【課題】半導体スイッチ，負荷電流，温度，主回路構成等によるサージ電圧の波形に応じて半導体スイッチの動作タイミングを調整することなく、各半導体スイッチの電圧分担を均等化させる。
【解決手段】直列接続された複数の半導体スイッチＡ，Ｂに出力されるゲート信号のタイミングを調整するゲートタイミング制御回路３において、コンパレータ４，４により、各半導体スイッチＡ，ＢのＶｃｅ検出（Ａ），（Ｂ）と、予め設定されたしきい値とを比較してＶｃｅ検出における立ち上がりのタイミングを示すＶｃｅ信号（Ａ），（Ｂ）を出力する。そして、時間差制御部８において、ゲート信号に基づいて、前記各Ｖｃｅ信号（Ａ），（Ｂ）の変化のタイミングが整合するように生成されたゲート出力（Ａ），（Ｂ）をゲートドライバ２に出力する。 （もっと読む）

【課題】より一層短時間に鋼材表面を不動態化する。
【解決手段】オゾンガスとオゾン分解因子との反応により生成した酸化性化学種を鋼材の表面に供して当該表面を不動態化処理する。前記オゾン分解因子は不飽和炭化水素または紫外光である。鋼材が配管１ｂの形態に成された場合、配管１ｂ内にオゾンガスを供給するガス供給管５を配管１ｂと同軸に挿通してガス供給管５の散気孔５１からオゾンガスを供給すると共にガス供給管５と配管１ａ，１ｂとの間隙には前記オゾン分解因子として不飽和炭化水素ガスを流通させながら散気孔５１の位置を当該不飽和炭化水素ガスのガス流の上流方向に移動させることにより配管１ｂの内面を不動態化する。 （もっと読む）

【課題】より均一な厚さの導電性被覆層を備え十分良好な特性（機械的特性，電気的特性）を有するベローズが得られるようにする。
【解決手段】ベローズ１の基体２の外周面側と内周面側とのうち少なくとも何れか一方に形成される導電性被覆層２ａ，２ｂにおいて、拡散接合によって形成する。拡散接合においては、平板状の基体２の少なくとも一端面側に対し平板状の導電性被覆層２ａ，２ｂを積層して、それら基体２と導電性被覆層２ａ，２ｂとを拡散接合する。そして、拡散接合された積層体を絞り加工によって筒状体に成形した後、その筒状体の側壁を蛇腹状に成形する。 （もっと読む）

【課題】デッドタイム補償後の遅延時間ＤＴＣ＿ＤＬＹおよび横流補償による遅延時間ＣＣＣ＿ＤＬＹをそれぞれ無くすこともできる。
【解決手段】デッドタイム補償部６は、ＰＷＭ制御部４Ａ，４ＢからのＰＷＭ指令（Ｇａｔｅ）と相電圧（Ｖｃｅ１，Ｖｃｅ２）のオン・オフ時間の誤差時間を検出し、これら誤差時間を電圧指令値（Ｖｃｍｄ）と同じ単位のデッドタイム補償電圧（Ｖｄｔｃ）として変換し、これらを各インバータ１，２の次回のＰＷＭ制御のオン／オフの極性に応じて、各インバータの共通の電圧指令値（Ｖｃｍｄ）に加減算する。横流制御部９は、各インバータ間の横流（Ｉｃ）を検出し、各インバータの共通の電圧指令値（Ｖｃｍｄ）と同じ単位の横流補償値（Ｖｃｃｃ）として求め、この横流補償値（Ｖｃｃｃ）を横流（Ｉｃ）の値に応じて一方のＰＷＭ電圧指令値に加算し、他方のＰＷＭ電圧指令値から減算する。 （もっと読む）

【課題】カメラパラメータを用いることなく簡単に高精度の「pixel→高さ」換算式を求めることを可能とする。
【解決手段】長方形状に形成されその表面に白色領域１ｗと黒色領域１ｂとを交互に配されてなるキャリブレーション用機材１と、キャリブレーション用機材１の長手方向を撮影するように配設されたラインセンサカメラ２と、ラインセンサカメラ２から出力される画像信号に基づいてラインセンサカメラ２のキャリブレーションを行う処理用コンピュータ３とを備え、白色領域１ｗと黒色領域１ｂの幅がそれぞれ同一幅であるとともに白色領域１ｗと黒色領域１ｂとの境界線がキャリブレーション用機材１本体の長手方向に対して所定の角度θだけ傾斜するように構成した。 （もっと読む）

