【課題】露光対象となっている回路パターン領域以外から光が反射することなく、精度よく露光転写ができる反射型露光用マスクを提供する。
【解決手段】基板上に多層反射膜、保護膜、吸収膜、裏面導電膜が形成された反射型マスクブランクスを準備する。次に、回路パターンとその領域外の吸収膜を選択的に除去して回路パターンと遮光枠領域を形成する。次に、前記遮光枠領域において保護膜と多層反射膜を除去する。加えて、前記遮光枠領域の基板とは対向位置の裏面導電膜に酸化インジウムスズを形成する。 （もっと読む）

【課題】反射型マスクのパターンに損傷を及ぼす危険性を解消し、反射型マスク上の遮光領域の遮光性を高めてウェハ上の露光フィールド境界部のオーバー露光を抑制できる遮光領域を有する反射型マスクを提供する。
【解決手段】基板と、ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層で形成された吸収体パターンと、を少なくとも備えた反射型マスクであって、吸収体パターンによって形成された転写パターン領域の周囲に、ＥＵＶ光を遮光するための遮光領域が設けられ、前記遮光領域が反射層と吸収層とを備え、前記遮光領域の反射層が、転写パターン領域の反射層と同一平面上になく、基板の主面に対して所定の角度を有する斜面上にあり、遮光領域に入射したＥＵＶ光の反射光を、転写パターン領域に入射したＥＵＶ光の反射光とは異なる方向に反射させる反射層であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生が少なく、洗浄耐性の優れた遮光枠を有する反射型マスクブランク及び反射型マスク、その製造方法を提供する。
【解決手段】多層反射層０２を掘り込んだ遮光枠を有する反射型マスクにおいて、多層反射層の側面に、電解めっき法により側壁保護層を形成することで、パーティクルの発生を低減することができる。さらに本発明のマスクとすることで、マスク洗浄工程における多層反射層の劣化を抑制することが可能となり、高品質の反射型マスクを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】遮光性の高い遮光枠を有し、高い精度で転写パターンを形成できる反射型マスクブランク、その製造方法および反射型マスクを提供する。
【解決手段】回路パターン領域８５を形成する前段階で遮光枠２５を形成し、また遮光枠２５を形成するために多層反射層２１を除去しないから、回路パターン領域８５へのパーティクル付着を抑制でき、マスク欠陥品質の低下を抑えることが可能である。また、遮光枠２５を形成するために多層反射層２１を除去しないため、多層反射層２１が数層残ってしまう懸念が無く、多層反射層２１から発生する反射光の強度を抑制し、遮光性の高い遮光枠２５を形成することができる。これらのことから、反射型マスク１０１、２０１、３０１、４０１を用いることで、高い精度で転写パターンを形成できる。 （もっと読む）

【課題】遮光性の高い遮光枠を有する反射型マスクおよびマスクブランク、その製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板と、前記基板表面に形成された多層反射層と、前記多層反射層の上に形成された吸収層を有する反射型マスクブランクの製造工程において、前記基板に遮光枠パターンを掘り込み、その段差分吸収層を厚く形成することにより
反射強度を下げ、遮光性の高い遮光枠を有する反射型マスクブランクを作製することができる。この反射型マスクブランクに回路パタンーを形成することで、遮光性の高い遮光枠を有する反射型マスクを作成することができる。 （もっと読む）

