説明

大日本スクリーン製造株式会社により出願された特許

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【課題】簡易な構成で、反った基板であっても確実に保持できる技術を提供する。
【解決手段】基板に対して描画処理を施す描画装置1は、基板Wの裏面に対向する保持面111が形成された保持板11と、保持面111に形成され、真空吸引により基板Wを保持面111に吸引する真空吸引口12と、保持面111に形成され、ベルヌーイ吸引により基板Wを保持面111に吸引する複数のベルヌーイ吸引口13とを備える。保持面111には、その中心と同心に配置された円形領域M1と、円形領域M1と同心に配置された円環状領域M2とが規定されており、円形領域M1と円環状領域M2とのそれぞれにベルヌーイ吸引口13が配置される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、作業部が作業対象物近傍に到達するまでの進路中に障害物が存在する場合にも、適切に対処し作業可能な作業部動作制御装置および、その方法、プログラムの提供を目的とする。
【解決手段】本発明にかかる作業部動作制御装置は、作業対象物100に対して作業するアーム部1Rと、アーム部1Rの動作を制御する制御部2とを備え、制御部2は、アーム部1Rを進路200中において移動させ、進路200中における障害物101を検出する検出部3をさらに備え、制御部2が、アーム部1Rと障害物101との接触を回避するように、アーム部1Rの動作を制御する。 (もっと読む)


【課題】基板に形成した液膜を冷却し凝固させる基板処理装置および基板処理方法において、より短時間で効率よく液膜の温度を低下させることのできる技術を提供する。
【解決手段】冷却ガスノズル3のノズル筐体311の外周下部を外側に延伸させて、平板状のフランジ312を形成する。フランジ312の下面312aが基板表面Wfに近接対向配置される。ノズル筐体311の中央下部に設けたガス吐出口30から低温の冷却ガスが吐出されると、冷却ガスは基板表面Wfとフランジ312の下面312aとの間隙空間を基板表面Wfに沿って流れる。基板上の液膜が冷却ガスに触れる時間が長く、またガスの流速が増大するとともに周囲雰囲気の巻き込みに起因するガス温度の上昇が抑えられるので、液膜を効率よく短時間で冷却することができる。 (もっと読む)


【課題】 多量の処理液を消費することなく基板の表面全域に有効に処理液を供給することが可能であり、さらに、処理液を回収して再利用することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】 各塗布ユニット1a、1bは、複数の搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の表面に処理液を供給するための第1処理液吐出ノズル2と、この第1処理液吐出ノズル2との間に処理液の液溜まりを形成するとともに、複数の搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の裏面に処理液を供給するための第2処理液吐出ノズル4とを備える。搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100に対し、このような構成を有する2個の塗布ユニット1a、1bの作用により、その表面および裏面への処理液の塗布が、繰り返し実行される。 (もっと読む)


【課題】タクトの悪化及び印刷材料の表面状態の変化を抑えるとともに、被印刷体に塗布された後の印刷材料の膜厚を一定に近づけることのできる技術を提供する。
【解決手段】印刷装置10は、表面上に隔壁60の配列が形成された基板Wを保持するステージ22と、所定のパターンが形成された印刷版17を有し、有機EL材料のインク70が塗布された印刷版17から基板Wの隔壁60間にインク70のパターンを転写する版胴14と、印刷版17にインクを供給するインク供給ローラ12と、インク供給スリットノズル11がインク供給ローラ12上に吐出したインク70を非接触で加熱する赤外線ヒータ80と、を備える。 (もっと読む)


【課題】移動自在な垂直ベース53に吐出ユニット3を取り付けた構成において、塗布液の吐出時に発生する反力に起因した吐出ユニット3の振動を抑制可能とする。
【解決手段】垂直ベース53を、梁513により支持するのみならず、梁513の反対側から第2支持機構6によっても支持する。こうして、両側に配置された梁513と第2支持機構6で垂直ベース53を強固に支持することが可能となり、その結果、垂直ベース53に取り付けられた吐出ユニット3を吐出時に発生する反力に抗してしっかりと支持することができる。よって、塗布液の吐出時に発生する反力に起因した吐出ユニット3の振動を抑制することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】不純物の混入が抑えられるとともに、比較的均質な形状及び大きさに生成された金属のナノ粒子を含むナノ粒子インクで被印刷体にパターンの転写を行うことができる技術を提供する。
【解決手段】印刷装置1は、基板Wを保持する載置ステージ20と、金属のイオンを含んだイオン溶液を供給する溶液供給部30と、イオン溶液を通過させる溶液通過層100を備える版胴10と、を備える。溶液通過層100はナノメートルオーダーの空孔が分布した多孔質材料によって形成されたナノ多孔質層112を備える。イオン溶液はナノ多孔質層112を通過することによって金属のナノ粒子を含むナノ粒子溶液に変化する。版胴10は、溶液通過層100の外側に形成された転写面1135から滲出したナノ粒子溶液の所定のパターンを基板Wに転写する。 (もっと読む)


【課題】高精度かつ迅速に、基板を適正な回転位置に位置合わせできる技術を提供する。
【解決手段】位置合わせ装置100は、ステージ11を回転させる回転機構121と、ステージ11外からステージ11の位置を測長して、当該測長値に基づいてステージ11の回転角度θを特定する測長部13と、ステージ11に載置された基板Wを適正な回転位置におくために必要なステージの回転角度(目標回転角度θo)を特定する目標回転角度特定部201と、測長部13で計測されたステージ11の回転角度θを目標回転角度θoに近づけることができるような回転機構121の制御パラメータNを出力し、当該制御パラメータNで回転機構121を駆動制御する回転制御部202と、を備える。 (もっと読む)


【課題】処理中に処理液が付着したノズルアームによる汚染を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】1枚の基板Wの処理が終了してノズルアーム62が処理位置から待機位置に帰還したときに、その待機位置にてアーム乾燥部75の2本の乾燥ガスノズルからノズルアーム62に乾燥用ガスが吹き付けられる。また、固定設置された乾燥ガスノズルから水平方向に噴出される乾燥用ガスの流れをノズルアーム62の先端側が横切るように旋回駆動部63が3本のノズルアーム62を揺動させている。これによって、基板Wの処理後に処理液が付着していた3本のノズルアーム62が乾燥され、付着していた処理液が取り除かれる。その結果、基板Wの処理中に処理液が付着したノズルアーム62による汚染を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】基板に形成された凹部の形状を、非破壊、非接触にて検査する技術を提供する。
【解決手段】基板検査装置100は貫通ビアWH(凹部)が形成されている基板Wを検査する。基板検査装置100は、ポンプ光の照射に応じて、基板Wに向けてテラヘルツ波を照射する照射部12と、プローブ光の照射に応じて、基板Wを透過したテラヘルツ波の電場強度を検出する検出部13と、テラヘルツ波が基板Wの貫通ビア形成領域を透過する透過時間と平坦領域を透過する透過時間との時間差を取得する時間差取得部24と、該時間差に基づいて貫通ビアWHの深度を算出するビア深度算出部26とを備える。また、基板検査装置100は、ビア深度算出部26により算出した貫通ビアWHの算出深度と、干渉法を利用する深度測定装置16によって測定した貫通ビアWHの実測深度とに基づいて、貫通ビアWHの形状を示す形状指標値を取得する形状指標取得部27を備える。 (もっと読む)


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