【課題】基板に対する処理の開始が通常のタイミングよりも遅れた場合に、その処理の開始までに生じた不具合を解消することができる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置では、プロセスレシピに従ったプロセスレシピ制御が２５回繰り返し実行されることにより、２５枚のウエハに対する処理が行われる。２５回のプロセスレシピ制御中に、タイマにより、ウエハへの薬液の供給の停止から次回のプロセスレシピ制御の開始までの時間が計測される。そして、タイマによる計測時間が予め定める基準時間以上であれば、プロセスレシピ制御に割り込んで、プリレシピに従った制御が実行され、プリディスペンス動作が行われる。プリディスペンス動作により、ノズルなどに溜まった薬液が廃棄されるので、プロセスレシピ制御の再開後に、劣化した薬液がウエハに供給されることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】処理槽内の洗浄液に浸漬された基板に対し超音波を照射して基板を洗浄する場合に、装置の構造を複雑化させることなく、基板の洗浄面全域に効果的に超音波を照射して洗浄効果の均一性を高めることができる装置を提供する。
【解決手段】洗浄液を貯留する処理槽１０の底部外面側に配設される超音波振動板２０と、複数の基板Ｗを保持部１６により支持して処理槽１０の内部に保持する基板保持具との間に、超音波透過性材料で形成された平板状をなす一対の超音波屈折部材２４を左右対称に配設し、支持手段により超音波屈折部材２４を鉛直面に沿った方向において揺動可能に支持し、揺動手段により超音波屈折部材２４を基板Ｗの洗浄処理中に揺動させて超音波屈折部材２４と超音波振動板２０とのなす角度を変化させる。 （もっと読む）

【課題】装置内で発生している異常事態を、装置を開けずに検知することができる技術を提供する。
【解決手段】差圧計６１が、第１熱空間Ａの圧力と、第２熱空間Ｂの圧力との差圧をモニタリングして差圧情報として取得する。各種の異常事態（熱処理を開始する時点において保持部２上に基板Ｗが存在しなかったり、熱処理の途中で被処理基板Ｗが割れてしまう等）が発生した場合、差圧の経時変化は、異常がない状態とは異なる振る舞いを示すことがわかっている。検出処理部６３は、差圧計６１が取得した差圧情報の経時変化をみることによって、装置内に発生している異常を検知する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュランプによる基板の熱処理状況を、簡便、かつ、良好に把握できる熱処理装置を提供する。
【解決手段】第１計測部７８は、基板の非熱処理時に保持部７に載置可能とされている。第２計測部８８は、非熱処理時だけでなく、保持部７に基板が保持されて熱処理が実行される熱処理時においても、光照射部５から出射されて導光部８９により導かれた閃光のエネルギーを計測可能とされている。減少率演算部９３ａは、第２計測部８８の計測結果に基づいて求められる減少率ＤＲ２ｎを、第１計測部７８の減少率ＤＲ１ｎとして演算する。補正演算部９３ｂは、第１計測部７８で計測される閃光エネルギーの初期値Ｅ１０と、減少率演算部９３ａで求められた減少率ＤＲ１ｎと、に基づいて、第ｎ回目の発光時に基板に到達する閃光エネルギーＥ１ｎを演算する。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板を基板保持手段により保持し処理槽内の処理液中に浸漬させて処理する装置において、基板表面からパーティクルや残留薬液を除去して効率良く処理槽外へ排出することができ、処理時間の短縮と処理液の使用量の低減を図ることができる装置を提供する。
【解決手段】処理液を貯留する処理槽１０と、鉛直姿勢で水平方向に配列された複数の基板Ｗを保持し処理槽１０の内方位置と上方位置との間で上下方向へ移動する基板保持具１２と、処理槽１０の底部近傍に設けられた吐出口から処理液を吐出する一対の吐出管１８と、各吐出管１８に対向するように吐出管１８の長手方向に沿って基板保持具１２に固着され吐出管１８の吐出口から吐出される処理液の流れを遮る一対の邪魔板部材３８ａ、３８ｂと、基板保持具１２を処理槽１０内において、邪魔板部材３８ａ、３８ｂが吐出管１８の吐出口からの処理液に当たる位置と当たらない位置とに移動させる移動制御手段とを備えて装置を構成した。 （もっと読む）

