電子写真感光体の製造方法
【課題】 膜厚や膜質の均一性に優れた堆積膜を形成することが可能な電子写真感光体の製造方法を提供する。
【解決手段】 円筒状基体を設置するとともに円筒状基体の長手方向端部側に補助基体を設置し、円筒状基体と補助基体との間の隙間を充填材で埋めた後、プラズマＣＶＤ法により該円筒状基体上に堆積膜を形成する。
【解決手段】 円筒状基体を設置するとともに円筒状基体の長手方向端部側に補助基体を設置し、円筒状基体と補助基体との間の隙間を充填材で埋めた後、プラズマＣＶＤ法により該円筒状基体上に堆積膜を形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマＣＶＤ法により円筒状基体上に堆積膜を形成する電子写真感光体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真感光体は、一般的に、アルミニウムまたはその合金からなる導電性の円筒状基体上に、有機材料またはアモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ」ともいう）などの無機材料からなる膜（堆積膜）が形成されて製造される。これらの中でも、ａ−Ｓｉ（例えば水素原子やハロゲン原子（例えばフッ素原子や塩素原子）で補償されたａ−Ｓｉ）堆積膜が円筒状基体上に形成されてなる電子写真感光体（以下「ａ−Ｓｉ感光体」ともいう）は、高性能かつ高耐久性であり、広く実用化されている。
【０００３】
円筒状基体上にａ−Ｓｉ堆積膜を形成する方法としては、プラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガスを直流、高周波、マイクロ波グロー放電などによって分解し、堆積膜を形成する方法が実用化されている。
【０００４】
この種の堆積膜をプラズマＣＶＤ法にて形成する際には、堆積膜の膜厚や膜質の均一化が求められることが多い。そのために、原料ガスの供給方法や排気方法を工夫したり、円筒状基体を回転させたり、プラズマを均一にする方策を採ったりすることが有効である。
【０００５】
また、堆積膜を均一化する方法として、特許文献１には、プラズマＣＶＤ装置の反応容器内に円筒状基体を設置するとともに円筒状基体の長手方向端部側に補助基体を設置して、長手方向の均一化を図る方法が開示されている。また、特許文献２には、円筒状基体を長手方向に複数設置する際に円筒状基体同士を連結部材で連結させ、円筒状基体の横ズレを改善して軸方向の均一化を図る方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開昭６０−８６２７６号公報
【特許文献２】特開２００７−２７０２２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来、上記のような方策により堆積膜の均一化が図られてきた。
【０００８】
しかしながら、近年、電子写真装置の画質に対する市場からの要求が高まってきており、印刷画質への対応も求められてきている。このため、従来は実用上問題なしとされた程度の堆積膜の不均一性でも、問題視されてくる可能性がある。
【０００９】
このような課題に関して、従来技術では、堆積膜の均一性についてはまだ改良の必要性があるといえる。特に、円筒状基体の端部近傍における堆積膜のさらなる均一性向上が求められている。例えば、特許文献１および２に記載の方法では、円筒状基体、補助基体、スペーサーなどの金属製の部材を積み重ねているため、それぞれが完全には密着できず、周方向に部分的に隙間が生じてしまう。隙間があると、その部分にプラズマＣＶＤ法による放電が入り込み、プラズマ処理が不均一になったり、異常放電が発生したりする場合がある。このような事態が生じた場合、円筒状基体の端部近傍で堆積膜が不均一になり、画像むらや微小な画像欠陥の原因となる。
【００１０】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、膜厚や膜質の均一性に優れた堆積膜を形成することが可能な電子写真感光体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、円筒状基体を設置するとともに円筒状基体の長手方向端部側に補助基体を設置し、円筒状基体と補助基体との間の隙間を充填材で埋めた後、プラズマＣＶＤ法により円筒状基体上に堆積膜を形成する工程を有する電子写真感光体の製造方法である。
【００１２】
また、本発明は、円筒状基体を長手方向に複数設置するとともに円筒状基体の長手方向端部側に補助基体を設置し、円筒状基体と補助基体との間の隙間および円筒状基体間の隙間を充填材で埋めた後、プラズマＣＶＤ法により円筒状基体上に堆積膜を形成する工程を有する電子写真感光体の製造方法である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、円筒状基体上に堆積膜を形成する前に、円筒状基体と補助基体との間の隙間や円筒状基体間の隙間を充填材で埋めることで、円筒状基体の端部で周方向に生じるプラズマ処理の不均一や異常放電を抑制することができる。その結果、円筒状基体の端部近傍で、堆積膜の周方向の膜厚や膜質の均一性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】電子写真感光体用の円筒状基体の一例を模式的に示す図である。
【図２】ａ−Ｓｉ感光体の層構成の一例を示す模式図である。
【図３】ａ−Ｓｉ感光体を製造するための堆積膜形成装置の一例を模式的に示す断面図である。
【図４】ホルダーに２本の円筒状基体と上部補助基体を装着した状態を模式的に示した断面図である。
【図５】２本の円筒状基体の接続部を模式的に示した断面図である。
【図６】２本の円筒状基体の接続部の隙間を充填材で好適に埋めた状態の例を示す模式的な断面図である。
【図７】比較例の、２本の円筒状基体の接続部の状態を示す模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図１は、電子写真感光体用の円筒状基体の一例を模式的に示す図であり、図１（ａ）は断面図であり、図１（ｂ）は上面図である。
【００１６】
円筒状基体１０１の材質は、電気伝導率が良好であり、加工性や製造コストに優れるなどの理由で、アルミニウムまたは３０００系、５０００系、６０００系などのアルミニウム合金が好適に用いられる。
【００１７】
