【課題】起動時における突入電流を従来に比べて大幅に抑制して、直流電圧の電圧変動を抑制することが可能となる電源装置を提供する。
【解決手段】交流直流変換部のスイッチング素子をオン／オフ制御するスイッチング動作制御部１５は、出力電圧計測値Ｖｄｃが起動開始電圧値になるまでは、スイッチング素子のオン／オフ制御を停止し、出力電圧計測値Ｖｄｃが起動開始電圧値に到達した以降、出力電圧設定値に達するまでは、予め設定された起動処理時間を、予め設定された更新サイクル時間で除したステップ数で、目標出力電圧値Ｖｒｅｆを出力電圧設定値まで段階的に上昇させる目標電圧生成制御を行う。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの分割の処理速度を速めることができ、半導体チップの断面形状等の品質を一定に維持することができ、隣接する半導体チップ同士が分割されない虞もないウェーハの分割装置及び分割方法を提供する。
【解決手段】本発明のウェーハの分割装置１１は、表面２ａに複数個の半導体が形成され、半導体それぞれの周囲にブレークラインが形成されたウェーハ２を、ブレークラインにより複数個の半導体チップに分割する装置であり、気体または液体を注入することにより膨張可能な風船１２と、風船１２を下面１３ａに取り付け可能な風船取付台１３と、を備え、風船１２がウェーハ２の表面２ａに近接するように風船取付台１３をウェーハ２に対向配置し、風船１２を膨張させてウェーハ２の表面２ａを押圧することにより、ウェーハ２をブレークラインにより複数個の半導体チップに分割する。 （もっと読む）

【課題】従来の樹脂封止型半導体装置よりも大きな電流を流すことが可能な樹脂封止型半導体装置を提供する。
【解決手段】金属板でなるヒートシンク１１００と、ヒートシンク１１００の上面側に配設された半導体チップ３１０，３２０と、平板状金属板を折り返して形成された応力緩和構造とを有し、ヒートシンク１１００と半導体チップ３１０，３２０との間に配設された弾性接続子１２００，１３００と、半導体チップ３１０，３２０の上面側電極３１２，３２２に電気接続された外部接続リード（端子金具１４１０，１５１０）と、ヒートシンク１１００、半導体チップ３１０，３２０、弾性接続子１２００，１３００及び端子金具１４１０，１５１０を封止するモールド樹脂４００とを備える樹脂封止型半導体装置１０であって、ヒートシンク１１００は弾性接続子１２００，１３００を介して半導体チップ３１０，３２０の下面側電極３１１，３２１に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 巻線の引出線の絶縁性の確保が容易であり、かつ、引出線が位置ずれしにくい構造を有する磁性部品を提供すること。
【解決手段】 巻線１１の引出線である配設部１３とこれに連続する端部及び近傍部分１５、並びに端部及び近傍部分１６、巻線１２の引出線である配設部１４とこれに連続する端部及び近傍部分１７、並びに端部及び近傍部分１８とがボビン３０の各部によって保持又は挟持されているので、磁性部品１０の実装作業時や実装後にこれらが本来の位置からずれて、短絡する或いは必要な沿面距離又は空間距離を保てなくなることを防止でき、これらにゴム等の絶縁被覆を設ける必要がない。また、これらが位置ずれしにくくなり、磁性部品１０を基板に実装する際の位置決めが容易になる。さらに、磁性部品１０を基板に実装する際にこれらが接続する相手方の配線等に押されて位置ずれすることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】トレードオフの関係にある臨界オフ電圧上昇率ｄＶ／ｄｔとゲート感度との関係を改善した半導体装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、ゲートトリガ電流Ｉ_ＧＴの経路となるベース層（Ｐ型ベース領域、Ｐ型半導体領域Ｐ１）のゲート電極Ｍ１ｂとのオーミック接触面である高濃度不純物層を、高融点金属シリサイド層ＬＭで形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、信号処理結果の精度を維持しつつ、信号処理の応答性を改善する。
