【課題】キャパシタの充電および放電にＩＲドロップ分による補償制御ができ、充放電電力の利用効率の向上および内部抵抗の変化にも充放電電圧精度を確保できる。
【解決手段】直流源の平滑コンデンサ２と電力用キャパシタ６との間の充放電を二象限チョッパ本体４と直流リアクトル５で制御し、直流源の電圧を目標値に自動制御する充放電電圧制御系（ＡＶＲ）と、この電圧制御系から得る充放電電流指令にキャパシタ６の充放電電流を自動制御する充放電電流制御系（ＡＣＲ）を備えた二象限チョッパの制御装置において、充放電電流制御系に、キャパシタまたは直流源の充放電終期に近くなるほどキャパシタの充放電電流を低い値に制限する電圧降下分抑制用電流リミッタＬＩＭｉｃ、ＬＩＭｉｄを備え、充放電停止時または開始時のキャパシタ電圧Ｖ２のステップ的変化を抑制する。 （もっと読む）

【課題】ＰＬＬのようなフィードバック系を不要にして、しかも系統電圧などの正弦波信号にノイズやサージ電圧が重畳した場合にも正弦波信号に同期した位相を瞬時に検出でき、さらに正確で応答性よく位相跳躍を判定できる。
【解決手段】正弦波信号からディジタルフィルタ２によって基本周波数近辺帯域以外をカットする。この電圧信号を変換した２相電圧信号から極座標復調器４により該電圧信号の位相θを検出する。サンプリング周期毎に検出する位相θの前回値と今回値から差分演算回路６によって位相変化分Δθを求める。比較器１２によって位相変化分Δθを基に位相跳躍の有無を判定する。
正弦波信号の周波数の移動平均演算によって揺動または変更された正弦波信号の周波数ｆ₀を求め、この揺動分または変更分を基準位相変化分Δθ₀として求め、この基準位相変化分Δθ₀と位相変化分Δθを比較する。 （もっと読む）

【課題】電流リップルの影響を少なくすると共に、電流応答速度を高速化し、ＬＣ共振を抑制した並列多重チョッパ装置を提供する。
【解決手段】複数台のチョッパ部を並列接続し、３６０度をチョッパ部の台数で除算した値を位相差として運転する並列多重チョッパ装置において、移動平均幅Ｔ_cを、ＰＷＭキャリア信号の周期Ｔ_carryをチョッパ部の台数で除算した時間とすると共に、ＰＷＭキャリア信号のピーク値と同期させる。また、サンプリング間隔Ｔ_smpを、前記移動平均幅Ｔ_cの２分の１以下とし、ＰＷＭキャリア信号と同期させる。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールの動作信頼性を向上する。
【解決手段】半導体素子２と、半導体素子２の電極層２ａと接続されるコンタクト材３（応力緩衝部材）とを備える半導体モジュール１において、コンタクト材３の主面であって半導体素子２と接する面に、半導体素子２の外周に沿った複数の溝３ａ〜３ｃを形成する。そして、コンタクト材３、３が半導体素子２を押圧した状態で半導体モジュール１に備えられる。この溝３ａ〜３ｃは、半導体素子２の角部２ｂ（側端部）からの距離が近い溝３ａほど深く形成される。また、この溝３ａ〜３ｃに、コンタクト材３を構成する材料より熱伝導性の高いグラファイトシート９（充填材）を充填する。 （もっと読む）

【課題】制御における応答性の向上と、スイッチング素子のエネルギー損失および発熱の抑制を両立させたチョッパ装置を提供する。
【解決手段】チョッパ部５，６を複数個直列に接続し、前記複数のチョッパ部５，６のうち少なくとも一つを、その他のチョッパ部５と比較して高いキャリア周波数に設定した高キャリア周波数チョッパ部６とし、この高キャリア周波数チョッパ部６の制御周期を短く設定する。また、前記その他のチョッパ部５により、前記チョッパ装置の電圧指令値となる電圧を出力する。そして、前記高キャリア周波数チョッパ部６により、前記電圧指令値と前記チョッパ装置の出力電圧検出値との偏差電圧を出力する。 （もっと読む）