円筒状基体１０１の材料となる円筒状の管材の製造方法は、材質としてアルミニウムまたはアルミニウム合金を用いる場合、押し出し、引き抜き、矯正などの工程を経て製造された管材を所定の長さに切断する方法が一般的である。そして、高精度な円筒状基体が要求される場合は、円筒状の管材に対して、旋盤による両端および外周面の切削加工が好適に行われる。具体的には、両端の加工としては、長さ合わせ、面取り加工や、端部内面のインロー加工が挙げられる。また、外周面の加工は、外径寸法や表面粗さを所定の値にするために実施される。これらの加工により、円筒状基体１０１は、所定の精度の外周面１０２、端面１０３、面取り面１０４、インロー加工部１０５が形成される。
【００１８】
このような円筒状基体１０１の外周面１０２（円筒状基体上）に、例えば、図２に示すａ−Ｓｉ堆積膜２０１を形成することにより、ａ−Ｓｉ感光体を製造することができる。図２は、ａ−Ｓｉ感光体の層構成の一例を示す模式図である。ａ−Ｓｉ感光体は、円筒状基体１０１の外周面１０２に堆積膜２０１が設けられている。図２において、堆積膜２０１は、円筒状基体１０１側から順に、下部阻止層２０２、光導電層（感光層）２０３、表面層２０４で構成されている。
【００１９】
次に、上記の層構成のａ−Ｓｉ感光体を製造するための装置について説明する。
【００２０】
図３は、本発明の電子写真感光体を製造するための堆積膜形成装置の一例を模式的に示す断面図である。具体的には、１３．５６ＭＨｚの高周波電源を用いたＲＦプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置３００を模式的に示した断面図である。反応容器３０１は、円筒状のカソード電極３０２、絶縁碍子３０３、下部フランジ３０４、上部フランジ３０５および蓋３０６を有する。反応容器３０１には、排気管３１０および排気バルブ３１１を介して不図示の排気装置（真空ポンプ）が接続されており、反応容器３０１の内部が減圧可能となっている。その他に、反応容器３０１の下部には、受台３０８を回転可能にするモーター３０９および真空計３１２が取り付けられている。
【００２１】
１本または複数の円筒状基体１０１（図３では２本）は、その長手方向端部側に上部補助基体３１９および下部補助基体を兼ねたホルダー３１８が設置された状態で、反応容器３０１の内部の受台３０８の上に載置（設置）される。さらに、反応容器３０１の内部には、ホルダー３１８を内部から加熱するヒーター３０７および原料ガス導入管３１３が設置されている。原料ガス導入管３１３は、円筒状基体１０１を取り囲むように複数本配設されており、その側面には、長手方向に沿って多数の細孔が設けられている。さらに、原料ガス導入管３１３には、原料ガス供給管３１４および原料ガス導入バルブ３１５を介して不図示の原料ガス供給装置が接続されている。また、カソード電極３０２は、マッチングボックス３１６を介して高周波電源３１７に接続されている。
【００２２】
このような堆積膜形成装置３００を用いて、円筒状基体１０１にａ−Ｓｉ堆積膜を形成する場合、図３に示すように、下部補助基体を兼ねたホルダー３１８に、円筒状基体１０１と上部補助基体３１９を装着する。以下、図４および図５を参照して、さらに詳しく説明する。
【００２３】
図４は、ホルダー３１８に２本の円筒状基体１０１と上部補助基体３１９を装着した状態を模式的に示した断面図である。ホルダー３１８は下部補助基体を兼ねている。２本の円筒状基体１０１の接続部４０４および円筒状基体１０１と上部補助基体３１９の接続部４０３には、それぞれのインロー加工部１０５を利用してステンレス製のリング状部材４０１が配設されている。また、ホルダー３１８と円筒状基体１０１の接続部４０５に関しては、ホルダー３１８の形状を円筒状基体１０１のインロー加工部１０５と嵌合可能なようにしている。図４の構成では、２本の円筒状基体１０１、上部補助基体３１９およびホルダー３１８の下部補助基体部４０２のそれぞれの外周面が概略同一面になっている。
【００２４】
図５は、２本の円筒状基体１０１の接続部４０４を模式的に示した断面図である。２本の円筒状基体１０１は、それぞれの端面１０３の全面が完全に密着しているわけではなく、周方向に部分的に隙間５０１が生じている。つまり、周方向で接続部４０４の状態が異なり、一部は接触しているが、一部は接触していないところがある。これは、円筒状基体１０１の加工精度や表面形状や、ホルダー３１８に装着する際の状況により発生し、さらに堆積膜形成装置３００への搬送中や堆積膜形成中に受台３０８の回転による振動などでも発生する。同様に、円筒状基体１０１と上部補助基体３１９の接続部４０３やホルダー３１８と円筒状基体１０１の接続部４０５にも周方向に部分的に隙間が生じている。上部補助基体３１９やホルダー３１８は、堆積膜形成後、ブラスト処理やエッチング処理で表面に堆積した堆積膜を落として繰り返し使われることが多く、上部補助基体３１９やホルダー３１８は徐々に劣化し、変形する。そのため、接続部４０３や接続部４０５は、接続部４０４以上に大きな隙間が生じている場合が多い。
【００２５】
本発明では、円筒状基体１０１上に堆積膜を形成する前、下部補助基体を兼ねたホルダー３１８に円筒状基体１０１および上部補助基体３１９を装着する際に、隙間５０１を充填材で埋める処理を行う
この処理に用いる充填材は、蒸発成分が堆積膜に取り込まれて堆積膜の特性に影響を与えないように、低蒸気圧の材料が好適である。また、高温になった場合に、垂れたり変質したりして充填効果が下がらないように耐熱性の高い材料が好適である。このような材料としては、例えば、接着剤、コーキング材、オイル、グリスなどが挙げられる。本発明で採用しているプラズマＣＶＤ法では、通常、減圧下で堆積膜の形成を行うことから、２０℃での蒸気圧が１×１０−４Ｐａ以下であり、１００℃での蒸気圧が１×１０−１Ｐａ以下である充填材、いわゆる真空用の材料が好適である。さらに作業性の点から、充填材で埋める処理が容易で、堆積膜形成後に充填材が容易に取り除けるものが好ましいため、いわゆる真空用グリスが好ましい。その中でも、フッ素原子を含有するフッ素系グリス、いわゆる高真空用グリスは、低蒸気圧で耐熱性が高く好適である。また、円筒状基体間や円筒状基体と補助基体間の周方向の電気抵抗を一様にするために、導電性を有する充填材や、非導電性の充填材に導電性材料を混ぜて導電性を持たせたものを用いてもよい。
【００２６】
このような充填材を用いて、上記隙間を埋める処理を行うが、図６は、図５に示す接続部４０４の隙間を、充填材で好適に埋めた状態の例を示す模式的な断面図である。図６（ａ）は、隙間全体を充填材６０１で埋めた状態を示す。図６（ｂ）は、面取り面１０４によって生じる外周面１０２からの凹部にも充填材６０１を埋め、外周面１０２と概略同一面とした状態を示す。さらに図６（ｃ）は充填材６０１の量を多くして、外周面１０２よりはみ出した状態を示す。
【００２７】
