説明

N2ガスパージ装置におけるノズルユニット

【課題】半導体製造ラインにおいて、FOUP内へN2ガスを供給して、N2ガスパージを十分に行うことができ、且つパージ時間も短くすることができるノズルユニットを提供する。
【解決手段】上部にブリージングフィルターユニットの通気開口に密着するノズル先端部36、下部に半球面シール部37を備えると共に、上部と下部をガス通路38が貫通した構造のノズル35と、上部に前記ノズル35の半球面シール部37を受けて保持するための凹型半球面シール部43を備え、且つ中心にガス通路45を備えたノズル受け42、更に、前記ノズル35の可動性を維持したまま、該ノズル35をノズル受け42に保持すべく、ノズル35とノズル受け42にOリング溝46および保持用Oリング47をそれぞれ設けてN2ガスパージ装置におけるノズルユニットを形成する。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ミニ・エンバイロンメント方式の半導体クリーンルームで使用される半導体ウエハ収納容器(以下、「FOUP」という)を、N2ガスパージするパージ装置においてN2ガス供給ノズルおよび排気ノズルを備えたN2ガスパージ装置におけるノズルユニットに関するものである。
【背景技術】
【0002】
現在、半導体製造クリーンルームでは、ウエハをFOUPに収納し、外気に触れずに半導体製造装置間を搬送・ハンドリングするミニ・エンバイラメント方式が一般的となっている。
【0003】
現在、半導体回路の微細化が進み、先端の半導体ICは32nmのデザインルールで生産されており、22nmでの生産も迫ってきている。その結果、半導体プロセス環境への要求も一段厳しくなり、プロセス工程によっては、ウエハを収納したFOUP内の水分、ケミカルガスを完全に除去することが必要になってきている。
【0004】
FOUPには、輸送中に大気圧が変化した場合、内部の圧力と外気圧力を均一にして、FOUPの膨張、収縮を防ぐために、FOUPの底板にブリージングフィルターユニットが備えられている。そして、前記ブリージングフィルターユニットには、ブリージングフィルターが取り付けられているが、該ブリージングフィルターは、FOUP内部と外部との空気の出入り時に、外部からFOUP内に塵が侵入するのを防ぐためのものである。
【0005】
そして現在、FOUP内のウエハ面への水分、ケミカルガスの付着が歩留まり低下を引き起こす工程では、高純度のN2ガスでFOUP内の残留ガスを追い出し、N2ガスを満たすことにより、ウエハ表面を水分またはケミカルガスによる汚染から保護するN2ガスパージが採用されている。
【0006】
前記N2ガスパージが採用されるようになってからは、N2ガスパージ用FOUPの底板に設置されたブリージングフィルターユニットには、FOUPへのN2ガスの供給時のみ開放するバルブを備えたN2ガス供給用ブリージングフィルターユニットと、FOUP内の残留ガスをFOUP外部へ排気する時のみ開放するバルブを備えた排気用ブリージングフィルターユニットとがそれぞれ1種類ずつ装備され、FOUP内をN2ガスに置換後は、前記のそれぞれのバルブは閉鎖され、FOUP内のN2ガスが外部へ漏れないようにシールされている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
前記N2ガスパージ用FOUPの底板には、FOUPメーカにより、色々なタイプのブリージングフィルターユニットが装備されている。いずれのメーカのブリージングフィルターユニットも、N2ガス供給側のブリージングフィルターユニットの構造は、筒状筐体の上部にフィルターを備えた上端開口部と、底部にブリージングフィルターユニット内へのN2ガス供給時のみ開放になるシャターを備えたN2ガス供給側通気開口を備え、また、残留ガス排気側のブリージングフィルターユニットの構造は、筒状筐体の上部にフィルターを備えた上端開口部と、底部にブリージングフィルターユニット内の残留ガスが排出されるときのみ開放になるシャッターを備えた残留ガス排気側通気開口を備えた構造になっている。
【0008】