【課題】 基板洗浄をさらに効率的に実行できる二流体ノズル、およびこの二流体ノズルによって洗浄処理を実行可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 流路形成部材３１および蓋部材３９は、主として圧縮空気供給源側から供給される気体の導入路を形成する部材である。流路形成部材４１および蓋部材４９は、主として圧縮空気供給源側から供給される気体の導入路を形成する部材である。また、各流路形成部材３１、４１の背面同士が合わせられると、洗浄液供給源７１から供給される液体の導入路が形成されるとともに、Ｙ軸方向を長手方向とし、Ｘ軸方向を幅方向とする略長方形状の液体吐出口が形成される。導出部材５１は、流路形成部材３１側から供給される気体の吐出口と、流路形成部材４１側から供給される気体の吐出口と、を形成する部材である。 （もっと読む）

【課題】 フラッシュランプによる基板の熱処理状況を、簡便、かつ、良好に把握できる熱処理装置を提供する。
【解決手段】 計測部８８は、保持部７に基板Ｗが保持されているか否かに関わらず、光照射部５から出射されて導光部８９により導かれた閃光のエネルギーを計測する。近似演算部９３ａは、フラッシュランプ６９への印加電圧が一定とされ、光照射部５から基板Ｗ側に複数回出射された閃光エネルギーの計測値Ｅを最小２乗近似することにより近似直線を求める。エネルギー演算部９３ｂは、近似直線に基づいて閃光エネルギーの演算値を求める。判定部９３ｃは、エネルギー演算部９３ｂにより演算された閃光エネルギーの演算値と、Ｎ２回目の発光時に計測部８８により計測された閃光のエネルギーの計測値と、に基づいて、基板Ｗ側に到達する閃光の状況を判定する。 （もっと読む）

【課題】熱処理時における基板上の温度分布の面内均一性を向上させることができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】保持部２に保持された基板Ｗに向けて、第１光照射部３から光を照射して予備加熱処理を行い、第２光照射部４から閃光を照射してフラッシュ加熱処理を行う。さらに、チャンバー側部５１の内壁面であって、保持部２に保持された基板の上面の高さ位置から離間距離Ｈだけ離間した高さ位置に配設された調整用ランプ６１から、基板Ｗの特定領域に向けて光を照射する。コールドスポットとなりやすい領域に光を照射させることによって、コールドスポットの発生を抑制し、温度分布の面内均一性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】多値画像を比較するパターン検査において、２枚の画像が高周波領域にある場合に発生しやすい擬似欠陥の誤検出を防止して、欠陥検出精度を高くする。
【解決手段】特徴量算出部２１は、参照画像と被検査画像について着目画素の近傍における画素値の空間的変化量ΔＲＥＦ、ΔＯＢＪを画素ごとに求める。２つの空間的変化量の比較結果に応じて、被検査画像の着目画素と参照画像の着目画素のうち一方が許容画素、他方がターゲット画素として選択される。比較部２７は、許容画素に対して設定された許容範囲を考慮して、許容画素とターゲット画素の間で画素値の差分値ＶＴＭを求める。比較結果補正部２８は、２つの空間的変化量に基づき、差分値ＶＴＭを補正する。欠陥判定部３２は、補正後の差分値ＳＵＢに基づき被検査物における欠陥を検出する。 （もっと読む）

【課題】光照射によって加熱される基板の温度を直接かつ正確に測定することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】ハロゲンランプＨＬによって半導体ウェハーＷを昇温した後、消灯してシャッター板２１を遮光位置に挿入する。その後の半導体ウェハーＷの温度は放射温度計１２０，１３０によって測定される。消灯直後のハロゲンランプＨＬからの放射光がシャッター板２１によって遮断されるため、放射温度計１２０は、外乱光の影響をうけることなく、半導体ウェハーＷの温度を直接かつ正確に測定することができる。また、放射温度計１３０はシャッター板２１の小孔２３を介して温度測定を行う。石英ロッド１３３の先端とシャッター板２１との距離が３ｍｍ以下であるため、放射温度計１３０も外乱光の影響を最小限に抑制して半導体ウェハーＷの温度を正確に測定することができる。 （もっと読む）