【課題】高含有ＣＢＮ材料、同材を組み込んだ圧縮物、および同材を製造する方法および支持体上にＣＢＮ含有材料を結合した切削工具を提供する。
【解決手段】ＣＢＮ粒子とＷ_２Ｃｏ_２１Ｂ_６を含む相とを含み、さらにＣＢＮ含有相、ＴｉＣｘＮｙ含有相、ＷＣ含有相、ＷＣｏＢ含有相およびＡｌ含有相から選択された１以上の相を含む材料。ＴｉＣｘＮｙ（ｘ＋ｙ＝１）とＡｌを混合し、真空中で約９００℃で加熱してＡｌの一部を反応させ、粉砕してバインダー材料を形成する。６５〜９８％のＣＢＮと残部該バインダー材料とを混合した混合物を形成し、該混合物を支持体に結合した状態で、真空中１２００〜１３００℃の範囲で焼結する。 （もっと読む）

【課題】 煩雑な予備的検証を少なくし、所望の実用物性を有する多結晶セラミック焼結体を高い確度で選択可能であり、その工業的製法の確立に寄与できる多結晶セラミック焼結体の評価方法を提供すること。
【解決手段】 本発明に係る評価方法は、多結晶セラミック焼結体に陽電子を照射し、入射陽電子の消滅寿命を測定し、該測定結果に基づいて多結晶セラミック焼結体の実用物性を推算することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム質焼結体の強度、靭性を向上させる。
【解決手段】窒化アルミニウム粉末に周期律表第３ａ族元素の酸化物の中から選ばれる少なくとも一種以上を０．１〜３０重量％含み、第４ａ族元素、第５ａ族元素、第６ａ族元素の窒化物、炭化物、ケイ化物、硼化物の中から選ばれる少なくとも一種以上を０．１〜３０重量％含み、さらに第６ａ族元素の酸化物の中から選ばれる少なくとも一種以上を０．１〜５重量％含む窒化アルミニウム質焼結体である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、本発明は、プラズマガス耐性、高熱伝導を有し、優れた光学特性を有する窒化アルミニウム焼結体を提供することを目的としている。
【解決手段】 本発明に係る窒化アルミニウム焼結体は、陽電子消滅法における欠陥分析において、窒化アルミニウム結晶中で、180ps(ピコ秒)内に消滅する陽電子の割合が90%以上であることを特徴とし、好ましくは200W／ｍK以上の熱伝導率を有する。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く放熱性が優れた半導体装置用放熱板を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９の比（ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０３であり、熱伝導率が２２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２５０ＭＰａ以上である窒化アルミニウム焼結体から成ることを特徴とする半導体装置用放熱板である。 （もっと読む）

【課題】 高熱伝導率であると同時に高強度を有する窒化アルミニウム焼結体、及びその製造方法、並びにこの窒化アルミニウム焼結体を用いた半導体基板を提供する。
【解決手段】 気相化学合成法で得られた平均粒径１.０μｍ以下のＡｌＮ粉末１〜９５重量％と、残部が他のＡｌＮ粉末からなる原料粉末を調整し、この原料粉末を非酸化性雰囲気中で焼結した焼結体で、平均粒径が２μｍ以下、Ｘ線回析により得られる（３０２）面回析線の半価幅が０.２４ｄｅｇ以下である。この焼結体上に金属化層を形成することにより、半導体基板とすることができる。 （もっと読む）

