【課題】ポリイミド樹脂や金属薄膜にダメージを与えることなく、ポリイミド樹脂に対して密着強度が比較的高い金属薄膜を形成する方法を提供すること。
【解決手段】アルカリ性溶液を用いてポリイミド樹脂表面のイミド環を開環し、改質層を形成する工程；金属イオン含有溶液を用いて、前記改質層に該金属イオンを吸着させる工程；還元浴により前記改質層に吸着した金属イオンを還元する工程；アルカリ金属含有溶液を用いて、還元工程後の改質層の内部に残留する金属イオンを該アルカリ金属イオンと置換する工程；酸溶液を用いて、前記アルカリ金属イオンを水素イオンに置換する工程；およびイミド環を閉環する再イミド化工程；を含むことを特徴とするポリイミド樹脂表面への金属薄膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】めっき液の安定化を実現できるようにした基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板表面に無電解めっきを施すめっき処理槽１０と、めっき処理槽１０にめっき液を供給するめっき液供給槽１２と、めっき液供給槽１２内のめっき液を循環させるめっき液循環ライン２２と、めっき液供給槽１２内に配置されたｐＨ検出器３４の検出値を基にめっき液循環ライン２２から選択的に分岐して該めっき液循環ラインに合流するめっき液分岐循環ライン３０を有し、めっき液分岐循環ライン３０には、基板表面と同様な無電解めっき反応が生じる補助反応物を内部に有する補助反応ユニット３２が設置されている。 （もっと読む）

金属を表面上に無電解めっきする、多孔質金属被膜を形成させるための新規な無電解めっき方法を提供する。該金属内の微粒子を除去して金属被膜内に細孔を残す。ブロッキング配位子を表面に結合させ、次いで第２の被覆工程を行う別の無電解被膜形成方法も提供する。本発明は、本発明の方法によって形成された被膜及び被覆装置を包含する。また、本発明は、緻密基材を有する触媒構造及び該緻密基材に付着した多孔質金属（具体的な特徴の一つ以上によりさらに特徴付けられる）を包含する。
（もっと読む）

【課題】過酷な使用条件においても信頼性の高い電気接続が可能な導電性微粒子、該導電性微粒子を用いてなる異方性導電材料、及び、接続構造体を提供する。
【解決手段】基材微粒子と、めっき層とから構成されており、前記基材微粒子の表面に形成されためっき層の最表層が銅層である導電性微粒子であって、前記導電性微粒子に含有する塩素イオンの含有量が５０μｇ／ｇ以下であり、かつ、前記銅層の最表面が変色防止剤で表面処理されている導電性微粒子である。 （もっと読む）

【課題】金属めっき浴中に良好に炭素短繊維を分散させてこの炭素短繊維の表面に均一に無電解めっきを施すことができる金属被覆炭素短繊維の製造方法を提供すること。
【解決手段】１０〜１０００ｐｐｍの架橋型カルボキシビニルポリマーおよび／または１０〜１０００ｐｐｍのＨＬＢ値が１０以下の非イオン性界面活性剤を含有する金属めっき浴中で炭素短繊維を無電解めっきして前記炭素短繊維の表面を金属で被覆することを特徴とする金属被覆炭素短繊維の製造方法。 （もっと読む）

【課題】樹脂成形体のめっき処理に用いるめっき用治具であって、過マンガン酸塩を有効成分とするエッチング液によるエッチング処理を行う場合であっても治具への無電解めっきの析出を防止できる、新規なめっき用治具を提供する。
【解決手段】樹脂成形体のめっき処理に用いるめっき用治具であって、該めっき用治具の絶縁被覆部の全体又は絶縁被覆部の表面部分の少なくとも一部がシリコーン樹脂及びオレフィン系樹脂からなる群から選ばれた少なくとも一種の樹脂を含む皮膜によって形成されていることを特徴とするめっき用治具。 （もっと読む）

【課題】ガラス、セラミックス等の非導電性材料表面に対しても適用可能なめっき皮膜の形成方法であって、簡単な処理工程によって優れた密着性を有する金属皮膜を形成でき、しかも、厚膜化が容易な方法を提供する。
【解決手段】下記（１）〜（４）の工程を含む電気銅めっき方法：
（１）亜鉛イオン、硝酸イオン及びアミンボラン化合物を含み、亜鉛イオン濃度が０．０３〜０．２モル／Ｌであって、硝酸イオンのモル濃度が亜鉛イオンのモル濃度の１〜３倍の範囲内にある水溶液からなる酸化亜鉛膜形成用組成物を被処理物に接触させて、酸化亜鉛膜を形成する工程、
（２）触媒金属を含有するｐＨ３．５以上の水溶液からなる触媒付与液に接触させて触媒を付与する工程、
（３）無電解めっき皮膜を形成する工程、
（４）酢酸銅、導電性塩及び塩化物イオンを含有する水溶液からなる電気銅めっき液を用いて電気銅めっき皮膜を形成する工程。 （もっと読む）

