０は、−Ｘ側に不図示の開口部が形成されており、当該開口部を介して基板処理装置ＳＰＡの外部との間でカセットＣの受け渡しが行われるようになっている。
【００２７】
搬送機構１１は、カセット待機部１０の＋Ｘ側に配置されており、カセットＣと塗布現像処理部ＣＤとの間で基板Ｇの搬送を行う。搬送機構１１は、例えばＹ方向に沿って移動可能に構成されている。具体的に搬送機構１１は−Ｙ側に移動することで、ローダ・アンローダＬＵから塗布現像処理部ＣＤへ基板Ｇを搬送する。また、搬送機構１１は＋Ｙ側に移動することで、塗布現像処理部ＣＤからローダ・アンローダＬＵへ基板Ｇを搬送する。
【００２８】
搬送機構１１は搬送アーム１２を有している。搬送アーム１２は、ガラス基板を保持する保持部を有し、例えば一方向に伸縮可能に設けられている。搬送アーム１２は、θＺ方向に回転可能に形成されている。搬送アーム１２は、例えばθＺ方向に回転することで、カセット待機部１０と塗布現像処理部ＣＤとのそれぞれの方向に向かせることが可能になっている。搬送アーム１２は、搬送アーム１２を伸縮させることで、カセット待機部１０及び塗布現像処理部ＣＤのそれぞれにアクセス可能になっている。
【００２９】
（塗布現像処理部）
塗布現像処理部ＣＤは、基板Ｇにレジスト塗布及び現像を含む一連の処理を施す部分である。塗布現像処理部ＣＤは、スクラバユニットＳＲ、脱水ベークユニットＤＨ、塗布ユニットＣＴ、プリベークユニットＰＲ、インターフェース部ＩＦ、現像ユニットＤＶ、紫外線照射ユニットＵＶ及びポストベークユニットＰＢを有している。
【００３０】
塗布現像処理部ＣＤは、Ｙ方向に分割された構成になっており、−Ｙ側の部分では、ローダ・アンローダＬＵからの基板Ｇがインターフェース部ＩＦへ向けて＋Ｘ方向に搬送されるようになっている。＋Ｙ側の部分では、インターフェース部ＩＦからの基板Ｇがローダ・アンローダＬＵへ向けて−Ｘ方向に搬送されるようになっている。
【００３１】
スクラバユニットＳＲは、ローダ・アンローダＬＵの下流に接続されており、基板Ｇの洗浄を行うユニットである。スクラバユニットＳＲは、ドライ洗浄装置４１、ウェット洗浄装置４２及びエアナイフ装置４３を有している。ドライ洗浄装置４１の−Ｘ側及びエアナイフ装置４３の＋Ｘ側には、それぞれコンベア機構ＣＶ１、ＣＶ２が設けられている。
コンベア機構ＣＶ１、ＣＶ２には、基板Ｇを搬送する不図示のベルト機構が設けられている。
【００３２】
ドライ洗浄装置４１は、例えば基板Ｇにエキシマレーザなどの紫外線を照射することにより、基板Ｇ上の有機物を除去する。ウェット洗浄装置４２は、例えば不図示のスクラビングブラシを有している。ウェット洗浄装置４２は、洗浄液及び当該スクラビングブラシを用いて基板Ｇを洗浄する。エアナイフ装置４３は、例えば不図示のエアナイフ噴射機構を有している。エアナイフ装置４３は、エアナイフ噴射機構を用いて基板Ｇ上にエアナイフを形成し、基板Ｇ上の不純物を除去する。
【００３３】
脱水ベークユニットＤＨは、スクラバユニットＳＲの下流に接続されており、基板Ｇ上を脱水するユニットである。脱水ベークユニットＤＨは、加熱装置４４、及び冷却装置４５を有している。加熱装置４４及びＨＭＤＳ装置４６は、Ｚ方向に重ねられた状態で配置されている。Ｚ方向視で加熱装置４４及びＨＭＤＳ装置４６に重なる位置にコンベア機構ＣＶ３が設けられており、Ｚ方向視で冷却装置４５に重なる位置にコンベア機構ＣＶ４が設けられている。加熱装置４４及びＨＭＤＳ装置４６と、冷却装置４５との間には、基板Ｇを搬送する搬送機構ＴＲ１が設けられている。搬送機構ＴＲ１については、例えばローダ・アンローダＬＵに設けられた搬送機構１１と同一の構成とすることができる。
【００３４】
加熱装置４４は、例えば基板Ｇを収容可能なチャンバ内にヒータを有する構成になっている。加熱装置４４は、Ｚ方向に例えば複数段配置されている。加熱装置４４は、基板Ｇを所定の温度で加熱する。ＨＭＤＳ装置４６は、ＨＭＤＳガスを基板Ｇに作用させて疎水化処理を施し、塗布ユニットＣＴにおいて基板Ｇに塗布するレジスト膜と基板Ｇとの密着性を向上させる装置である。冷却装置４５は、例えば基板Ｇを収容可能なチャンバ内に温調機構を有し、基板Ｇを所定の温度に冷却する。
【００３５】
塗布ユニットＣＴは、脱水ベークユニットＤＨの下流に接続されており、基板Ｇ上の所定の領域にレジスト膜を形成する。塗布ユニットＣＴは、塗布装置４７、減圧乾燥装置４８、周縁部除去装置４９を有している。塗布装置４７は、基板Ｇ上にレジスト膜を塗布する装置である。塗布装置４７としては、例えば回転式塗布装置、ノンスピン式塗布装置、スリットノズル塗布装置などが用いられる。これら各種の塗布装置を交換可能な構成であっても構わない。減圧乾燥装置４８は、レジスト膜を塗布した後の基板Ｇの表面を乾燥させる。周縁部除去装置４９は、基板Ｇの周縁部に塗布されたレジスト膜を除去し、レジスト膜の形状を整える装置である。
【００３６】
プリベークユニットＰＲは、塗布ユニットＣＴの下流に接続されており、基板Ｇにプリベーク処理を行うユニットである。プリベークユニットＰＲは、加熱装置５０及び冷却装置５１を有している。加熱装置５０と冷却装置５１とは、搬送機構ＴＲ２を挟むようにＹ方向に沿って配置されている。
【００３７】
現像ユニットＤＶは、プリベークユニットＰＲの冷却装置５１の−Ｘ側に接続されており、露光後の基板Ｇの現像処理を行う。現像ユニットＤＶは、現像装置５５、リンス装置５６及びエアナイフ装置５７を有している。現像装置５５は、基板Ｇに現像液を供給して現像処理を行う。リンス装置５６は、現像後の基板Ｇにリンス液を供給し、基板Ｇを洗浄する。エアナイフ装置５７は、基板Ｇ上にエアナイフを形成し、基板Ｇ上を乾燥させる。
現像装置５５の＋Ｘ側にはコンベア機構ＣＶ９が設けられており、エアナイフ装置５７の−Ｘ側にはコンベア機構ＣＶ１０が設けられている。
【００３８】
紫外線処理ユニット（紫外線照射装置）ＵＶは、現像ユニットＤＶの下流側に接続されており、現像後の基板Ｇに例えばｉ線などの紫外線を照射する。
【００３９】
ポストベークユニットＰＢは、紫外線処理ユニットＵＶの下流側に接続されており、紫外線処理後の基板Ｇをベークする。ポストベークユニットＰＢは、加熱装置５９及び冷却装置６０を有している。加熱装置５９は、現像後の基板Ｇにポストベークを行う。冷却装置６０は、ポストベーク後の基板Ｇを冷却する。
【００４０】
インターフェース部ＩＦは、露光装置ＥＸに接続される部分である。インターフェース部ＩＦは、バッファ装置５２、搬送機構ＴＲ３、コンベア機構ＣＶ７、ＣＶ８及び周辺露光装置ＥＥを有している。バッファ装置５２は、プリベークユニットＰＲの搬送機構ＴＲ２の＋Ｘ側に配置されている。バッファ装置５２の＋Ｘ側には、搬送機構ＴＲ３が設けられている。
【００４１】
バッファ装置５２は、基板Ｇを一時的に待機させておく装置である。バッファ装置５２には、基板Ｇを収容する不図示のチャンバや、当該チャンバ内の温度を調整する温調装置、チャンバ内に収容された基板ＧのθＺ方向の位置を調整する回転制御装置などが設けられている。バッファ装置５２のチャンバ内では、基板Ｇの温度を所定の温度に保持できるようになっている。コンベア機構ＣＶ７、ＣＶ８は、プリベークユニットＰＲの冷却装置５１をＸ方向に挟むように配置されている。
【００４２】
（紫外線照射装置）
図２は、紫外線処理ユニットＵＶを＋Ｚ側から見たときの構成を示す平面図である。図３は、紫外線処理ユニットＵＶを＋Ｙ側から見たときの構成を示す側面図である。図４は、図２における紫外線処理ユニットＵＶの断面構成を示す図であり、図５は図４の要部拡大断面図である。なお、図２〜図５においては、図を判別しやすくするため、それぞれ一部の構成を省略して示している。
【００４３】
図２、３に示すように、紫外線処理ユニットＵＶは、第１〜第４予備室８０〜８３と、紫外線処理室８４と、これら予備室８０〜８３及び紫外線処理室８４間で基板Ｇを移動させる基板移動機構８５と、を有している。第１〜第４予備室８０〜８３は、後述するように紫外線処理室８４内を所定雰囲気に維持するためのものである。
【００４４】
第１予備室８０は、サブチャンバ１１０、メインチャンバ１１１、昇降機構１１２及び加熱機構１１３を有している。サブチャンバ１１０は現像ユニットＤＶに接続され、現像処理後の基板Ｇを紫外線処理ユニットＵＶ内に搬入するためのものである。
【００４５】
メインチャンバ１１１は、サブチャンバ１１０との接続部分に基板搬入口１１１ａを有しており、該基板搬入口１１１ａは不図示の開閉シャッターにより開閉可能とされている。すなわち、サブチャンバ１１０は紫外線処理ユニットＵＶ内に基板Ｇの搬入を行うための基板搬入口（不図示）を構成している。メインチャンバ１１１は後述する所定雰囲気において基板Ｇを加熱した状態で収容するためのものである。また、メインチャンバ１１１は循環機構１５０に接続されており、内部雰囲気が循環されるようになっている。
【００４６】
サブチャンバ１１０には排気ダクト１１０ａが接続されており、サブチャンバ１１０内の雰囲気が排気されるようになっている。これにより、サブチャンバ１１０内の内部圧力が略一定に保持されるようになっている。サブチャンバ１１０には、不図示の気流調整部が設けられており、該気流調整部によって、メインチャンバ１１１からサブチャンバ１１０に流れた窒素画素が排気ダクト１１０ａへ流れるようになっている。また、サブチャンバ１１０の搬入口が開口したときにも、大気が排気ダクト１１０ａ側へ流れるようになっている。
【００４７】
循環機構１５０はメインチャンバ１１１内の雰囲気を基板Ｇの一端側から吸気した雰囲気をフィルター１５１に透過させることで該基板Ｇの他端側に排出するようになっている（図３参照）。フィルター１５１としては、ＨＥＰＡフィルターを用いており、これにより内部雰囲気中に含まれた異物を除去した状態でメインチャンバ１１１内に循環させるようにしている。
【００４８】
昇降機構１１２は、Ｚ方向に移動可能に設けられている。昇降機構１１２の＋Ｚ側には、例えば複数の支持ピン１１２ａが設けられている。複数の支持ピン１１２ａの＋Ｚ側の端部は、例えばＸＹ平面に平行な同一面内に設けられている。このため、複数の支持ピン１１２ａによって基板ＧがＸＹ平面に平行に支持されるようになっている。
【００４９】
昇降機構１１２は、メインチャンバ１１１内に収容される基板Ｇを支持しつつ、当該基板Ｇをメインチャンバ１１１内のＺ方向に沿って昇降可能となっている。昇降機構１１２は、例えばロボットアーム等によって現像ユニットＤＶから搬入された基板Ｇを受け取るためのものである。昇降機構１１２は、上昇させた支持ピン１１２ａ間の隙間にロボットアームを挿入させることでロボットアームとの間で基板Ｇの受け渡しを行うことができる。
【００５０】
加熱機構１１３は、基板Ｇを加熱した状態で保持するホットプレート１１４を主体に構成されるものである。ホットプレート１１４におけるＸ方向に沿う端面には、後述する基板移動機構８５の一部を移動可能とする溝部１１４ａが形成されている（図３参照）。なお、ホットプレート１１４の表面温度は例えば１００℃に設定されている。
【００５１】
第２予備室８１は、チャンバ１２１及び加熱機構１２３を有している。チャンバ１２１は、第１予備室８０のメインチャンバ１１１との接続部分に基板搬入部１２２を有しており、基板搬入部１２２はシャッター構造により開閉可能となっている。チャンバ１２１は後述する所定雰囲気において基板Ｇを加熱した状態で収容するためのものである。また、チャンバ１２１はフィルター１５１を介して循環機構１５０に接続されており、内部雰囲気が循環されるようになっている。
【００５２】
加熱機構１２３は、基板Ｇを加熱した状態で保持するホットプレート１２４を主体に構成されるものである。ホットプレート１２４におけるＸ方向に沿う端面には、後述する基板移動機構８５の一部を移動可能とする溝部１２４ａが形成されている（図３参照）。なお、ホットプレート１２４の表面温度は例えば１００℃に設定されている。
【００５３】