充填材で隙間を埋める方法は、円筒状基体１０１の端面１０３に充填材をあらかじめ塗布し、ホルダー３１８へ装着する際に押し付ける方法や、円筒状基体１０１をホルダー３１８に装着した後に、隙間へ充填材を注入する方法などがある。なお、充填材の量が多すぎて円筒状基体１０１の外周面１０２より大きくはみ出した場合、不要な分は、へらのごとき板状部材で掻き取ったり、有機溶剤を用いて拭き取ったりすればよい。
【００２８】
円筒状基体１０１と上部補助基体３１９の接続部４０３やホルダー３１８と円筒状基体１０１の接続部４０５に生じる隙間を埋める処理も、２本の円筒状基体１０１の接続部４０４の隙間を埋める処理と同様である。
【００２９】
円筒状基体と補助基体との間や円筒状基体間に隙間があると、堆積膜形成時のプラズマ処理中に、隙間に放電が入り込み、異常放電が発生する場合がある。上述のように、通常、隙間の間隔は円筒状基体の周方向に均一ではないため、円筒状基体の端部で周方向にプラズマ処理が不均一になって、円筒状基体の端部近傍で堆積膜の膜厚や膜質が不均一になり、画像むらの原因となる。また、堆積膜形成中に堆積膜の膜厚や膜質が不均一だと応力が集中して膜剥がれが生じたり、異常放電で膜剥がれが生じたりして、微小な画像欠陥の原因となる場合もある。本発明では、堆積膜形成前に、上記隙間を埋めることで、隙間に放電が入り込むことや異常放電が抑制され、円筒状基体の周方向でプラズマ処理が均一になって、円筒状基体の端部で、周方向の堆積膜の膜厚や膜質の均一性が向上する。
【００３０】
上記隙間を埋める処理を行った円筒状基体１０１、上部補助基体３１９およびホルダー３１８を用い、堆積膜形成装置３００を用いて、ａ−Ｓｉ感光体を製造する一例を以下に示す。
【００３１】
まず、反応容器３０１の蓋３０６を開け、円筒状基体１０１および上部補助基体３１９が装着されたホルダー３１８を反応容器３０１内部の受台３０８の上に載置して蓋３０６を閉める。
【００３２】
次に、排気バルブ３１１を開いて反応容器３０１の内部を排気する。そして、真空計３１２の読みが１Ｐａ以下になった時点で原料ガス導入バルブ３１５を開け、加熱用の不活性ガス（例えばアルゴンガス）を原料ガス導入管３１３より反応容器３０１の内部に導入する。反応容器３０１の内部が所定の圧力になるように加熱用の不活性ガスのガス流量および不図示の排気装置の排気速度を調整する。その後、不図示の温度コントローラーを作動させて円筒状基体１０１をヒーター３０７により加熱し、円筒状基体１０１の温度を所定の温度（例えば２０℃〜３５０℃）に制御する。所定の温度に加熱されたところで、不活性ガスを徐々に止めると同時に、堆積膜形成用の原料ガスを原料ガス供給装置から不図示のミキシングパネルにより混合した後に反応容器３０１の内部に徐々に導入する。原料ガスとしては、例えば、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ６、ＮＯなどの材料ガスや、Ｂ２Ｈ６、ＰＨ３などのドーピングガスや、Ｈ２、Ｈｅ、Ａｒなどの希釈ガスが挙げられる。次に、不図示のマスフローコントローラーによって、原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反応容器３０１の内部が例えば０．１Ｐａ〜数１００Ｐａの圧力を維持するよう真空計３１２を見ながら不図示の排気装置の排気速度を調整する。
【００３３】
以上の手順によって堆積膜形成準備を完了した後、円筒状基体１０１上に堆積膜の形成を行う。反応容器３０１の内部の圧力が安定したのを確認後、高周波電源３１７を所定の電力に設定して高周波電力をカソード電極３０２に供給し、高周波グロー放電を生起させる。このとき、反射波が最小となるようにマッチングボックス３１６を調整し、高周波の入射電力から反射電力を差し引いた値を所定の値に調整する。この放電エネルギーによって反応容器３０１の内部に導入された原料ガスが分解され、円筒状基体１０１上に堆積膜が形成される。なお、堆積膜の形成を行っている間は、モーター３０９を運転し、円筒状基体１０１を所定の速度（例えば１ｒｐｍ）で回転させる。
【００３４】
所定の膜厚の堆積膜が形成された後、高周波電力の供給を止め、原料ガス導入バルブ３１５を閉じて、反応容器３０１への原料ガスの流入を止め、反応容器３０１の内部を一旦高真空に排気して堆積膜の形成を終える。上記のような操作を繰り返し行うことによって、所定の層構成のａ−Ｓｉ堆積膜を形成することができる。
【００３５】
円筒状基体上にａ−Ｓｉ堆積膜を形成した後、反応容器３０１の蓋３０６を開け、ａ−Ｓｉ堆積膜が形成された円筒状基体１０１および上部補助基体３１９が装着されたホルダー３１８を反応容器３０１から取り出す。さらに、ａ−Ｓｉ堆積膜が形成された円筒状基体１０１をホルダー３１８から取り外し、充填材を有機溶剤（例えば２−プロパノールやアセトン）を染み込ませた布で拭き取ってａ−Ｓｉ感光体が完成する。
【実施例】
【００３６】
以下、実施例および比較例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらにより何ら制限されるものではない。なお、以下の説明では、上述した実施形態において示したのと同じ部分に関しては、同じ符号を用いて説明する。
【００３７】
以下の実施例および比較例では、円筒状基体１０１として、外径寸法８０ｍｍ、内径寸法７４ｍｍ、長さ３５８ｍｍのアルミニウム合金製のものを用いた。なお、円筒状基体１０１の両端部には、インロー加工部１０５（両端に幅１３ｍｍ、内径寸法７５．７ｍｍ）、および面取り面１０４（Ｃ０．５ｍｍ）が形成されている。
【００３８】
また、以下の実施例では、図４に示すように、円筒状基体１０１は長手方向に２本と、上部補助基体３１９をホルダー３１８に装着し、それぞれの接続部４０３、４０４、４０５の隙間を充填材で埋める処理を行ったが、代表して接続部４０４のみ記載する。
【００３９】
〔実施例１〕
図６（ａ）に示すように、円筒状基体１０１間の隙間に充填材６０１を埋めた。なお、充填材６０１は、シリコーングリース（東レ・ダウ・コーニング・シリコーン社製の「Ｈ．Ｖ．Ｇ」（商品名））を用いた。
【００４０】
そして、図３に示す堆積膜形成装置３００を用いて、プラズマＣＶＤ法により、円筒状基体１０１上に表１に示す条件で下部阻止層、光導電層および表面層を形成し、図２に示す層構成のａ−Ｓｉ感光体を２本作製した。
【００４１】
【表１】
【００４２】
得られた２本のａ−Ｓｉ感光体に関して、堆積膜の均一性の評価として、「膜厚周むら」「Ｖｄ周むら」の評価を以下のように実施した。
【００４３】
「膜厚周むら」の評価
膜厚計（フィッシャーインストルメンツ社、ＦＩＳＣＨＥＲ ＳＣＯＰＥ ＭＭＳ（商品名））を用い、ａ−Ｓｉ感光体の端部から３０ｍｍの位置において、周方向に９度間隔の４０点の膜厚を計測し、その４０点の最大値と最小値の差を求めた。ａ−Ｓｉ感光体の両端部で同様に計測して最大値と最小値の差を求め、得られた値の大きい方の値を「膜厚周むら」とした。評価は、後述の比較例１で得られた結果を１００としたときの、相対評価で行った。この評価結果は、数字が小さいほど良い。