【課題】露光対象となっている回路パターン領域以外から光が反射することなく、精度よく露光転写ができる反射型マスクを提供する。
【解決手段】基板上に多層反射膜、保護膜、吸収膜、裏面導電膜が形成された反射型マスクブランクに、回路パターンと、回路パターン形成領域外の遮光枠領域とを設けて、反射型マスクを構成する。遮光枠領域内の吸収膜と、保護膜と、多層反射膜とを除去して溝を形成し、この溝の内部に不要な波長の光を吸収する樹脂層を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＥＭＦバイアスが低減された遮光膜であり、転写マスク作製に係る様々な負荷が
大きく軽減される。さらに、重ね露光による漏れ光によって、ウェハ上のレジスト膜が露
光することを抑制できるだけの光学濃度を遮光膜に確保するという条件も同時に満たすこ
とができる転写用マスクを用いた半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】
ＡｒＦエキシマレーザーを光源とする露光光が用いられる露光装置にバイナリ型の転写用マスクをセットし、半導体ウェハ上のレジスト膜に対して転写パターンの露光転写を行う工程を有する半導体デバイスの製造方法であって、
前記転写用マスクは、透光性基板上に、転写パターンを備えた遮光膜を有してなり、
前記遮光膜は、遮光層および表面反射防止層の積層構造からなり、前記露光光に対する光学濃度が２．８以上であり、
前記遮光膜は、前記露光光に対する表面反射率が５０％未満であり、
前記遮光膜を透過した前記露光光と前記遮光膜の膜厚と同じ距離だけ空気中を透過した前記露光光との間での位相差が３０度以下である
ことを特徴する半導体デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】マスクブランクに存在する位相欠陥とＥＵＶＬ用マスクを製造した後に残存する位相欠陥との両方を感度良く検出する方法を提供する。
【解決手段】マスクブランクを検査する場合は、中心遮蔽ＮＡ以内で大きい照明ＮＡを有するＥＵＶ光を照射し、ＥＵＶＬ用マスクを検査する場合は、ＥＵＶ光を遮蔽する中心遮蔽部と、中心遮蔽部の直径よりも小さい幅を有し、ＥＵＶ光を遮断する線状遮蔽部とをその瞳面に有する暗視野結像光学系を用いて、線状遮蔽部の幅と同じ照明ＮＡまたは線状遮蔽部の幅よりも小さい照明ＮＡを有するＥＵＶ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】マスクの微小黒欠陥の発生要因となるマスクブランクの欠陥検査では検出されない潜在化したマスクブランクにおける欠陥の発生を抑制するマスクブランクの表面処理方法等を提供する。
【解決手段】基板上に転写パターンとなる薄膜を有するマスクブランクの表面に処理液を用いて表面処理を行うマスクブランクの表面処理方法であって、前記薄膜は、イオン主体のドライエッチングが可能な材料からなり、前記処理液に含まれるエッチング阻害物質の濃度が、０．３ｐｐｂ以下である。 （もっと読む）

【課題】遮光性の高い遮光枠を有する反射型ブランクマスク及び反射型マスク、その製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板１１と、前記基板表面に形成された多層反射層２１と、前記多層反射層２１の上に形成された吸収層５１を有する反射型マスクブランクおよびマスクの製造工程において、前記多層反射層形成時に選択的に成膜しない、もしくは成膜後物理的または化学的または熱処理により多層反射層２１から発生する反射強度を下げ、遮光性の高い遮光枠２５を作製する。 （もっと読む）

【課題】表面に反射率調整膜を有する転写パターン用の薄膜を低欠陥で形成でき、パターン転写時の露光光源、あるいはマスクのパターン検査に用いられる１９０〜３００ｎｍ程度の短波長域における薄膜の表面反射率を低減させるとともに、欠陥が低減されるマスクブランク及びマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に転写パターンを形成するための薄膜を有するマスクブランクの製造方法において、基板上に薄膜を成膜した後、該薄膜表面にオゾンガスを照射して酸化物膜を形成する。上記薄膜はタンタル含む材料からなると共に、該薄膜の膜構造がアモルファスである。オゾンガスの濃度は８０体積％以上である。オゾンガスを照射するときの雰囲気温度は室温〜３００℃である。 （もっと読む）

【解決手段】遷移金属と、ケイ素と、酸素及び窒素とを含有し、４×Ｃ_Si／１００−６×Ｃ_M／１００＞１（式中、Ｃ_Siはケイ素の含有率（原子％）、Ｃ_Mは遷移金属の含有率（原子％）を示す）を満たす遷移金属ケイ素系材料で構成され、酸素を３原子％以上含有する遷移金属ケイ素系材料膜を有するフォトマスクブランク。
【効果】遷移金属ケイ素系材料で形成されたハーフトーン位相シフト膜や遮光膜などにおいて、ＡｒＦエキシマレーザー光等の高エネルギー光の累積照射によるＭｏＳｉ系材料膜等の遷移金属ケイ素系材料膜の変質を伴うパターン寸法変動劣化が大きく抑制され、従来と比べて高エネルギー光の照射が累積した場合であっても、露光装置のパターン露光条件を変更せずに、光リソグラフィーにおける光パターン照射を実施することができる。 （もっと読む）

【解決手段】透明基板上に、基板側組成傾斜層及び表面側組成傾斜層を有し、膜厚が３５〜６０ｎｍであり、遷移金属と窒素及び／又は酸素とを含むケイ素材料で構成された遮光膜を有し、基板側組成傾斜層が、層厚が１０〜５８．５ｎｍ、遷移金属：ケイ素が１：２〜１：９（原子比）、透明基板側の窒素と酸素の合計が２５〜４０原子％、透明基板から離間する側の窒素と酸素の合計が１０〜２３原子％であり、表面側組成傾斜層が、層厚が１．５〜８ｎｍ、遷移金属：ケイ素が１：２〜１：９、透明基板側の窒素と酸素の合計が１０〜４５原子％、透明基板から離間する側の窒素と酸素の合計が４５〜５５原子％であるバイナリーフォトマスクブランク。
【効果】本発明のバイナリーフォトマスクブランクは、露光光を十分に遮光できる、より薄膜の遮光膜を備え、基板の両面の反射率を実用上問題にならない程度に十分に低減することにより、ゴーストパターンが抑制される。 （もっと読む）