【課題】ＰＬＣで設計・構成するシリアル・データ通信の高速化を図ることができ、しかも受信データのジッタ許容範囲を明確にできる。
【解決手段】ＤＰＬＬ回路１０のうち、データシフト回路ＤＳ１〜ＤＳ３は受信データからソースクロックＣＬＫで同期を取った複数のシリアル・データを生成する。排他的論理和回路ＥＸ＿ＯＲは一対のシリアル・データから受信データの変化点を検出する。カウンタＤＰＬＣＮＴは、最大カウント値ｎが設定され、変化点から次の変化点までをソースクロックをカウントする。一致判定回路ＡＮＤはカウンタのカウント値が予め設定したカウント値ｎ／２に一致したときに受信クロックとして出力する。ハイレベル・データ・リンク・コントローラ・モジュール（ＨＤＬＣ−ＩＰ）２０は、受信クロックを使って受信データ（シリアル・データ）の転送制御を行う。 （もっと読む）

【課題】低抵抗な塗工電極を得ることを目的とする。
【解決手段】塗工電極の作製方法において、塗工電極に導電剤スラリー３を塗布して湿潤させた状態で塗工電極を圧延処理するので、導電剤３ａが電極内部に移動し易くなり、導電剤３ａが空隙部Ａに埋め込まれるため、導電パスが増加し、抵抗値が低くなる。 （もっと読む）

【課題】圧接により半導体素子の制御用電極層と電極端子とを電気的に接続する半導体モジュールにおいて、電極端子の位置決めを正確に行う。
【解決手段】半導体素子２と、半導体素子２の制御用電極層と接続される電極端子３と、電極端子３を固定する固定部材４と、を備える半導体モジュール１において、電極端子３の中間部７に挿通孔１０を形成する。そして、固定部材４の電極端子３の中間部７と接する面に、挿通孔１０に挿通する突起部４ａを形成する。また、突起部４ａの端部に、電極端子３が係止する係止部を設ける。固定部材４を、電極端子３の電極接続部６が半導体素子２を押圧するように固定する。電極端子３の電極接続部６は弾性体であり、電極接続部６が弾性変形することで、電極端子３が固定部材４に付勢される。 （もっと読む）

【課題】システム同定モデル誤差を補正できる周期外乱抑制装置を提供する。
【解決手段】上位に制御指令値ｒ_nを発生する制御器を持ち、周期性外乱が発生する制御対象プラントＰ_nの出力ｙｎにおける、抑制制御対象とする周期外乱の周波数成分にシステム同定モデルの逆数で表現される逆システムを乗算して周期外乱を推定し、それを前記ｒ_nから差し引いて周期外乱ｄｎを抑制する周期外乱オブザーバＰＤＯと、周期外乱抑制制御中における周期外乱の各周波数成分が複素ベクトル平面に描くベクトル軌跡に基づいて、システム同定モデル誤差による位相誤差θ^refを算出する位相算出手段（１０，１１）と、システム同定モデル誤差によるゲイン誤差Ｇ^refを算出するゲイン算出手段（２０，２１，２２）と、前記θ^refとＧ^refとを積算して求めた回転ベクトルＰ^ref_nを補正指令値として前記システム同定モデルを補正する。 （もっと読む）

【課題】スプライン軸を長くすることなく、嵌合を困難にする間隔を少なくすることなく、軸ぶれ等を確実に抑制できるスプライン連結構造を提供する。
【解決手段】連結しようとする一対の回転軸２，３の一方の回転軸２の端部と他方の回転軸３の端部に、雄，雌のスプライン連結部４，５を設け、これら雄，雌のスプライン連結部４，５を嵌め合わせることにより一対の回転軸２，３を連結するスプライン連結構造１であって、雄，雌のスプライン連結部４，５は、スプライン連結時において互いに嵌り合うロケートピン６とブッシュ７を備えている。 （もっと読む）