説明

日立化成株式会社により出願された特許

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【課題】保存性、運搬性、及び使用時のハンドリング性に優れ、電極のみに対し選択的に半田バンプを形成することができるリフローフィルム及びそれを用いた半田バンプの形成方法、電極間の接合方法を提供する。
【解決手段】樹脂フィルム内部に、半田粒子が分散した状態で含有するリフローフィルム、並びに該リフローフィルムを用いた半田バンプの形成方法及び電極間の接合方法であって、電極を有する基板の電極を有する面にリフローフィルムを載置又は接合しようとする電極同士を対向配置し、該電極間に前記リフローフィルムを狭持し、該リフローフィルム上に、カバー板を載置固定し、該リフローフィルムを前記半田粒子の融点以上の温度であって、かつ前記樹脂フィルムが液状化する温度に加熱し、加熱温度を一定時間保持し、該一定時間経過後冷却することを特徴とする半田バンプの形成方法及び電極間の接合方法である。 (もっと読む)


【課題】接続すべき電極が、表面に酸化膜が形成されやすい金属材料からなるものであっても、接続構造の初期抵抗値を十分に低くすることが可能な接着剤組成物及びこれを用いた回路接続材料を提供する。
【解決手段】接着剤組成物は、接着剤成分と、接着剤成分中に分散している導電粒子10とを備えるものであって、導電粒子10は、その中心部分を構成する基材粒子1と、基材粒子1の表面の少なくとも一部を覆う金属めっき層3と、金属めっき層3の内側であり基材粒子1の表面上に配置された複数の金属微粒子2と、を有している。 (もっと読む)


【課題】多層銅張積層板の反りを抑制することが可能であり、寸法収縮を均一に収縮させ寸法精度のばらつきを抑制し、更に多層銅張積層板の変形(歪み)を抑制することが可能である多層銅張積層板の製造方法を提供する。
【解決手段】予め回路形成された内層回路板と、外層板又は銅箔と、プリプレグとからなる多層銅張積層板の製造方法において、予め回路形成された内層回路板と、外層板又は銅箔とをプリプレグを介して重ねて積層体とする工程、前記積層体と、金属板とを、プレス段内の許容範囲の高さまで交互に積載する工程、前記積層体をプレスにて加熱加圧して多層化接着し多層銅張積層板とする工程、加熱加圧直後プレス段内から前記多層銅張積層板と金属板とが交互に積載された形態で抜取りし放置冷却する工程を有する多層銅張積層板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】非ハロゲン系難燃剤を使用しながらも、誘電特性、誘電損失、耐熱性、難燃性、耐湿性、銅箔との接着性に優れた熱硬化性樹脂組成物、並びにそれを使用したプリプレグ及び積層板を提供する。
【解決手段】(1)二置換ホスフィン酸の金属塩、及び(2)1GHz以上の周波数における比誘電率が2.9以下である樹脂を含むことを特徴とする熱硬化性樹脂組成物、並びにそれを用いたプリプレグ及びプリプレグを用いて積層形成された積層板。 (もっと読む)


【課題】 作業性が良好で、良好な固着力を持つ上、耐水性が良好な皮膜が得られ、特に、熱劣化後の電気絶縁性や固着力の保持率も良好な電気絶縁用樹脂組成物及びこれを用いた電気機器を提供する。
【解決手段】 分子鎖中に、イミドジカルボン酸、α,β−不飽和二塩基酸及び1個以上の水酸基を持つアルコ−ルを必須成分として含む不飽和ポリエステルイミド(A)並びに
分子中に1個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物とα,β−不飽和一塩基酸とを、反応させて不飽和エポキシエステル樹脂とし、得られた不飽和エポキシエステル樹脂のヒドロキシル基1当量に対して0.01〜0.2モルに相当する不飽和酸無水物を反応させて得られる変性不飽和エポキシエステル(B)
を含有してなる電気絶縁用樹脂組成物及びこれにより絶縁処理された電気機器。 (もっと読む)