第３予備室８２は、チャンバ１３１及び加熱機構１３３を有している。チャンバ１３１は、第２予備室８１のチャンバ１１１との接続部分に間隔壁１３２を有している。なお、間隔壁１３２は第３予備室８２のチャンバ１３１と第２予備室８１のチャンバ１２１とは連通した状態に形成されている。チャンバ１３１は後述する所定雰囲気において基板Ｇを加熱した状態で収容するためのものである。また、チャンバ１３１はフィルター１５１を介して循環機構１５０に接続されており、内部雰囲気が循環されるようになっている。
【００５４】
加熱機構１３３は、基板Ｇを加熱した状態で保持するホットプレート１３４を主体に構成されるものである。ホットプレート１３４におけるＸ方向に沿う端面には、後述する基板移動機構８５の一部を移動可能とする溝部１３４ａが形成されている（図３参照）。なお、ホットプレート１３４の表面温度は例えば１００℃に設定されている。
【００５５】
第４予備室８３は、サブチャンバ１４０、メインチャンバ１４１、昇降機構１４２及び加熱機構１４３を有している。サブチャンバ１４０はポストベークユニットＰＢに接続され、紫外線照射処理後の基板ＧをポストベークユニットＰＢ内に搬入するためのものである。すなわち、サブチャンバ１４０は紫外線処理ユニットＵＶ内から基板Ｇの搬出するための基板搬出口を構成している。
【００５６】
メインチャンバ１４１は、サブチャンバ１４０との接続部分に基板搬入口１４１ａを有しており、該基板搬入口１４１ａは不図示の開閉シャッターにより開閉可能とされている。メインチャンバ１４１は紫外線の照射処理が行われた基板Ｇを収容する。メインチャンバ１４１は後述する所定雰囲気において基板Ｇを加熱した状態で収容するためのものである。また、チャンバ１４１はフィルター１５１を介して循環機構１５０に接続されており、内部雰囲気が循環されるようになっている。
【００５７】
昇降機構１４２は、Ｚ方向に移動可能に設けられている。昇降機構１４２の＋Ｚ側には、例えば複数の支持ピン１４２ａが設けられている。複数の支持ピン１４２ａの＋Ｚ側の端部は、例えばＸＹ平面に平行な同一面内に設けられている。このため、複数の支持ピン１４２ａによって基板ＧがＸＹ平面に平行に支持されるようになっている。
【００５８】
昇降機構１４２は、メインチャンバ１４１内に収容される基板Ｇを支持しつつ、当該基板Ｇをメインチャンバ１４１内のＺ方向に沿って昇降可能となっている。昇降機構１４２は、例えばロボットアーム等により、サブチャンバ１４０を介してポストベークユニットＰＢとの間で基板Ｇの受け渡しを行うためのものである。昇降機構１１２は、上昇させた支持ピン１１２ａ間の隙間にロボットアームを挿入させることでロボットアームとの間で基板Ｇの受け渡しを行うことができる。
【００５９】
加熱機構１４３は、基板Ｇを加熱した状態で保持するホットプレート１４４を主体に構成されるものである。ホットプレート１４４におけるＸ方向に沿う端面には、後述する基板移動機構８５の一部を移動可能とする溝部１４４ａが形成されている（図３参照）。なお、ホットプレート１４４の表面温度は例えば１００℃に設定されている。
【００６０】
紫外線処理室８４は、チャンバ１６１、チャンバ１６１内の基板Ｇに対して紫外線を照射する紫外線照射部１６２、加熱機構１６３及びチャンバ１６１内に不活性ガス（気体）を供給するガス供給部１６５を有している。
【００６１】
チャンバ１６１は紫外線の照射処理が行われる基板Ｇを収容する。紫外線照射部１６２は、Ｘ方向に沿って走査しながらチャンバ１６１内の基板Ｇに対して紫外線を照明するようにチャンバ１６１の上面に取り付けられている。また、チャンバ１６１は、不図示の領域においてフィルター１５１を介して循環機構１５０に接続されており、内部雰囲気が循環されるようになっている。
【００６２】
チャンバ１６１は、第３予備室８２のチャンバ１３１との接続部分に基板搬入部１６１ａを有しており、第４予備室８３のメインチャンバ１４１との接続部分に基板搬出部１６１ｂを有している。これら基板搬入部１６１ａ及び基板搬出部１６１ｂはシャッター構造により開閉可能とされている。
【００６３】
紫外線照射部１６２は、基板Ｇに照射する紫外線を照明する。紫外線照射部１６２は、紫外線を照射する光源８６を有し、該光源８６が基板Ｇに対してＸ方向に走査可能に構成されている。光源８６としては、紫外線（例えばｉ線など）を照射する光源が用いられている。光源８６として、波長３４０ｎｍ〜４２０ｎｍの範囲の紫外線を照射するメタルハライドランプ、ＬＥＤランプ、及び高圧水銀ランプ等を例示することができる。具体的に本実施形態では、高圧水銀ランプを採用した。なお、光源８６に所定の波長の紫外線のみを透過させる紫外線カットを設け、上記ｉ線を照射するようにしても構わない。光源８６は、上記ｉ線を照射することで、基板Ｇに形成されたレジスト表面をキュアし、レジストの後の工程においてレジストが熱等によるダレが生じるのを防止することができる。
【００６４】
加熱機構１６３は基板Ｇを加熱した状態で保持するホットプレート１６４を主体に構成されるものである。ホットプレート１６４におけるＸ方向に沿う端面には、後述する基板移動機構８５の一部を移動可能とする溝部１６４ａが形成されている。なお、ホットプレート１６４の表面温度は例えば１００℃に設定されている。
【００６５】
ガス供給部１６５は、チャンバ１６１内に不活性ガス（気体）を供給するためのものである。上記不活性ガスとしては窒素ガスを用いるのが好ましく、ガス供給部１６５は窒素ガスをチャンバ１６１内に供給することで低酸素状態（脱酸素及び脱水分状態）に保持している。具体的にガス供給部１６５は、チャンバ１６１内の酸素濃度が１００ｐｐｍ程度となるようにチャンバ１６１内に窒素ガスを供給する。なお、紫外線処理ユニットＵＶは、装置の立ち上げ時に、処理室８４以外の予備室８０〜８３にも不図示のガス供給部から窒素ガスを導入し、予備室８０〜８３及び処理室８４全体を脱酸素、脱水分状態に保持するようにしている。
【００６６】
上述の第１予備室８０のメインチャンバ１１１、第２予備室８１のチャンバ１２１、第３予備室８２のチャンバ１３１、処理室８４の内部圧力は、不図示の圧力調整機構により紫外線処理室８４のチャンバ１６１側からサブチャンバ１１０側に向かって次第に低くなるように設定されている。また、第４予備室８３のメインチャンバ１４１の内部圧力は、紫外線処理室８４のチャンバ１６１よりも低く設定されている。すなわち、紫外線処理室８４のチャンバ１６１は、他のチャンバ１１１、１２１、１３１、１４１に対して正圧状態とされている。
【００６７】
この構成に基づき、紫外線処理室８４のチャンバ１６１内にガス供給部１６５によって供給された窒素ガスは、チャンバ１６１内に基板Ｇを搬入する際に基板搬入部１６１ａのシャッターが開くと相対的に圧力の低いチャンバ１３１及び該チャンバ１３１に連通するチャンバ１２１内へと流れ込むようになっている。また、チャンバ１２１内の窒素ガスは、第１予備室８０のメインチャンバ１１１からチャンバ１２１内に基板Ｇを搬入する際に基板搬入部１２２のシャッターが開くと相対的に圧力の低いメインチャンバ１１１内へと流れ込むようになっている。また、チャンバ１６１内の窒素ガスは、チャンバ１６１内から基板Ｇを搬出する際に基板搬入部１６１ａのシャッターが開くと相対的に圧力の低い第４予備室８３のメインチャンバ１１１内へと流れ込むようになっている。
これにより、チャンバ１６１側に近いチャンバ１４１，１３１，１２１，１１１の順に酸素濃度が低い状態が維持されるようになっている。
【００６８】
具体的に第１予備室８０のメインチャンバ１１１の酸素濃度は、紫外線処理室８４のチャンバ１６１の酸素濃度を１００％とした時の７０％程度に設定され、第２予備室８１のチャンバ１２１の酸素濃度は８０％程度、第３予備室８２のチャンバ１３１及び第４予備室８３のメインチャンバ１４１の酸素濃度は９０％程度に設定されている。
【００６９】
図４に示すように基板移動機構８５は、基板保持部材１７０と、該基板保持部材１７０をガイドするガイド部１７１と、ガイド部１７１に沿って基板保持部材１７０を駆動させる駆動機構１７２とを有している。基板保持部材１７０は、基板ＧのＹ方向における両端部の裏面側を保持する保持部１７０ａを有する。なお、基板保持部材１７０は、同時に４枚の基板Ｇを保持可能な大きさを有している。ガイド部１７１は予備室８０〜８３及び紫外線処理室８４間の各チャンバを連通した状態に設けられている。基板保持部材１７０は駆動機構１７２によってＸ方向及びＺ方向に移動可能とされている。
【００７０】
このような構成に基づき、基板移動機構８５は、基板保持部材１７０をＸ方向に移動させることで複数（最大で４枚）の基板Ｇを同時に各チャンバ１１１，１２１，１３１，１６１，１４１内で移動可能となっている。これにより、紫外線処理ユニットＵＶ内を通過する基板Ｇのタクトを短縮することができる。
【００７１】
図２に示したように基板保持部材１７０は、保持部１７０ａがホットプレート１１４の溝部１１４ａ、ホットプレート１２４の溝部１２４ａ、ホットプレート１３４の溝部１３４ａ、及びホットプレート１４４の溝部１４４ａ内を移動可能とされている。また、上記ホットプレート１１４、１２４、１３４、１４４、１６４の各々には、上記溝１１４ａ、１２４ａ、１３４ａ、１４４ａ、１６４ａに連通する切欠１１４ｂ、１２４ｂ、１３４ｂ、１４４ｂ、１６４ｂ（以下、切欠１１４ｂ〜１６４ｂと称す場合もある）がそれぞれ形成されている。
【００７２】
駆動機構１７２は、上記切欠１１４ｂ〜１６４ｂを介して基板保持部材１７０の保持部１７０ａをホットプレート１１４〜１６４の上方に突出させることが可能となっている。一方、基板Ｇを保持した基板保持部材１７０の保持部１７０ａは、各切欠１１４ｂ〜１６４ｂを介して下降することで各ホットプレート１１４〜１６４内に収容されることで対応するホットプレートに基板Ｇを良好に載置することができる。このような構成に基づき、基板保持部材１７０はホットプレート１１４〜１６４との間で基板Ｇの受け渡し又は受け取りを行うことが可能となっている。
【００７３】
以上のように構成された基板処理装置ＳＰＡを用いる基板処理方法を説明する。
まず、基板Ｇが収容されたカセットＣをローダ・アンローダＬＵのカセット待機部１０にロードする。カセットＣ内の基板Ｇは、搬送機構１１を介してスクラバユニットＳＲへ搬送される。
【００７４】
スクラバユニットＳＲに搬送された基板Ｇは、コンベア機構ＣＶ１を介してドライ洗浄装置４１へ搬送される。この基板Ｇは、ドライ洗浄装置４１、ウェット洗浄装置４２及びエアナイフ装置４３と順に処理される。エアナイフ装置４３から搬出された基板Ｇは、コンベア機構ＣＶ２を介して脱水ベークユニットＤＨへと搬送される。
【００７５】
脱水ベークユニットＤＨでは、まず加熱装置４４によって基板Ｇの加熱処理が行われる。加熱後の基板Ｇは、例えばＺ方向に搬送され、ＨＭＤＳ装置４６においてＨＭＤＳガスによる処理が行われる。ＨＭＤＳ処理後の基板Ｇは、搬送機構ＴＲ１によって冷却装置４５に搬送され、冷却処理が行われる。冷却処理後の基板Ｇは、コンベア機構ＣＶ４によって塗布ユニットＣＴに搬送される。
【００７６】
その後、基板Ｇは塗布ユニットＣＴにおいてレジスト膜の塗布処理が行われる。塗布処理後の基板ＧはプリベークユニットＰＲに搬送され、加熱装置５０においてプリベーク処理が行われ、冷却装置５１において冷却処理が行われる。プリベークユニットＰＲでの処理を完了させた基板Ｇは、搬送機構ＴＲ２によってインターフェース部ＩＦに搬送される。
【００７７】
インターフェース部ＩＦでは、例えばバッファ装置５２において温度調整が行われた後、周辺露光装置ＥＥにおいて周辺露光が行われる。周辺露光の後、基板Ｇは、搬送機構ＴＲ３によって露光装置ＥＸに搬送され、露光処理が行われる。露光処理後の基板Ｇは、加熱処理及び冷却処理が行われた後、現像ユニットＤＶに搬送される。
【００７８】
現像ユニットＤＶにおいて、基板Ｇには現像処理、リンス処理及び乾燥処理が順に行われる。乾燥処理の後、コンベア機構ＣＶ１０によって基板Ｇは紫外線処理ユニットＵＶへと搬送される。
【００７９】
なお、以下では、紫外線処理ユニットＵＶ内に搬入した１枚の基板Ｇが各チャンバ間を移動する工程について説明する。
