【課題】寸法ばらつき及び欠陥を可及的に低減したレジストパターンを高いスループットで形成する。
【解決手段】基板上にレジスト膜を形成し、
減圧処理を施した後に、減圧状態の下で前記レジスト膜に露光処理を施し、
常温換算の相対湿度が所定の範囲に保たれたガスを、減圧環境下に導入することにより、減圧状態を解放しながら前記レジスト膜を加湿する、減圧解放処理を行い、
前記減圧解放処理の後、前記レジスト膜を加熱するベーク処理を行い、
前記レジスト膜を現像する。 （もっと読む）

【課題】感光性アルカリ水溶液現像型樹脂から形成される樹脂パターンの製造において、現像時間の短縮により生産性を向上させる手法を提供すること。
【解決手段】少なくとも（１）基板上に感光性アルカリ水溶液現像型樹脂を塗布する工程、（２）露光する工程、（３）露光後の樹脂皮膜を高湿度雰囲気下に曝す現像前処理工程、（４）現像工程、（５）乾燥工程をこの順に有する樹脂パターンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板に化学増幅型のレジストを塗布し、その基板に液浸露光が行われた後で現像処理を行い、良好な形状のレジストパターンを得ること。
【解決手段】化学増幅型のレジストを基板表面に塗布してレジスト膜を形成する塗布モジュールと、液浸露光により前記レジスト膜が露光された後、前記基板に酸を供給するための処理ガスを吐出するガス吐出部と、基板に吐出された余剰な前記処理ガスを除去するための排気部と、を備えたガス処理モジュールと、前記レジスト中に発生した酸により触媒反応を起こして露光領域の現像液に対する溶解性を変化させるために前記処理ガスが供給された基板を加熱する加熱モジュールと、前記加熱モジュールにて加熱された基板を現像して前記レジスト膜にパターンを形成するための現像モジュールと、を備えるように塗布、現像装置を構成し、基板に残留した液体に酸を補充する。 （もっと読む）

【課題】平流し方式の現像処理において現像時間の短縮化や線幅均一性の向上を効率的に実現すること。
【解決手段】この現像ユニット（ＤＥＶ）９４は、平流しの搬送路１２０に沿って上流側から搬入部１２２、加熱部１２４、現像部１２６、第１および第２リンス部１２８，１３０、乾燥部１３２および搬出部１３４を一列に配置する。搬送路１２０上の基板Ｇを加熱部１２４で設定温度まで加熱してから、直ぐ下流側の現像部１２６で基板Ｇ上に現像液を供給するので、現像中に基板Ｇからの放熱で現像液が加熱され、現像液が活性化してその液膜の中で対流が起こり、レジスト膜の可溶部の溶解が促進され、現像速度が向上する。 （もっと読む）

