【課題】 本発明は、焼結後の曲げ強度が１７０ＭＰａ以上の物性を有し、さらに、強化磁器素地の破壊時の安全性に優れ、透光性を有する低コストの強化磁器の提供を課題とする。また、成形時の可塑性に優れ、より低い温度での焼成が可能な強化磁器の製造方法の提供を課題とする。
【解決手段】 本発明の強化磁器は、酸化物基準で二酸化珪素２５質量％〜５５質量％、酸化アルミニウム４０質量％〜７０質量％、アルカリ金属酸化物１質量％〜７質量％、酸化マグネシウム０. ５質量％〜６質量％からなり、熱膨張係数が４. ５×１０^-6／Ｋ以上で、平均曲げ強度が１７０ＭＰａ以上である。 （もっと読む）

【課題】 電子ビーム蒸着法を使用して基板上にＭｇＯ膜を成膜するためにターゲット材として使用する単結晶ＭｇＯ焼結体であって、得られたＭｇＯ膜の密度及び耐スパッタ性を低下させることなく、優れた膜特性例えばＰＤＰ保護膜として使用した場合の放電特性などを向上させること。また、その単結晶ＭｇＯ焼結体の製造方法、ならびに、その単結晶ＭｇＯ焼結体をターゲット材として得られたＰＤＰ保護膜を提供することである。
【解決手段】 焼結体の相対密度が５０％以上９０％未満であり、酸化マグネシウム純度が９７質量％以上であり、かつ、粒径２００μｍ以上の粗大粒子を含むことを特徴とする単結晶酸化マグネシウム焼結体、及び、この単結晶酸化マグネシウム焼結体をターゲット材として使用し、電子ビーム蒸着法、イオン照射蒸着法、又はスパッタリング法により製造したプラズマディスプレイパネル用保護膜である。 （もっと読む）

【課題】
機械的強度、誘電特性に優れる高強度低温焼成セラミック組成物を得る。
【解決手段】
少なくとも主成分としてＡｌ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｂａを含み、組織中に六方晶ＳｒＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８、（Ｓｒ、Ｂａ）Ａｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８ 、ＢａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８の少なくとも一種及びＡｌ_２Ｏ_３結晶を有する高強度低温焼成セラミック組成物である。 （もっと読む）

本発明は、以下の連続的な工程、すなわち、ペーストが、軸（ｘ）に沿って流れる速度Ｖ_Ｓを有する支持体材料（Ｓ）から同時共押出により形成され、ここで、ペースト（Ｐ＜ＳＢ＞Ｍ＜／ＳＢ＞が、軸（ｘ）に沿って流れる速度Ｖ_Ｍを有する活性材料（Ｍ）から形成され、ここで、Ｖ_Ｓ＝Ｖ＜ＳＢ＞Ｍ＜／ＳＢ＞であるところの工程（ａ）、前記工程（ａ）において形成された共押出物を乾燥する工程（ｂ）、前記工程（ｂ）において乾燥させた共押出物からバインダ除去する工程（ｃ）、および前記工程（ｃ）で得られる２つの同軸の層の生成物の熱処理を含む共焼結工程（ｄ）を含むことを特徴とする、軸（ｘ）に対して同軸の２つの層、すなわち第１の支持体材料層（Ｓ）と第２の活性材料層（Ｍ）から成る支持されたチューブ状のセラミック膜の調製に関する。本発明は、また、前記工程（ａ）を行うためのデバイスに関する。
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自動車の排気処理などの高温の用途に適する低熱膨張特性を有する組成および物品と、かかる物品の製造方法とが開示される。
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プロトン伝導性セラミック相および電子伝導性セラミック相を備えた多相混合プロトン／電子伝導性材料。膜を越えた水素の分圧傾斜の存在下で、上記材料を用いて製造した膜はプロトン伝導性のセラミック相を通して水素イオンを、電子伝導性のセラミック相を通して電子を選択的に輸送し、膜による極めて高い純度の水素透過浸透を生じる。該材料は高い電子伝導性を有し、水素ガスの輸送は材料のプロトン伝導性によって律速される。
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セラミック多層モジュール（１）のような積層型セラミック電子部品に備える多層セラミック基板（２）において積層される絶縁性セラミック層（３）のための絶縁体セラミック組成物であって、
フォルステライトを主成分とする第１のセラミック粉末と、ＣａＴｉＯ_３、ＳｒＴｉＯ_３およびＴｉＯ_２より選ばれる少なくとも１種を主成分とする第２のセラミック粉末と、ホウケイ酸ガラス粉末とを含み、ホウケイ酸ガラス粉末は、リチウムをＬｉ_２Ｏ換算で３〜１５重量％、マグネシウムをＭｇＯ換算で３０〜５０重量％、ホウ素をＢ_２Ｏ_３換算で１５〜３０重量％、ケイ素をＳｉＯ_２換算で１０〜３５重量％、亜鉛をＺｎＯ換算で６〜２０重量％、および、アルミニウムをＡｌ_２Ｏ_３換算で０〜１５重量％含む。絶縁体セラミック組成物は、１０００℃以下の温度で焼成可能であり、その焼結体は、比誘電率が低く、共振周波数の温度係数が小さく、Ｑ値が高い。 （もっと読む）