【００４４】
「Ｖｄ周むら」の評価
電子写真感光体の特性である「Ｖｄ周むら」の評価には、現像器の代わりに表面電位計を装着した複写機（キヤノン（株）製、ｉＲ５０００（商品名）の改造機）を用いた。ａ−Ｓｉ感光体の中央位置暗部電位が、４５０Ｖになるように帯電電流を調整し、ａ−Ｓｉ感光体の端部から３０ｍｍの位置において、暗部電位の測定を行い、周方向測定値の最大値と最小値の差を求めた。ａ−Ｓｉ感光体の両端部で同様に測定し、得られた値の大きい方の値を「Ｖｄ周むら」とした。評価は、比較例１で得られた結果を１００としたときの、相対評価で行った。この評価結果も、数字が小さいほど良い。
【００４５】
各評価結果のランク付け
前記各評価結果に対して、以下に示す基準でランク付けを行った。
Ａ ・・・ ５０未満
Ｂ ・・・ ５０以上６５未満
Ｃ ・・・ ６５以上８０未満
Ｄ ・・・ ８０以上９５未満
Ｅ ・・・ ９５以上１０５未満（変化なし）
Ｆ ・・・ １０５超
各評価結果を表２に示す。
【００４６】
〔実施例２〕
図６（ｃ）に示すように、円筒状基体１０１間の隙間を充填材６０１で埋め、さらに充填材６０１が円筒状基体１０１の外周面１０２より１ｍｍはみ出す状態になるようにした。そして、それ以外は実施例１と同じとし、ａ−Ｓｉ感光体を２本作製した。得られた２本のａ−Ｓｉ感光体に関して、実施例１と同様に評価を行った。結果を表２に示す。
【００４７】
〔実施例３〕
図６（ｂ）に示すように、円筒状基体１０１間の隙間を充填材６０１で埋め、さらに充填材６０１が円筒状基体１０１の外周面１０２と概略同一面の状態になるようにした。そして、それ以外は実施例１と同じとし、ａ−Ｓｉ感光体を２本作製した。得られた２本のａ−Ｓｉ感光体に関して、実施例１と同様に評価を行った。結果を表２に示す。
【００４８】
〔実施例４〕
実施例１において、充填材６０１をフッ素系グリスのデムナムグリース（ダイキン工業社製の「Ｌ−２００」（商品名））に変更した。そして、それ以外は実施例１と同じとし、ａ−Ｓｉ感光体を２本作製した。得られた２本のａ−Ｓｉ感光体に関して、実施例１と同様に評価を行った。結果を表２に示す。
【００４９】
〔実施例５〕
実施例１において、充填材６０１をフッ素系グリスのフォンブリングリース（ソルベイソレクシス社製の「ＹＶＡＣ２」（商品名））に変更した。そして、それ以外は実施例１と同じとし、ａ−Ｓｉ感光体を２本作製した。得られた２本のａ−Ｓｉ感光体に関して、実施例１と同様に評価を行った。結果を表２に示す。
【００５０】
〔比較例１〕
実施例１において、接続部４０３、４０４、４０５の隙間を充填材で埋める処理を行わなかった。つまり、図５に示すような隙間５０１が充填材で埋まっていない状態である。そして、それ以外は実施例１と同じとし、ａ−Ｓｉ感光体を２本作製した。得られた２本のａ−Ｓｉ感光体に関して、実施例１と同様に評価を行った。結果を表２に示す。
【００５１】
〔比較例２〕
比較例１において、隙間に図７に示す形状のステンレス製のリング状部材７０１を挿入した。この場合、円筒状基体１０１の端面１０３とリング状部材７０１の間には、２個所の周方向に不均一な隙間７０２が存在する状態となる。そして、それ以外は実施例１と同じとし、ａ−Ｓｉ感光体を２本作製した。得られた２本のａ−Ｓｉ感光体に関して、実施例１と同様に評価を行った。結果を表２に示す。
【００５２】
【表２】
【００５３】
表２に示すように、周むらに関して、各実施例は各比較例に対して良化した。つまり、円筒状基体と補助基体の間の隙間を充填材で埋めることにより、また、円筒状基体をその長手方向に複数設置する場合は円筒状基体間の隙間も充填材で埋めることにより、円筒状基体の周方向でのプラズマ処理が均一になって、本発明の効果が得られることがわかる。
【００５４】
実施例３のように、円筒状基体の外周面と充填材が概略同一面となる状態にすることで、さらに良化することがわかる。
【００５５】
実施例２は、比較例１より良化するが、実施例１ほど良化していない。これは、円筒状基体の外周面から充填材がはみ出していることによる影響であると考えられる。したがって、充填材で隙間を埋めるのは、円筒状基体の外周面と概略同一面までがより効果が高いことがわかる。
【００５６】
実施例４および５は、実施例１よりＶｄ周むら良化していることから、フッ素原子を含有する充填材（高真空用グリス）はさらに効果的であることがわかる。これは、円筒状基体間および円筒状基体と補助基体の間の隙間の間隔は周方向に差があるため、その隙間を埋めるには充填材の量に差が出る。充填材が多い部分は、そこからの放出ガスも多くなると考えられるが、フッ素原子を含有する充填材は、低蒸気圧で耐熱性が高いことからその影響が少なくなっているのであると推察される。
【００５７】
比較例２は比較例１よりも悪化した。比較例２は、円筒状基体と補助基体との間および円筒状基体間の横ズレを抑えるには効果があるが、隙間１箇所につき隙間の数が倍になった分、隙間が増えたため、端部の周むらに関しては逆効果となったと考えられる。以上より、本発明により、特に端部での膜厚や膜質の均一性に優れた堆積膜を形成することが可能である。
【符号の説明】
【００５８】
１０１ 円筒状基体
１０２ 外周面
１０３ 端面
１０４ 面取り面
４０１ リング状部材
６０１ 充填材
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマＣＶＤ法により円筒状基体上に堆積膜を形成する電子写真感光体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真感光体は、一般的に、アルミニウムまたはその合金からなる導電性の円筒状基体上に、有機材料またはアモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ」ともいう）などの無機材料からなる膜（堆積膜）が形成されて製造される。これらの中でも、ａ−Ｓｉ（例えば水素原子やハロゲン原子（例えばフッ素原子や塩素原子）で補償されたａ−Ｓｉ）堆積膜が円筒状基体上に形成されてなる電子写真感光体（以下「ａ−Ｓｉ感光体」ともいう）は、高性能かつ高耐久性であり、広く実用化されている。
【０００３】
円筒状基体上にａ−Ｓｉ堆積膜を形成する方法としては、プラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガスを直流、高周波、マイクロ波グロー放電などによって分解し、堆積膜を形成する方法が実用化されている。
【０００４】