【課題】 高温下でハロゲン系腐食性ガスやそのプラズマに曝されても腐食や摩耗が少なく、かつパーティクルの発生が極めて少ない窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】 窒化アルミニウム質焼結体中にＡｌ、Ｎ、Ｏを合計で９９．５重量％以上含み、ＡｌＮを主結晶相とするとともに、他の結晶相として上記Ａｌ、Ｎ、Ｏの３成分を含む化合物を含有し、上記焼結体をＸ線回折（Ｘ線の発生源：銅）にて測定した時、上記ＡｌＮの回折ピーク強度Ｉ１（面間隔：２．６８乃至２．７１）に対する上記化合物の回折ピーク強度Ｉ２（面間隔：２．５６乃至２．６２）の強度比（Ｉ２／Ｉ１）が１〜８％で、かつ面間隔：１．５２乃至１．５３７と上記ＡｌＮの（１０１）面の面間隔乃至上記ＡｌＮの（００２）面の面間隔とに回折ピーク強度を実質的に持たないようにする。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率および反射率がともに高い発光素子収納用窒化アルミニウム焼結体の提供
【解決手段】窒化アルミニウムを主成分とし、窒化ホウ素を含有することを特徴とする発光素子収納用窒化アルミニウム焼結体。窒化ホウ素は、常圧相窒化ホウ素、なかでも六方晶窒化ホウ素であることが望ましい。また、窒化ホウ素の含有量は0.5〜10質量％であることが望ましい。
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【課題】高品質の窒化アルミニウム基板の形成が可能であるとともに、製造コストが安く、耐久性に優れた窒化アルミニウム基板焼成用治具とその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】焼結助剤を含有しない窒化アルミニウムを主成分とする成形体を非酸化雰囲気下で焼成して得られた焼結体の上面に、焼結助剤を含有する窒化アルミニウムを主成分とする脱脂済みの成形体を接触させ、非酸化雰囲気下で少なくとも１回焼成した後、この焼結体の表面を研削する。 （もっと読む）

焼結助剤として希土類元素を酸化物に換算して２〜４質量％，Ａｌ成分を酸化物換算で２〜６質量％，炭化けい素を２〜７質量％含有し、気孔率が１％以下であり、３点曲げ強度が８００〜１０００ＭＰａであり、破壊靭性値が５．７〜６．５ＭＰａ・ｍ^１／２である窒化けい素焼結体から成ることを特徴とする窒化けい素製耐摩耗性部材である。上記構成によれば、金属窒化法で製造された安価な窒化けい素粉末を使用して調製した場合においても、従来の窒化けい素焼結体と同等以上の機械的強度、優れた耐摩耗性、転がり寿命特性を有し、しかも加工性に優れた窒化けい素製耐摩耗製部材およびその製造方法を提供することができる。
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【課題】 耐プラズマ性が充分高く、寿命の長いドライエッチング装置用電極を提供する。
【解決手段】 例えば窒化アルミニウム粉末１００質量部および希土類酸化物０．５〜２０質量部を含むグリーン体を還元性雰囲気中で焼結することにより窒化アルミニウム粒界に希土類窒化物を生成させることにより得られる導電性の窒化アルミニウムで表面の一部又は全部を構成した貫通孔を有する成形体をドライエッチング装置用電極として用いる。 （もっと読む）

【課題】焼結金属や鋳鉄などの金属の切削加工において、耐摩耗性に優れた立方晶窒化硼素焼結体を提供する。
【解決手段】立方晶窒化硼素：立方晶窒化硼素焼結体全体に対して８８〜９７体積％と、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌの金属、炭化物、窒化物、酸化物、硼化物およびこれらの相互固溶体の中から選ばれた少なくとも１種の結合相：残部とからなり、結合相厚みの平均値は０．１〜１．０μｍである立方晶窒化硼素焼結体。 （もっと読む）