【課題】LSIなどに用いられるアルミニウム表面を平滑にかつ高速に研磨することができる研磨液及びこの研磨液を用いたアルミニウム膜の研磨方法を提供する。
【解決手段】25℃における第一段の酸解離指数が3以下である多価カルボン酸、コロイダルシリカ及び水を含有し、pHが2〜4であるアルミニウム膜研磨用研磨液およびこの研磨液を用いてアルミニウム膜を研磨する研磨方法。およびこの研磨液を用いてアルミニウム膜を研磨する研磨方法。 (もっと読む)


【課題】 不純物が少ない希土類ハライド材料を製造する原料精製器具および原料精製装置を提供する。また、上記の装置により精製した原料を使用してシンチレーション検出器に用いられるシンチレーション単結晶を育成する方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る希土類ハライド原料の精製装置は、シンチレーション検出器に用いられるシンチレーション単結晶の育成に使用する原料を精製するためのものであり、被処理原料および石英を主原料とする不純物付着体を収容する原料収容部と前記原料収容部に収容された原料を溶融するための電気炉などの加熱装置と精製済み原料通過部と精製済み原料の収容部からなる。 (もっと読む)


【課題】応力緩和機能を有するウェハレベルCSPと称される半導体装置において、外部電極の配置自由度が高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁樹脂層を第1電極が形成された半導体ウェハ表面10に形成する工程、前記絶縁樹脂層の一部を除去して、開口径(D1)の開口部32を形成し、前記半導体ウェハ表面10の第1電極を露出させる工程、外部電極と前記第1電極を接続するための再配線層を前記絶縁樹脂層表面に形成する工程、前記再配線層の表面に再配線保護層を形成する工程、前記再配線保護層の一部を除去して、D2>D1となるような開口径(D2)の開口部32を形成し、前記第1電極と、前記外部電極を形成するための第2電極を露出させる工程、前記第1電極及び前記第2電極の表面にめっき層を形成する工程、前記めっき層を溶融することによって前記外部電極を形成する工程を含む、半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】高周波用途で高多層プリント配線板の内層接着剤として使用し、低熱膨張率、低比誘電率、低誘電損失、低吸湿性及び良好な高多層成形性を満足する印刷配線板用熱硬化性樹脂組成物、並びにそれを用いた樹脂ワニス、プリプレグ及び金属張積層板を提供する。
【解決手段】未硬化のセミIPN型複合体と、(D)ラジカル反応開始剤とを含有する熱硬化性樹脂組成物であって、未硬化のセミIPN型複合体が、(A)ポリフェニレンエーテルと、(B)側鎖に1,2−ビニル基を有する1,2−ブタジエン単位を分子中に40%以上含有し、かつ化学変性されていないブタジエンポリマー及び(C)架橋剤から形成されるプレポリマーと、が相容化した未硬化のセミIPN型複合体であり、(D)成分がジアルキルパーオキサイド系ラジカル反応開始剤及びハイドロパーオキサイド系ラジカル反応開始剤を含む、熱硬化性樹脂組成物、並びにそれを用いた樹脂ワニス、プリプレグ及び、金属張積層板。 (もっと読む)


【課題】層間絶縁膜としてシリカ系被膜の形成が容易で保存安定性に優れ、比較的安価で、耐熱性、クラック耐性、解像性及び透明性に優れる感光性樹脂組成物、それを用いたシリカ系被膜の形成方法、シリカ系被膜を備える半導体装置、平面表示装置及び電子デバイス用部材の提供。
【解決手段】下記一般式(1)で表される化合物を含む第1のシラン化合物を加水分解縮合して得られる第1のシロキサン樹脂と、下記一般式(2)で表される化合物を含む第2のシラン化合物を加水分解縮合して得られる第2のシロキサン樹脂とを混合し、さらに加水分解縮合して得られる重量平均分子量が8000〜300000であるシロキサン樹脂と、溶媒と、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルとを含有する感光性樹脂組成物。
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