【課題】製造コストを抑え、品質の低下を防ぎつつ、反射戻り光量を抑制した光モジュールを製造することができる光レセプタクル、この光レセプタクルを用いた光モジュール、及び、光モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】レンズ３０、及び、レンズ３０を支持するレンズ支持部３２を収容するための凹部２０ａと、凹部２０ａの底から外部へ貫通した、外部から光ファイバ５０が挿入される貫通孔２０ｂと、が形成された光レセプタクル２であって、レンズ３０、及び、レンズ支持部３２を、レンズ３０の光軸（レンズ光軸４０）と、貫通孔２０ｂに挿入される光ファイバ５０の光軸（光ファイバ光軸４２）とがずれるよう凹部２０ａに収容した場合に、凹部２０ａの内周面がレンズ支持部３２の外周面に対して所期の位置に定まるよう、凹部２０ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】金属端子の縁の一部が脱落しにくいコネクタ及び電子機器を提供する。
【解決手段】カードコネクタ１０は、基板１１と、基板１１上に設けられ、基板１１の縁から一方向に延伸するカードコネクタ端子１２とカードコネクタ端子１２の一方向に延びる縁部（端子縁１２ａ）を側方及び上方から被覆する絶縁部材１３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光信号の劣化を防止するレーザ装置およびその制御方法を提供すること。
【解決手段】波長可変フィルタ２４と、位相調整領域３２と光増幅領域３４とを有する半導体光増幅器３０と、を含む共振器を備え、波長可変フィルタ２４の透過ピーク波長からモードホップが生じる波長までの波長マージンが長波側よりも短波側で小さい波長可変レーザモジュール１０の波長可変レーザモジュール制御部５０は、共振器から出力される光の光強度を検出する光出力サンプリング部６８と、検出される光強度が最大となるよう位相調整領域３４に印加される位相調整信号を変動させるディザ信号を生成するディザ信号源５８と、ディザ信号の変動周期より短い周期で位相調整領域３４に印加される位相調整信号を振動させるＦＭ信号を生成するＦＭ信号源６０と、を含み、光出力サンプリング部６８は、ＦＭ信号による位相調整信号の振動に同期して光強度を検出する。 （もっと読む）

【課題】結晶破壊やめっき剥離を起こし難い金属めっきを形成することができるめっき方法及びそのような金属めっきを備える電子装置を提供すること。
【解決手段】開口１６ａが形成されるとともに、前記開口１６ａの内周面が裏面側から表面側に向かうほど前記開口側に大きく迫り出すレジストパターン１６を形成する工程と、前記レジストパターンに形成される前記開口を充填する金属めっき１８を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】マルチビーム半導体レーザ装置において、サブマウントに実装されたレーザチップの各発光部に加わる剪断歪みの相対差を抑制し、偏光角の相対差を低減する。
【解決手段】サブマウント６に実装された半導体レーザ素子アレイ８は、基板１１上に２個のリッジ部１３を有する半導体層２が積層された構造を有し、各リッジ部１３の上部に形成されたｐ型電極３の表面にはＡｕメッキ層１４が形成されている。各リッジ部１３において、Ａｕメッキ層１４の幅方向の中心位置は、その下方の発光部７の幅方向の中心位置に対して意図的に変位され、半導体レーザ素子アレイ８をサブマウント６に実装する前の段階で各発光部７に剪断歪みが加わるようになっている。 （もっと読む）

【課題】窓領域を有するリッジ構造型端面発光レーザ、特に動作電流の小さい短共振器型レーザにおいて、窓部の電流リークにより、動作電流が増大する課題があった。
【解決手段】窓領域において、n型基板とp型クラッド層と間に、Ruをドーピングした半絶縁性の半導体層を挿入する。あるいは、Ruをドーピングした層とFeドーピング層との積層構造を導入する。 （もっと読む）

【課題】接続端子数を増やすことなく通信モジュールにバススイッチ機能を付加すること。
【解決手段】主装置１０は、挿入されている光伝送モジュール２０のＭＯＤ−ＡＢＳ（モジュール挿抜検出用）端子５６に電流が流れるか否かを検出するためのオペアンプ４２および抵抗４４と、光伝送モジュール２０が主装置１０に挿入されている場合に、光伝送モジュール２０とのバス通信を許可するか否かに応じて、ＭＯＤ−ＡＢＳ端子５６への電流を変化させるトランジスタ４６と、を含む。光伝送モジュール２０は、主装置１０と送受されるバス信号を送受するためのＳＤＡ端子５２（ＳＣＬ端子５４）と、ＳＤＡ端子５２（ＳＣＬ端子５４）を介して送受されるバス信号を処理する通信制御回路６６と、ＭＯＤ−ＡＢＳ端子５６への電流に応じて、ＳＤＡ端子５２（ＳＣＬ端子５４）と通信制御回路６６との接続を制御するバススイッチ６８と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 高速かつ高感度な面入射型フォトダイオードを提供することにある。
【解決手段】 斜面反射部を用いて光路を変換し、光吸収層に斜め方向に光信号を入射することにより、実効的吸収層厚を増大させ、高感度化を図る。さらに、受光部上部に回折格子またはフォトニック結晶反射部により、入射方向と逆方向に反射させ、受光部領域を増大することなく、さらなる高感度化を図る。 （もっと読む）

【課題】マルチビームレーザダイオード素子の特性向上を図る。
【解決手段】ＧａＡｓチップ４のｐ型電極２１にはＡｕメッキ層からなる応力緩和層３０が設けられており、サブマウント９のチップ実装面に形成した素子固定部４０にも同様の応力緩和層４２が設けられている。応力緩和層３０、４２を構成するＡｕのヤング率はＧａＡｓのヤング率よりも低いので、ＧａＡｓチップ４とサブマウント９の線膨張係数差に起因する残留応力は、これらの応力緩和層３０、４２によって吸収・緩和される。これにより、ＧａＡｓチップ４の残留応力が低減されるので、レーザダイオード素子の特性変動が抑制される。 （もっと読む）

【課題】 InGaAlAsを活性層とするＤＦＢレーザにおいて素子抵抗が高いため特に高温におけるレーザ特性の劣化が課題である。
【解決手段】 n型InP基板101に形成されたInGaAlAs-MQW層104上に、p型InGaAlAs-GRIN-SCH層105、ｐ型InAlAs電子ストップ層106、ｐ型回折格子層107を順次積層し、回折格子形成後に、ｐ型InPクラッド108、ｐ型InGaAsコンタクト層を順次再成長し、リッジ型レーザを作製する。107の回折格子の凹凸の深さは107の厚さより小さくする。 （もっと読む）