この種の堆積膜をプラズマＣＶＤ法にて形成する際には、堆積膜の膜厚や膜質の均一化が求められることが多い。そのために、原料ガスの供給方法や排気方法を工夫したり、円筒状基体を回転させたり、プラズマを均一にする方策を採ったりすることが有効である。
【０００５】
また、堆積膜を均一化する方法として、特許文献１には、プラズマＣＶＤ装置の反応容器内に円筒状基体を設置するとともに円筒状基体の長手方向端部側に補助基体を設置して、長手方向の均一化を図る方法が開示されている。また、特許文献２には、円筒状基体を長手方向に複数設置する際に円筒状基体同士を連結部材で連結させ、円筒状基体の横ズレを改善して軸方向の均一化を図る方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開昭６０−８６２７６号公報
【特許文献２】特開２００７−２７０２２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来、上記のような方策により堆積膜の均一化が図られてきた。
【０００８】
しかしながら、近年、電子写真装置の画質に対する市場からの要求が高まってきており、印刷画質への対応も求められてきている。このため、従来は実用上問題なしとされた程度の堆積膜の不均一性でも、問題視されてくる可能性がある。
【０００９】
このような課題に関して、従来技術では、堆積膜の均一性についてはまだ改良の必要性があるといえる。特に、円筒状基体の端部近傍における堆積膜のさらなる均一性向上が求められている。例えば、特許文献１および２に記載の方法では、円筒状基体、補助基体、スペーサーなどの金属製の部材を積み重ねているため、それぞれが完全には密着できず、周方向に部分的に隙間が生じてしまう。隙間があると、その部分にプラズマＣＶＤ法による放電が入り込み、プラズマ処理が不均一になったり、異常放電が発生したりする場合がある。このような事態が生じた場合、円筒状基体の端部近傍で堆積膜が不均一になり、画像むらや微小な画像欠陥の原因となる。
【００１０】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、膜厚や膜質の均一性に優れた堆積膜を形成することが可能な電子写真感光体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、円筒状基体を設置するとともに円筒状基体の長手方向端部側に補助基体を設置し、円筒状基体と補助基体との間の隙間を充填材で埋めた後、プラズマＣＶＤ法により円筒状基体上に堆積膜を形成する工程を有する電子写真感光体の製造方法である。
【００１２】
また、本発明は、円筒状基体を長手方向に複数設置するとともに円筒状基体の長手方向端部側に補助基体を設置し、円筒状基体と補助基体との間の隙間および円筒状基体間の隙間を充填材で埋めた後、プラズマＣＶＤ法により円筒状基体上に堆積膜を形成する工程を有する電子写真感光体の製造方法である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、円筒状基体上に堆積膜を形成する前に、円筒状基体と補助基体との間の隙間や円筒状基体間の隙間を充填材で埋めることで、円筒状基体の端部で周方向に生じるプラズマ処理の不均一や異常放電を抑制することができる。その結果、円筒状基体の端部近傍で、堆積膜の周方向の膜厚や膜質の均一性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】電子写真感光体用の円筒状基体の一例を模式的に示す図である。
【図２】ａ−Ｓｉ感光体の層構成の一例を示す模式図である。
【図３】ａ−Ｓｉ感光体を製造するための堆積膜形成装置の一例を模式的に示す断面図である。
【図４】ホルダーに２本の円筒状基体と上部補助基体を装着した状態を模式的に示した断面図である。
【図５】２本の円筒状基体の接続部を模式的に示した断面図である。
【図６】２本の円筒状基体の接続部の隙間を充填材で好適に埋めた状態の例を示す模式的な断面図である。
【図７】比較例の、２本の円筒状基体の接続部の状態を示す模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図１は、電子写真感光体用の円筒状基体の一例を模式的に示す図であり、図１（ａ）は断面図であり、図１（ｂ）は上面図である。
【００１６】
円筒状基体１０１の材質は、電気伝導率が良好であり、加工性や製造コストに優れるなどの理由で、アルミニウムまたは３０００系、５０００系、６０００系などのアルミニウム合金が好適に用いられる。
【００１７】
円筒状基体１０１の材料となる円筒状の管材の製造方法は、材質としてアルミニウムまたはアルミニウム合金を用いる場合、押し出し、引き抜き、矯正などの工程を経て製造された管材を所定の長さに切断する方法が一般的である。そして、高精度な円筒状基体が要求される場合は、円筒状の管材に対して、旋盤による両端および外周面の切削加工が好適に行われる。具体的には、両端の加工としては、長さ合わせ、面取り加工や、端部内面のインロー加工が挙げられる。また、外周面の加工は、外径寸法や表面粗さを所定の値にするために実施される。これらの加工により、円筒状基体１０１は、所定の精度の外周面１０２、端面１０３、面取り面１０４、インロー加工部１０５が形成される。
【００１８】
このような円筒状基体１０１の外周面１０２（円筒状基体上）に、例えば、図２に示すａ−Ｓｉ堆積膜２０１を形成することにより、ａ−Ｓｉ感光体を製造することができる。図２は、ａ−Ｓｉ感光体の層構成の一例を示す模式図である。ａ−Ｓｉ感光体は、円筒状基体１０１の外周面１０２に堆積膜２０１が設けられている。図２において、堆積膜２０１は、円筒状基体１０１側から順に、下部阻止層２０２、光導電層（感光層）２０３、表面層２０４で構成されている。
【００１９】
次に、上記の層構成のａ−Ｓｉ感光体を製造するための装置について説明する。
【００２０】
図３は、本発明の電子写真感光体を製造するための堆積膜形成装置の一例を模式的に示す断面図である。具体的には、１３．５６ＭＨｚの高周波電源を用いたＲＦプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置３００を模式的に示した断面図である。反応容器３０１は、円筒状のカソード電極３０２、絶縁碍子３０３、下部フランジ３０４、上部フランジ３０５および蓋３０６を有する。反応容器３０１には、排気管３１０および排気バルブ３１１を介して不図示の排気装置（真空ポンプ）が接続されており、反応容器３０１の内部が減圧可能となっている。その他に、反応容器３０１の下部には、受台３０８を回転可能にするモーター３０９および真空計３１２が取り付けられている。