前記N2ガスパージ装置のFOUP搭載面には、FOUP位置決め用キネマピンが3セットと、FOUP内へN2ガスを供給するN2ガス供給ノズルおよびFOUP内の残留ガスの排気用ノズルの2種類が設置されている。半導体ウエハが収納されたFOUPをN2ガスパージする場合、前記FOUPを前記N2ガスパージ装置に搭載すると、前記FOUPは前記キネマピンによって位置決めされ、前記FOUP底部のブリージングユニットのN2ガス供給側通気開口は前記N2ガス供給ノズルと連結され、また、残留ガス排気側通気開口は排気ノズルと連結される。
【0009】
N2ガスパージ装置のN2ガス供給ノズルから供給されるN2ガスは、前記FOUP底部のブリージングフィルターユニットのN2ガス供給側通気開口より、半導体ウエハが収納されたFOUP内部に入る。FOUP内部の残留ガスは、前記FOUP底部のブリージングユニットの残留ガス排気側通気開口に連結されたN2パージ装置の排気用ノズルを通り、外部へ吸引排出される。
【0010】
半導体製造ラインでは、FOUPは定期的に温水洗浄・乾燥されるが、その際、前記FOUPは樹脂製のため少しずつ変形して行く。前記FOUPがパージ装置上に搭載され、3セットのキネマピンで、FOUPを定位置に保持しても、何回も洗浄・乾燥を繰り返したFOUPは歪んでしまい、FOUPの底部も水平が保てなくなる。更に、前記ブリージングフィルターユニットは消耗品として交換されるため、各社のブリージングフィルターユニットのFOUP底部への取り付けは簡単に出来るようになっているが、精度良く水平を保てるような構造になっていない。その結果、N2パージ装置にFOUPが搭載された場合、N2ガス供給ノズルとN2ガス供給側通気開口、残留ガス排気ノズルと残留ガス排気側通気開口の間に、それぞれの通気開口の傾斜が原因で隙間が発生する。その結果、それぞれの隙間からN2ガスおよび残留ガスが漏れてしまい、FOUP内のN2ガスパージが不安定になり、パージ時間も長くなるという課題があった。
【0011】
また、半導体の微細化に伴い半導体プロセスからのFOUP仕様、ブリージングフィルター仕様への要求も頻繁に変わっている。結果として、ブリージングフィルターユニット1は、同一メーカでも仕様が異なるものもあり、N2ガス供給側通気開口、残留ガス排気側通気開口の形状も各種存在する。
【0012】
そのため、N2ガスパージ装置では、新たなブリージングフィルターと連結できるN2ガス供給ノズルおよび排気ノズルを新たに準備しなくてはならないという課題があった。
【0013】
更に、前記従来のN2ガスパージ装置では、連結部からのN2ガスの漏れを防ぐために、N2ガス供給ノズルの先端および排気ノズルの先端、またはN2ガス供給側通気開口部および残留ガス排気側通気開口部に弾力性のあるゴム系材料を使用しているものもあるが、塵、アウトガスが発生するため、半導体ウエハプロセスに悪影響を及ぼすという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【0014】
本発明は、半導体製造ラインにおいて、FOUP(半導体ウエハ収納容器)をN2ガスパージ装置に搭載するFOUP底部に設けられたブリージングフィルタユニットのN2ガス供給側通気開口と残留ガス排気側通気開口が、N2ガスパージ装置のFOUP搭載部に設けられたN2ガス供給ノズルおよび排気ノズルにそれぞれ連結され、N2ガス供給ノズルよりN2ガスが供給され、排気ノズルにより、FOUP内部の残留ガスが排出され、FOUP内部をN2ガスで充満させるN2ガスパージ装置のN2ガス供給ノズルと排気ノズルを備えたノズルユニットにおいて、上部にブリージングフィルタユニットの通気開口に密着するノズル先端部、下部に半球面シール部を備えると共に、上部と下部をガス通路が貫通した構造のノズルと、上部に前記ノズルの半球面シール部を受けて保持するための凹型半球面シール部を備え、且つ中心にガス通路を備えたノズル受け、更に、前記ノズルの可動性を維持したまま、該ノズルをノズル受けに保持すべく、ノズルとノズル受けにOリング溝および保持用Oリングをそれぞれ備えるという手段を採用することにより、上記課題を解決した。
