【課題】長手方向の一端部に対して他端部を低く位置させるように折り曲げ加工を施してなる一対の端子板の各一端部に、半導体チップを電気接続した上で、一対の一端部及び半導体チップをモールド樹脂により封止し、一対の端子板の他端部を前記モールド樹脂から互いに逆向きに突出させてなる半導体装置を、リードフレームにより製造しても、半導体装置を省電力で駆動することを可能とし、かつ、大型の半導体チップを設けることができるようにする。
【解決手段】導電性板材に、他端部２１，３１を長手方向に配列した一対の端子板２，３、及び、これら一対の他端部２１，３１に接続されて一対の端子板２，３を一体に連結する枠体部４を形成してなり、一対の端子板２，３の一端部２２，３２を、導電性板材の面方向に沿って端子板２，３の長手方向に直交する幅方向に配列した半導体装置製造用のリードフレーム１を提供する。 （もっと読む）

【課題】板状のヒートシンク、端子板及び発熱体を厚さ方向に順次重ねてモールド樹脂で封止した構成の半導体装置において、その品質低下や放熱性低下を抑える。
【解決手段】端子板２，３と、ヒートシンク６に固定するための連結板４と、これらを一体に連結する板状の枠体部５とを備え、連結板４が枠体部５に対してその厚さ方向に突出することで、連結板４の先端４２が発熱体を搭載する端子板２，３の配置部２２の下面よりも下方に位置し、この連結板４に、モールド樹脂に係合させるための係合部が形成されている半導体装置製造用のリードフレーム１を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＭＰＳ構造又はＪＢＳ構造を有し、低い順方向降下電圧ＶＦ及び高い逆方向耐圧ＶＲを両立させることが可能で、さらには、逆回復時間ｔｒｒが短く、かつ、逆方向リーク電流ＩＲが低い半導体装置を提供する。
【解決手段】ｎ⁻型半導体層１１４と、ｎ⁻型半導体層１１４の第１主面側表面に選択的に形成されたｐ^＋型拡散領域１２０と、ｎ⁻型半導体層１１４の第１主面側表面上におけるｐ^＋型拡散領域１２０が形成されていない領域に形成され、ｎ⁻型半導体層１１４との間でショットキー接合を形成するバリアメタル層１３０と、バリアメタル層１３０を覆うようにｎ⁻型半導体層１１４の第１主面側全面に形成され、ｐ^＋型拡散領域１２０との間でオーミック接合を形成するオーミックメタル層１４０と、ｐ^＋型拡散領域１２０の直下にのみライフタイムキラーが導入された局所ライフタイム制御領域１５０とを備える半導体装置１００。 （もっと読む）

【課題】ＭＰＳ構造又はＪＢＳ構造を有し、低い順方向降下電圧ＶＦ及び高い逆方向耐圧ＶＲを両立させることが可能で、さらには、逆回復時間ｔｒｒが短く、かつ、逆方向リーク電流ＩＲが低い半導体装置を提供する。
【解決手段】ｎ⁻型半導体層１１４と、ｎ⁻型半導体層１１４の表面に選択的に形成されたｐ^＋型拡散領域１２０と、ｎ⁻型半導体層１１４及びｐ^＋型拡散領域１２０の表面上に形成され、ｎ⁻型半導体層１１４との間でショットキー接合を形成し、ｐ^＋型拡散領域１２０との間でオーミック接合を形成するバリアメタル層１３０からなる電極層と、ｐ^＋型拡散領域１２０の直下にのみライフタイムキラーが導入された局所ライフタイム制御領域１６０とを備える半導体装置１００。 （もっと読む）

【課題】３相交流発電機のいずれの相にも磁石位置検出機器やサブコイルを設けることなく、交流発電機の三相の交流出力に同期した各相同期信号を生成して進角／遅角制御を行う。
【解決手段】基準信号生成回路７は、三交流発電機１のロータ４の回転により発生するロータ４ａの回転周波数を示す基準交流電圧に基づいて、交流出力電圧の周期と同じ周期の基準三角波Ｐｔｒｇ１，２を生成し、基準三角波Ｐｔｒｇ１，２の半周期に含まれる交流発電機１の各相の交流出力電圧のゼロクロス点の数に基づいて、基準三角波Ｐｔｒｇ１，２と交流出力電圧との位相差の基準とする基準位相を定める基準信号を生成する。 （もっと読む）

