【課題】 本発明は電子ビーム描画装置における高さ測定方法に関し、正確なビーム描画を行なうことを目的としている。
【解決手段】 投光レンズによってスリット像を基準上に結像し、受光レンズによって前記ＣＣＤカメラ上にスリット像を結像し、該スリット像を画像化し、画像を２値化し、２値化画像内のＬＵＴ値２５５の領域の重心位置検出によってスリット像位置を求め、該スリット像位置に基づいて材料面の高さを求める方法において、
ａ．２値化画像内のＬＵＴ値２５５領域の面積を算出する
ｂ．算出した面積が所定の範囲ならＬＵＴ値２５５の領域の重心位置を求めるが、所定の領域外なら２値化閾値を変えて画像を２値化する、
処理を算出した面積が所定の範囲内になるまで繰り返し、この処理後の２値化画像においてＬＵＴ値２５５の領域の重心位置を求める。 （もっと読む）

【課題】 試料上での微少領域を荷電粒子ビームで走査する際に、荷電粒子ビームの走査幅の校正を正確に行うこと。
【解決手段】 試料室内に配置された試料１５上に荷電粒子ビーム１を走査し、これにより試料表面のビーム走査像を取得するとともに、試料室内に設けられたプロービング機構２３のプローブ７を試料１５上で走査し、これにより試料表面のプローブ走査像を取得する顕微装置における荷電粒子ビームの走査幅校正方法において、プローブ７の走査移動量をビーム走査像に基づいて検出し、また当該プローブの走査移動量をプローブ走査像に基づいて検出し、検出された双方の走査移動量を比較し、その比較結果に基づいて荷電粒子ビームの走査幅の校正を行う。 （もっと読む）

【課題】二重同調回路側の配線の長さや部品定数のばらつきにより、二重同調回路の寄生共振周波数がＬＦ周波数に近づくことがあっても、ＬＦ同調回路側への電気的干渉を防ぐことができるＮＭＲ検出器を提供する。
【解決手段】第１のＲＦと第１のＲＦよりも低い周波数を持つ第２のＲＦに同調する二重同調回路の近傍に第３のＲＦに同調する別の同調回路を設置したＮＭＲ検出器において、二重同調回路側の第２のＲＦが共振するコイルの長さを短くし、そのインダクタンスの減少分を補うように、コイルの接地端側に、第１のＲＦに対してはｎ／４波長共振器（ｎは奇数）として働き、第２のＲＦに対してはインダクタンスとして働き、第３のＲＦに対してはバンド・リジェクト・フィルタとして働く電子回路を設けた。 （もっと読む）

【課題】 コンピュータ制御された電子光学機器において、電子ビーム軌道を可視化することにより操作性を向上させる。
【解決手段】 電子光学系の設計値及び/又は軸調整データに基づいて作成される電子ビーム軸軌道の内部データと、電子光学系の設定パラメータとに基づいて電子ビーム軌道を計算する演算手段と、前記演算手段により求められた前記電子ビーム軌道を表示する表示手段とを備え、変更された設定パラメータを読み取り、電子ビーム軌道をリアルタイムでシミュレーション計算し、可視化して表示する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は高周波信号合成方法及び装置に関し、容易に高電圧高周波信号と他の高周波信号を合成することができるインピーダンス整合回路の高周波信号合成方法及び装置を提供することを目的としている。
【解決手段】 第１の高周波信号をインピーダンス整合する第１のトランスとしての整合トランス２と、該整合トランス２の２次巻線の接地電位側又は基準電位側に接続され、第１の高周波信号をバイパスするコンデンサ及びコイルの直列接続からなる電流バイパス回路３と、前記整合トランス２の２次巻線の接地電位側又は基準電位側に接続され、第１の高周波信号を阻止し、第１の高周波信号に対して高インピーダンスとなり第２の高周波信号に対しては等価直列インピーダンスが低インピーダンスになるフィルタ４，５と、このフィルタの反対側に２次巻線が接続される第２の高周波信号を入力する第２のトランス６とを備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】何らかの原因で静磁場のドリフトが大きくなっても、シムトラッキングによって装置分解能を追尾することができるようなＮＭＲ装置の制御方法を提供する。
【解決手段】シム値を変化させ、変化後、もし、ロック信号の高さが高くなっていたら、同じ方向にシム値を変化させて同じ操作を繰り返し、もし、ロック信号の高さが低くなっていたら、今回のロック信号の高さと、前回のロック信号の高さと、前々回のロック信号の高さの３点を高次関数で近似して、ロック信号の高さが最大となるシム値を求め、求めたシム値をセットする。その際に、高次関数で近似する前に、前回のロック信号の高さと前々回のロック信号の高さを、それらのロック信号が取得されてから現在までの時間経過によって生じたであろう静磁場のドリフト値で補正するようにした。 （もっと読む）

【課題】 観察に適した良好な試料を簡単に作製できる試料ホルダおよびイオンビーム加工装置を提供する。
【解決手段】 試料セット部９は試料貼付け面１０を有している。遮蔽材ガイド部１２は試料セット部９の上に配置されており、遮蔽材ガイド部１２は試料セット部９に固定されている。遮蔽材ガイド部１２は遮蔽材ガイド面１３を有している。試料貼付け面１０は遮蔽材ガイド面１３より所定量Ｄ＝４０μｍだけ下がった所に位置している。このように試料貼付け面１０が遮蔽材ガイド面１３より４０μｍだけ下がった位置に形成されているため、厚さ１００μｍの試料７を試料貼付け面１０に取り付けると、図２（ｄ）に示すように、試料７が遮蔽材ガイド面１３より６０μｍだけ前に出た状態となる。そして、厚さ２０μｍ程度の遮蔽材１６が遮蔽材ガイド面１３にセットされる。 （もっと読む）

【課題】 本発明はイオントラップＲＦ電源に関し、高圧高周波コンデンサを必要とすることなく、スイッチング素子としてのＦＥＴトランジスタの耐圧を上げる必要のないイオントラップＲＦ電源を提供することを目的としている。
【解決手段】 パワーアンプ部１０からの高周波を空芯コイル３を介してトラップ電極９，エンドギャップ電極１１，１２からなる２次側共振回路部３０に供給するようにしたイオントラップＲＦ電源において、共振エネルギーを瞬時に吸収するエネルギー吸収回路部４０を前記空芯コイル３を介して設けるように構成する。 （もっと読む）

【課題】容易な技術で、従来に比べ簡単かつ安価にカーボンオニオンを製造する実用的な方法を提供する。
【解決手段】元素構成がＣとＨを主成分とする単一または混合ガスあるいは、構成元素がＣとＯとＨを主成分とする単一または混合ガスを原料ガスとし、これを加熱または放電プラズマにて活性化し、触媒である鉄族基または鉄族基合金基体上にカーボンオニオンを合成する。 （もっと読む）

【課題】 試料上の電子線照射量の積算値を二次元的に表示することによって、電子線損傷を多く受けた場所の撮影を防止できる電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】 試料より上方に配置されている電子レンズと偏向器と絞りの設定状態に対して、試料に照射される電子線の試料上の電子線密度と電子線径と電子線の中心位置からのシフト量をキャリブレーションしたデータを記憶装置27に記憶しておく。電子レンズ等の設定状態とステージの座標値から算出される試料上での電子線照射量を二次元配列28に積算し、照射量マップを表示装置25に表示する。 （もっと読む）