【００２１】
１本または複数の円筒状基体１０１（図３では２本）は、その長手方向端部側に上部補助基体３１９および下部補助基体を兼ねたホルダー３１８が設置された状態で、反応容器３０１の内部の受台３０８の上に載置（設置）される。さらに、反応容器３０１の内部には、ホルダー３１８を内部から加熱するヒーター３０７および原料ガス導入管３１３が設置されている。原料ガス導入管３１３は、円筒状基体１０１を取り囲むように複数本配設されており、その側面には、長手方向に沿って多数の細孔が設けられている。さらに、原料ガス導入管３１３には、原料ガス供給管３１４および原料ガス導入バルブ３１５を介して不図示の原料ガス供給装置が接続されている。また、カソード電極３０２は、マッチングボックス３１６を介して高周波電源３１７に接続されている。
【００２２】
このような堆積膜形成装置３００を用いて、円筒状基体１０１にａ−Ｓｉ堆積膜を形成する場合、図３に示すように、下部補助基体を兼ねたホルダー３１８に、円筒状基体１０１と上部補助基体３１９を装着する。以下、図４および図５を参照して、さらに詳しく説明する。
【００２３】
図４は、ホルダー３１８に２本の円筒状基体１０１と上部補助基体３１９を装着した状態を模式的に示した断面図である。ホルダー３１８は下部補助基体を兼ねている。２本の円筒状基体１０１の接続部４０４および円筒状基体１０１と上部補助基体３１９の接続部４０３には、それぞれのインロー加工部１０５を利用してステンレス製のリング状部材４０１が配設されている。また、ホルダー３１８と円筒状基体１０１の接続部４０５に関しては、ホルダー３１８の形状を円筒状基体１０１のインロー加工部１０５と嵌合可能なようにしている。図４の構成では、２本の円筒状基体１０１、上部補助基体３１９およびホルダー３１８の下部補助基体部４０２のそれぞれの外周面が概略同一面になっている。
【００２４】
図５は、２本の円筒状基体１０１の接続部４０４を模式的に示した断面図である。２本の円筒状基体１０１は、それぞれの端面１０３の全面が完全に密着しているわけではなく、周方向に部分的に隙間５０１が生じている。つまり、周方向で接続部４０４の状態が異なり、一部は接触しているが、一部は接触していないところがある。これは、円筒状基体１０１の加工精度や表面形状や、ホルダー３１８に装着する際の状況により発生し、さらに堆積膜形成装置３００への搬送中や堆積膜形成中に受台３０８の回転による振動などでも発生する。同様に、円筒状基体１０１と上部補助基体３１９の接続部４０３やホルダー３１８と円筒状基体１０１の接続部４０５にも周方向に部分的に隙間が生じている。上部補助基体３１９やホルダー３１８は、堆積膜形成後、ブラスト処理やエッチング処理で表面に堆積した堆積膜を落として繰り返し使われることが多く、上部補助基体３１９やホルダー３１８は徐々に劣化し、変形する。そのため、接続部４０３や接続部４０５は、接続部４０４以上に大きな隙間が生じている場合が多い。
【００２５】
本発明では、円筒状基体１０１上に堆積膜を形成する前、下部補助基体を兼ねたホルダー３１８に円筒状基体１０１および上部補助基体３１９を装着する際に、隙間５０１を充填材で埋める処理を行う
この処理に用いる充填材は、蒸発成分が堆積膜に取り込まれて堆積膜の特性に影響を与えないように、低蒸気圧の材料が好適である。また、高温になった場合に、垂れたり変質したりして充填効果が下がらないように耐熱性の高い材料が好適である。このような材料としては、例えば、接着剤、コーキング材、オイル、グリスなどが挙げられる。本発明で採用しているプラズマＣＶＤ法では、通常、減圧下で堆積膜の形成を行うことから、２０℃での蒸気圧が１×１０−４Ｐａ以下であり、１００℃での蒸気圧が１×１０−１Ｐａ以下である充填材、いわゆる真空用の材料が好適である。さらに作業性の点から、充填材で埋める処理が容易で、堆積膜形成後に充填材が容易に取り除けるものが好ましいため、いわゆる真空用グリスが好ましい。その中でも、フッ素原子を含有するフッ素系グリス、いわゆる高真空用グリスは、低蒸気圧で耐熱性が高く好適である。また、円筒状基体間や円筒状基体と補助基体間の周方向の電気抵抗を一様にするために、導電性を有する充填材や、非導電性の充填材に導電性材料を混ぜて導電性を持たせたものを用いてもよい。
【００２６】
このような充填材を用いて、上記隙間を埋める処理を行うが、図６は、図５に示す接続部４０４の隙間を、充填材で好適に埋めた状態の例を示す模式的な断面図である。図６（ａ）は、隙間全体を充填材６０１で埋めた状態を示す。図６（ｂ）は、面取り面１０４によって生じる外周面１０２からの凹部にも充填材６０１を埋め、外周面１０２と概略同一面とした状態を示す。さらに図６（ｃ）は充填材６０１の量を多くして、外周面１０２よりはみ出した状態を示す。
【００２７】
充填材で隙間を埋める方法は、円筒状基体１０１の端面１０３に充填材をあらかじめ塗布し、ホルダー３１８へ装着する際に押し付ける方法や、円筒状基体１０１をホルダー３１８に装着した後に、隙間へ充填材を注入する方法などがある。なお、充填材の量が多すぎて円筒状基体１０１の外周面１０２より大きくはみ出した場合、不要な分は、へらのごとき板状部材で掻き取ったり、有機溶剤を用いて拭き取ったりすればよい。
【００２８】
円筒状基体１０１と上部補助基体３１９の接続部４０３やホルダー３１８と円筒状基体１０１の接続部４０５に生じる隙間を埋める処理も、２本の円筒状基体１０１の接続部４０４の隙間を埋める処理と同様である。
【００２９】
円筒状基体と補助基体との間や円筒状基体間に隙間があると、堆積膜形成時のプラズマ処理中に、隙間に放電が入り込み、異常放電が発生する場合がある。上述のように、通常、隙間の間隔は円筒状基体の周方向に均一ではないため、円筒状基体の端部で周方向にプラズマ処理が不均一になって、円筒状基体の端部近傍で堆積膜の膜厚や膜質が不均一になり、画像むらの原因となる。また、堆積膜形成中に堆積膜の膜厚や膜質が不均一だと応力が集中して膜剥がれが生じたり、異常放電で膜剥がれが生じたりして、微小な画像欠陥の原因となる場合もある。本発明では、堆積膜形成前に、上記隙間を埋めることで、隙間に放電が入り込むことや異常放電が抑制され、円筒状基体の周方向でプラズマ処理が均一になって、円筒状基体の端部で、周方向の堆積膜の膜厚や膜質の均一性が向上する。
【００３０】
上記隙間を埋める処理を行った円筒状基体１０１、上部補助基体３１９およびホルダー３１８を用い、堆積膜形成装置３００を用いて、ａ−Ｓｉ感光体を製造する一例を以下に示す。
【００３１】
まず、反応容器３０１の蓋３０６を開け、円筒状基体１０１および上部補助基体３１９が装着されたホルダー３１８を反応容器３０１内部の受台３０８の上に載置して蓋３０６を閉める。
【００３２】