【課題】三相交流発電機のいずれの相にも磁石位置検出機器やサブコイルを設けることなく、交流発電機の三相の交流出力に同期した各相同期信号を生成して進角／遅角制御を行う。
【解決手段】基準信号生成回路７は、パルサコイル６からの交流電圧に同期した複数の三角波を生成し、Ｕ相の交流電圧のゼロクロス点における上記三角波の電圧値と、予め設定された閾値電圧とを比較し、三角波各々の比較結果を記憶する。そして、比較結果を基に、基準三角波Ｐｔｒｇ１及び基準三角波Ｐｔｒｇ２を基準信号として決定する。三相同期方形波生成回路１１は、基準三角波Ｐｔｒｇ１、基準三角波Ｐｔｒｇ２、及び上記閾値電圧からＵ相同期信号Ｒｕを生成するとともに、１２０°ずつ位相の遅れたＶ相同期信号Ｒｖ、Ｗ相同期信号Ｒｗを生成する。 （もっと読む）

【課題】電源電圧が変化しても、また書き換え回数が多い使用状況においても、アイドルストップしている状態であるか否かの情報を簡易に、且つ高い信頼性で保持し、アイドルストップ処理を実行することができる制御装置及び制御方法を提供する。
【解決手段】動力生成装置の動力生成を制御する制御装置であって、充電または放電された電荷を保持するコンデンサを備える電圧保持部と、コンデンサを充電または放電する充放電部と、動力生成装置の動力生成をアイドルストップさせるための条件が満たされている場合、充放電部にコンデンサを充電させるアイドルストップ状態制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】三相交流発電機のいずれの相にも磁石位置検出機器やサブコイルを設けることなく、交流発電機の三相の交流出力に同期した各相同期信号を生成して進角／遅角制御を行う。
【解決手段】基準信号生成回路７は、パルサコイル６からの交流電圧に同期し、かつ、内燃機関の稼動直後に相交流発電機１からの一相の交流電圧との位相調整をしたステージ切替タイミング信号Ｐｓｔを生成する。三相同期方形波生成回路１１は、ステージ切替タイミング信号Ｐｓｔに同期させ、Ｕ相に同期した矩形波の信号であるＵ相同期信号Ｒｕ、Ｕ相同期信号Ｒｕから１２０°ずつ位相の遅れたＶ相同期信号Ｒｖ、Ｗ相同期信号Ｒｗを生成する。 （もっと読む）

【課題】三相交流発電機のいずれの相にも磁石位置検出機器やサブコイルを設けることなく、交流発電機の三相の交流出力に同期した各相同期信号を生成して進角／遅角制御を行う。
【解決手段】基準信号生成回路７は、パルサコイル６からの交流電圧に同期した複数の三角波を生成し、これらのうちから基準信号（基準三角波Ｐｔｒｇ１及び基準三角波Ｐｔｒｇ２）を決定する。また、基準信号生成回路７は、Ｕ相の交流電圧のゼロクロス点における上記三角波の電圧値を閾値電圧ＶｔｈＨ及びＶｔｈＬと決定する。三相同期方形波生成回路１１は、基準三角波Ｐｔｒｇ１の閾値電圧ＶｔｈＨで立ち上がり、基準三角波Ｐｔｒｇ２の閾値電圧ＶｔｈＬで立ち下がるＵ相同期信号Ｒｕを生成するとともに、Ｕ相同期信号Ｒｕに対して１２０°ずつ位相の遅れたＶ相同期信号Ｒｖ、Ｗ相同期信号Ｒｗを生成する。 （もっと読む）

【課題】従来のＩＧＢＴの製造方法によって製造されるＩＧＢＴよりもオン抵抗の低いＩＧＢＴを、安価な製造コストで製造することが可能なＩＧＢＴの製造方法を提供する。
【解決手段】パンチスルー型のＩＧＢＴを製造するためのＩＧＢＴの製造方法。ｎ⁻型シリコン基板１１２を準備する第１工程と、ｎ⁻型シリコン基板１１２の第１主面側表面にＭＯＳ構造１２０を形成する第２工程と、ｎ⁻型シリコン基板１１２を研削・研磨してｎ⁻型シリコン基板１１２を薄くする第３工程と、ｎ⁻型シリコン基板１１２の第２主面側からｎ⁻型シリコン基板１１２の内部にｎ型不純物を導入する第４工程と、ｎ⁻型シリコン基板１１２の第２主面側の表面上にｐ型不純物を含有する多結晶シリコン層１１６”を形成する第５工程と、ｎ⁻型シリコン基板１１２の第２主面側からレーザー光を照射して多結晶シリコン層１１６”を溶融させる第６工程とをこの順序で含む。 （もっと読む）