【解決手段】信号処理装置１００は、複数の入力信号に基づいて生成される情報を、複数の入力信号からなる組と入力信号の取得順序（０〜（Ｎ−１））とに対応させて記憶するデータレジスタ部３０と、複数の入力信号に基づいた情報を生成するＡＤ変換部２０と、複数の入力信号からなる入力信号の組を示す識別情報（０〜（Ｍ−１））と、組を成す複数の入力信号の取得順序を示す順序情報（０〜（Ｎ−１））とに対応させて、入力信号に基づいて生成された情報をデータレジスタ部３０に記憶させる制御部９０と、複数の入力信号の組を成す入力信号に対応する記憶された情報に対するフィルタ処理を行うフィルタ処理部４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】負荷に供給する電流における過電流保護をして、交互に繰り返される電流の方向切替制御における導通時間をバランスさせて負荷に供給する電流を調整するフルブリッジ構成のスイッチング部を制御する。
【解決手段】検出部２０は、電圧変換部１４の電流が予め定められる閾値を超えたことを検出して過電流検出信号を出力する。制御部３０は、フルブリッジ位相制御方式を用いてスイッチング部１２の直列に接続される第１のスイッチ（１２ｃ）と第２のスイッチ（１２ｄ）を導通状態と遮断状態との間で遷移させる位相を制御する。また、制御部３０は、過電流検出信号を検出した場合に、第１のスイッチ（１２ｃ）を遮断し、過電流検出信号を検出したタイミングに応じて第２のスイッチ（１２ｄ）を遮断状態に遷移させる位相を早めるように制御する。 （もっと読む）

【課題】保持電流特性とブレークダウン電圧に影響を与えずに、点弧動作感度の高感度化を実現する片導通サイリスタ（半導体装置）を提供する。
【解決手段】片導通サイリスタ１００は、ｐ領域１とｎ領域２とｐ領域３とｎ領域４とが順に接合されるサイリスタ部１１０と、ｎ領域２とｐ領域３とが接合されたダイオード部１２０とを有する。片導通サイリスタ１００は、ダイオード部１２０におけるｎ領域２に接する第１のダイオード部表面Ｆ１２とダイオード部１２０におけるｐ領域３に接する第２のダイオード部表面Ｆ２２との間に形成され、サイリスタ部１１０が導通する動作過程を示す点弧動作の際に、第１のダイオード部表面Ｆ１２と第２のダイオード部表面Ｆ２２との間に流れる電流経路を、第１のダイオード部表面Ｆ１２と第２のダイオード部表面Ｆ２２との最短経路より長くさせるｎ領域５を備える。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置における優れた放熱性能及び優れた絶縁性能を低下させることなく、従来の半導体装置の場合よりも低背化の要求を満たすことが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】ダイパッド１１０（１２０）、第１リード１１６（１２６）及び第２リード１４０（１３０）を備えるフレーム部と、半導体素子１７２，１７４，１７６，１７８と、一方端が半導体素子１７６，１７８（１７２，１７４）に接合されるとともに他方端が第２リード１３０（１４０）の接続部１３２（１４２）に接合された第１及び第２連結接続子１５０（１６０）とを備え、第１リード１１６（１２６）を半導体素子搭載面１１２（１２２）よりも手前側に位置させるためにダイパッド１１０（１２０）と第１リード１１６（１２６）との間に形成する屈曲部１１８（１２８）が、ダイパッド１１０（１２０）の部分から形成されている樹脂封止型半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ｎ^＋型ソース領域を形成する際にｎ型不純物の拡散深さがばらついたとしても素子の閾値がばらつくという問題を抑制することが可能なトレンチゲート型パワーＭＯＳＦＥＴを提供する。
【解決手段】ｎ⁻型ドリフト層１１４と、ｐ型ボディ層１２０と、ｎ⁻型ドリフト層１１４に達して形成してなる溝１３０と、ｐ型ボディ層１２０内に配置されるとともに、少なくとも一部を溝１３０の内周面に露出させて形成してなるｎ^＋型ソース領域１４０と、溝１３０の内周面に形成してなるゲート絶縁膜１３２と、ゲート絶縁膜１３２の内周面に形成してなるゲート電極層１３４と、ゲート電極層１３４と絶縁されるとともに、ｎ^＋型ソース領域１４０と接して形成してなるソース電極層１５０とを備え、ｐ型ボディ層１２０におけるｐ型不純物の濃度が最大値を示す深さ位置がｎ^＋型ソース領域１４０の最下面よりも深い位置にあるトレンチゲートパワーＭＯＳＦＥＴ１００。 （もっと読む）