【課題】
本発明は、ＬＳＩ分野の極端紫外線（ＥＵＶ）を用いたリソグラフィ反射マスク基板などに対する要望に応えることができるようにした高平坦度（サブナノメータレベル）石英ガラス基板を得ることができるようにした石英ガラス基板の表面処理方法及びその処理方法に好適に用いられる水素ラジカルエッチング装置を提供する。
【解決手段】
石英ガラス基板の表面平坦度を制御する方法であって、石英ガラス基板を水素ラジカルエッチング装置内に載置し、前記石英ガラス基板に水素ラジカルを作用させて表面平坦度をサブナノメータレベルで制御できるようにした。 （もっと読む）

【課題】寸法の安定した内部ボアを有する石英ガラス製の中空筒状体の製造を容易し且つ材料の廃棄を減らすことができる方法を提供する。
【解決手段】内部ボア（７）を有するＳｉＯ₂スート管（１）を炉（２）内で焼結する際、細長い支持要素（５）の長手方向軸（１６）に沿って順々に配置された複数のスリーブ状成形要素部品（４）から構成され且つ中空筒状体（２０）の形成に伴ってＳｉＯ₂スート管（１）により押されるスリーブ状成形要素（３；４）によって囲まれていると共にＳｉＯ₂スート管（１）の内部ボア（７）に突出している細長い支持要素（５）を備える支持装置（３、４、５、６、１０、１１）にてＳｉＯ₂スート管（１）を支持する、石英ガラスから中空筒状体（２０）を製造するための方法であって、スリーブ状成形要素部品（４）の少なくとも１つが、支持要素（５）の長手方向軸（１６）に対し横方向に動く成形要素（３；４）を使用する。 （もっと読む）

【課題】失透を促進するためのバリウムドープされた最も内側の層と、長期にわたる操作のために十分に厚く、気泡及び気泡成長のない中間層とを含み、複数回のインゴット引き上げの間で膨張をほとんど示さない安定した外側層を含むシリカガラスるつぼの提供。
【解決手段】シリカガラスるつぼは、バリウムドープされた薄い内側層と、安定した無気泡中間層と、安定した不透明外側層とを含む。成形された粒子が緻密な溶融シリカに融解される溶融前線において動力学的なガスバランスを制御する。るつぼは、チョクラルスキー工程の間、減少した気泡成長を示す。バリウムドープされた薄い層及び減少した気泡成長の結果として、るつぼの内側表面は、ＣＺ工程の間に、均一に最小限に組織化される。 （もっと読む）

【目的】本発明は、耐熱性に優れている上に、金属不純物の遮蔽効果の高い半導体製造用石英ガラス部材を提供すること。
【構成】少なくとも２層で形成される半導体製造用石英ガラス部材において、外層が１,２８０℃温度における粘度が１０^12.０ポイズ以上でナトリウム、カリウム及びリチウムのいずれも１ppm以下の天然石英ガラスからなり、最内層が１,２８０℃温度における粘度が１０^11.7ポイズ以上でナトリウム、カリウム及びリチウムのいずれも０．２ppm以下の合成石英ガラスからなる半導体製造用石英ガラス部材。 （もっと読む）

本発明は、半導体製造用石英ガラスの公知の組成物を出発点とし、該組成物は少なくとも近表層領域において第１ドーパントと第２酸化ドーパントとの共ドーピングを示し、前記第２ドーパントは一種類以上の希土類金属をそれぞれ（ＳｉＯ²及びドーパントの全質量に基づいて）０．１〜３％の濃度で含有する。エッチング処理を使用する環境において半導体製造用石英ガラス組成物を供給することを出発点として、該組成物は高純度及び高いドライエッチング耐性により区別され、酸化アルミニウムとの共ドーピングにより引き起こされる公知の欠点を回避し、第１ドーパントが窒素であり、石英ガラス中の準安定ヒドロキシル基の平均含有量が３０質量ｐｐｍ未満とすることを本発明により提案するものである。 （もっと読む）

【課題】
半導体製造に用いられかつプラズマ耐食性に優れた石英ガラス、石英ガラス治具、該石英ガラスの製造方法、該石英ガラスの製造に好適に用いられる混合石英粉、並びに該混合石英粉の製造方法を提供する。
【解決手段】
２種以上のドープ元素を併せて０．１〜２０質量％含有する石英ガラスであって、前記ドープ元素が、Ｎ、Ｃ及びＦからなる群から選択される１種以上の第１の元素と、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、ランタノイド及びアクチノイドからなる群から選択される１種以上の第２の元素とを含むようにした。 （もっと読む）

【課題】再現可能な方法で、石英ガラス構成材の表面の卓越した技術的清浄性を、表面特性を実質的に維持しつつ達成することのできる方法を提供する。
【解決手段】本発明は、酸性溶液における多段洗浄処理を備えた石英ガラス表面の洗浄方法において、前記多段洗浄処理が、過酸化水素の作用の下での塩酸洗浄溶液での前段の処理、および硝酸洗浄溶液での後段の処理を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
半導体製造に用いられかつプラズマエッチング工程に好適なセラミックス治具、その製造方法及びセラミックス用接合剤を提供する。
【解決手段】
半導体製造用プラズマエッチング装置に用いられるセラミックス治具の製造方法であって、周期律表第３Ｂ族元素、窒素、炭素及び弗素からなる群から選択される１種以上の第１の元素と、Ｓｃ、Ｚｒ、Ｙ、ランタノイド及びアクチノイドからなる群から選択される１種以上の第２の元素とを併せて０．１〜２０質量％含有し、平均粒度が０．１〜１００μｍである混合石英ガラス粉を、２つのセラミックス部材の間に介在させ、１１００℃以上の温度で加熱焼成して前記セラミックス部材を接合するようにした。 （もっと読む）

【課題】高周波回路用プリント配線基板に好適な石英ガラス不織布を製造するに好適な石英ガラス繊維含有乾式短繊維ウェブ、および高強度を有し、高周波回路用プリント配線基板に好適な石英ガラス繊維含有不織布を提供する。
【解決手段】本発明の石英ガラス繊維含有乾式短繊維ウェブは、石英ガラス長繊維を切断することにより得られた直径１μｍ以上、２０μｍ以下の石英ガラス繊維、および熱融着性繊維によって構成され、かつ目付が５ｇ／ｍ^２以上、７０ｇ／ｍ^２以下であることを特徴とする。本発明の石英ガラス繊維含有不織布は、上記石英ガラス繊維含有乾式短繊維ウェブを用いて作成されたものである。 （もっと読む）

【目的】高温、減圧下での単結晶引上げ時に発生するルツボ内表面の泡膨張が抑えされ、この泡膨張に基づく剥離石英ガラス片に起因するシリコン単結晶の有転移がなく、高歩留まりで高品質のシリコン単結晶を引上げることができる石英ガラスルツボの製造方法を提供すること。
【課題】シリカ粉を回転モールド内に投入して、遠心力によりルツボ形状に成形したのち、加熱溶融して半透明石英ガラスルツボ基体を形成し、その形成中又は形成後の加熱雰囲気内に、０．１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下の水素圧下、３００℃〜８００℃の温度で加熱処理して得た水素濃度が５×１０^１７〜３×１０^１９ ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ／ｃｍ^３の水素ドープシリカ粉を供給し、半透明石英ガラスルツボ基体の内面側から少なくとも０．５ｍｍに透明石英ガラス層を形成することを特徴とするシリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボの製造方法。 （もっと読む）