まず、はじめに紫外線処理ユニットＵＶでは、サブチャンバ１１０（基板搬入口１１１ａ）を介して第１予備室８０のメインチャンバ１１１内に不図示のロボットアームによって基板Ｇが搬送される。このとき、昇降機構１１２は支持ピン１１２ａを＋Ｚ側に移動させ、ロボットアームの高さよりも高い位置（＋Ｚ側の位置）まで基板Ｇを持ち上げる。これにより、ロボットアームから支持ピン１１２ａへと基板Ｇが受け渡される。基板Ｇの受け渡し後、ロボットアームをメインチャンバ１１１内から退避させ、メインチャンバ１１１を密閉する。
【００８０】
基板Ｇを受け取った後、昇降機構１１２は支持ピン１１２ａを下降させることで基板Ｇをホットプレート１１４上に載置する。基板Ｇはホットプレート１１４により１００℃で加熱される。このように第１予備室８０内において基板Ｇを予め加熱することで紫外線処理室８４内において基板Ｇを所定温度まで短時間で加熱できる。なお、チャンバ１１１内は、循環機構１５０によって内部雰囲気がフィルター１５１を介して循環されるため、クリーンな雰囲気が安定的に維持されている（図５参照）。なお、図５は第２予備室８１のチャンバ１２１内における内部雰囲気の循環状態を示すものの、第１予備室８０のチャンバ１１１内においても同様である。具体的にチャンバ１１１内の内部雰囲気はチャンバ１２１の側方の下部に設けられた雰囲気導入部１２５を介して循環機構１５０へと導かれるようになっている。内部雰囲気は雰囲気導入部１２５を介して上方へと導かれる構成となっているため、例えば内部雰囲気中に昇華物等の異物が含まれた場合に該異物は雰囲気導入部１２５に設けられた不図示のフィルター等によって捕獲することができる。よって、循環機構１５０に対して異物を除去した気体を供給することができる。
【００８１】
基板Ｇをホットプレート１１４によって所定時間加熱した後、駆動機構１７２は切欠１１４ｂを介してホットプレート１１４内に収容されている基板保持部材１７０の保持部１７０ａを＋Ｚ方向に上昇させる。
これにより、ホットプレート１１４に保持されていた基板Ｇは保持部１７０ａによってホットプレート１１４の上方に持ち上げられる。
【００８２】
続いて、駆動機構１７２は、基板保持部材１７０を用いて基板Ｇを第１予備室８０内から第２予備室８１内へと移動する。紫外線処理ユニットＵＶでは、基板保持部材１７０が４つの基板Ｇを同時に載置可能な大きさを有していることから隣接するチャンバ間において基板Ｇを移動させる際、基板保持部材１７０が一体で移動する構成となっている。そのため、基板搬入部１２２、基板搬入部１６１ａ、基板搬出部１６１ｂのシャッターを同時に開くことで、駆動機構１７２が基板保持部材１７０をＸ方向に沿って移動できる構成としている。
【００８３】
基板Ｇを保持した基板保持部材１７０は、駆動機構１７２によって−Ｘ方向に移動し、基板搬入部１２２を介して第２予備室８１内に基板Ｇを搬入する。駆動機構１７２は、切欠１２４ａと保持部１７０ａとがＺ方向から視て重なる位置まで基板保持部材１７０を移動させ、基板保持部材１７０の保持部１７０ａを下降させることで保持部１７０ａを溝部１２４ａ内に収容する。これにより、基板Ｇは、基板保持部材１７０からホットプレート１２４へと受け渡される。基板Ｇはホットプレート１２４により１００℃で加熱される。このように第２予備室８１内において基板Ｇを予め加熱することで紫外線処理室８４内において基板Ｇを所定温度まで短時間で加熱できる。
【００８４】
なお、チャンバ１２１内は、循環機構１５０によって内部雰囲気がフィルター１５１を介して循環されるため、クリーンな雰囲気が安定的に維持されている（図５参照）。基板保持部材１７０は、駆動機構１７２により、基板Ｇをホットプレート１２４に受け渡した後、溝部１２４ａ内を通って初期位置へと戻される。このように基板保持部材１７０は、ホットプレート１２４の溝部１２４ａ内を移動することで移動に要する時間を短縮できる。
【００８５】
なお、基板保持部材１７０を初期位置に戻すタイミングで、サブチャンバ１１０（基板搬入口１１１ａ）を介して第１予備室８０のメインチャンバ１１１内にはロボットアーム（不図示）によって別の基板Ｇが順次搬送されている。この別の基板は、先に搬入されている基板Ｇと同様、第２予備室８１、第３予備室８２、紫外線処理室８４、第４予備室８３を経て紫外線処理ユニットＵＶから搬出されるようになっている。すなわち、本実施形態に係る紫外線処理ユニットＵＶによれば、同時に４枚の基板Ｇを隣接するチャンバ間で搬送することが可能となっている。
【００８６】
基板Ｇをホットプレート１２４によって所定時間加熱した後、駆動機構１７２は切欠１２４ｂを介して保持部１７０ａを＋Ｚ方向に上昇させることでホットプレート１２４の上方に基板Ｇを持ち上げる。そして、駆動機構１７２は基板保持部材１７０を−Ｘ方向に移動させることで第２予備室８１のチャンバ１２１内の基板Ｇを第３予備室８２のチャンバ１３１内へと移動する。
【００８７】
駆動機構１７２は、切欠１３４ｂを介して基板保持部材１７０（保持部１７０ａ）を溝部１３４ａに収容することで基板Ｇを第３予備室８２のホットプレート１３４へと受け渡す。駆動機構１７２は基板保持部材１７０を初期位置まで戻す。このように基板保持部材１７０は、ホットプレート１３４の溝部１３４ａ内を移動することで移動に要する時間を短縮できる。
【００８８】
基板Ｇはホットプレート１３４により所定時間１００℃で加熱される。このように第３予備室８２内において基板Ｇを予め加熱することで紫外線処理室８４内において基板Ｇを所定温度まで短時間で加熱できる。
なお、チャンバ１３１内は、循環機構１５０によって内部雰囲気がフィルター１５１を介して循環されるため、クリーンな雰囲気が安定的に維持されている（図５参照）。
【００８９】
なお、第１予備室８０内のホットプレート１１４に別の基板Ｇが載置されている場合においては、第２予備室８１内から第３予備室８２内へと基板Ｇが搬送されるタイミングと同時に、基板保持部材１７０によって別の基板Ｇが第１予備室８０内から第２予備室８１内へと搬送される。
【００９０】
基板Ｇをホットプレート１３４によって所定時間加熱した後、駆動機構１７２は切欠１３４ｂを介して保持部１７０ａを＋Ｚ方向に上昇させることでホットプレート１３４の上方に基板Ｇを持ち上げる。そして、駆動機構１７２は基板保持部材１７０を−Ｘ方向に移動させることで第３予備室８２のチャンバ１３１内の基板Ｇを基板搬入部１６１ａを介して紫外線処理室８４のチャンバ１６１内へと移動する。
【００９１】
駆動機構１７２は、切欠１６４ｂを介して基板保持部材１７０（保持部１７０ａ）を溝部１６４ａに収容することで基板Ｇを紫外線処理室８４のホットプレート１６４へと受け渡す。駆動機構１７２は基板保持部材１７０を初期位置まで戻す。このように基板保持部材１７０は、ホットプレート１６４の溝部１６４ａ内を移動することで移動に要する時間を短縮できる。
以上により、紫外線処理室８４への基板Ｇの搬入動作が完了する。
【００９２】
ところで、紫外線処理ユニットＵＶ内で基板Ｇの搬入が行われると、サブチャンバ１１０，１４０を介してユニットＵＶ内に外気が入り込み、紫外線処理ユニットＵＶ内部の酸素濃度が上昇する可能性がある。特に紫外線処理室８４のチャンバ１６１内の酸素濃度が上昇すると基板Ｇの表面において化学反応が生じ、不純物が生成されることで紫外線照射処理を良好に行うことができなくなってしまう可能性がある。
【００９３】
これに対し、本実施形態では、上述のように紫外線処理室８４のチャンバ１６１と紫外線処理ユニットＵＶ内に基板Ｇの搬入を行うための基板搬入口をなすサブチャンバ１１０との間に第１予備室８０乃至第３予備室８２を設けている。
【００９４】
これによれば、紫外線処理ユニットＵＶに対して基板Ｇの搬入を行った場合であっても、上記第１予備室８０乃至第３予備室８２によって紫外線処理室８４のチャンバ１６１内の雰囲気が変動するのを防止することができ、チャンバ１６１内を所定雰囲気（低酸素雰囲気）に維持することができる。
【００９５】
具体的に基板Ｇの搬入時に基板搬入部１６１ａのシャッターが開くと、第３予備室８２のチャンバ１３１内には相対的に内部圧力が高い状態（正圧状態）とされる紫外線処理室８４のチャンバ１６１内から窒素ガスが流れ込むことで酸素濃度が低い状態（チャンバ１６１の酸素濃度の９０％程度）に維持される。なお、紫外線処理室８４のチャンバ１６１は、ガス供給部１６５によって窒素ガスが供給されることで所定の低酸素雰囲気に維持することができる。
【００９６】
また、第３予備室８２のチャンバ１３１と第２予備室８１のチャンバ１２１とは連通していることから第２予備室８１のチャンバ１２１内には相対的に内部圧力が高い状態（正圧状態）とされる第３予備室８２のチャンバ１３１内から窒素ガスが流れ込むことで酸素濃度が低い状態（チャンバ１６１の酸素濃度の８０％程度）に維持される。
【００９７】
また、基板Ｇの搬入時に基板搬入部１２２のシャッターが開くと、第１予備室８０のチャンバ１１１内には相対的に内部圧力が高い状態（正圧状態）とされる第２予備室８１のチャンバ１２１内から窒素ガスが流れ込むことで酸素濃度が低い状態（チャンバ１６１の酸素濃度の７０％程度）に維持される。
【００９８】
このように本実施形態においては、基板Ｇを紫外線処理ユニットＵＶ内に基板Ｇの搬入した場合であっても、紫外線処理室８４のチャンバ１６１内を所定雰囲気に維持することができる。
【００９９】
基板Ｇが搬入された後、紫外線処理室８４は、ホットプレート１６４によって加熱される基板Ｇに対して紫外線照射部１６２の光源８６から紫外線（ｉ線）を照射する。ここで、チャンバ１６１内は上述のようにガス供給部１６５によって窒素ガスが供給されることで低酸素状態とされているため、基板Ｇに形成された現像パターンに化学変化等を生じさせることなく、良好に紫外線照射処理を行うことができる。
【０１００】
紫外線照射処理後、駆動機構１７２は切欠１６４ｂを介して保持部１７０ａを＋Ｚ方向に上昇させることでホットプレート１６４の上方に基板Ｇを持ち上げる。そして、駆動機構１７２は基板保持部材１７０を−Ｘ方向に移動させることで基板Ｇを基板搬出部１６１ｂを介して第４予備室８３のメインチャンバ１４１内へと搬入する。
【０１０１】
駆動機構１７２は、切欠１６４ｂと保持部１７０ａとがＺ方向から視て重なる位置まで基板保持部材１７０を移動させた後、基板保持部材１７０を下降させることで保持部１７０ａを溝部１４４ａ内に収容する。これにより、基板Ｇがホットプレート１４４へと受け渡される。駆動機構１７２は、基板Ｇをホットプレート１４４に受け渡した後、溝部１４４ａ内を通って基板保持部材１７０を初期待機位置まで戻す。基板Ｇはホットプレート１４４により所定時間１００℃で加熱される。このように第４予備室８３内において基板Ｇを予め加熱することでポストベークユニットＰＢ内において基板Ｇを所定温度まで短時間で加熱できる。
なお、メインチャンバ１４１内は、循環機構１５０によって内部雰囲気がフィルター１５１を介して循環されるため、クリーンな雰囲気が安定的に維持されている（図５参照）。
【０１０２】
続いて、サブチャンバ１４０（基板搬出口１４１ｂ）を介して第４予備室８３のメインチャンバ１４１内にロボットアーム（不図示）が侵入し、基板Ｇを搬出する。このとき、昇降機構１４２は支持ピン１４２ａを＋Ｚ側に移動させ、ロボットアームの高さよりも高い位置（＋Ｚ側の位置）まで基板Ｇを持ち上げ、基板Ｇの裏面にロボットアームが挿入された状態で支持ピン１４２ａを下降させる。これにより、支持ピン１４２ａからロボットアームへと基板Ｇの受け渡しを行うことができる。基板Ｇの受け渡し後、ロボットアームをメインチャンバ１４１内から退避させ、メインチャンバ１４１を密閉する。そして、ロボットアームは、サブチャンバ１４０を経て紫外線処理ユニットＵＶ内から搬出した基板ＧをポストベークユニットＰＢ内へと搬入する。
【０１０３】
ところで、紫外線処理ユニットＵＶ内から基板Ｇを搬出する際、サブチャンバ１４０を介して外気が入り込むことで紫外線処理ユニットＵＶ内部（メインチャンバ１４１）の酸素濃度が上昇する可能性がある。特に紫外線処理室８４のチャンバ１６１内の酸素濃度が上昇すると基板Ｇの表面において化学反応が生じ、不純物が生成されることで紫外線照射処理を良好に行うことができなくなってしまう可能性がある。
