説明

ミツミ電機株式会社により出願された特許

41 - 50 / 1,651


【課題】 回路の占有面積をそれほど増加させることなく、また無駄な電流を流すことなく出力電圧補正機能を実現できるレギュレータ用の半導体集積回路を提供する。
【解決手段】 入力端子と出力端子との間に接続された電圧制御用トランジスタ(M1)と、出力電圧に比例したフィードバック電圧と所定の基準電圧との電位差に応じて出力電圧が一定になるように制御用トランジスタを制御する制御回路(11)と、基準電圧を生成する基準電圧回路(12)と、前記電圧制御用トランジスタにより流される出力電流に縮小比例した電流を流すカレントミラー回路(M1,M2)とを備えたレギュレータICにおいて、前記基準電圧回路の動作電流出力点と回路の基準電位点(GND)との間に接続された抵抗素子(M0)を設け、カレントミラー回路により生成された電流が、前記基準電圧回路の動作電流出力点と前記抵抗素子との接続ノードに流されるように構成した。 (もっと読む)


【課題】アンテナ本体及びアンテナ基板を有しないアンテナ装置の構造を簡単にすることである。
【解決手段】ダミーアンテナ装置1は、ベース部2と、ベース部2を覆うカバー部3と、を備える。ベース部2は、取り付け先の車体板Rの固定用開口Hに挿入されて固定される突起部22と、カバー部3内の空間と前記取り付け先内の空間との間を遮断する遮断部23と、突起部22の根本且つ周囲に設けられ突起部22と固定用開口Hとの隙間を塞ぐ密封部24と、を備える。 (もっと読む)


【課題】出力電圧が1Vよりも低い電圧に設定された場合でも所望の電流制限ポイントで電流制限をかけることができるレギュレータ用半導体集積回路を提供する。
【解決手段】電圧制御用トランジスタとカレントミラー回路を構成する電流検出用トランジスタ(M1)と、該電流検出用トランジスタと直列に接続された電流−電圧変換手段(R3)と、該電流−電圧変換手段と直列に接続された受動素子(M3)と、入力端子と電圧制御用トランジスタの制御端子との間に接続された電流制限用のトランジスタ(M6)と、電流−電圧変換手段と受動素子との接続ノードと回路の基準電位端子との間に受動素子と並例に設けられた電流バイパス回路を設け、該電流バイパス回路はデプレッション型MOSトランジスタおよびエンハンスメント型MOSトランジスタの直列回路を備え、電流−電圧変換手段により変換された電圧に応じて電流制限用のトランジスタが制御されるように構成した。 (もっと読む)


【課題】負荷のドライブ能力を変更できる、発振回路を提供すること。
【解決手段】定電圧生成回路70と、発振出力Voscを生成する発振出力生成回路80と、定電圧生成回路70によって生成された定電圧Vref’が電源電圧として供給される複数のMOSFET回路D1,D2,D3を並列に有し、複数のMOSFET回路D1,D2,D3のそれぞれの出力点P1,P2,P3が互いに接続された出力回路90と、複数のMOSFET回路D1,D2,D3の中から選択入力に応じて選択されたMOSFET回路を発振出力Voscに従って駆動する駆動回路91とを備え、前記選択入力に応じて選択されていないMOSFET回路の出力が、ハイインピーダンスである、発振回路。 (もっと読む)


【課題】操作部を操作する操作者に対して、触覚に作用する刺激を装置側から強制的に付与できる、操作入力装置の提供。
【解決手段】操作入力の作用により変位する操作部11と、前記操作入力の作用により操作部11と同一方向に変位するアクチュエータ出力軸12と、操作部11をアクチュエータ出力軸12によって可動させるアクチュエータ13と、操作部11の変位量に応じた信号を出力する検出素子14A〜14Hとを備える、操作入力装置。アクチュエータ13によって発生したフィードバック力Fは、伝達経路Rを通じて、操作部11上の手指に振動として伝わる。 (もっと読む)