【発明の効果】
【0015】
本発明は、上部にブリージングフィルタの通気開口に密着するノズル先端部、下部に曲面シール部を備えると共に、上部と下部をガス通路が貫通した構造のノズルと、上部に前記ノズルの曲面シール部を受けて保持するための凹型曲シール部を備え、且つ中心にガス通路を備えたノズル受け、更に、前記ノズルの可動性を維持したまま、該ノズルをノズル受けに保持すべく、ノズルとノズル受けにOリング溝および保持用Oリングをそれぞれ設けてノズルユニットが形成されているので、洗浄・乾燥により傾斜したFOUPの底部により、ブリージングフィルターユニットの通気開口が傾斜していても、前記ノズルの回転により、ノズル先端部が傾斜した通気開口に密着するので、Oリングからのアウトガスはシール部接触面で遮断され、ガス通路には、混入されず外部に放出され、完全にガスパージができる。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1】従来のN2ガスパージ用FOUPの斜視図。
【図2】同FOUPとN2ガス供給側ブリージングフィルターユノット縦断面図。
【図3】同残留ガス排気側ブリージングフィルターユノットの断面図。
【図4】同N2ガスパージ装置の斜視図。
【図5】同N2ガス供給ノズル、残留ガス排気ノズルを装備したN2ガスパージ装置にFOUPを搭載して、FOUP内をパージする時のN2ガス、残留ガスの流れ方の断面図。
【図6】同N2ガス供給側ノズルとブリージングフィルターユニットのN2ガス供給側通気開口との連結部の断面図。
【図7】同N2ガス供給側ノズルとブリージングフィルターユニットのN2ガス供給側通気開口との連結部からのN2ガス漏れ対策 その1の断面図。
【図8】同N2ガス供給側ノズルとブリージングフィルターユニットのN2ガス供給側通気開口との連結部からのN2ガス漏れ対策 その2の断面図。
【図9】本発明に係るノズルの断面図。
【図10】同ノズル受けの断面図。
【図11】同Oリングの断面図。
【図12】同ノズル組み立て断面図。
【図13】本発明に係るノズル、ノズル受け、およびOリングを組み立てたノズルユニットとFOUP底部のブリージングフィルターユニットのN2ガス供給側通気開口とが連結した状態の断面図。
【図14】本発明に係るN2ガス供給ノズル、残留ガス排気ノズルを装備したN2ガスパージ装置にFOUPを搭載して、FOUP内に測定器を設置し、N2パージ時間を測定するときの断面図。
【図15】N2ガスパージ装置に本発明のN2ガス供給ノズル、残留ガス排気ノズルを装備した場合と、従来のN2ガス供給ノズル、残瑠ガス排気ノズルを装備した場合のN2ガスパージ時間の測定結果比較図。
【実施例】
【0017】
以下、本発明の実施例を図に基づいて詳細に説明する。
図1は従来汎用されているFOUPの斜視図、図2は同FOUPとN2ガス供給側ブリージングフィルターユニットの縦断面図、図3は同残留ガス排気側ブリージングフィルターユニットの縦断面図である。図1〜図3に示すように、FOUP11の底部12には、N2ガス供給側ブリージングフィルターユニット1と残留ガス排気側ブリージングフィルターユニット6が取り付けられている。N2ガス供給側ブリージングフィルターユニット1は、上端開口部2、フィルター3、N2ガス供給側通気開口5を備え、内部にはN2ガス供給時のみ開放するN2ガス供給側シャッター4を備えている。また、排気側ブリージングフィルターユニット6は上端開口部7、フィルター8、残留ガス排気側通気開口10を備え、内部には残留ガス排気時のみ開放する残留ガス排気側シャッター9を備えて形成されている。
【0018】
図4は、従来のノズルを装備したN2ガスパージ装置16の斜視図である。前記N2ガスパージ装置16のFOUP搭載部17には、N2ガス供給側ノズル19と残留ガス排気側ノズル20が装備されると共に、前記FOUP11の搭載時、該FOUP11の位置決めを行うキネマピン18が3セット突設されている。更に、前記N2ガスパージ装置16には、N2ガス25の供給用のN2ガス供給口21と残留ガス26の排気用の残留ガス排気口22とが設けられている。また、前記パージ装置16の内部の電磁バルブ(図示せず)を操作するための、電磁バルブ制御盤23がケーブル24でパージ装置16に接続されている。