【０１０４】
これに対し、本実施形態では、上述のように紫外線処理室８４のチャンバ１６１と紫外線処理ユニットＵＶ内から基板Ｇの搬出を行うための基板搬出口をなすサブチャンバ１４０との間に第４予備室８３を設けている。
【０１０５】
これによれば、紫外線処理ユニットＵＶ内から基板Ｇの搬出を行う場合であっても、上記第４予備室８３によって紫外線処理室８４のチャンバ１６１内の雰囲気が変動するのを防止することができ、チャンバ１６１内を所定雰囲気（低酸素雰囲気）に維持することができる。
【０１０６】
具体的に基板Ｇの搬出時に基板搬出部１６１ｂのシャッターが開くと、メインチャンバ１４１には相対的に内部圧力が高い状態（正圧状態）とされる紫外線処理室８４のチャンバ１６１内に供給された窒素ガスが流れ込むことで酸素濃度が低い状態（チャンバ１６１の酸素濃度の８０％程度）に維持される。なお、紫外線処理室８４のチャンバ１６１は、ガス供給部１６５によって窒素ガスが供給されることで所定の低酸素雰囲気に維持することができる。
【０１０７】
このように本実施形態においては、基板Ｇを紫外線処理ユニットＵＶ内から基板Ｇを搬出した場合であっても、紫外線処理室８４のチャンバ１６１内を所定雰囲気に維持することができる。
【０１０８】
ポストベークユニットＰＢ内に搬入された基板Ｇは加熱装置５９においてポストベーク処理が行われ、冷却装置６０において冷却される。冷却処理後、基板Ｇは搬送機構１１を介してカセットＣに収容される。このようにして、基板Ｇに対して塗布処理、露光処理及び現像処理の一連の処理が行われることとなる。
【０１０９】
以上のように、本実施形態によれば、第１予備室８０乃至第４予備室８３を備えることで基板Ｇの搬入、搬出時に紫外線処理室８４内への酸素及び水分の混入を防止しつつ、紫外線処理室８４内を所定の低酸素雰囲気に安定的に維持できる。よって、従来のように低酸素を維持するための真空ポンプが不要となるので、紫外線照射ユニットＵＶの小型化及び低コスト化を実現できる。
【０１１０】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
例えば、上記実施形態では、基板保持部材１７０が複数（４枚）の基板Ｇを同時に支持する構成を例に挙げたが、基板保持部材１７０が１枚ずつの基板Ｇを載置し、駆動機構１７２により各々が独立してチャンバ間を移動する構成を採用しても構わない。
【０１１１】
また、上記実施形態では、紫外線処理室８４のチャンバ１６１と紫外線処理ユニットＵＶ内から基板Ｇの搬出を行うための基板搬出口をなすサブチャンバ１４０との間に第４予備室８３を設ける場合を例に説明したが、紫外線処理室８４のチャンバ１６１と紫外線処理ユニットＵＶ内に基板Ｇの搬入を行うための基板搬入口をなすサブチャンバ１１０との間に第１予備室８０乃至第３予備室８２のみが設けられた構成であっても構わない。
【０１１２】
また、上記実施形態では、ガス供給部１６５が紫外線処理室８４のチャンバ１６１のみに設けられる構成を例に挙げたが、第１予備室８０乃至第３予備室８２の各チャンバ１１１乃至１４１の各々にガス供給部１６５を設けるようにしても構わない。
【０１１３】
また、上記実施形態では、各チャンバ１１１乃至１４１に設けたホットプレート１１４乃至１４３について紫外線処理室８４のチャンバ１６１内に設置されるホットプレート１６４と同じ温度（１００℃）で基板Ｇを加熱する構成としたが、チャンバ１６１側から離間するに従ってホットプレート１１４乃至１４３の温度を順次低くする構成を採用することもできる。
【符号の説明】
【０１１４】
ＵＶ…紫外線処理ユニット、ＳＰＡ…基板処理装置、４７…塗布装置、５５…現像装置、８０…第１予備室、８１…第２予備室、８２…第３予備室、８３…第４予備室、８４…紫外線処理室、８５…基板移動機構、１１０…サブチャンバ（基板搬入口）、１４０…サブチャンバ（基板搬出口）、１１３，１２３，１３３，１４３，１６３…加熱機構、１１４，１２４，１３４，１４４，１６４…ホットプレート、１１４ａ、１２４ａ、１３４ａ、１４４ａ、１６４ａ…溝、１１４ｂ、１２４ｂ、１３４ｂ、１４４ｂ、１６４ｂ…切欠、１５０…循環機構、１５１…フィルター、１６２…紫外線照射部、１６５…ガス供給部、１７０…基板保持部材、１７０ａ…保持部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、紫外線照射装置及び基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイなどの表示パネルを構成するガラス基板上には、配線パターンや電極パターンなどの微細なパターンが形成されている。一般的にこのようなパターンは、例えばフォトリソグラフィなどの手法によって形成される。フォトリソグラフィ法では、レジスト膜をガラス基板に塗布する工程、レジスト膜を露光する工程、露光後のレジスト膜を現像する工程及び現像後のレジスト膜に対して紫外線を照射する工程が行われる。
【０００３】
紫外線照射工程では、例えば基板をチャンバ内に収容し、基板を搬送しつつ当該基板に紫外線を照射する紫外線照射装置が用いられる（例えば、特許文献１参照）。このような紫外線照射装置では、チャンバ内の基板搬送経路において脱水分及び脱酸素状態の環境であることが求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−９６８３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来技術では、真空ポンプを用いることでチャンバ（処理室）内を真空引きすることで上述したような脱水分及び脱酸素状態の環境に保持しているため、真空ポンプを用いることで装置のコストが高くなる、或いは装置が大型化して設置面積が嵩むといった問題が生じていた。
【０００６】
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、小型化及びコスト低減を実現した紫外線照射装置及び基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の紫外線照射装置は、基板に対する紫外線照射を行う処理室と、少なくとも前記処理室内の前記基板を加熱する加熱機構と、前記処理室内を脱酸素及び脱水分状態に保持するように該処理室内に気体を供給する気体供給部と、当該紫外線照射装置内に前記基板の搬入を行うための基板搬入口と前記処理室との間に少なくとも設けられ、前記処理室に連通されることで該処理室内を所定雰囲気に維持する予備室と、を備えることを特徴とする。
【０００８】
本発明の紫外線照射装置によれば、予備室を備えることで基板搬入時に処理室内への酸素及び水分の混入を防止しつつ、基体供給部によって処理室及び該処理室に連通する予備室内に気体を供給することで処理室内を所定雰囲気に安定的に維持できる。よって、真空ポンプを不要にできるので、装置の小型化及び低コスト化を実現できる。
【０００９】
また、上記紫外線照射装置においては、前記予備室を複数備えるのが好ましい。
この構成によれば、複数の予備室内の雰囲気を段階的に変化させることで処理室内の雰囲気を所定値に安定的に維持することができる。
【００１０】
また、上記紫外線照射装置においては、前記気体供給部は、前記処理室内に不活性ガスを供給するのが好ましい。
この構成によれば、処理室内に不活性ガスを供給することで処理室内を脱酸素及び脱水分状態に保持できる。
【００１１】
また、上記紫外線照射装置においては、前記気体供給部は、前記不活性ガスとして窒素ガスを供給するのが好ましい。
このように窒素ガスを供給することで処理室内を良好に脱酸素及び脱水分状態に保持できる。
【００１２】
また、上記紫外線照射装置においては、前記複数の予備室における内部圧力は、前記処理室側から前記基板搬入口側に向かって次第に低くなるように設定されるのが好ましい。
この構成によれば、複数の予備室内の内部圧力を処理室側から基板搬入口側に向かって次第に低くなるように設定することで処理室内の雰囲気を安定させることができる。
【００１３】
また、上記紫外線照射装置においては、前記予備室及び前記処理室間において前記基板を移動させる基板移動機構を更に備えるのが好ましい。
この構成によれば、予備室及び処理室間において基板を移動させることで装置内を通過する際に要する時間を短縮できる。
【００１４】
また、上記紫外線照射装置においては、前記加熱機構は、前記基板を保持した状態で加熱するプレートを含み、前記基板移動機構の一部は、前記プレートに設けられた溝部内を移動するのが好ましい。
この構成によれば、基板移動機構がプレートの溝部内を移動することで移動時間を短縮できる。また、基板移動機構の一部がプレート内の溝に設けられるので、ゴミ等の異物が基板に付着するのを防止することができる。
【００１５】
また、上記紫外線照射装置においては、前記加熱機構は、前記予備室内の前記基板も加熱するのが好ましい。
この構成によれば、予備室内において基板を予め加熱することができるので、処理室内において基板を所定温度まで短時間で加熱できる。
【００１６】
また、上記紫外線照射装置においては、前記予備室は、内部雰囲気を循環させる循環機構を有するのが好ましい。なお、処理室内にも循環機構を設けるようにしてよい。
この構成によれば、循環機構によって予備室内の雰囲気が循環されるので、予備室内の雰囲気を安定させることができる。
【００１７】
また、上記紫外線照射装置においては、前記循環機構は、ＨＥＰＡフィルターを用いて前記内部雰囲気の循環を行うのが好ましい。
この構成によれば、ＨＥＰＡフィルターを用いることで予備室内の異物を除去した状態で内部雰囲気循環を行うことができる。
【００１８】
また、上記紫外線照射装置においては、前記予備室は、当該紫外線照射装置内から前記基板の搬出を行うための基板搬出口と前記処理室との間にも設けられているのが好ましい。
この構成によれば、基板搬出口から基板の搬出を行う際に処理室内に酸素及び水分が混入するのを防止し、より処理室内の雰囲気を安定させることができる。
【００１９】
本発明の基板処理装置は、基板に処理液の塗布処理を行う塗布装置と、前記基板に塗布された前記処理液の現像処理を行う現像装置と、前記基板に紫外線照射処理を行う紫外線照射装置と、前記塗布処理、前記現像処理及び前記紫外線照射処理の関連処理を行う関連装置と、を備え、前記塗布装置、前記現像装置、前記紫外線照射装置及び前記関連装置の間を直列的に前記基板を搬送する基板処理装置であって、前記紫外線照射装置として、上記紫外線照射装置が用いられていることを特徴とする。
【００２０】
本発明の基板処理装置によれば、小型化及び低コスト化が図られた紫外線照射装置が用いられているため、基板処理装置自体も低コスト且つ小型で信頼性の高いものを提供できる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、小型化及びコスト低減ができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】基板処理装置を示す平面図。
【図２】紫外線処理ユニットを＋Ｚ側から見たときの構成を示す平面図。
【図３】紫外線処理ユニットを＋Ｙ側から見たときの構成を示す側面図。
【図４】紫外線処理ユニットの断面図。
【図５】図４の要部拡大断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。
【００２４】
以下、本発明の紫外線照射装置及びこれを備えた基板処理装置に係る実施例について説明する。
図１は本実施形態に係る基板処理装置ＳＰＡを示す平面図である。基板処理装置ＳＰＡは、例えばＸ方向に一列に配置されたローダ・アンローダＬＵ、塗布現像処理部ＣＤ及びインターフェース部ＩＦを備えている。基板処理装置ＳＰＡは、塗布現像処理部ＣＤがローダ・アンローダＬＵとインターフェース部ＩＦによって挟まれて配置された構成になっている。
