【課題】 ＣＺ法によりｃ軸サファイア単結晶を引き上げる際に、該単結晶の肩部及び直胴上部に泡群が生じない製造方法を提供する。
【解決手段】 直胴部直径Ｄのｃ軸サファイア単結晶の製造方法において、拡径部（肩部）の形成時における拡径部結晶直径をｄ［ｍｍ］、結晶引き上げ速度をＬ［ｍｍ／ｈ］、拡径部半径増加速度をφ_ｒ［ｍｍ／ｈ］としたとき、０．６≦ｄ／Ｄ＜１．０にある間は、φ_ｒ＜７．０ｍｍ／ｈ、かつＬ^３×φ_ｒが５５以下の範囲を維持するよう、結晶引き上げ速度及び拡径部半径増加速度を調整し、結晶直径Ｄに到達後は、所望の直胴長の単結晶体を継続して引き上げることにより、ｃ軸方位のサファイア単結晶体を得る。該製造方法により得られるサファイア単結晶体の肩部及び直胴上部には泡群が形成される確立が極めて低く、該サファイア単結晶体からのＬＥＤ用サファイア単結晶基板の取得率を向上させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】窒化物系化合物をエピタキシャル成長する際に、不規則な反りが発生しない大口径サファイア単結晶基板を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により、サブグレインや気泡のない直胴部の直径が１５０ｍｍ以上のｃ軸方位サファイア単結晶体を育成し、これを水平方向に切断・基板加工することにより、平面方向の応力分布が同心円状を呈した６インチ以上の大口径サファイア単結晶基板を得る。この基板は窒化物系化合物をエピタキシャル成長する際に発生する基板の反りが規則的な碗型であり、窒化物系化合物の膜厚や膜組成を容易に均一に制御できるため、ＬＥＤの歩留まり向上に優れた効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】４００℃を越える高い温度範囲でも使用することができ、さらにその抵抗率の温度依存性が小さい高温領域圧電素子用材料を提供する。
【解決手段】ＲＥ_３Ｇａ_５−ｘＡｌ_ｘＳｉＯ_１４（式中、ＲＥは希土類を表し、０＜ｘ＜５）、ＲＥ_３Ｔａ_０．５Ｇａ_{５．５−ｘ}Ａｌ_ｘＯ_１４（式中、ＲＥは希土類を表し、０＜ｘ＜５．５）及びＲＥ_３Ｎｂ_０．５Ｇａ_{５．５−ｘ}Ａｌ_ｘＯ_１４（式中、ＲＥは希土類を表し、０＜ｘ＜５．５）からなる群から選択される組成を有し、１００℃〜６００℃の範囲の抵抗率変化が１０^４以下であることを特徴とする。酸化性ガスを含む不活性ガス雰囲気中で溶液から単結晶を育成し、次いで、不活性ガス中の酸化性ガスのモル分率（ｚ）を、前記育成工程における酸化性ガスのモル分率よりも低下させて冷却を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被測定物に取り付けられたセンサユニットの周波数特性を効率よく測定する無線計測装置を提供する。
【解決手段】無線測定装置は、被測定物４０に取り付けられたセンサユニット１０の周波数特性を測定する無線測定装置であって、圧電共振子１１を有するセンサユニット１０と、センサユニット１０と回路網を形成するためのアンテナ２０と、前記回路網に周波数を変化させた高周波電力を供給し、前記回路網の反射電力強度の周波数特性を測定する測定手段３０とを有する。 （もっと読む）

【課題】被測定物の複数箇所の温度測定を行う場合、温度センサと温度測定装置とを接続する作業を簡易かつ安全に行うための多点温度測定装置を提供する。
【解決手段】被測定物の形状に応じたセンサ支持部材１１の複数箇所に、共振周波数が互いに異なる複数個の圧電共振子１２ａ〜１２ｈを設置するとともに、圧電共振子１２ａ〜１２ｈの電極端子を介して、複数個の圧電共振子１２ａ〜１２ｈを直列に接続し、最初の圧電共振子１２ａの空き端子１３と最後の圧電共振子１２ｈの空き端子１４とを伝導材を介して共振周波数計測部１０に接続し、共振周波数計測部１０は、周波数が変化する交流信号を供給し、圧電共振子１２ａ〜１２ｈの温度によって変化する発振周波数から共振周波数を測定し、その共振周波数を温度に換算することにより被測定物の温度を計測する。 （もっと読む）