【0019】
図5は、従来のノズルを装備したパージ装置16のFOUP搭載部17上にFOUP11を搭載し、N2ガスパージを行うときのN2ガス25および残留ガス26の流れを示す断面図である。半導体ウエハ14が収納されたFOUP11をN2ガスパージ装置16上に搭載すると、FOUP11はキネマピン18によって位置決めされ、FOUP11底部のブリージングユニット1・6のN2ガス供給側通気開口5はN2ガス供給ノズル19と連結され、また残留ガス排気側通気開口10は排気ノズル20と連結されている。
【0020】
N2ガス供給源27よりN2ガス供給口21を経て、前記パージ装置16のN2ガス供給ノズル19から供給されるN2ガス25は、FOUP11底部のN2ガス供給側ブリージングフィルターユニット1のN2ガス供給側通気開口5より、半導体ウエハ14が収納されたFOUP11内部に入る。FOUP11内部の残留ガス26は、FOUP11底部の残留ガス排気側ブリージングフィルターユニット6の残留ガス排気側通気開口10に連結されたパージ装置16の排気用ノズル20、残留ガス排気口22を通り、排気ダクト28から外部へ吸引排出される。その結果、FOUP11内はN2ガス25で充満される。
【0021】
図6は、従来のパージ装置16におけるN2ガス供給ノズル19とN2ガス供給側ブリージングフィルターユニット1のN2ガス供給側通気開口5との連結状態を示す断面図である。
【0022】
一般に、半導体製造ラインでは、FOUP11は定期的に温水洗浄・乾燥される。FOUP11は樹脂製のため少しずつ変形して行く。FOUP11がパージ装置16上に搭載され、キネマピン18でFOUP11を定位置に保っても、何回も洗浄・乾燥を繰り返したFOUP11は歪んでしまい、FOUP11の底部12も水平が保てなくなる。更に、N2ガス供給側ブリージングフィルターユニット1は消耗品として交換されるため、各社のN2ガス供給側ブリージングフィルターユニット1のFOUP底部12への取り付け方法は簡単さが優先され、精度良く水平が維持できないため、N2ガス供給ノズル19とN2ガス供給側通気開口5との間に傾斜θ31が原因で隙間30が発生する。その結果、N2ガスパージ時には、前記隙間30からN2ガスが漏れてしまうことになる。
【0023】
また、残留ガス排気側の連結部でも、前記N2ガス供給側と同様の原因による隙間が発生し、FOUP11内の残留ガス26の吸引・排出が十分にされず、結果として、FOUP11のN2ガスパージが十分に行われず、パージ時間も長くなるという問題点があった。
【0024】
図7、8に、従来のN2ガス供給側の連結部での、前記問題点に対する対策例を示す。前記対策例は、残留ガス排気側の連結部でも同一であるため、その説明を省略する。図7は、従来の一般的な対策例を示す断面図である。図に示すように、N2ガス供給側通気開口5またはN2ガス供給ノズル先端29を、弾力性のある材質53にする方法である。この方法であると、シール性はある程度確保できるが、弾力性のある材質53からのアウトガスが多く、先端半導体製造ラインでは、使用できないという課題があった。
【0025】
また、図8はN2ガス供給側通気開口5の傾斜に従って、N2ガス供給ノズル19が傾斜するようにN2ガス供給ノズル19をバネ33で支持したものである。N2ガス供給側通気開口5が傾斜すると、該N2ガス供給側通気開口5とN2ガス供給側通気開口5の中心のずれD34が発生し、FOUP11とN2ガスパージ装置16を連結するには、該FOUP11とN2パージ装置16に歪が伴うという課題があった。
【0026】
図9,10,11,12に、本発明に係るノズルユニットおよびその構成部品を示す。図9は、本発明に係るノズル35の断面図である。前記ノズル35は、各仕様のブリージングフィルターのN2ガス供給側通気開口5および残留ガス排気側通気開口10に合わせた形状のノズル先端部36と、反対側の半球面シール部37を備えると共に、中央にNガス通路38を貫通して形成されている。更に、前記ノズル35の可動性、シール性を保ちながら、該ノズル35をノズル受け42に保持するため、Oリング溝39が半球面シール部37を取り囲むように設けられている。