【００２５】
（ローダ・アンローダ）
ローダ・アンローダＬＵは、複数の基板Ｇを収容するカセットＣの搬入及び搬出を行う部分である。ローダ・アンローダＬＵは、カセット待機部１０及び搬送機構１１を有している。
【００２６】
カセット待機部１０は、例えば基板処理装置ＳＰＡの−Ｘ側の端部に配置されており、複数のカセットＣを収容する。カセット待機部１０に収容されたカセットＣは、例えばＹ方向に配列されるようになっている。カセット待機部１０は、−Ｘ側に不図示の開口部が形成されており、当該開口部を介して基板処理装置ＳＰＡの外部との間でカセットＣの受け渡しが行われるようになっている。
【００２７】
搬送機構１１は、カセット待機部１０の＋Ｘ側に配置されており、カセットＣと塗布現像処理部ＣＤとの間で基板Ｇの搬送を行う。搬送機構１１は、例えばＹ方向に沿って移動可能に構成されている。具体的に搬送機構１１は−Ｙ側に移動することで、ローダ・アンローダＬＵから塗布現像処理部ＣＤへ基板Ｇを搬送する。また、搬送機構１１は＋Ｙ側に移動することで、塗布現像処理部ＣＤからローダ・アンローダＬＵへ基板Ｇを搬送する。
【００２８】
搬送機構１１は搬送アーム１２を有している。搬送アーム１２は、ガラス基板を保持する保持部を有し、例えば一方向に伸縮可能に設けられている。搬送アーム１２は、θＺ方向に回転可能に形成されている。搬送アーム１２は、例えばθＺ方向に回転することで、カセット待機部１０と塗布現像処理部ＣＤとのそれぞれの方向に向かせることが可能になっている。搬送アーム１２は、搬送アーム１２を伸縮させることで、カセット待機部１０及び塗布現像処理部ＣＤのそれぞれにアクセス可能になっている。
【００２９】
（塗布現像処理部）
塗布現像処理部ＣＤは、基板Ｇにレジスト塗布及び現像を含む一連の処理を施す部分である。塗布現像処理部ＣＤは、スクラバユニットＳＲ、脱水ベークユニットＤＨ、塗布ユニットＣＴ、プリベークユニットＰＲ、インターフェース部ＩＦ、現像ユニットＤＶ、紫外線照射ユニットＵＶ及びポストベークユニットＰＢを有している。
【００３０】
塗布現像処理部ＣＤは、Ｙ方向に分割された構成になっており、−Ｙ側の部分では、ローダ・アンローダＬＵからの基板Ｇがインターフェース部ＩＦへ向けて＋Ｘ方向に搬送されるようになっている。＋Ｙ側の部分では、インターフェース部ＩＦからの基板Ｇがローダ・アンローダＬＵへ向けて−Ｘ方向に搬送されるようになっている。
【００３１】
スクラバユニットＳＲは、ローダ・アンローダＬＵの下流に接続されており、基板Ｇの洗浄を行うユニットである。スクラバユニットＳＲは、ドライ洗浄装置４１、ウェット洗浄装置４２及びエアナイフ装置４３を有している。ドライ洗浄装置４１の−Ｘ側及びエアナイフ装置４３の＋Ｘ側には、それぞれコンベア機構ＣＶ１、ＣＶ２が設けられている。
コンベア機構ＣＶ１、ＣＶ２には、基板Ｇを搬送する不図示のベルト機構が設けられている。
【００３２】
ドライ洗浄装置４１は、例えば基板Ｇにエキシマレーザなどの紫外線を照射することにより、基板Ｇ上の有機物を除去する。ウェット洗浄装置４２は、例えば不図示のスクラビングブラシを有している。ウェット洗浄装置４２は、洗浄液及び当該スクラビングブラシを用いて基板Ｇを洗浄する。エアナイフ装置４３は、例えば不図示のエアナイフ噴射機構を有している。エアナイフ装置４３は、エアナイフ噴射機構を用いて基板Ｇ上にエアナイフを形成し、基板Ｇ上の不純物を除去する。
【００３３】
脱水ベークユニットＤＨは、スクラバユニットＳＲの下流に接続されており、基板Ｇ上を脱水するユニットである。脱水ベークユニットＤＨは、加熱装置４４、及び冷却装置４５を有している。加熱装置４４及びＨＭＤＳ装置４６は、Ｚ方向に重ねられた状態で配置されている。Ｚ方向視で加熱装置４４及びＨＭＤＳ装置４６に重なる位置にコンベア機構ＣＶ３が設けられており、Ｚ方向視で冷却装置４５に重なる位置にコンベア機構ＣＶ４が設けられている。加熱装置４４及びＨＭＤＳ装置４６と、冷却装置４５との間には、基板Ｇを搬送する搬送機構ＴＲ１が設けられている。搬送機構ＴＲ１については、例えばローダ・アンローダＬＵに設けられた搬送機構１１と同一の構成とすることができる。
【００３４】
加熱装置４４は、例えば基板Ｇを収容可能なチャンバ内にヒータを有する構成になっている。加熱装置４４は、Ｚ方向に例えば複数段配置されている。加熱装置４４は、基板Ｇを所定の温度で加熱する。ＨＭＤＳ装置４６は、ＨＭＤＳガスを基板Ｇに作用させて疎水化処理を施し、塗布ユニットＣＴにおいて基板Ｇに塗布するレジスト膜と基板Ｇとの密着性を向上させる装置である。冷却装置４５は、例えば基板Ｇを収容可能なチャンバ内に温調機構を有し、基板Ｇを所定の温度に冷却する。
【００３５】
塗布ユニットＣＴは、脱水ベークユニットＤＨの下流に接続されており、基板Ｇ上の所定の領域にレジスト膜を形成する。塗布ユニットＣＴは、塗布装置４７、減圧乾燥装置４８、周縁部除去装置４９を有している。塗布装置４７は、基板Ｇ上にレジスト膜を塗布する装置である。塗布装置４７としては、例えば回転式塗布装置、ノンスピン式塗布装置、スリットノズル塗布装置などが用いられる。これら各種の塗布装置を交換可能な構成であっても構わない。減圧乾燥装置４８は、レジスト膜を塗布した後の基板Ｇの表面を乾燥させる。周縁部除去装置４９は、基板Ｇの周縁部に塗布されたレジスト膜を除去し、レジスト膜の形状を整える装置である。
【００３６】
プリベークユニットＰＲは、塗布ユニットＣＴの下流に接続されており、基板Ｇにプリベーク処理を行うユニットである。プリベークユニットＰＲは、加熱装置５０及び冷却装置５１を有している。加熱装置５０と冷却装置５１とは、搬送機構ＴＲ２を挟むようにＹ方向に沿って配置されている。
【００３７】
現像ユニットＤＶは、プリベークユニットＰＲの冷却装置５１の−Ｘ側に接続されており、露光後の基板Ｇの現像処理を行う。現像ユニットＤＶは、現像装置５５、リンス装置５６及びエアナイフ装置５７を有している。現像装置５５は、基板Ｇに現像液を供給して現像処理を行う。リンス装置５６は、現像後の基板Ｇにリンス液を供給し、基板Ｇを洗浄する。エアナイフ装置５７は、基板Ｇ上にエアナイフを形成し、基板Ｇ上を乾燥させる。
現像装置５５の＋Ｘ側にはコンベア機構ＣＶ９が設けられており、エアナイフ装置５７の−Ｘ側にはコンベア機構ＣＶ１０が設けられている。
【００３８】
紫外線処理ユニット（紫外線照射装置）ＵＶは、現像ユニットＤＶの下流側に接続されており、現像後の基板Ｇに例えばｉ線などの紫外線を照射する。
【００３９】
ポストベークユニットＰＢは、紫外線処理ユニットＵＶの下流側に接続されており、紫外線処理後の基板Ｇをベークする。ポストベークユニットＰＢは、加熱装置５９及び冷却装置６０を有している。加熱装置５９は、現像後の基板Ｇにポストベークを行う。冷却装置６０は、ポストベーク後の基板Ｇを冷却する。
【００４０】
インターフェース部ＩＦは、露光装置ＥＸに接続される部分である。インターフェース部ＩＦは、バッファ装置５２、搬送機構ＴＲ３、コンベア機構ＣＶ７、ＣＶ８及び周辺露光装置ＥＥを有している。バッファ装置５２は、プリベークユニットＰＲの搬送機構ＴＲ２の＋Ｘ側に配置されている。バッファ装置５２の＋Ｘ側には、搬送機構ＴＲ３が設けられている。
【００４１】
バッファ装置５２は、基板Ｇを一時的に待機させておく装置である。バッファ装置５２には、基板Ｇを収容する不図示のチャンバや、当該チャンバ内の温度を調整する温調装置、チャンバ内に収容された基板ＧのθＺ方向の位置を調整する回転制御装置などが設けられている。バッファ装置５２のチャンバ内では、基板Ｇの温度を所定の温度に保持できるようになっている。コンベア機構ＣＶ７、ＣＶ８は、プリベークユニットＰＲの冷却装置５１をＸ方向に挟むように配置されている。
【００４２】
（紫外線照射装置）
図２は、紫外線処理ユニットＵＶを＋Ｚ側から見たときの構成を示す平面図である。図３は、紫外線処理ユニットＵＶを＋Ｙ側から見たときの構成を示す側面図である。図４は、図２における紫外線処理ユニットＵＶの断面構成を示す図であり、図５は図４の要部拡大断面図である。なお、図２〜図５においては、図を判別しやすくするため、それぞれ一部の構成を省略して示している。
【００４３】
図２、３に示すように、紫外線処理ユニットＵＶは、第１〜第４予備室８０〜８３と、紫外線処理室８４と、これら予備室８０〜８３及び紫外線処理室８４間で基板Ｇを移動させる基板移動機構８５と、を有している。第１〜第４予備室８０〜８３は、後述するように紫外線処理室８４内を所定雰囲気に維持するためのものである。
【００４４】
第１予備室８０は、サブチャンバ１１０、メインチャンバ１１１、昇降機構１１２及び加熱機構１１３を有している。サブチャンバ１１０は現像ユニットＤＶに接続され、現像処理後の基板Ｇを紫外線処理ユニットＵＶ内に搬入するためのものである。
【００４５】
メインチャンバ１１１は、サブチャンバ１１０との接続部分に基板搬入口１１１ａを有しており、該基板搬入口１１１ａは不図示の開閉シャッターにより開閉可能とされている。すなわち、サブチャンバ１１０は紫外線処理ユニットＵＶ内に基板Ｇの搬入を行うための基板搬入口（不図示）を構成している。メインチャンバ１１１は後述する所定雰囲気において基板Ｇを加熱した状態で収容するためのものである。また、メインチャンバ１１１は循環機構１５０に接続されており、内部雰囲気が循環されるようになっている。
【００４６】
サブチャンバ１１０には排気ダクト１１０ａが接続されており、サブチャンバ１１０内の雰囲気が排気されるようになっている。これにより、サブチャンバ１１０内の内部圧力が略一定に保持されるようになっている。サブチャンバ１１０には、不図示の気流調整部が設けられており、該気流調整部によって、メインチャンバ１１１からサブチャンバ１１０に流れた窒素画素が排気ダクト１１０ａへ流れるようになっている。また、サブチャンバ１１０の搬入口が開口したときにも、大気が排気ダクト１１０ａ側へ流れるようになっている。
【００４７】
循環機構１５０はメインチャンバ１１１内の雰囲気を基板Ｇの一端側から吸気した雰囲気をフィルター１５１に透過させることで該基板Ｇの他端側に排出するようになっている（図３参照）。フィルター１５１としては、ＨＥＰＡフィルターを用いており、これにより内部雰囲気中に含まれた異物を除去した状態でメインチャンバ１１１内に循環させるようにしている。
【００４８】
昇降機構１１２は、Ｚ方向に移動可能に設けられている。昇降機構１１２の＋Ｚ側には、例えば複数の支持ピン１１２ａが設けられている。複数の支持ピン１１２ａの＋Ｚ側の端部は、例えばＸＹ平面に平行な同一面内に設けられている。このため、複数の支持ピン１１２ａによって基板ＧがＸＹ平面に平行に支持されるようになっている。
【００４９】
昇降機構１１２は、メインチャンバ１１１内に収容される基板Ｇを支持しつつ、当該基板Ｇをメインチャンバ１１１内のＺ方向に沿って昇降可能となっている。昇降機構１１２は、例えばロボットアーム等によって現像ユニットＤＶから搬入された基板Ｇを受け取るためのものである。昇降機構１１２は、上昇させた支持ピン１１２ａ間の隙間にロボットアームを挿入させることでロボットアームとの間で基板Ｇの受け渡しを行うことができる。
【００５０】
加熱機構１１３は、基板Ｇを加熱した状態で保持するホットプレート１１４を主体に構成されるものである。ホットプレート１１４におけるＸ方向に沿う端面には、後述する基板移動機構８５の一部を移動可能とする溝部１１４ａが形成されている（図３参照）。なお、ホットプレート１１４の表面温度は例えば１００℃に設定されている。
【００５１】
第２予備室８１は、チャンバ１２１及び加熱機構１２３を有している。チャンバ１２１は、第１予備室８０のメインチャンバ１１１との接続部分に基板搬入部１２２を有しており、基板搬入部１２２はシャッター構造により開閉可能となっている。チャンバ１２１は後述する所定雰囲気において基板Ｇを加熱した状態で収容するためのものである。また、チャンバ１２１はフィルター１５１を介して循環機構１５０に接続されており、内部雰囲気が循環されるようになっている。
【００５２】