【課題】従来、太陽電池の製造コスト低減の方法として、石英と炭素をアーク放電により反応させて太陽電池の原料であるシリコンを製造する方法が知られていた。しかし、シリコンの生成効率が極めて低い、生成されるシリコンから炭化シリコンを十分に除去することができないという問題があった。
【解決手段】廃棄シリコンを原料としアーク放電によりシリコンを生成することにした。原料がシリコンであるため高い生成効率で高純度のシリコンを製造することが可能になった。また、アーク炉の炉体の一部に炭素からなる部材を用いることにより、不純物である炭化シリコンを除去できるので、生成されるシリコン中の炭化シリコンの含有量を十分に低減することが可能になった。 （もっと読む）

【課題】サブグレインや気泡の発生を抑制して、効率的に高品質なc軸方位の酸化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】炉体内に配置した坩堝３に単結晶製造用の原料を入れて加熱コイル５により加熱溶融し、前記原料が溶融した融液６から単結晶を引き上げる溶融固化法により酸化アルミニウム単結晶を製造する方法において、原料である酸化アルミニウムの純度を99.99%以上のものを用い、酸素を0.2〜1.0体積％含有する不活性ガス雰囲気中で酸化アルミニウム単結晶を育成する。また、結晶製造装置における坩堝の直径φcと加熱コイルの直径φ_Wとの比を、0.4以上、0.6以下とすることにより、結晶育成中の融液の対流を効率的に制御すことができ、高品質な結晶の製造に優れた効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】大きなファラデー効果が得られ、かつ、優れた結晶性のビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶厚膜にビスマスを多量に固溶することが可能なガーネット単結晶基板、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】サマリウムの酸化物、スカンジウムの酸化物、及び、ガリウムの酸化物を原子比で、Sm:Sc:Ga=3:p:q(ただし、0≦p≦2.0,3.0≦q≦5.0)の量比で混合した混合物を用いて、不活性ガス中に酸素を体積基準で0.5%以上3.0%以下の比率で含む混合ガス雰囲気中で、チョクラルスキー法により、ガーネット単結晶を育成する。結晶育成に用いる原料の純度は99.9%以上であることが好ましい。前記ガーネット単結晶は、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜を液層エピタキシャル法で形成するための基板として用いられる。 （もっと読む）

【課題】リチウム濃度が十分に低く、高い結晶度を持った酸化亜鉛単結晶の簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】結晶成長温度の変動幅を５℃以内に抑えるか、あるいは、３００〜３７０℃の範囲内の温度にて、リチウム濃度が１ｐｐｍ（重量基準）以下の溶液を用いて水熱合成法によって酸化亜鉛結晶を成長させることにより、結晶中のリチウム濃度が５×１０14atoms/cm3以下で、（０００２）面反射におけるX線ロッキングカーブ測定による半値幅が５０秒以下である酸化亜鉛単結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】結晶内の組成のばらつきの小さいランガサイト系単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ランタンの酸化物、タンタルの酸化物、ガリウムの酸化物、及び、アルミニウムの酸化物を原子比で、La:Ta:Ga:Al=3.0:0.5:5.5-x:x(ただし、0.1≦x≦0.3)の量比で混合した原料を用い、不活性ガス中に酸素を体積基準で1.0%以上3.0%以下の比率で含む混合ガス雰囲気下で、チョクラルスキー法によりLTGA単結晶を育成する。結晶育成時は、ワークコイル５と坩堝３の内径比を調整することにより炉内温度勾配と坩堝内融液対流を制御し、同時に、固液界面形状が平らになるように引上げ速度と種結晶の回転速度を調整する。この後、LTGA単結晶の育成後の冷却時に、不活性ガス雰囲気、又は、不活性ガスと酸素ガスの混合ガス雰囲気で、700℃以上、900℃以下、5時間以上、24時間以下のアニールを行う。 （もっと読む）