気孔径の場所によるばらつきを低減することができ、かつ全体の平均気孔径を大きくすることができるハニカム構造体及びその製造方法を提供する。ハニカム状の成形体を焼成する工程を含む、コージェライト製のハニカム構造体１の製造方法を提供する。焼成工程において、雰囲気温度を昇温する際に、１２００℃から１２５０℃までの昇温速度を４０℃／ｈｒ以上とし、１２５０℃から１３００℃までの昇温速度を２℃〜４０℃／ｈｒとし、１３００℃から１４００℃までの昇温速度を４０℃／ｈｒ以上とする昇温工程を含むハニカム構造体１の製造方法を提供する。更に、気孔率が５０〜７０％、平均気孔径が１５〜３０μｍ、中心部と外周部の平均気孔径の差が５μｍ以下、中心部と外周部の熱膨張係数が１．０×１０^-6／℃以下、中心部と外周部のＡ軸圧縮強度が１．５ＭＰａ以上であるハニカム構造体を提供する。 （もっと読む）

（課題） チタン化合物を焼結して得られるチタン化合物の焼結体およびその製造方法を提供する。 （解決手段） 下記式（１）または（２）で示されるチタン化合物を焼結する。［Ｃａ_１０（ＰＯ_４）_６］ＴｉＯ_３・ｎＨ_２Ｏ（１）［Ｃａ_１０（ＰＯ_４）_６］ＴｉＯ_２（ＯＨ）_２（２）（式中、ｎは０〜３の整数を表す。） 得られた焼結体は、実質的にペロブスカイトおよびフィトロッカイトから成るものである。 （もっと読む）

使用温度において酸化物イオン空孔を有する結晶格子の形態、より具体的には、立方相、ホタル石相、オーリビリウスタイプのペロブスカイト相、褐色針ニッケル鉱相またはパイロクロア相の形態にある、ドープされたセラミック酸化物から選ばれる複合電子／酸素Ｏ^２−アニオン伝導性化合物（Ｃ_１）少なくとも７５ｖｏｌ％、および
酸化物タイプのセラミック、非酸化物タイプのセラミック、金属、金属合金またはこれらタイプの物質の混合物から選ばれる、化合物（Ｃ_１）とは異なる化合物（Ｃ_２）０．０１〜２５ｖｏｌ％、および式：ｘＦ_ｃ１＋ｙＦ_ｃ２→ｚＦ_ｃ３（式中、Ｆ_ｃ１、Ｆ_ｃ２およびＦ_ｃ３は、化合物Ｃ_１、Ｃ_２およびＣ_３それぞれの実験式を表し、ｘ、ｙおよびｚは、０以上の比の数値を表す）により表される少なくとも１の化学反応から生成する化合物（Ｃ_３）０ｖｏｌ％〜２．５ｖｏｌ％を含む複合物（Ｍ）。本発明は、複合物の製造方法、並びにメタンまたは天然ガスの接触酸化により合成ガスの合成のために使用することが意図された触媒膜反応器用の複合伝導性複合物としての、および／または空気から酸素を分離するために使用することが意図されたセラミック膜のための複合伝導性複合物としてのその使用にも関する。 （もっと読む）

負又は低い熱膨張係数を有し、かつ、実質的に単一の結晶系からなる材料を提供する。 化学式（（Ｒ^４＋Ｍ^２＋）_１−ｘＡ^３＋_２ｘ）（ＱＯ_４）_３（ただし、ＲはＺｒ及びＨｆから選ばれる４価の金属元素の少なくとも１種、ＭはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂ
ａ及びＲＡから選ばれる２価の金属元素の少なくとも１種、ＱはＷ及びＭｏから選ばれる６価の金属元素の少なくとも１種、ＡはＡｌ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌｕ、Ｇａ及びＩｎから選ばれる３価の金属元素の少なくとも１種を示す。０＜ｘ＜１）で示される酸化物であって、実質的に単一の結晶系から構成されていること特徴とする負又は低い熱膨張係数を示す材料に係る。 （もっと読む）

アルファアルミナと、Ｇｄ_２Ｏ_３と、ＺｎＯとを含む焼結されたアルファアルミナベース研磨粒子、およびその製造方法。研磨粒子は、たとえば、結合研磨材、被覆研磨材、不織研磨材、および研磨ブラシを含むさまざまな研磨物品に組入れることができる。 （もっと読む）

【課題】 高応力，高圧力等の高力学量を耐圧容器等を用いることなく直接測定可能な力学量センサを構成可能な力学量センサ材料を提供すること。
【解決手段】 電気絶縁性セラミック材料１１よりなるマトリックスに圧力抵抗効果材料１２を電気的に連続につながるように分散させてなる。 （もっと読む）