【課題】パルス電圧印加による部分放電の発生を絶縁体の温度変化から検出する手法において、電気的絶縁性および化学的腐食耐性に優れ、しかも高い検出感度・精度で部分放電を検出できる。
【解決手段】パルス電源１は、部分放電開始電圧を測定するため、一定周期で一定幅のパルス電圧を徐々に高めながら発生し、このパルス電圧をツイストペア試料の２本のエナメル線Ａ，Ｂの線間に印加する。光ファイバ式温度センサは、２つのセンサ２Ａ、２Ｂで構成し、温度センサ２Ａはツイストペア試料にセンサ部分を接触固定させてその温度を測定し、温度センサ２Ｂはツイストペア試料の基準温度測定用としてセンサ部分をツイストペア試料から離してその近傍に配置し、その周辺温度を測定する。温度表示器３は温度センサ２Ａおよび２Ｂで測定する温度Ｔ１およびＴ２の温度差ΔＴ（＝Ｔ１−Ｔ２）を求めて表示する。 （もっと読む）

【課題】無線通信を行なうことなく高効率の電力伝送を可能とする。
【解決手段】二次コイル２１０を備えた移動体２００に対して、給電を行う給電装置１００であって、前記二次コイル２１０と磁場の共鳴により磁気的に結合され、高周波電力を二次コイル２１０へ送電可能に構成された一次コイル１４０と、交流電源１１０の電力を、磁場を共鳴させて前記移動体２００へ送電可能な高周波電力に変換し、前記一次コイル１４０に供給する高周波電力ドライバ１２０と、高周波電力ドライバ１２０の送電電流・電圧から、共鳴法による前記一次コイル１４０から二次コイル２１０への電力伝送の等価回路パラメータを推定する演算装置１３０と、演算装置１３０により推定された等価回路パラメータから、二次コイル２１０の受電電力を推定し、該推定した受電電力が最大となるように高周波電力ドライバ１２０を制御する制御装置１５０とを備えた。 （もっと読む）

【課題】ＵＡＳＢ処理の反応槽内の水質を微生物の反応活性が高活性となる状態に維持する。
【解決手段】廃水処理装置１は、被処理水を底部１００から供給して微生物塊と接触させた後に処理水として上部から排出させる反応槽１０と、反応槽１０から流出する処理水の一部をｐＨ調整するｐＨ調整槽１８を備える。ｐＨ調整槽１８を、返送管１８１ｂまたは１８１ｃを介して反応槽１０の側面と接続し、反応槽１０から排出される処理水の一部を微生物塊の反応活性が高くなるｐＨ範囲となるようにｐＨ調整し、ｐＨ調整された処理水を反応槽１０内のベッド１９であって、被処理水の供給部１００から被処理水の流通方向に離間した箇所に注入する。 （もっと読む）

【課題】第１の端子接続部を設けた第１の導体上に絶縁シートを介して第２の導体を重ね合わせ、第１の端子接続部（以下、接続部）を第２の導体に設けた端子接続部受け孔（以下、受け孔）から第２の導体の表面に臨ませるとともに、第１の接続部と第２の導体の間を受け孔に挿入した絶縁突起で絶縁した導体において、絶縁突起を、絶縁シートと別個に形成していたため部品点数が増加した。
【解決手段】第１の接続部８を設けた第１の導体５上に絶縁シート６を介して第２の導体７を重ね合わせ、第１の接続部８を第２の導体７に設けた受け孔１１から第２の導体７の表面に臨ませるとともに、第１の接続部８と第２の導体７の間を受け孔１１に挿入した絶縁突起１２で絶縁した導体４において、絶縁突起１２を、エンボス加工等により絶縁シート６と一体に形成した。 （もっと読む）

【課題】ステータベースの円筒部の内径を大きくして、フレームの軸部の軸径を大きくし、軸部の強度を向上する。
【解決手段】フレーム１１０の軸部１１０ａにはロータ１２０が回転自在に備えられ、ステータベース１３２はボルトｂｏにより固定部１１０ｂに固定されている。ステータ鉄心１３１はボルトＢｏによりステータベース１３２に固定されている。ステータ鉄心１３１には切欠１３１ｂが形成されている。ボルトｂｏは、切欠１３１ｂに挿入され鍔部１３２ｂを挿通して固定部１１０ｂにねじ込まれている。ステータベース１３２の円筒部１３２ａにはボルトが挿通されず薄肉となり、円筒部１３２ａの内径を大きくでき、これにより軸部１１０ａの軸径を大きくして強度向上ができる。 （もっと読む）