【0027】
ブリージングフィルターユニットI・6を構成するN2ガス供給側通気開口5および残留ガス排気側通気開口10の傾斜θ31に合わせ、前記ノズル先端部36がスムーズに傾斜し、それぞれの中心がずれないように設計するには、該ノズル35の長さL(ノズル先端部からノズル半球面シール部までの長さ)が、ノズル半球面シール部37の球面半径R40に対して、L≒2Rとなるようにすることが好ましい。
【0028】
図10は、本発明に係るノズル35を保持するノズル受け42の断面図である。前記ノズル受け42は、ノズル35の半球面シール部37を受ける凹型半球面シール部43を備え、中央にはガス通路45が貫通して形成されている。また、前記凹型半球面シール部43には、ノズル35を保持するためのOリング溝46が周設されている。前記凹型半球面シール部43の球面半径R40と、ノズル受け凹型半球面シール部43の球面半径R44は同一長さに形成される。更に、ノズル35がノズル受け42の凹型半球面シール部43上を回転球中心51を支点にして回転できるように、ノズル35とノズル受け42に設けられたOリング溝39,46の幅は、前記ノズル35の傾斜角度に合わせ、Oリング47の直径より幅広くすることが推奨される。
【0029】
図11は、前記ノズル35の可動性を保ちながらノズル受け42に保持するOリング47の断面図である。
【0030】
図12は、ノズル35、ノズル受け42、およびOリング47を用いて形成された本発明ノズルユニット52の断面図である。ノズル35がノズル受け42に嵌合されると、それぞれシール部接触面48,49が密に接触し、ガスの漏れを防ぐことができる。前記ノズル35は、ノズル受け42から取り外し可能なため、保守性も良く、各種のブリージングフィルタの通気開口に合うノズルと交換することができる。
【0031】
図13は、本発明ノズルユニット52をパージ装置16に装着し、FOUP11をN2ガスパージする時の連結部の断面図である。洗浄・乾燥により傾斜したFOUP11の底部12により、ブリージングフィルターユニット1の通気開口5は傾斜しているが、ノズル35の回転により、ノズル先端部36は傾斜した通気開口5に密着しているため、Oリング47からのアウトガス50はシール部接触面48,49で遮断され、ガス通路38には、混入されず外部で放出される。
【0032】
図14は、本発明ノズルユニット52を装着したパージ装置16によるFOUP11をN2ガスパージ性能試験状況を示す。FOUP11内のウエハ14の上に酸素濃度計54が設置されている。パージによるFOUP11内の酸素濃度の変化を測定し、N2ガスの濃度変化に換算している。
【0033】
図15は、従来のノズルを使用した時と、本発明ノズルユニットを使用した時のパージ時間の比較を示す。本発明のノズルユニットを使用することにより、FOUP11のブリージングフィルターユニットとノズルユニット52との連結部からのガスの漏れが、完全に防げた結果、パージ時間が大幅に短縮されることを立証することができた。
【符号の説明】
【0034】
1 N2ガス供給側ブリージングフィルターユニット
2 N2ガス供給側上部開口部
3 N2ガス供給側フィルタ
4 N2ガス供給側シャッター
5 N2ガス供給側通気開口
6 残瑠ガス排気側ブリージングフィルターユニット
7 残瑠ガス排気側上部開口部
8 残瑠ガス排気側フィルタ
9 残瑠ガス排気側シャッター
10 残瑠ガス排気側通気開口
11 FOUP
12 底部
13 ドア
14 ウエハ
15 ウエハ間隙間
16 N2ガスパージ装置
17 FOUP搭載部
18 キネマピン
19 従来のN2ガス供給側ノズル
20 従来の残瑠ガス排気側ノズル
21 N2ガス供給口
22 残瑠ガス排気口
23 電磁バルブ制御盤
24 ケーブル
25 N2ガス
26 残瑠ガス
27 N2ガス供給源
28 排気ダクト
29 従来のN2ガス供給側ノズル先端
30 隙間
31 傾斜角
32 漏洩N2ガス