【課題】遷移金属及びケイ素を含む光半透過膜や遮光膜における波長２００ｎｍ以下の露光光に対する耐光性を向上させた転写用マスクを提供する。
【解決手段】透光性基板上に設けられたパターン形成用薄膜に転写パターンが形成されてなる転写用マスクにおいて、
前記転写用マスクは、透光性基板上に、クロムを除く遷移金属およびケイ素を含有する材料からなるパターン形成用薄膜と、クロムを含有する材料からなるクロム系薄膜が順に積層したマスクブランクを用いて作製され、
前記パターン形成用薄膜は、膜中のクロム含有量が、１．０×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パターンずれの少ない高精度な中間調フォトマスクを提供する。
【課題を解決するための手段】
透明基板１上のデバイスパターン部に、相対的に反射率が高く透過率が極めて低い遮光膜４の上に相対的に反射率が極めて低く透過率が高い半透過膜５が積層されている遮光部と、半透過膜５が透明基板上に直接堆積された半透過部と、遮光部又は半透過部の一部が除去され透明基板が露出した透光部７とを備える。一方、透明基板１上の非デバイスパターン部に設けられたアライメントマーク部に、遮光膜及び半透過膜がいずれも存在せず透明基板が露出した透光部と表面に反射防止膜が形成されていない遮光膜が最表面に露出した遮光部とによってアライメントマーク２が設けられる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、吸収体層のエッチング後の工程検査で、ハードマスク層を除去することなく欠陥検査することを可能にし、さらに、この工程検査で黒欠陥が見つかった場合でも、複雑な工程を要することなく、容易に欠陥修正が可能なＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクス、反射型マスク、およびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 吸収体層エッチング後のハードマスク層表面とバッファ層表面との段差を、欠陥検査に使用する検査光の１／４波長の奇数倍の大きさに調整し、検査光を垂直に照射した際の、ハードマスク層表面からの反射光と、バッファ層表面からの反射光の位相差によるエッジ遮光効果を利用して欠陥検査を行うことにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】高精細かつウェハーへの転写特性への悪影響が小さいフォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板１の一方側表面に金属層２と第１レジスト層３とをその順に積層し、第１レジスト層３をパターニングする。その第１レジスト層３をマスクとして、開口領域である領域Ａの金属層２をエッチングする。その金属層２をマスクとして、エッチングにより透明基板１に凹部を形成する。金属層２を剥離した後、透明基板１の凹部も含めて表面全面に遮光層４を電解メッキ法を用いて形成する。透明基板１の表面と遮光層４の表面が面一になるように平坦化する。熱酸化処理を施して遮光層表面を酸化させ反射防止膜５形成する。以上の工程により、基板１上に設けられた凹部に遮光層４が形成され、透明基板１と遮光層４の表面は面一であり、遮光層４の表面にのみ反射防止膜５を有するフォトマスクが得られる。 （もっと読む）

【課題】良好にパターンを形成することが可能なフォトマスクブランクを提供する。
【解決手段】フッ素系ドライエッチングでは実質的なエッチングがされず且つ酸素含有塩素系ドライエッチングでエッチングが可能なクロムを含む遮光膜１３の上に、フッ素系ドライエッチング且つ酸素含有塩素系ドライエッチングでエッチングが可能なクロムを含まない膜１４が積層される。 （もっと読む）

【課題】ダブル露光技術への対応に適したバイナリ型マスクブランク、転写用マスクおよび転写用マスクセットを提供する。
【解決手段】ＡｒＦ露光光が適用されるバイナリ型の転写用マスクを作製するために用いられるマスクブランクであって、
透光性基板１上に、基板側から、転写パターンを形成するための遮光膜１０と、該遮光膜との積層構造で遮光帯を形成するための補助遮光膜２０とを順に備え、
前記遮光膜１０の光学濃度が２．５以上３．１以下であり、かつ、前記補助遮光膜２０の光学濃度が０．５以上である、
ことを特徴とするマスクブランク。 （もっと読む）

【課題】遮光膜にダメージを与えることなく、オーバーエッチングによりエッチングマスク膜の断面形状を立たせることができ、解像性、ＣＤリニアリティ、スルーピッチを改善することができるフォトマスクブランクを提供する。
【解決手段】ＡｒＦ露光光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられ、透光性基板２上に、順次、遮光膜１０、エッチングマスク膜２０が形成されたフォトマスクブランク１であって、遮光膜１０は、少なくとも遷移金属シリサイドを含む遮光層１２と、遮光層１２の上に形成され、かつ酸素、窒素のうち少なくとも一方を含むタンタル化合物からなる表面反射防止層１３とを備え、エッチングマスク膜２０は、酸素、窒素のうち少なくとも一方を含むクロム化合物からなる。 （もっと読む）