【課題】シーメンス法による多結晶シリコンの製造に用いられる反応装置の地絡の発生を防止すること。
【解決手段】前バッチ後に次バッチの多結晶シリコンの析出反応の準備を行うに際し、電極回りが十分に清浄化されているか否かの判断基準となる絶縁抵抗値Ｒ₀を設定し（Ｓ１０１）、電極回りの清掃後に、電極とベースプレートとの間の絶縁抵抗測定を行う（Ｓ１０２）。この絶縁抵抗値Ｒを上記基準値Ｒ₀と比較し、ＲがＲ₀以上である場合（Ｓ１０３：Ｙｅｓ）、電極回りが十分に清浄化されていると判断して次の工程（例えば、次バッチの多結晶シリコンの析出反応工程）に移行する（Ｓ１０４）。一方、ＲがＲ₀を下回る場合（Ｓ１０３：Ｎｏ）、電極回りが十分に清浄化されていないと判断し、炉内（特に、電極とベースプレートの間に設けられた絶縁部材）の清掃および乾燥を行う（Ｓ１０５）。そして、ステップＳ１０２に戻り、以降のステップを実施する。 （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基の水素原子が一般式（１）で示される酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


（Ａは−（ＣＲ²₂）_m−、Ｂは−（ＣＲ⁵₂）_n−を示し、Ｒ²、Ｒ⁵は水素原子又はアルキル基、Ｒ²同士又はＲ⁵同士が互いに結合して環を形成してもよい。ｍ、ｎは１又は２、Ｒ⁶はアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アリール基、ハロゲン原子、又はシアノ基、Ｒ³はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアリール基であり、酸素原子又は硫黄原子を有していてもよい。ｐは０〜４の整数。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好で、その上特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。 （もっと読む）

【課題】初期において低粘度であっても、形状維持性が高く、作業性に優れた室温湿気増粘型熱伝導性シリコーングリース組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）２５℃における粘度が０．１〜１，０００Ｐａ・ｓであり、両末端が水酸基で封鎖されたオルガノポリシロキサン、（Ｂ）下記一般式（１）で表されるオルガノポリシロキサン、（Ｃ）ケイ素原子に結合した加水分解可能な基を１分子中に３個以上有するシラン化合物及び／又はその（部分）加水分解物もしくは（部分）加水分解縮合物、（Ｄ）増粘触媒、（Ｅ）１０Ｗ／ｍ・℃以上の熱伝導率を有する熱伝導性充填剤、（Ｆ）シリカ微粉末を必須成分とする室温湿気増粘型熱伝導性シリコーングリース組成物。
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【解決手段】酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有するシクロオレフィンを重合してなる繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含む、あるいは酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有するシクロオレフィンを重合してなる繰り返し単位とスルホニウム塩の繰り返し単位を含有する高分子化合物と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】本発明によるフォトレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く溶解コントラストが高くエッチング耐性が高い特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】乳化安定性に優れ、化粧持続性の良好な化粧料を与えることができるオルガノポリシロキサン、及びこれを含有する化粧料を提供する。
【解決手段】下記平均式（１）で示されるオルガノポリシロキサン。


［上記平均式（１）中、Ｒ１は、互いに独立に、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数１〜３０のフッ素置換アルキル基、炭素数６〜３０のアリール基、及び炭素数７〜３０のアラルキル基から選ばれる基であり、Ｒ２は、炭素数２〜１５の酸素原子を介しても良い２価有機基であり、Ｒ３は下記式（２）で示されるポリオキシアルキレン及び水素から選択される基であり、ｎ個中少なくとも一つは下記式（２）で示されるポリオキシアルキレンである。ｍは０〜５００の数であり、ｎは１〜１０の数であり、ｘは２以上の数である。−（ＣａＨ２ａＯ）ｂＲ４（２）］ （もっと読む）