33 バネ
34 中心のずれ
35 本発明のノズル
36 本発明のノズル先端部
37 本発明のノズル半球面シール部
38 本発明のノズルガス通路
39 本発明のノズルOリング溝
40 本発明のノズルシール部球面半径
41 本発明のノズル長さ
42 本発明のノズル受け
43 本発明のノズル受け凹型半球面シール部
44 本発明のノズル受け凹型シール部球面半径
45 本発明のノズル受けガス通路
46 本発明のノズル受けOリング溝
47 Oリング断面
48 本発明のノズル半球面シール部接触面
49 本発明のノズル受け凹型半球面シール部接触面
50 Oリングからのアウトガス
51 本発明のノズル回転中心
52 本発明のノズルユニット
53 シールゴム
54 酸素濃度計

【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体製造ラインにおいて、FOUP(半導体ウエハ収納容器)をN2ガスパージ装置に搭載するFOUP底部に設けられたブリージングフィルタユニットのN2ガス供給側通気開口と残留ガス排気側通気開口が、N2ガスパージ装置のFOUP搭載部に設けられたN2ガス供給ノズルおよび排気ノズルにそれぞれ連結され、N2ガス供給ノズルよりN2ガスが供給され、排気ノズルにより、FOUP内部の残留ガスが排出され、FOUP内部をN2ガスで充満させるN2ガスパージ装置のN2ガス供給ノズルと排気ノズルを備えたノズルユニットにおいて、上部にブリージングフィルタユニットの通気開口に密着するノズル先端部、下部に半球面シール部を備えると共に、上部と下部をガス通路が貫通した構造のノズルと、上部に前記ノズルの半球面シール部を受けて保持するための凹型半球面シール部を備え、且つ中心にガス通路を備えたノズル受け、更に、前記ノズルの可動性を維持したまま、該ノズルをノズル受けに保持すべく、ノズルとノズル受けにOリング溝および保持用Oリングをそれぞれ備えたことを特徴とするN2ガスパージ装置におけるノズルユニット。
【請求項2】
請求項1記載のノズルの下部が、球面シール部が半球面シール部、ノズル受けの凹型球面シール部が、凹型半球面シール部に形成され、それぞれの半球面が同一球半径Rで、ノズルの長さLと球半径Rは2R≒Lとし、ノズルがノズル受けの凹型半球面シール部上を同一半球中心を支点に回転できるように、ノズルとノズル受けに設けられたOリング溝の幅は、ノズルの傾き角度にあわせ、Oリングの直径より幅広くすることを特徴とするN2ガスパージ装置におけるノズルユニット。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【図9】
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【図10】
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【図11】
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【図12】
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【図13】
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【図14】
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【図15】
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【公開番号】特開2012−164948(P2012−164948A)
【公開日】平成24年8月30日(2012.8.30)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−40792(P2011−40792)
【出願日】平成23年2月8日(2011.2.8)
【出願人】(000163660)近藤工業株式会社 (28)
【出願人】(391017274)日本ケンブリッジフィルター株式会社 (18)
【Fターム(参考)】