加熱機構１２３は、基板Ｇを加熱した状態で保持するホットプレート１２４を主体に構成されるものである。ホットプレート１２４におけるＸ方向に沿う端面には、後述する基板移動機構８５の一部を移動可能とする溝部１２４ａが形成されている（図３参照）。なお、ホットプレート１２４の表面温度は例えば１００℃に設定されている。
【００５３】
第３予備室８２は、チャンバ１３１及び加熱機構１３３を有している。チャンバ１３１は、第２予備室８１のチャンバ１１１との接続部分に間隔壁１３２を有している。なお、間隔壁１３２は第３予備室８２のチャンバ１３１と第２予備室８１のチャンバ１２１とは連通した状態に形成されている。チャンバ１３１は後述する所定雰囲気において基板Ｇを加熱した状態で収容するためのものである。また、チャンバ１３１はフィルター１５１を介して循環機構１５０に接続されており、内部雰囲気が循環されるようになっている。
【００５４】
加熱機構１３３は、基板Ｇを加熱した状態で保持するホットプレート１３４を主体に構成されるものである。ホットプレート１３４におけるＸ方向に沿う端面には、後述する基板移動機構８５の一部を移動可能とする溝部１３４ａが形成されている（図３参照）。なお、ホットプレート１３４の表面温度は例えば１００℃に設定されている。
【００５５】
第４予備室８３は、サブチャンバ１４０、メインチャンバ１４１、昇降機構１４２及び加熱機構１４３を有している。サブチャンバ１４０はポストベークユニットＰＢに接続され、紫外線照射処理後の基板ＧをポストベークユニットＰＢ内に搬入するためのものである。すなわち、サブチャンバ１４０は紫外線処理ユニットＵＶ内から基板Ｇの搬出するための基板搬出口を構成している。
【００５６】
メインチャンバ１４１は、サブチャンバ１４０との接続部分に基板搬入口１４１ａを有しており、該基板搬入口１４１ａは不図示の開閉シャッターにより開閉可能とされている。メインチャンバ１４１は紫外線の照射処理が行われた基板Ｇを収容する。メインチャンバ１４１は後述する所定雰囲気において基板Ｇを加熱した状態で収容するためのものである。また、チャンバ１４１はフィルター１５１を介して循環機構１５０に接続されており、内部雰囲気が循環されるようになっている。
【００５７】
昇降機構１４２は、Ｚ方向に移動可能に設けられている。昇降機構１４２の＋Ｚ側には、例えば複数の支持ピン１４２ａが設けられている。複数の支持ピン１４２ａの＋Ｚ側の端部は、例えばＸＹ平面に平行な同一面内に設けられている。このため、複数の支持ピン１４２ａによって基板ＧがＸＹ平面に平行に支持されるようになっている。
【００５８】
昇降機構１４２は、メインチャンバ１４１内に収容される基板Ｇを支持しつつ、当該基板Ｇをメインチャンバ１４１内のＺ方向に沿って昇降可能となっている。昇降機構１４２は、例えばロボットアーム等により、サブチャンバ１４０を介してポストベークユニットＰＢとの間で基板Ｇの受け渡しを行うためのものである。昇降機構１１２は、上昇させた支持ピン１１２ａ間の隙間にロボットアームを挿入させることでロボットアームとの間で基板Ｇの受け渡しを行うことができる。
【００５９】
加熱機構１４３は、基板Ｇを加熱した状態で保持するホットプレート１４４を主体に構成されるものである。ホットプレート１４４におけるＸ方向に沿う端面には、後述する基板移動機構８５の一部を移動可能とする溝部１４４ａが形成されている（図３参照）。なお、ホットプレート１４４の表面温度は例えば１００℃に設定されている。
【００６０】
紫外線処理室８４は、チャンバ１６１、チャンバ１６１内の基板Ｇに対して紫外線を照射する紫外線照射部１６２、加熱機構１６３及びチャンバ１６１内に不活性ガス（気体）を供給するガス供給部１６５を有している。
【００６１】
チャンバ１６１は紫外線の照射処理が行われる基板Ｇを収容する。紫外線照射部１６２は、Ｘ方向に沿って走査しながらチャンバ１６１内の基板Ｇに対して紫外線を照明するようにチャンバ１６１の上面に取り付けられている。また、チャンバ１６１は、不図示の領域においてフィルター１５１を介して循環機構１５０に接続されており、内部雰囲気が循環されるようになっている。
【００６２】
チャンバ１６１は、第３予備室８２のチャンバ１３１との接続部分に基板搬入部１６１ａを有しており、第４予備室８３のメインチャンバ１４１との接続部分に基板搬出部１６１ｂを有している。これら基板搬入部１６１ａ及び基板搬出部１６１ｂはシャッター構造により開閉可能とされている。
【００６３】
紫外線照射部１６２は、基板Ｇに照射する紫外線を照明する。紫外線照射部１６２は、紫外線を照射する光源８６を有し、該光源８６が基板Ｇに対してＸ方向に走査可能に構成されている。光源８６としては、紫外線（例えばｉ線など）を照射する光源が用いられている。光源８６として、波長３４０ｎｍ〜４２０ｎｍの範囲の紫外線を照射するメタルハライドランプ、ＬＥＤランプ、及び高圧水銀ランプ等を例示することができる。具体的に本実施形態では、高圧水銀ランプを採用した。なお、光源８６に所定の波長の紫外線のみを透過させる紫外線カットを設け、上記ｉ線を照射するようにしても構わない。光源８６は、上記ｉ線を照射することで、基板Ｇに形成されたレジスト表面をキュアし、レジストの後の工程においてレジストが熱等によるダレが生じるのを防止することができる。
【００６４】
加熱機構１６３は基板Ｇを加熱した状態で保持するホットプレート１６４を主体に構成されるものである。ホットプレート１６４におけるＸ方向に沿う端面には、後述する基板移動機構８５の一部を移動可能とする溝部１６４ａが形成されている。なお、ホットプレート１６４の表面温度は例えば１００℃に設定されている。
【００６５】
ガス供給部１６５は、チャンバ１６１内に不活性ガス（気体）を供給するためのものである。上記不活性ガスとしては窒素ガスを用いるのが好ましく、ガス供給部１６５は窒素ガスをチャンバ１６１内に供給することで低酸素状態（脱酸素及び脱水分状態）に保持している。具体的にガス供給部１６５は、チャンバ１６１内の酸素濃度が１００ｐｐｍ程度となるようにチャンバ１６１内に窒素ガスを供給する。なお、紫外線処理ユニットＵＶは、装置の立ち上げ時に、処理室８４以外の予備室８０〜８３にも不図示のガス供給部から窒素ガスを導入し、予備室８０〜８３及び処理室８４全体を脱酸素、脱水分状態に保持するようにしている。
【００６６】
上述の第１予備室８０のメインチャンバ１１１、第２予備室８１のチャンバ１２１、第３予備室８２のチャンバ１３１、処理室８４の内部圧力は、不図示の圧力調整機構により紫外線処理室８４のチャンバ１６１側からサブチャンバ１１０側に向かって次第に低くなるように設定されている。また、第４予備室８３のメインチャンバ１４１の内部圧力は、紫外線処理室８４のチャンバ１６１よりも低く設定されている。すなわち、紫外線処理室８４のチャンバ１６１は、他のチャンバ１１１、１２１、１３１、１４１に対して正圧状態とされている。
【００６７】
この構成に基づき、紫外線処理室８４のチャンバ１６１内にガス供給部１６５によって供給された窒素ガスは、チャンバ１６１内に基板Ｇを搬入する際に基板搬入部１６１ａのシャッターが開くと相対的に圧力の低いチャンバ１３１及び該チャンバ１３１に連通するチャンバ１２１内へと流れ込むようになっている。また、チャンバ１２１内の窒素ガスは、第１予備室８０のメインチャンバ１１１からチャンバ１２１内に基板Ｇを搬入する際に基板搬入部１２２のシャッターが開くと相対的に圧力の低いメインチャンバ１１１内へと流れ込むようになっている。また、チャンバ１６１内の窒素ガスは、チャンバ１６１内から基板Ｇを搬出する際に基板搬入部１６１ａのシャッターが開くと相対的に圧力の低い第４予備室８３のメインチャンバ１１１内へと流れ込むようになっている。
これにより、チャンバ１６１側に近いチャンバ１４１，１３１，１２１，１１１の順に酸素濃度が低い状態が維持されるようになっている。
【００６８】
具体的に第１予備室８０のメインチャンバ１１１の酸素濃度は、紫外線処理室８４のチャンバ１６１の酸素濃度を１００％とした時の７０％程度に設定され、第２予備室８１のチャンバ１２１の酸素濃度は８０％程度、第３予備室８２のチャンバ１３１及び第４予備室８３のメインチャンバ１４１の酸素濃度は９０％程度に設定されている。
【００６９】
図４に示すように基板移動機構８５は、基板保持部材１７０と、該基板保持部材１７０をガイドするガイド部１７１と、ガイド部１７１に沿って基板保持部材１７０を駆動させる駆動機構１７２とを有している。基板保持部材１７０は、基板ＧのＹ方向における両端部の裏面側を保持する保持部１７０ａを有する。なお、基板保持部材１７０は、同時に４枚の基板Ｇを保持可能な大きさを有している。ガイド部１７１は予備室８０〜８３及び紫外線処理室８４間の各チャンバを連通した状態に設けられている。基板保持部材１７０は駆動機構１７２によってＸ方向及びＺ方向に移動可能とされている。
【００７０】
このような構成に基づき、基板移動機構８５は、基板保持部材１７０をＸ方向に移動させることで複数（最大で４枚）の基板Ｇを同時に各チャンバ１１１，１２１，１３１，１６１，１４１内で移動可能となっている。これにより、紫外線処理ユニットＵＶ内を通過する基板Ｇのタクトを短縮することができる。
【００７１】
図２に示したように基板保持部材１７０は、保持部１７０ａがホットプレート１１４の溝部１１４ａ、ホットプレート１２４の溝部１２４ａ、ホットプレート１３４の溝部１３４ａ、及びホットプレート１４４の溝部１４４ａ内を移動可能とされている。また、上記ホットプレート１１４、１２４、１３４、１４４、１６４の各々には、上記溝１１４ａ、１２４ａ、１３４ａ、１４４ａ、１６４ａに連通する切欠１１４ｂ、１２４ｂ、１３４ｂ、１４４ｂ、１６４ｂ（以下、切欠１１４ｂ〜１６４ｂと称す場合もある）がそれぞれ形成されている。
【００７２】
駆動機構１７２は、上記切欠１１４ｂ〜１６４ｂを介して基板保持部材１７０の保持部１７０ａをホットプレート１１４〜１６４の上方に突出させることが可能となっている。一方、基板Ｇを保持した基板保持部材１７０の保持部１７０ａは、各切欠１１４ｂ〜１６４ｂを介して下降することで各ホットプレート１１４〜１６４内に収容されることで対応するホットプレートに基板Ｇを良好に載置することができる。このような構成に基づき、基板保持部材１７０はホットプレート１１４〜１６４との間で基板Ｇの受け渡し又は受け取りを行うことが可能となっている。
【００７３】
以上のように構成された基板処理装置ＳＰＡを用いる基板処理方法を説明する。
まず、基板Ｇが収容されたカセットＣをローダ・アンローダＬＵのカセット待機部１０にロードする。カセットＣ内の基板Ｇは、搬送機構１１を介してスクラバユニットＳＲへ搬送される。
【００７４】
スクラバユニットＳＲに搬送された基板Ｇは、コンベア機構ＣＶ１を介してドライ洗浄装置４１へ搬送される。この基板Ｇは、ドライ洗浄装置４１、ウェット洗浄装置４２及びエアナイフ装置４３と順に処理される。エアナイフ装置４３から搬出された基板Ｇは、コンベア機構ＣＶ２を介して脱水ベークユニットＤＨへと搬送される。
【００７５】
脱水ベークユニットＤＨでは、まず加熱装置４４によって基板Ｇの加熱処理が行われる。加熱後の基板Ｇは、例えばＺ方向に搬送され、ＨＭＤＳ装置４６においてＨＭＤＳガスによる処理が行われる。ＨＭＤＳ処理後の基板Ｇは、搬送機構ＴＲ１によって冷却装置４５に搬送され、冷却処理が行われる。冷却処理後の基板Ｇは、コンベア機構ＣＶ４によって塗布ユニットＣＴに搬送される。
【００７６】
その後、基板Ｇは塗布ユニットＣＴにおいてレジスト膜の塗布処理が行われる。塗布処理後の基板ＧはプリベークユニットＰＲに搬送され、加熱装置５０においてプリベーク処理が行われ、冷却装置５１において冷却処理が行われる。プリベークユニットＰＲでの処理を完了させた基板Ｇは、搬送機構ＴＲ２によってインターフェース部ＩＦに搬送される。
【００７７】
インターフェース部ＩＦでは、例えばバッファ装置５２において温度調整が行われた後、周辺露光装置ＥＥにおいて周辺露光が行われる。周辺露光の後、基板Ｇは、搬送機構ＴＲ３によって露光装置ＥＸに搬送され、露光処理が行われる。露光処理後の基板Ｇは、加熱処理及び冷却処理が行われた後、現像ユニットＤＶに搬送される。