【課題】
化学増幅型のレジストが塗布され露光された基板を加熱処理するにあたり、レジストの化学増幅反応を促進させて線幅精度の高いパターンを形成できる基板処理装置を提供すること。
【課題を解決する手段】
処理容器内の基板載置部と、水を気化する気化部と、この気化部にキャリアガスを供給するための供給路と、キャリアガスを前記気化部に供給して得られた水蒸気を含む処理ガスを処理容器内に供給するガス供給路と、基板が基板載置部に載置され、処理容器内が前記処理ガスの露点温度よりも高い温度になった後に前記処理ガスを処理容器内に供給する制御部と、を備えるように基板加熱装置を構成する。露光された基板を水蒸気雰囲気で加熱できるため、短時間の電子ビーム露光がなされたエネルギー注入量の少ないレジストの場合であっても加熱処理により露光領域にあたる部位を充分に変質させることができ、線幅精度も向上する。
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【課題】 機上現像型平版印刷版原版の適正な露光調整を行うことを可能にする露光条件設定方法を提供することである。
【解決手段】 支持体上に画像記録層を有し、印刷インキおよび／または湿し水を供給することにより機上現像可能な平版印刷版原版の露光条件設定方法であって、該平版印刷版原版を露光し、機上現像し、印刷して得られる印刷物画像を評価することにより露光条件を設定することを特徴とする露光条件設定方法。細線および／または網点の画像再現性を評価することが好ましく、また、露光後、少なくとも１０分以上経過した後に機上現像することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板上の液膜を介して露光する液浸露光において、レジストパターンに欠陥が発生することを抑制する。
【解決手段】 レジスト膜上にレジスト膜より親水性の保護膜を形成する（ＳＴ１０５）。更にこの表面をヘキサメチルジシラザンの雰囲気で80度で加熱しつつ疎水化する（ＳＴ１０６）。レジスト膜が形成された基板を、パターンが形成されたレチクルおよび投影光学系を具備する露光装置に搬送する（ＳＴ１０７）。前記レジスト膜中の潜像を形成するために、液浸露光を行う（ＳＴ１０８）。露光後に基板を露光装置から搬出し、保護膜表面を10ppm程度のオゾン水に30秒ほど表面を晒して保護膜表面をエッチングして膜厚を減らしつつ親水化する（ＳＴ１１０）。前記潜像が形成されたレジスト膜を加熱する（ＳＴ１１２）。保護膜を剥離した後に前記レジスト膜を現像する（ＳＴ１１４）。 （もっと読む）

【課題】 可視光波長よりも短いオーダでの微細加工を低コストに実現することを可能とする技術を提供すること。
【解決手段】 被加工体(100)の上側に感光性膜を形成する感光性膜形成工程と、可視光波長よりも小さい波長の２本のレーザービーム(B1,B2)を交叉させて干渉光を発生させ、当該干渉光を照射することによって上記感光性膜を露光する露光工程と、露光後の上記感光性膜を現像して、上記干渉光のパターンに対応する形状を上記感光性膜に発現させる現像工程と、現像後の上記感光性膜をエッチングマスクとしてエッチングを行い、上記被加工体を加工するエッチング工程と、を含む、微細構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 ｄｅｅｐＵＶ光のような短波長の光を露光源とし、比較的厚さが厚く、かつ高解像度のレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 被エッチング基板に水酸基を持つポリマーおよび光酸発生剤を含むポジ型の化学増幅型レジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜をシリコン元素を含む化合物と気相中または液相中で反応させて前記レジスト膜表面において前記ポリマーをシリル化する工程と、シリル化された前記レジスト膜にディープ紫外光、電離放射線または近接場光を選択的に照射して露光する工程と、前記露光後の前記レジスト膜を水蒸気雰囲気中で加熱して前記レジスト膜表面の露光部においてシリル化されたポリマーを脱シリル化する工程と、現像して前記露光部を所望深さ選択的に除去する工程と、未露光部をマスクとして前記露光部に位置するレジスト膜部分をさらに酸素含有ガスを用いたドライエッチングにより除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ラフネス、エッチング耐性、感度、解像度に優れ、微細パターンを高精度にかつ安定して形成することができる微細パターンの形成方法と、それに有効な電場（電界）印加時の露光後ベーク用媒体を提供する。
【解決手段】化学増幅型ポジレジスト又は化学増幅型ネガレジストを用いた高感度な微細パターンの形成方法であって、前記化学増幅型ポジレジスト又は化学増幅型ネガレジストからなるレジスト膜１１を基板１０の上に形成する工程と、前記レジスト膜１１に放射線を照射し、酸を発生させる工程と、前記放射線照射後の加熱時に、レジスト膜１１上に下記（I）及び（II）を満足する媒体１２を配置して、前記レジスト膜１１に電場を印加する工程とを含む。
（I）電気伝導率が０．０１μＳ／ｃｍ以上である。
（II）レジスト膜に対する溶解性が低く、次式を満たす。
媒体を２３℃で６０秒間放置し、水で除去後のレジスト膜厚／媒体配置前のレジスト膜厚×１００≧９５ （もっと読む）