【課題】二次電池の温度保護を高精度に行い、かつ適切な充電制御を行わせることができる過充電検出回路、電池パック及び集積回路を提供することを目的とする。
【解決手段】二次電池の近傍に配設され二次電池と並列接続されたサーミスと抵抗の直列回路と、サーミスタと抵抗の接続点の電圧を第一の所定温度に対応する第一の基準電圧と比較する第一のコンパレータと、第一のコンパレータの出力にしたがって、二次電池の温度が第一の所定温度未満のとき閾値電圧を第一の値とし、二次電池の温度が第一の所定温度以上のとき閾値電圧を第一の値よりも低い第二の値とする切り替え手段と、を有する。 (もっと読む)


【課題】 バイポーラトランジスタを使用する必要がないとともに、回路を構成する素子数が少なく低消費電流で動作することができる温度検出回路を提供する。
【解決手段】 半導体チップ上に形成された温度検出素子(D1)と、該温度検出素子と直列に接続され該温度検出素子に流れる電流を電圧に変換する電流−電圧変換素子(M5)と、直列形態の前記電流−電圧変換素子および温度検出素子と並列に接続され前記電流−電圧変換素子により変換された電圧をゲート端子に受けるMOSトランジスタ(M6)と、前記温度検出素子に向かって所定の第1電流を流す第1電流源(M3)および前記MOSトランジスタに向かって所定の第2電流を流す第2電流源(M4)を有する定電流回路と、前記第2電流源と前記MOSトランジスタ(M6)との接続ノードに入力端子が接続された論理回路(CMOSインバータ)とによって温度検出回路を構成するようにした。 (もっと読む)


【課題】外付け部品を変更することなく所望の出力最大電流値を達成しつつ出力のリップル電圧を低減できる昇圧型DC−DCコンバータを実現する。
【解決手段】インダクタに電流を流すスイッチング素子と、インダクタの出力側に接続された整流手段と、出力電圧およびインダクタ電流に対応した電圧に基づいてスイッチング素子をオン、オフ制御する制御回路とを備えた昇圧型DC−DCコンバータにおいて、制御回路は、出力電圧が所定の電位まで下がったことを検出する第1電圧比較回路と、インダクタ電流が所定の電流値に達したことを検出する第2電圧比較回路と、入力電圧に反比例する電圧を生成する電圧生成回路とを備え、電圧生成回路により生成された電圧が基準電圧として第2電圧比較回路に供給され、出力電圧が所定の電位まで下がった場合にスイッチング素子をオンさせ、インダクタ電流が所定の電流値に達した場合にスイッチング素子をオフさせるようにした。 (もっと読む)


【課題】温度検出信号の精度が向上する熱電対用増幅回路を提供することを目的とする。
【解決手段】コレクタを接地されており、熱電対の一端の電圧をベースに供給されてエミッタから出力するコレクタ接地の第1のトランジスタQ11と、コレクタを接地されており、熱電対の他端の電圧をベースに供給されてエミッタから出力するコレクタ接地の第2のトランジスタQ12と、ベースを一定電位にされており、第1のトランジスタの出力をエミッタに供給されてコレクタから出力するベース接地の第3のトランジスタQ14と、ベースを一定電位にされており、第2のトランジスタの出力をエミッタに供給されてコレクタから出力するベース接地の第4のトランジスタQ15と、第3のトランジスタの出力と第4のトランジスタの出力とを差動増幅する演算増幅器15とを有する。 (もっと読む)


【課題】デジタル温度検出信号の精度が向上する温度計測システムを提供することを目的とする。
【解決手段】温度に応じた電圧の温度検出信号を出力するサーミスタ21と、サーミスタが出力する温度検出信号をアナログ/デジタル変換するADコンバータ19とを有し、デジタル化した温度検出信号をマイクロコンピュータ15に取り込む温度計測システムであって、電池から供給される電源を用いて基準電圧を生成するリファレンス回路14と、基準電圧を用いてサーミスタ21の動作電圧を生成する第1のレギュレータ16と、基準電圧を用いてADコンバータの動作電圧を生成する第2のレギュレータ13と、を有する。 (もっと読む)


41 - 50 / 1,651