第１セラミック材料を含む組成物から形成される焼結セラミック体と、該セラミック体中の複数の包含物であって、各包含物がグラファイト及び第２セラミック材料を含む包含物とを含むセラミック要素が開示される。
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【課題】 ウェハ全面に均一に成膜でき、且つパーティクルの発生の少ない半導体製造装置用ウェハ保持体およびそれを搭載した半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 本発明のウェハ保持体は、発熱体および高周波電極を埋設したセラミックス製のウェハ保持体であって、前記セラミックス中に埋設された高周波電極の直径が、高周波電極に対向する上部高周波電極の直径よりも大きいことを特徴とする。前記セラミックスの主成分は、窒化アルミニウムであることが好ましく、また、前記高周波電極が、膜形状であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 低い体積抵抗率が要求されると共に、金属による汚染を嫌う用途、例えば、半導体製造装置用部材として好適に使用することができる窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】 平均結晶粒径が１５〜３０μｍであり、酸素濃度が０．１質量％〜０．６質量％、金属不純物量が１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体であって、かかる窒化アルミニウム焼結体は、室温における体積抵抗率が１．０×１０^８Ωｃｍ以下である。また、上記焼結体は、平均粒子径０．１〜２０μｍの窒化アルミニウム粉末、及び、該窒化アルミニウム粉末に対して焼結助剤を０〜０．１質量部含有する成形体を、中性又は還元雰囲気下で、平均結晶粒径が１５〜３０μｍに到達するまで焼結することによって得られる。 （もっと読む）

【課題】発光効率に優れた発光素子などの半導体素子製造用基板として使用され、窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムを主成分とする単結晶薄膜基板を提供する。
【解決手段】セラミック材料を主成分とする焼結体、特に光透過性の焼結体を用いることにより、窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも１種以上を主成分とする結晶性の高い単結晶薄膜が形成される。該単結晶薄膜と焼結体との接合体を用いて、電子素子および電子部品を製造する。 （もっと読む）

【課題】 １６００℃以下の温度下でも焼結体になるような窒化アルミニウム粉末を製造し、密度および熱伝導性が高く、基板材料として好適に使用できる窒化アルミニウム焼結体を得る。
【解決手段】 気相反応装置１を用い、加熱帯２により３００〜５００℃に加熱保持した反応器３に流量調節計４での調節下に供給管６からアンモニアガスを導入し、同時に流量調節計５での調節下に供給管７から有機アルミニウム化合物を含む窒素ガスを導入して窒化アルミニウム凝集粉末Ａを得、これを還元性ガス雰囲気および／または不活性ガス雰囲気下に１１００〜１５００℃で熱処理して窒化アルミニウム凝集粉末Ｂを得、これを機械的処理し、一次粒子径が０．０６μｍ以下であり、かつ二次粒子径と一次粒子径との比率が１０以下であり、１６００℃以下での焼結が可能な窒化アルミニウム粉末を得る。 （もっと読む）

【課題】セラミック材料を主成分とする焼結体からなる基板を用いた窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムを主成分とする単結晶薄膜の形成方法、及び該単結晶薄膜形成基板を使用した発光素子などの半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】六方晶系又は三方晶系から選ばれた少なくともいずれかの結晶構造を有するセラミック材料を主成分とする焼結体、特に光透過性の焼結体を基板１として用いることにより、その上に窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも１種以上を主成分とする結晶性の高い単結晶薄膜２が形成され、さらに上記の結晶性の高い単結晶薄膜が形成された薄膜基板を用いることにより発光効率に優れた発光素子などの半導体素子の製造が可能となる。 （もっと読む）

【課題】例えば容積が３０００ｃｍ^３以上の大形品にして３０ＭＰａの曲げ強度を有する窒化ホウ素焼結体を、焼結助剤を用いなくても、容易に製造する方法を提供する。
【解決手段】六方晶窒化ホウ素粉を含む一軸加圧成形体に、第１と第２の少なくとも２回の冷間等方圧加圧処理を増圧して行った後、焼成することを特徴とする窒化ホウ素焼成体の製造方法。この場合において、第２の冷間等方圧加圧処理の圧力が、第１の冷間等方圧加圧処理の圧力の１．５〜５倍であることなどが好ましい。 （もっと読む）

【課題】優れた均熱性を有するセラミックス部材を提供する。
【解決手段】セラミックス部材１０は、セラミックス焼結体１１と、セラミックス焼結体１１に接して形成された、金属元素を含む金属部材１２とを備える。セラミックス焼結体１１における金属部材１２周辺の変質層１１ａの厚さｔは３００μｍ以下に抑えられている。 （もっと読む）