〔解決課題〕 窒化アルミニウム等の非酸化物セラミックスの表面に高品質な酸化膜を形成し、高性能化・高機能化された非酸化物セラミックスを提供する。
〔解決手段〕 本発明は、非酸化物セラミックスの表面を酸化して表面に酸化物層を有する非酸化物セラミックスを製造する方法に関し、以下の工程を含むことを特徴としている。
（１）非酸化物セラミックスを準備する工程、
（２）前記非酸化物セラミックスを炉内に導入した後に、炉内の雰囲気を１ｍ^３に含まれる酸化性ガスの合計モル数が０．５ｍｍｏｌ以下である雰囲気とする工程、
（３）炉内の雰囲気を低酸化性ガス雰囲気に保ちながら非酸化物セラミックスの酸化開始温度より３００℃低い温度以上の温度に加熱する工程、
（４）前記工程（３）で加熱された非酸化物セラミックスと酸化性ガスとを接触させた後、当該非酸化物セラミックスの酸化開始温度より高い温度に保持して酸化物層を形成する工程を含み、
且つ前記工程（４）において前記非酸化物セラミックスと酸化性ガスとの接触を開始し、酸化開始温度以上となってから少なくとも２分を経過するまでの間は酸化性ガスの圧力または分圧を５０ｋＰａ以下とする。 （もっと読む）

本発明は、溶融金属に対する耐食性が改善されたセラミックス焼結体、その製造に適用できるセラミックス焼結体の製造方法、及び長寿命化を達成できる金属蒸着用発熱体を提供することを課題とする。本発明は、窒化硼素、二硼化チタン、カルシウム化合物及び窒化チタンを含有してなる相対密度が９２％以上のセラミックス焼結体であり、カルシウム化合物がＣａＯ換算として０．０５〜０．８質量％、窒化チタンに由来する（２００）面のＸ線回折によるピーク強度が、ＢＮの（００２）面のピーク強度に対して０．０６〜０．１５であることを特徴とするセラミックス焼結体に関する。また、該セラミックス焼結体の製造に適用できるセラミックス焼結体の製造方法、及び該セラミックス焼結体で構成された金属蒸着用発熱体も開示する。 （もっと読む）

窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９の比（ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０３であり、熱伝導率が２２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２５０ＭＰａ以上であることを特徴とする高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体である。上記構成によれば、熱伝導率が高く放熱性が優れた窒化アルミニウム焼結体を提供することができる。 （もっと読む）

顕著に向上した有効寿命及び耐食性を有する金属蒸発用の耐火性容器であって、耐火性ホウ化物、窒化ホウ素、及び酸化物、窒化物、炭化物又はこれらの混合物の１種から選択される希土類金属化合物約０．１０〜１０ｗｔ％から実質的になる耐火性容器。 （もっと読む）

【課題】 耐水性が高く、高放熱性基板等として好適な窒化アルミニウム焼結体とその製造方法、それを用いた回路基板を提供する。
【解決手段】粒界相にＣａＯ−Ａｌ₂Ｏ₃−Ｐ₂Ｏ₅組成ガラスを含んでなり、熱伝導率１００Ｗ／ｍＫ以上であることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体。ＣａＯ−Ａｌ₂Ｏ₃−Ｐ₂Ｏ₅組成ガラスの化学組成が、ＣａＯ３５〜６０質量％、Ａｌ₂Ｏ₃３０〜６０質量％、Ｐ₂Ｏ₅１〜１０質量％であることが好ましい。窒化アルミニウム粉末１００質量部と、ＣａＯ−Ａｌ₂Ｏ₃−Ｐ₂Ｏ₅組成ガラス１〜１５質量部を含む混合粉末を成形後、非酸化性雰囲気下、温度１５００〜１７００℃で焼結した後、温度１２００℃までを２０℃／分以上の冷却速度で急冷することを特徴とする窒化アルミニウム焼結体の製造方法。上記窒化アルミニウム焼結体を窒化アルミニウム基板として用いてなる回路基板。 （もっと読む）

【課題】 絶縁破壊電圧が高く、高放熱性基板等として好適な窒化アルミニウム焼結体とその製造方法、それを用いた回路基板を提供する。
【解決手段】粒界相に、非晶質カルシウムアルミネートを含んでいることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体。窒化アルミニウム粉末１００質量部と非晶質カルシウムアルミネート粉末０．１〜１５質量部を含む混合粉末を成形後、非酸化性雰囲気下、温度１４００℃以上で焼結した後、温度１２００℃までを２０℃／分以上の冷却速度で急冷することを特徴とする窒化アルミニウム焼結体の製造方法。上記窒化アルミニウム焼結体を窒化アルミニウム基板として用いた回路基板。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く優れた放熱性を有し、かつ高強度で組立時および使用時における割れの発生が少なく、さらに導体層の短絡・不良の発生が少ない回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス結晶粒子と液相酸化物粒子とから成るセラミックス基板２に回路となる導体層３を一体に形成した回路基板１において、上記セラミックス基板２の熱伝導率が１８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、かつセラミックス結晶粒子の平均粒径が１０μｍ以下であることを特徴とする回路基板である。 （もっと読む）