【課題】耐衝撃強度が高く、かつ接着性、耐変色性の良好な表面実装型発光装置を提供する。
【解決手段】発光素子２と、発光素子を搭載するための第一リード１１と、発光素子と電気的に接続される第二リード１２とを一体成形してなるリフレクター１と、発光素子を被覆する封止樹脂組成物の硬化物４とを有する表面実装型発光装置であって、リフレクターは熱硬化性樹脂組成物で成形され、底面と側面とを持つ凹部が形成されており、凹部の側面の樹脂壁厚みが５０〜５００μｍで、封止樹脂組成物は硬化物の硬度がショアＤで３０以上ある熱硬化性樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高感度、高解像性で、ラフネス（ＬＷＲ）が小さく、露光後のパターン形状が良好であるポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料のベース樹脂として好適な高分子化合物を用いたポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法の提供。
【解決手段】下記一般式（１）で示される基を有する繰り返し単位ａと、カルボキシル基及び／又はヒドロキシ基の水素原子が酸不安定基で置換されている繰り返し単位ｂとを含む重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物をベース樹脂とすることを特徴とするポジ型レジスト材料。


（式中、Ｒ^１は水素原子、又は炭素数１〜６の直鎖状、分岐状、若しくは環状のアルキル基であって、カルボニル基を有していてもよく、環を形成していてもよい。Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４は水素原子、又は炭素数１〜４の直鎖状、若しくは分岐状のアルキル基である。） （もっと読む）

【課題】性フェロモンに誘引されるアカヒゲホソミドリカスミカメを効率的かつ経済的に捕獲する捕獲装置及びこれを用いた発生予察方法を提供する。
【解決手段】アカヒゲホソミドリカスミカメを捕獲するための捕獲部を有する床部材と、上記床部材を覆う屋根部材と、上記床部材と上記屋根部材との間に設けられ、少なくとも高さ５ｃｍの開口部であって、該高さ方向を回転軸としたときの回転周囲３６０度のうち少なくとも１８０度から上記アカヒゲホソミドリカスミカメの侵入を可能する開口部を形成するためのスペーサとを備え、性フェロモンを揮発する担体を上記捕獲部の上方に保持できる担体保持部を上記床部材、上記屋根部材又は上記スペーサに有するアカヒゲホソミドリカスミカメの捕獲装置を提供する。また、この捕獲装置を用いた発生予察方法を提供する。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基で置換された（メタ）アクリレート、スチレンカルボン酸又はビニルナフタレンカルボン酸の繰り返し単位及び／又は酸不安定基で置換されたフェノール性水酸基を有する繰り返し単位を（共）重合してなる高分子化合物と、酸発生剤を含むレジスト材料に、更にナトリウム、マグネシウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、銀、カドニウム、インジウム、錫、アンチモン、セシウム、ジルコニウム、及びハフニウムから選ばれる金属の炭素数１〜２０の１〜４価のカルボン酸塩、又は該金属とβジケトン類との錯体を配合してなるレジスト材料。
【効果】本発明のレジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高感度で高解像性を有し、露光後のパターン形状が良好で、その上特に酸拡散速度を抑制し、ラインエッジラフネスが小さい特性を示す。 （もっと読む）

【課題】操作が簡単で、しかも、汚染や異物混入が生じ難い多結晶シリコンロッドの破砕方法を提供すること。
【解決手段】中心軸Ｃの方向に力学成分を有する衝撃力Ｆ₁（第１の衝撃力）を、打撃等により、多結晶シリコンロッド１０の一方端部に加える。この衝撃力（打撃の力）Ｆ₁は、多結晶シリコンロッド１０の内部に弾性波（第１の弾性波）を発生させ、この弾性波により、多結晶シリコンロッド１０の中心軸Ｃを分断する破砕面１を有する多結晶シリコン塊に破砕する。第１の衝撃力の付与は、多結晶シリコンロッド１０の一方端部とは逆の端部である他方端部を固定した状態で行われることが好ましい。多結晶シリコンロッドは結晶粒の集合であり、ロッド内部では局所的に強度のばらつきがあるため、付加された衝撃力が局所的に強度の弱い部分に有効に作用し、長尺の多結晶シリコンロッドであっても全長に渡る破砕を実現させることができる。 （もっと読む）