【課題】半導体パッケージを含むプリント配線基板上に実装された電子部品への機械的ストレスを低減する放熱構造を提供する。
【解決手段】放熱構造を、プリント配線基板１の上に実装された半導体パッケージ２と、その半導体パッケージ２の上面に配置した熱伝導シート３と、その熱伝導シート３から伝わる熱を受け大気中に放出するための放熱フィン４を設けた金属ケース５とで構成し、金属ケース５においては、熱伝導シート３との接触部に凹凸構造を設ける。 （もっと読む）

【課題】遠視野像をガウシアン形状にできる半導体レーザ素子の提供。
【解決手段】ｎ型のＧａＡｓ基板と、ＧａＡｓ基板の第１の面に順次形成されるｎ型のクラッド層、ｎ型の下ガイド層、活性層、ｐ型の上ガイド層、ｐ型の第１クラッド層、ｐ型のエッチングストッパ層、ｐ型の第２クラッド層及びｐ型のコンタクト層と、コンタクト層及び第２クラッド層に設けられ底面がエッチングストッパ層となる平行に延在する２本の溝とを有し、溝間にはメサ第２クラッド層及びメサコンタクト層によってメサが形成されている。溝間のメサコンタクト層の幅ａはメサ第２クラッド層の幅（メサ幅Ｗ）よりも小さく、かつメサコンタクト層の縁の外側には所定長さ（ｂ）に亘ってメサ第２クラッド層の上面が露出している。メサコンタクト層の側面から溝及び溝の外側に位置するコンタクト層上に掛けて絶縁膜が設けられている。メサコンタクト層の上面及び絶縁膜に掛けてｐ電極が形成され、ＧａＡｓ基板の第２の面にはｎ電極が形成されている。 （もっと読む）

【課題】偏光角のばらつきが少ないマルチビーム半導体レーザ素子の提供。
【解決手段】ｎ型の半導体基板と、基板の第１の面に積層されるｎ型クラッド層、活性層、ｐ型クラッド層、コンタクト層と、基板の一端から他端に亘りかつコンタクト層からｐ型クラッド層の所定深さに形成される複数本の区画溝と、隣接する区画溝によって挟まれる各区画部分に形成され基板の一端から他端に亘りかつコンタクト層からｐ型クラッド層の所定深さに形成される２本の分離溝によって挟まれたストライプ状のリッジと、各リッジのコンタクト層の両側面から分離溝を越えて区画部分の端に至る部分を覆う絶縁層と、基板の第２の面に設けられる第１の電極と、各区画部分においてリッジ，分離溝及び分離溝の外側の多層半導体層上に亘って設けられる第２の電極とを有し、第２の電極は下層の第２の電極層と、上層の第２のメッキ層とからなり、第２のメッキ層はリッジ部分に対応する箇所が最も厚くなり区画溝に向かって徐々に薄くなる円弧状断面となっている。 （もっと読む）

【課題】
シングルドライブ型ＬＮ−ＭＺ変調器を用いた光デュオバイナリ送信器の自動バイアス制御を行う技術を提供する。
【解決手段】
マッハツェンダ型光変調器２２に入力される電圧信号の振幅を低周波信号で変調し、光変調器２２の光出力を光検出系３０により検出する。バイアス制御系４０では、この光出力信号から電気信号振幅変調の低周波信号成分を検出して、当該低周波信号成分が最小値または最大値になるように、光変調器に印加する直流バイアス電圧を制御する。 （もっと読む）

【課題】小型でありながら、低光損失で十分な波長シフト量が得られる波長調整方法を提供する。
【解決手段】ゲイン部１０６と位相調整領域１０７を有するゲインチップ、位相調整領域に正方向電流を流す電流源６０１、位相調整領域に負方向電圧を印加する電圧源６０３、波長シフトの方向に応じて電流源あるいは電圧源を選択的に駆動する制御部６０１を有する。制御部は、電流源及び電圧源がオフのときのレーザ波長に対して短波長側に波長シフトさせるときは電流源を駆動し、長波長側に波長シフトさせるときは電圧源を駆動する。 （もっと読む）

【課題】誤挿入の虞のないプラガブルモジュールおよびプラガブルモジュールシステムを提供する。
【解決手段】第１の伝送レートを第２の伝送レートに変換して送信する送信機と、第２の伝送レートの受信信号を第１の伝送レートに変換する受信機とを含み、ホスト装置に挿入することによって、送信機と受信機と、ホスト装置とを接続するため、挿入方向に垂直な面内に、凸部からなる第１の誤接続防止部と凹部からなる第２の誤接続防止部とを形成されたプラガブルモジュールにより、達成できる。 （もっと読む）

【課題】水平共振器面発光レーザにおいて、ファイバ等との光結合損失の少ない円形狭出射ビームを得ることのできる素子構造を提供する。
【手段】第一の手段は、４５°に傾斜した平面反射鏡と楕円形の裏面レンズが集積形成された構造の水平共振器面発光レーザとすることである。第二の手段は、４５°に傾斜した円柱表面形状の反射鏡と円柱表面形状の裏面レンズが集積形成された構造の水平共振器面発光レーザとすることである。これらの手段によりレーザビームの水平成分と垂直成分を独立に整形することが可能となるので、円形狭出射ビームを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】裏面入射型ＡＰＤ、表面入射型ＡＰＤとも内側の第１メサの径より、ミラーの外径または受光径が小さい。一方、ＡＰＤの応答速度を向上するためには、素子容量を低減することが必要である。
【解決手段】半導体基板上１０１に第１の導電型の半導体結晶層と第２の導電型の半導体結晶層とからなるｐｎ接合を含む複数の半導体結晶層からなり、且つ上部に第１のコンタクト層１０８を含むメサ１１０が形成され、ｐｎ接合に電界を印加する複数の電極が接続され、メサを埋め込む埋め込み層１１１上に第２のコンタクト層１０８ａを形成し、第２のコンタクト層１０８ａと第１のコンタクト層１０８とを介してｐｎ接合に電界を印加する半導体受光装置により、達成できる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は低抵抗で高信頼な窒化物半導体レーザを提供するものである。
【解決手段】 埋め込み層を選択成長により形成し、p型クラッド層の構造を逆台形状とすることにより、p型クラッド層の抵抗、p型コンタクト層の抵抗を低減する。また素子の長期信頼性に対しては、埋め込み層を半絶縁の高抵抗層とすることにより、リーク電流の増殖を抑制する。 （もっと読む）

【課題】電極膜の応力による結晶破壊の虞をなくし、信頼性に優れた半導体光装置を提供する。
【解決手段】半導体基板に形成された活性面にほぼ垂直方向または平行方向に発光または受光する半導体光装置において、活性面側に形成され、活性面と接続された電極は、その端部においてステップ形状またはテーパ形状を有する半導体光装置により、解決できる。半導体光装置の電極は、接着層／拡散防止層／Ａｕの３層で形成され、ステップ形状またはテーパ形状は、Ａｕ層の膜厚差または接着層／拡散防止層／Ａｕの膜厚さにより、形成される。 （もっと読む）