【００７８】
現像ユニットＤＶにおいて、基板Ｇには現像処理、リンス処理及び乾燥処理が順に行われる。乾燥処理の後、コンベア機構ＣＶ１０によって基板Ｇは紫外線処理ユニットＵＶへと搬送される。
【００７９】
なお、以下では、紫外線処理ユニットＵＶ内に搬入した１枚の基板Ｇが各チャンバ間を移動する工程について説明する。
まず、はじめに紫外線処理ユニットＵＶでは、サブチャンバ１１０（基板搬入口１１１ａ）を介して第１予備室８０のメインチャンバ１１１内に不図示のロボットアームによって基板Ｇが搬送される。このとき、昇降機構１１２は支持ピン１１２ａを＋Ｚ側に移動させ、ロボットアームの高さよりも高い位置（＋Ｚ側の位置）まで基板Ｇを持ち上げる。これにより、ロボットアームから支持ピン１１２ａへと基板Ｇが受け渡される。基板Ｇの受け渡し後、ロボットアームをメインチャンバ１１１内から退避させ、メインチャンバ１１１を密閉する。
【００８０】
基板Ｇを受け取った後、昇降機構１１２は支持ピン１１２ａを下降させることで基板Ｇをホットプレート１１４上に載置する。基板Ｇはホットプレート１１４により１００℃で加熱される。このように第１予備室８０内において基板Ｇを予め加熱することで紫外線処理室８４内において基板Ｇを所定温度まで短時間で加熱できる。なお、チャンバ１１１内は、循環機構１５０によって内部雰囲気がフィルター１５１を介して循環されるため、クリーンな雰囲気が安定的に維持されている（図５参照）。なお、図５は第２予備室８１のチャンバ１２１内における内部雰囲気の循環状態を示すものの、第１予備室８０のチャンバ１１１内においても同様である。具体的にチャンバ１１１内の内部雰囲気はチャンバ１２１の側方の下部に設けられた雰囲気導入部１２５を介して循環機構１５０へと導かれるようになっている。内部雰囲気は雰囲気導入部１２５を介して上方へと導かれる構成となっているため、例えば内部雰囲気中に昇華物等の異物が含まれた場合に該異物は雰囲気導入部１２５に設けられた不図示のフィルター等によって捕獲することができる。よって、循環機構１５０に対して異物を除去した気体を供給することができる。
【００８１】
基板Ｇをホットプレート１１４によって所定時間加熱した後、駆動機構１７２は切欠１１４ｂを介してホットプレート１１４内に収容されている基板保持部材１７０の保持部１７０ａを＋Ｚ方向に上昇させる。
これにより、ホットプレート１１４に保持されていた基板Ｇは保持部１７０ａによってホットプレート１１４の上方に持ち上げられる。
【００８２】
続いて、駆動機構１７２は、基板保持部材１７０を用いて基板Ｇを第１予備室８０内から第２予備室８１内へと移動する。紫外線処理ユニットＵＶでは、基板保持部材１７０が４つの基板Ｇを同時に載置可能な大きさを有していることから隣接するチャンバ間において基板Ｇを移動させる際、基板保持部材１７０が一体で移動する構成となっている。そのため、基板搬入部１２２、基板搬入部１６１ａ、基板搬出部１６１ｂのシャッターを同時に開くことで、駆動機構１７２が基板保持部材１７０をＸ方向に沿って移動できる構成としている。
【００８３】
基板Ｇを保持した基板保持部材１７０は、駆動機構１７２によって−Ｘ方向に移動し、基板搬入部１２２を介して第２予備室８１内に基板Ｇを搬入する。駆動機構１７２は、切欠１２４ａと保持部１７０ａとがＺ方向から視て重なる位置まで基板保持部材１７０を移動させ、基板保持部材１７０の保持部１７０ａを下降させることで保持部１７０ａを溝部１２４ａ内に収容する。これにより、基板Ｇは、基板保持部材１７０からホットプレート１２４へと受け渡される。基板Ｇはホットプレート１２４により１００℃で加熱される。このように第２予備室８１内において基板Ｇを予め加熱することで紫外線処理室８４内において基板Ｇを所定温度まで短時間で加熱できる。
【００８４】
なお、チャンバ１２１内は、循環機構１５０によって内部雰囲気がフィルター１５１を介して循環されるため、クリーンな雰囲気が安定的に維持されている（図５参照）。基板保持部材１７０は、駆動機構１７２により、基板Ｇをホットプレート１２４に受け渡した後、溝部１２４ａ内を通って初期位置へと戻される。このように基板保持部材１７０は、ホットプレート１２４の溝部１２４ａ内を移動することで移動に要する時間を短縮できる。
【００８５】
なお、基板保持部材１７０を初期位置に戻すタイミングで、サブチャンバ１１０（基板搬入口１１１ａ）を介して第１予備室８０のメインチャンバ１１１内にはロボットアーム（不図示）によって別の基板Ｇが順次搬送されている。この別の基板は、先に搬入されている基板Ｇと同様、第２予備室８１、第３予備室８２、紫外線処理室８４、第４予備室８３を経て紫外線処理ユニットＵＶから搬出されるようになっている。すなわち、本実施形態に係る紫外線処理ユニットＵＶによれば、同時に４枚の基板Ｇを隣接するチャンバ間で搬送することが可能となっている。
【００８６】
基板Ｇをホットプレート１２４によって所定時間加熱した後、駆動機構１７２は切欠１２４ｂを介して保持部１７０ａを＋Ｚ方向に上昇させることでホットプレート１２４の上方に基板Ｇを持ち上げる。そして、駆動機構１７２は基板保持部材１７０を−Ｘ方向に移動させることで第２予備室８１のチャンバ１２１内の基板Ｇを第３予備室８２のチャンバ１３１内へと移動する。
【００８７】
駆動機構１７２は、切欠１３４ｂを介して基板保持部材１７０（保持部１７０ａ）を溝部１３４ａに収容することで基板Ｇを第３予備室８２のホットプレート１３４へと受け渡す。駆動機構１７２は基板保持部材１７０を初期位置まで戻す。このように基板保持部材１７０は、ホットプレート１３４の溝部１３４ａ内を移動することで移動に要する時間を短縮できる。
【００８８】
基板Ｇはホットプレート１３４により所定時間１００℃で加熱される。このように第３予備室８２内において基板Ｇを予め加熱することで紫外線処理室８４内において基板Ｇを所定温度まで短時間で加熱できる。
なお、チャンバ１３１内は、循環機構１５０によって内部雰囲気がフィルター１５１を介して循環されるため、クリーンな雰囲気が安定的に維持されている（図５参照）。
【００８９】
なお、第１予備室８０内のホットプレート１１４に別の基板Ｇが載置されている場合においては、第２予備室８１内から第３予備室８２内へと基板Ｇが搬送されるタイミングと同時に、基板保持部材１７０によって別の基板Ｇが第１予備室８０内から第２予備室８１内へと搬送される。
【００９０】
基板Ｇをホットプレート１３４によって所定時間加熱した後、駆動機構１７２は切欠１３４ｂを介して保持部１７０ａを＋Ｚ方向に上昇させることでホットプレート１３４の上方に基板Ｇを持ち上げる。そして、駆動機構１７２は基板保持部材１７０を−Ｘ方向に移動させることで第３予備室８２のチャンバ１３１内の基板Ｇを基板搬入部１６１ａを介して紫外線処理室８４のチャンバ１６１内へと移動する。
【００９１】
駆動機構１７２は、切欠１６４ｂを介して基板保持部材１７０（保持部１７０ａ）を溝部１６４ａに収容することで基板Ｇを紫外線処理室８４のホットプレート１６４へと受け渡す。駆動機構１７２は基板保持部材１７０を初期位置まで戻す。このように基板保持部材１７０は、ホットプレート１６４の溝部１６４ａ内を移動することで移動に要する時間を短縮できる。
以上により、紫外線処理室８４への基板Ｇの搬入動作が完了する。
【００９２】
ところで、紫外線処理ユニットＵＶ内で基板Ｇの搬入が行われると、サブチャンバ１１０，１４０を介してユニットＵＶ内に外気が入り込み、紫外線処理ユニットＵＶ内部の酸素濃度が上昇する可能性がある。特に紫外線処理室８４のチャンバ１６１内の酸素濃度が上昇すると基板Ｇの表面において化学反応が生じ、不純物が生成されることで紫外線照射処理を良好に行うことができなくなってしまう可能性がある。
【００９３】
これに対し、本実施形態では、上述のように紫外線処理室８４のチャンバ１６１と紫外線処理ユニットＵＶ内に基板Ｇの搬入を行うための基板搬入口をなすサブチャンバ１１０との間に第１予備室８０乃至第３予備室８２を設けている。
【００９４】
これによれば、紫外線処理ユニットＵＶに対して基板Ｇの搬入を行った場合であっても、上記第１予備室８０乃至第３予備室８２によって紫外線処理室８４のチャンバ１６１内の雰囲気が変動するのを防止することができ、チャンバ１６１内を所定雰囲気（低酸素雰囲気）に維持することができる。
【００９５】
具体的に基板Ｇの搬入時に基板搬入部１６１ａのシャッターが開くと、第３予備室８２のチャンバ１３１内には相対的に内部圧力が高い状態（正圧状態）とされる紫外線処理室８４のチャンバ１６１内から窒素ガスが流れ込むことで酸素濃度が低い状態（チャンバ１６１の酸素濃度の９０％程度）に維持される。なお、紫外線処理室８４のチャンバ１６１は、ガス供給部１６５によって窒素ガスが供給されることで所定の低酸素雰囲気に維持することができる。
【００９６】
また、第３予備室８２のチャンバ１３１と第２予備室８１のチャンバ１２１とは連通していることから第２予備室８１のチャンバ１２１内には相対的に内部圧力が高い状態（正圧状態）とされる第３予備室８２のチャンバ１３１内から窒素ガスが流れ込むことで酸素濃度が低い状態（チャンバ１６１の酸素濃度の８０％程度）に維持される。
【００９７】
また、基板Ｇの搬入時に基板搬入部１２２のシャッターが開くと、第１予備室８０のチャンバ１１１内には相対的に内部圧力が高い状態（正圧状態）とされる第２予備室８１のチャンバ１２１内から窒素ガスが流れ込むことで酸素濃度が低い状態（チャンバ１６１の酸素濃度の７０％程度）に維持される。
【００９８】
このように本実施形態においては、基板Ｇを紫外線処理ユニットＵＶ内に基板Ｇの搬入した場合であっても、紫外線処理室８４のチャンバ１６１内を所定雰囲気に維持することができる。
【００９９】
基板Ｇが搬入された後、紫外線処理室８４は、ホットプレート１６４によって加熱される基板Ｇに対して紫外線照射部１６２の光源８６から紫外線（ｉ線）を照射する。ここで、チャンバ１６１内は上述のようにガス供給部１６５によって窒素ガスが供給されることで低酸素状態とされているため、基板Ｇに形成された現像パターンに化学変化等を生じさせることなく、良好に紫外線照射処理を行うことができる。
【０１００】
紫外線照射処理後、駆動機構１７２は切欠１６４ｂを介して保持部１７０ａを＋Ｚ方向に上昇させることでホットプレート１６４の上方に基板Ｇを持ち上げる。そして、駆動機構１７２は基板保持部材１７０を−Ｘ方向に移動させることで基板Ｇを基板搬出部１６１ｂを介して第４予備室８３のメインチャンバ１４１内へと搬入する。
【０１０１】
駆動機構１７２は、切欠１６４ｂと保持部１７０ａとがＺ方向から視て重なる位置まで基板保持部材１７０を移動させた後、基板保持部材１７０を下降させることで保持部１７０ａを溝部１４４ａ内に収容する。これにより、基板Ｇがホットプレート１４４へと受け渡される。駆動機構１７２は、基板Ｇをホットプレート１４４に受け渡した後、溝部１４４ａ内を通って基板保持部材１７０を初期待機位置まで戻す。基板Ｇはホットプレート１４４により所定時間１００℃で加熱される。このように第４予備室８３内において基板Ｇを予め加熱することでポストベークユニットＰＢ内において基板Ｇを所定温度まで短時間で加熱できる。
なお、メインチャンバ１４１内は、循環機構１５０によって内部雰囲気がフィルター１５１を介して循環されるため、クリーンな雰囲気が安定的に維持されている（図５参照）。
【０１０２】
続いて、サブチャンバ１４０（基板搬出口１４１ｂ）を介して第４予備室８３のメインチャンバ１４１内にロボットアーム（不図示）が侵入し、基板Ｇを搬出する。このとき、昇降機構１４２は支持ピン１４２ａを＋Ｚ側に移動させ、ロボットアームの高さよりも高い位置（＋Ｚ側の位置）まで基板Ｇを持ち上げ、基板Ｇの裏面にロボットアームが挿入された状態で支持ピン１４２ａを下降させる。これにより、支持ピン１４２ａからロボットアームへと基板Ｇの受け渡しを行うことができる。基板Ｇの受け渡し後、ロボットアームをメインチャンバ１４１内から退避させ、メインチャンバ１４１を密閉する。そして、ロボットアームは、サブチャンバ１４０を経て紫外線処理ユニットＵＶ内から搬出した基板ＧをポストベークユニットＰＢ内へと搬入する。