次に、排気バルブ３１１を開いて反応容器３０１の内部を排気する。そして、真空計３１２の読みが１Ｐａ以下になった時点で原料ガス導入バルブ３１５を開け、加熱用の不活性ガス（例えばアルゴンガス）を原料ガス導入管３１３より反応容器３０１の内部に導入する。反応容器３０１の内部が所定の圧力になるように加熱用の不活性ガスのガス流量および不図示の排気装置の排気速度を調整する。その後、不図示の温度コントローラーを作動させて円筒状基体１０１をヒーター３０７により加熱し、円筒状基体１０１の温度を所定の温度（例えば２０℃〜３５０℃）に制御する。所定の温度に加熱されたところで、不活性ガスを徐々に止めると同時に、堆積膜形成用の原料ガスを原料ガス供給装置から不図示のミキシングパネルにより混合した後に反応容器３０１の内部に徐々に導入する。原料ガスとしては、例えば、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ６、ＮＯなどの材料ガスや、Ｂ２Ｈ６、ＰＨ３などのドーピングガスや、Ｈ２、Ｈｅ、Ａｒなどの希釈ガスが挙げられる。次に、不図示のマスフローコントローラーによって、原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反応容器３０１の内部が例えば０．１Ｐａ〜数１００Ｐａの圧力を維持するよう真空計３１２を見ながら不図示の排気装置の排気速度を調整する。
【００３３】
以上の手順によって堆積膜形成準備を完了した後、円筒状基体１０１上に堆積膜の形成を行う。反応容器３０１の内部の圧力が安定したのを確認後、高周波電源３１７を所定の電力に設定して高周波電力をカソード電極３０２に供給し、高周波グロー放電を生起させる。このとき、反射波が最小となるようにマッチングボックス３１６を調整し、高周波の入射電力から反射電力を差し引いた値を所定の値に調整する。この放電エネルギーによって反応容器３０１の内部に導入された原料ガスが分解され、円筒状基体１０１上に堆積膜が形成される。なお、堆積膜の形成を行っている間は、モーター３０９を運転し、円筒状基体１０１を所定の速度（例えば１ｒｐｍ）で回転させる。
【００３４】
所定の膜厚の堆積膜が形成された後、高周波電力の供給を止め、原料ガス導入バルブ３１５を閉じて、反応容器３０１への原料ガスの流入を止め、反応容器３０１の内部を一旦高真空に排気して堆積膜の形成を終える。上記のような操作を繰り返し行うことによって、所定の層構成のａ−Ｓｉ堆積膜を形成することができる。
【００３５】
円筒状基体上にａ−Ｓｉ堆積膜を形成した後、反応容器３０１の蓋３０６を開け、ａ−Ｓｉ堆積膜が形成された円筒状基体１０１および上部補助基体３１９が装着されたホルダー３１８を反応容器３０１から取り出す。さらに、ａ−Ｓｉ堆積膜が形成された円筒状基体１０１をホルダー３１８から取り外し、充填材を有機溶剤（例えば２−プロパノールやアセトン）を染み込ませた布で拭き取ってａ−Ｓｉ感光体が完成する。
【実施例】
【００３６】
以下、実施例および比較例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらにより何ら制限されるものではない。なお、以下の説明では、上述した実施形態において示したのと同じ部分に関しては、同じ符号を用いて説明する。
【００３７】
以下の実施例および比較例では、円筒状基体１０１として、外径寸法８０ｍｍ、内径寸法７４ｍｍ、長さ３５８ｍｍのアルミニウム合金製のものを用いた。なお、円筒状基体１０１の両端部には、インロー加工部１０５（両端に幅１３ｍｍ、内径寸法７５．７ｍｍ）、および面取り面１０４（Ｃ０．５ｍｍ）が形成されている。
【００３８】
また、以下の実施例では、図４に示すように、円筒状基体１０１は長手方向に２本と、上部補助基体３１９をホルダー３１８に装着し、それぞれの接続部４０３、４０４、４０５の隙間を充填材で埋める処理を行ったが、代表して接続部４０４のみ記載する。
【００３９】
〔実施例１〕
図６（ａ）に示すように、円筒状基体１０１間の隙間に充填材６０１を埋めた。なお、充填材６０１は、シリコーングリース（東レ・ダウ・コーニング・シリコーン社製の「Ｈ．Ｖ．Ｇ」（商品名））を用いた。
【００４０】
そして、図３に示す堆積膜形成装置３００を用いて、プラズマＣＶＤ法により、円筒状基体１０１上に表１に示す条件で下部阻止層、光導電層および表面層を形成し、図２に示す層構成のａ−Ｓｉ感光体を２本作製した。
【００４１】
【表１】
【００４２】
得られた２本のａ−Ｓｉ感光体に関して、堆積膜の均一性の評価として、「膜厚周むら」「Ｖｄ周むら」の評価を以下のように実施した。
【００４３】
「膜厚周むら」の評価
膜厚計（フィッシャーインストルメンツ社、ＦＩＳＣＨＥＲ ＳＣＯＰＥ ＭＭＳ（商品名））を用い、ａ−Ｓｉ感光体の端部から３０ｍｍの位置において、周方向に９度間隔の４０点の膜厚を計測し、その４０点の最大値と最小値の差を求めた。ａ−Ｓｉ感光体の両端部で同様に計測して最大値と最小値の差を求め、得られた値の大きい方の値を「膜厚周むら」とした。評価は、後述の比較例１で得られた結果を１００としたときの、相対評価で行った。この評価結果は、数字が小さいほど良い。
【００４４】
「Ｖｄ周むら」の評価
電子写真感光体の特性である「Ｖｄ周むら」の評価には、現像器の代わりに表面電位計を装着した複写機（キヤノン（株）製、ｉＲ５０００（商品名）の改造機）を用いた。ａ−Ｓｉ感光体の中央位置暗部電位が、４５０Ｖになるように帯電電流を調整し、ａ−Ｓｉ感光体の端部から３０ｍｍの位置において、暗部電位の測定を行い、周方向測定値の最大値と最小値の差を求めた。ａ−Ｓｉ感光体の両端部で同様に測定し、得られた値の大きい方の値を「Ｖｄ周むら」とした。評価は、比較例１で得られた結果を１００としたときの、相対評価で行った。この評価結果も、数字が小さいほど良い。
【００４５】
各評価結果のランク付け
前記各評価結果に対して、以下に示す基準でランク付けを行った。
Ａ ・・・ ５０未満
Ｂ ・・・ ５０以上６５未満
Ｃ ・・・ ６５以上８０未満
Ｄ ・・・ ８０以上９５未満
Ｅ ・・・ ９５以上１０５未満（変化なし）
Ｆ ・・・ １０５超
各評価結果を表２に示す。
【００４６】
〔実施例２〕
図６（ｃ）に示すように、円筒状基体１０１間の隙間を充填材６０１で埋め、さらに充填材６０１が円筒状基体１０１の外周面１０２より１ｍｍはみ出す状態になるようにした。そして、それ以外は実施例１と同じとし、ａ−Ｓｉ感光体を２本作製した。得られた２本のａ−Ｓｉ感光体に関して、実施例１と同様に評価を行った。結果を表２に示す。
【００４７】
〔実施例３〕
