【課題】分注ノズルの先端部に液ダレ防止用の空気層を生成することなく液ダレを抑制し、容器中の気泡の発生を抑制でき、かつ、分注ノズルの移動中においても、分注ノズルからの液ダレを抑制可能な液体分注装置を実現する。
【解決手段】分割時間経過判断部４０１はタイマ４０４を起動しメモリ４０５に記憶された分割時間（断続的に動作させる時間間隔が経過するのを待つ（ステップ５５３）。分割時間の経過を待っている間に液ダレ防止処理の実行フラグをオフとすることもあるので液ダレ防止シーケンスを中断するか否かの判断を実施する（ステップ５５６）。ステップ５５３において、分割時間が経過したことを分割時間経過判断部４０１が判断した場合、分注ノズル１００に負圧を与えるために、液ダレ防止動作制御部４０２はポンプモータを１パルスだけ駆動する（ステップ５５４）。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射によって生じる脆性基板内の熱拡散による基板の変形を防止する。
【解決手段】脆性基板加工装置は、レーザ光を脆性基板表面上の加工予定ラインに従って所定速度で移動させながら照射し、レーザ光移動後の加熱位置に冷却媒体を吹き付ける。このレーザ加工中に脆性基板の加工予定ラインの両側を押圧手段で押圧することによって、加工時のレーザ照射による発熱を割断ライン付近で吸収すると共に拡散する熱による脆性基板の変形を防止する。ヘッド位置調整手段によって移動時における加工ヘッドの基板に対する間隔をほぼ同一高さに制御する。脆性基板をエアの吹き出しと吸引によりバランスさせて浮上させるエア浮上ステージ手段にて保持する。冷却手段は、液体である冷却媒体とキャリアガスを混合したものを脆性基板表面に適量吹き付ける。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク６の変形を高精度かつ短時間に測定できるプロキシミティ露光装置を提供する。
【解決手段】透明基板６ｂの一方の表面６ｃに転写パターン６ａが形成されたフォトマスク６と、ガラス基板５とのギャップＧを狭めるギャップ狭小手段と、透明基板６ｂの第１端面６ｅから、転写パターン６ａが形成されていない側の透明基板６ｂの表面６ｄで全反射し、第１端面６ｅとは異なる透明基板６ｂの第２端面６ｆへ達する光路を含むレーザ光線２８の光路の光路長を測定する測長手段２４とを有する。レーザ光線２８は、第１端面６ｅから透明基板６ｂ内に入射し、透明基板６ｂ内を、転写パターン６ａが形成されていない側の透明基板６ｂの表面６ｄに向かって進行する。レーザ光線２８は、透明基板６ｂの内部から、表面６ｄに、臨界角より大きな入射角で入射し、全反射する。 （もっと読む）

【課題】
半導体等の製造工程で用いられる欠陥検査において、微弱な欠陥散乱光をもとに高速に検査するためにはゲインの高い検出器が必要であるが、一般的な検出器、典型的には光電子増倍管ではゲインを高くするに従い、暗電流ノイズが大きくなり、欠陥検出感度が低下する。
【解決手段】
試料からの反射散乱光を検出する検出光学系に複数の検出器を備え、弱い背景散乱光量を検出する検出器で画素数の少ない光子計数型検出器を適用するとともに、強い背景散乱光量検出する検出器で画素数の多い光子計数型検出器か、あるいはアナログ型の検出器を適用し、更に光子計数型検出器の適用によって発生する散乱光検出強度の非線形性を補正して欠陥散乱光検出信号を補正する。 （もっと読む）

【課題】本発明は装置稼働率を低下させることなく安定したプロセス性能結果が得られるRun-to-Run制御によりプラズマ処理を行うプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明はプラズマ処理を行うプラズマ処理室と、プラズマ処理室内の状態をモニタするプロセスモニタと、プラズマ処理条件を構成するパラメータを制御するアクチュエータと、プロセスモニタによりモニタされたプロセスモニタ値とプロセスモニタの目標値との偏差および予め取得された、プロセスモニタ値とパラメータである操作変数との相関関係を用いて操作変数の補正量を算出するＮ＋１個の補正量計算ユニットと、Ｎ番目の操作変数の次に優先度の高い操作変数を追加するＮ個の操作変数追加ユニットとを備え、Ｎ番目の操作変数追加ユニットは、Ｎ＋１番目の補正量計算ユニットにより算出された補正量をＮ＋１番目の操作変数の補正量とすることを特徴とするプラズマ処理装置である。 （もっと読む）

【課題】透過型電子顕微鏡によるつなぎ写真の作成スループットを向上させる。
【解決手段】試料ステージの移動と同期して試料を動画像撮影し、その後、撮像された動画像を連続視野の静止画像に変換し、それらをつなぎ合わせてつなぎ写真を作成する。 （もっと読む）

【課題】オペレータのスキルによらず、荷電粒子線装置で取得された画像の回転を自動的に補正する。
【解決手段】測長対象であるパターン形状の特徴やパターン配列上の特徴に着目して試料の回転量を検出し、当該検出量に基づいて作業画面上で表示される取得画像の回転角を画像処理により自動的に補正する。または、測長対象であるパターン形状の特徴やパターン配列上の特徴に着目して試料の回転量を検出し、当該検出量に基づいて試料回転機構の回転角を自動的に補正し、その後、測長対象のパターンを再取得する。 （もっと読む）

【課題】検査装置の検査エリア内に損傷ディスクが持ち込まれないようにすること。
【解決手段】検査対象であるディスク３０は搬送カゴ３１に収納して搬送される。センシング部１１は、事前にディスクのキズや割れ欠けといった損傷の有無を検査する。光学式欠陥検査部１０は、ディスク表面の微細な欠陥の有無を検査する。ディスク取出部１７は、センシング部１１の検査結果に応じて、損傷なしとされたディスクのみを搬送カゴから取り出して光学式欠陥検査部１０に供給する。 （もっと読む）

【課題】 半導体検査装置で大きさの異なる試料を検査する場合に、試料外縁付近を検査するときに試料近傍の等電位面の分布が乱れるため一次電子線が曲がってしまい、いわゆる位置ずれが発生する。
【解決手段】 試料の外側で且つ試料下面よりも低い位置に電位補正電極を設け、そこに試料よりも低い電位を印加する。また、検査位置と試料外縁との距離、試料の厚さ、および一次電子線の照射条件に応じて電位補正電極に印加する電圧を制御する。 （もっと読む）

【課題】成膜対象となる基板の劣化を防止ないしは抑制する。
【解決手段】原料ガスに光を照射することで種を生成し、種を基板２に堆積させることにより膜を成長させる光ＣＶＤ装置（成膜装置）１であって、光源１３と基板２を保持する試料台（基板保持部）１４の間に遮光板（遮光部材）２０を配置する。遮光板２０は、基板２の成膜面２ａと対向する裏面２０ａ、裏面２０ａの反対側に位置する表面２０ｂ、裏面２０ａおよび表面２０ｂのうちの一方から他方までを貫通する複数の貫通孔２１を有している。また、遮光板２０の裏面２０ａと基板２の成膜面２ａの距離Ｃ１は、原料ガスの気体分子の平均自由行程以下である。 （もっと読む）