【０１０３】
ところで、紫外線処理ユニットＵＶ内から基板Ｇを搬出する際、サブチャンバ１４０を介して外気が入り込むことで紫外線処理ユニットＵＶ内部（メインチャンバ１４１）の酸素濃度が上昇する可能性がある。特に紫外線処理室８４のチャンバ１６１内の酸素濃度が上昇すると基板Ｇの表面において化学反応が生じ、不純物が生成されることで紫外線照射処理を良好に行うことができなくなってしまう可能性がある。
【０１０４】
これに対し、本実施形態では、上述のように紫外線処理室８４のチャンバ１６１と紫外線処理ユニットＵＶ内から基板Ｇの搬出を行うための基板搬出口をなすサブチャンバ１４０との間に第４予備室８３を設けている。
【０１０５】
これによれば、紫外線処理ユニットＵＶ内から基板Ｇの搬出を行う場合であっても、上記第４予備室８３によって紫外線処理室８４のチャンバ１６１内の雰囲気が変動するのを防止することができ、チャンバ１６１内を所定雰囲気（低酸素雰囲気）に維持することができる。
【０１０６】
具体的に基板Ｇの搬出時に基板搬出部１６１ｂのシャッターが開くと、メインチャンバ１４１には相対的に内部圧力が高い状態（正圧状態）とされる紫外線処理室８４のチャンバ１６１内に供給された窒素ガスが流れ込むことで酸素濃度が低い状態（チャンバ１６１の酸素濃度の８０％程度）に維持される。なお、紫外線処理室８４のチャンバ１６１は、ガス供給部１６５によって窒素ガスが供給されることで所定の低酸素雰囲気に維持することができる。
【０１０７】
このように本実施形態においては、基板Ｇを紫外線処理ユニットＵＶ内から基板Ｇを搬出した場合であっても、紫外線処理室８４のチャンバ１６１内を所定雰囲気に維持することができる。
【０１０８】
ポストベークユニットＰＢ内に搬入された基板Ｇは加熱装置５９においてポストベーク処理が行われ、冷却装置６０において冷却される。冷却処理後、基板Ｇは搬送機構１１を介してカセットＣに収容される。このようにして、基板Ｇに対して塗布処理、露光処理及び現像処理の一連の処理が行われることとなる。
【０１０９】
以上のように、本実施形態によれば、第１予備室８０乃至第４予備室８３を備えることで基板Ｇの搬入、搬出時に紫外線処理室８４内への酸素及び水分の混入を防止しつつ、紫外線処理室８４内を所定の低酸素雰囲気に安定的に維持できる。よって、従来のように低酸素を維持するための真空ポンプが不要となるので、紫外線照射ユニットＵＶの小型化及び低コスト化を実現できる。
【０１１０】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
例えば、上記実施形態では、基板保持部材１７０が複数（４枚）の基板Ｇを同時に支持する構成を例に挙げたが、基板保持部材１７０が１枚ずつの基板Ｇを載置し、駆動機構１７２により各々が独立してチャンバ間を移動する構成を採用しても構わない。
【０１１１】
また、上記実施形態では、紫外線処理室８４のチャンバ１６１と紫外線処理ユニットＵＶ内から基板Ｇの搬出を行うための基板搬出口をなすサブチャンバ１４０との間に第４予備室８３を設ける場合を例に説明したが、紫外線処理室８４のチャンバ１６１と紫外線処理ユニットＵＶ内に基板Ｇの搬入を行うための基板搬入口をなすサブチャンバ１１０との間に第１予備室８０乃至第３予備室８２のみが設けられた構成であっても構わない。
【０１１２】
また、上記実施形態では、ガス供給部１６５が紫外線処理室８４のチャンバ１６１のみに設けられる構成を例に挙げたが、第１予備室８０乃至第３予備室８２の各チャンバ１１１乃至１４１の各々にガス供給部１６５を設けるようにしても構わない。
【０１１３】
また、上記実施形態では、各チャンバ１１１乃至１４１に設けたホットプレート１１４乃至１４３について紫外線処理室８４のチャンバ１６１内に設置されるホットプレート１６４と同じ温度（１００℃）で基板Ｇを加熱する構成としたが、チャンバ１６１側から離間するに従ってホットプレート１１４乃至１４３の温度を順次低くする構成を採用することもできる。
【符号の説明】
【０１１４】
ＵＶ…紫外線処理ユニット、ＳＰＡ…基板処理装置、４７…塗布装置、５５…現像装置、８０…第１予備室、８１…第２予備室、８２…第３予備室、８３…第４予備室、８４…紫外線処理室、８５…基板移動機構、１１０…サブチャンバ（基板搬入口）、１４０…サブチャンバ（基板搬出口）、１１３，１２３，１３３，１４３，１６３…加熱機構、１１４，１２４，１３４，１４４，１６４…ホットプレート、１１４ａ、１２４ａ、１３４ａ、１４４ａ、１６４ａ…溝、１１４ｂ、１２４ｂ、１３４ｂ、１４４ｂ、１６４ｂ…切欠、１５０…循環機構、１５１…フィルター、１６２…紫外線照射部、１６５…ガス供給部、１７０…基板保持部材、１７０ａ…保持部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対する紫外線照射を行う処理室と、
少なくとも前記処理室内の前記基板を加熱する加熱機構と、
前記処理室内を脱酸素及び脱水分状態に保持するように該処理室内に気体を供給する気体供給部と、
当該紫外線照射装置内に前記基板の搬入を行うための基板搬入口と前記処理室との間に少なくとも設けられ、前記処理室に連通されることで該処理室内を所定雰囲気に維持する予備室と、を備えることを特徴とする紫外線照射装置。
【請求項２】
前記予備室を複数備えることを特徴とする請求項１に記載の紫外線照射装置。
【請求項３】
前記気体供給部は、前記処理室内に不活性ガスを供給することを特徴とする請求項１又は２に記載の紫外線照射装置。
【請求項４】
前記気体供給部は、前記不活性ガスとして窒素ガスを供給することを特徴とする請求項３に記載の紫外線照射装置。
【請求項５】
前記複数の予備室における内部圧力は、前記処理室側から前記基板搬入口側に向かって次第に低くなるように設定されることを特徴とする請求項２〜４のいずれか一項に記載の紫外線照射装置。
【請求項６】
前記予備室及び前記処理室間において前記基板を移動させる基板移動機構を更に備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の紫外線照射装置。
【請求項７】
前記加熱機構は、前記基板を保持した状態で加熱するプレートを含み、
前記基板移動機構の一部は、前記プレートに設けられた溝部内を移動することを特徴とする請求項６に記載の紫外線照射装置。
【請求項８】
前記加熱機構は、前記予備室内の前記基板も加熱することを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の紫外線照射装置。
【請求項９】
前記予備室は、内部雰囲気を循環させる循環機構を有することを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の紫外線照射装置。
【請求項１０】
前記循環機構は、ＨＥＰＡフィルターを用いて前記内部雰囲気の循環を行うことを特徴とする請求項９に記載の紫外線照射装置。
【請求項１１】
前記予備室は、当該紫外線照射装置内から前記基板の搬出を行うための基板搬出口と前記処理室との間にも設けられていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の紫外線照射装置。
【請求項１２】
基板に処理液の塗布処理を行う塗布装置と、
前記基板に塗布された前記処理液の現像処理を行う現像装置と、
前記基板に紫外線照射処理を行う紫外線照射装置と、
前記塗布処理、前記現像処理及び前記紫外線照射処理の関連処理を行う関連装置と、を備え、前記塗布装置、前記現像装置、前記紫外線照射装置及び前記関連装置の間を直列的に前記基板を搬送する基板処理装置であって、
前記紫外線照射装置として、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の紫外線照射装置が用いられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１】
基板に対する紫外線照射を行う処理室と、
少なくとも前記処理室内の前記基板を加熱する加熱機構と、
前記処理室内を脱酸素及び脱水分状態に保持するように該処理室内に気体を供給する気体供給部と、
当該紫外線照射装置内に前記基板の搬入を行うための基板搬入口と前記処理室との間に少なくとも設けられ、前記処理室に連通されることで該処理室内を所定雰囲気に維持する予備室と、を備えることを特徴とする紫外線照射装置。
【請求項２】
前記予備室を複数備えることを特徴とする請求項１に記載の紫外線照射装置。
【請求項３】
前記気体供給部は、前記処理室内に不活性ガスを供給することを特徴とする請求項１又は２に記載の紫外線照射装置。
【請求項４】
前記気体供給部は、前記不活性ガスとして窒素ガスを供給することを特徴とする請求項３に記載の紫外線照射装置。
【請求項５】
前記複数の予備室における内部圧力は、前記処理室側から前記基板搬入口側に向かって次第に低くなるように設定されることを特徴とする請求項２〜４のいずれか一項に記載の紫外線照射装置。
【請求項６】
前記予備室及び前記処理室間において前記基板を移動させる基板移動機構を更に備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の紫外線照射装置。
【請求項７】
前記加熱機構は、前記基板を保持した状態で加熱するプレートを含み、
前記基板移動機構の一部は、前記プレートに設けられた溝部内を移動することを特徴とする請求項６に記載の紫外線照射装置。
【請求項８】
前記加熱機構は、前記予備室内の前記基板も加熱することを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の紫外線照射装置。
【請求項９】
前記予備室は、内部雰囲気を循環させる循環機構を有することを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の紫外線照射装置。
【請求項１０】
前記循環機構は、ＨＥＰＡフィルターを用いて前記内部雰囲気の循環を行うことを特徴とする請求項９に記載の紫外線照射装置。
【請求項１１】
前記予備室は、当該紫外線照射装置内から前記基板の搬出を行うための基板搬出口と前記処理室との間にも設けられていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の紫外線照射装置。
【請求項１２】
基板に処理液の塗布処理を行う塗布装置と、
前記基板に塗布された前記処理液の現像処理を行う現像装置と、
前記基板に紫外線照射処理を行う紫外線照射装置と、
前記塗布処理、前記現像処理及び前記紫外線照射処理の関連処理を行う関連装置と、を備え、前記塗布装置、前記現像装置、前記紫外線照射装置及び前記関連装置の間を直列的に前記基板を搬送する基板処理装置であって、
前記紫外線照射装置として、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の紫外線照射装置が用いられていることを特徴とする基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１３−１１０１９４（Ｐ２０１３−１１０１９４Ａ）
【公開日】平成２５年６月６日（２０１３．６．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２５２４５５（Ｐ２０１１−２５２４５５）
【出願日】平成２３年１１月１８日（２０１１．１１．１８）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年６月６日（２０１３．６．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月１８日（２０１１．１１．１８）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]