図６（ｂ）に示すように、円筒状基体１０１間の隙間を充填材６０１で埋め、さらに充填材６０１が円筒状基体１０１の外周面１０２と概略同一面の状態になるようにした。そして、それ以外は実施例１と同じとし、ａ−Ｓｉ感光体を２本作製した。得られた２本のａ−Ｓｉ感光体に関して、実施例１と同様に評価を行った。結果を表２に示す。
【００４８】
〔実施例４〕
実施例１において、充填材６０１をフッ素系グリスのデムナムグリース（ダイキン工業社製の「Ｌ−２００」（商品名））に変更した。そして、それ以外は実施例１と同じとし、ａ−Ｓｉ感光体を２本作製した。得られた２本のａ−Ｓｉ感光体に関して、実施例１と同様に評価を行った。結果を表２に示す。
【００４９】
〔実施例５〕
実施例１において、充填材６０１をフッ素系グリスのフォンブリングリース（ソルベイソレクシス社製の「ＹＶＡＣ２」（商品名））に変更した。そして、それ以外は実施例１と同じとし、ａ−Ｓｉ感光体を２本作製した。得られた２本のａ−Ｓｉ感光体に関して、実施例１と同様に評価を行った。結果を表２に示す。
【００５０】
〔比較例１〕
実施例１において、接続部４０３、４０４、４０５の隙間を充填材で埋める処理を行わなかった。つまり、図５に示すような隙間５０１が充填材で埋まっていない状態である。そして、それ以外は実施例１と同じとし、ａ−Ｓｉ感光体を２本作製した。得られた２本のａ−Ｓｉ感光体に関して、実施例１と同様に評価を行った。結果を表２に示す。
【００５１】
〔比較例２〕
比較例１において、隙間に図７に示す形状のステンレス製のリング状部材７０１を挿入した。この場合、円筒状基体１０１の端面１０３とリング状部材７０１の間には、２個所の周方向に不均一な隙間７０２が存在する状態となる。そして、それ以外は実施例１と同じとし、ａ−Ｓｉ感光体を２本作製した。得られた２本のａ−Ｓｉ感光体に関して、実施例１と同様に評価を行った。結果を表２に示す。
【００５２】
【表２】
【００５３】
表２に示すように、周むらに関して、各実施例は各比較例に対して良化した。つまり、円筒状基体と補助基体の間の隙間を充填材で埋めることにより、また、円筒状基体をその長手方向に複数設置する場合は円筒状基体間の隙間も充填材で埋めることにより、円筒状基体の周方向でのプラズマ処理が均一になって、本発明の効果が得られることがわかる。
【００５４】
実施例３のように、円筒状基体の外周面と充填材が概略同一面となる状態にすることで、さらに良化することがわかる。
【００５５】
実施例２は、比較例１より良化するが、実施例１ほど良化していない。これは、円筒状基体の外周面から充填材がはみ出していることによる影響であると考えられる。したがって、充填材で隙間を埋めるのは、円筒状基体の外周面と概略同一面までがより効果が高いことがわかる。
【００５６】
実施例４および５は、実施例１よりＶｄ周むら良化していることから、フッ素原子を含有する充填材（高真空用グリス）はさらに効果的であることがわかる。これは、円筒状基体間および円筒状基体と補助基体の間の隙間の間隔は周方向に差があるため、その隙間を埋めるには充填材の量に差が出る。充填材が多い部分は、そこからの放出ガスも多くなると考えられるが、フッ素原子を含有する充填材は、低蒸気圧で耐熱性が高いことからその影響が少なくなっているのであると推察される。
【００５７】
比較例２は比較例１よりも悪化した。比較例２は、円筒状基体と補助基体との間および円筒状基体間の横ズレを抑えるには効果があるが、隙間１箇所につき隙間の数が倍になった分、隙間が増えたため、端部の周むらに関しては逆効果となったと考えられる。以上より、本発明により、特に端部での膜厚や膜質の均一性に優れた堆積膜を形成することが可能である。
【符号の説明】
【００５８】
１０１ 円筒状基体
１０２ 外周面
１０３ 端面
１０４ 面取り面
４０１ リング状部材
６０１ 充填材
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒状基体を設置するとともに円筒状基体の長手方向端部側に補助基体を設置し、円筒状基体と補助基体との間の隙間を充填材で埋めた後、プラズマＣＶＤ法により円筒状基体上に堆積膜を形成する工程を有する電子写真感光体の製造方法。
【請求項２】
円筒状基体を長手方向に複数設置するとともに円筒状基体の長手方向端部側に補助基体を設置し、円筒状基体と補助基体との間の隙間および円筒状基体間の隙間を充填材で埋めた後、プラズマＣＶＤ法により円筒状基体上に堆積膜を形成する工程を有する電子写真感光体の製造方法。
【請求項３】
前記充填材の２０℃での蒸気圧が１×１０−４Ｐａ以下であり、前記充填材の１００℃での蒸気圧が１×１０−１Ｐａ以下である請求項１または２に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項４】
前記充填材がフッ素原子を含有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項１】
円筒状基体を設置するとともに円筒状基体の長手方向端部側に補助基体を設置し、円筒状基体と補助基体との間の隙間を充填材で埋めた後、プラズマＣＶＤ法により円筒状基体上に堆積膜を形成する工程を有する電子写真感光体の製造方法。
【請求項２】
円筒状基体を長手方向に複数設置するとともに円筒状基体の長手方向端部側に補助基体を設置し、円筒状基体と補助基体との間の隙間および円筒状基体間の隙間を充填材で埋めた後、プラズマＣＶＤ法により円筒状基体上に堆積膜を形成する工程を有する電子写真感光体の製造方法。
【請求項３】
前記充填材の２０℃での蒸気圧が１×１０−４Ｐａ以下であり、前記充填材の１００℃での蒸気圧が１×１０−１Ｐａ以下である請求項１または２に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項４】
前記充填材がフッ素原子を含有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１１−１２３４４３（Ｐ２０１１−１２３４４３Ａ）
【公開日】平成２３年６月２３日（２０１１．６．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２８３４６５（Ｐ２００９−２８３４６５）
【出願日】平成２１年１２月１４日（２００９．１２．１４）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年６月２３日（２０１１．６．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１２月１４日（２００９．１２．１４）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
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