【課題】高耐久性水素分離膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】多孔質基材に金属緻密層を析出、充填させた構造を有する水素分離膜を製造する方法であって、多孔質基材に金属を充填させる際に、基材表層への保護多孔体層１の被覆、活性化処理、保護多孔体層１の除去、基材表層への保護多孔体層２の再被覆、金属の無電解めっき、の手順をとることにより表面から一定の深さに緻密層を有する細孔充填型分離膜を製造することを特徴とする水素分離膜の製造方法、及びその水素分離膜。
【効果】多孔質材料内部に金属緻密層を充填させた構造を有する水素分離膜を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】従来技術の欠点を有さない、バイポーラ無電解プロセス方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面に金属化合物を無電解析出（光Ｂｉ−ＯＣＤとよばれる）させるバイポーラ光電気化学プロセスであって、基板の表側と基板の裏側の異なった照度が、カソード反応とアノード反応とを分離する駆動力を形成し、高歩留まりの金属化合物の析出が得られるプロセスが開示されている。更に、基板の表面が少なくとも部分的に絶縁性パターンで覆われ、金属化合物の析出がパターンの開口部中で選択的に起きる選択光Ｂｉ−ＯＣＤプロセスが開示されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の薄膜形成方法が開示される。
【解決手段】前記方法は、基板に液状金属イオンソースを吸着するステップと、前記基板に吸着されない液状金属イオンソースをリンス液で除去するステップと、前記吸着された液状金属イオンソースを液状還元剤で金属膜に吸着するステップと、前記基板に残存する液状還元剤と反応副産物を前記リンス液で除去して半導体素子の薄膜を形成するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】溶液プロセスによる電解質をベースにした電解デバイス。
【解決手段】本開示は、アモルファス・カルコゲニド固体活性電解層と、第一および第二金属層とを含む固体電解質デバイスに関する。アモルファス・カルコゲニド固体活性電解層は、第一金属層と第二金属層との間に配置される。アモルファス・カルコゲニド固体活性電解層は、金属カルコゲニドのヒドラジン・ベースの前駆物質の溶液を得、該溶液を基材上に塗布し、しかる後、前駆物質をアニールして該前駆物質をアモルファス金属カルコゲニドに変換することによって調製される。また、本開示は、固体電解質デバイスを作製するプロセスにも関する。 （もっと読む）

【課題】従来の検査・解析医療用磁気デバイスの製造する方法のようにスパッタ装置やドライエッチング装置などの真空系装置を使用すると、コスト、大量生産の面で不利であった。そこでスパッタ装置やドライエッチング装置などの真空系装置を使用せず、湿式プロセスのみで安価で大量に生産可能な方法を提供する。
【解決手段】ガラス、セラミックあるいは樹脂基板の上に磁性膜を形成する製造工程を電気めっき、無電解めっき等の湿式プロセスのみとした。 （もっと読む）

本発明は、金属といった導電基板上及び／又はその中に析出するための金属イオンを調整し、金属間の接触から摩擦を実質的に無くすための組成及び方法を提供する。それは、水溶液の実施例で全ての金属基板に新たな金属面を形成するよう使用される。本工程は、導電基板上及び／又はその中に吸収又は吸収し得る金属及び非金属イオンの安定な水溶液を形成する。水溶液は、元素の周期律表の１族乃至８族による水溶性の金属又は非金属塩と混合した、アンモニウムアルカリ金属リン酸塩、及び／又はアンモニウムアルカリ金属硫酸塩から成る。水溶液により、導電基板上及び／又はその中への金属イオンのナノ析出が可能となる。析出した金属イオンによって形成された表面は、金属の不動態化を与え、炭化水素ベースの潤滑剤を使用せずに金属間の接触での摩擦を実質的に無くす。 （もっと読む）

【課題】無電解めっき工程を必要とせずに、絶縁基材との密着強度に優れ、かつ欠陥が少ない導体層を絶縁基材上に形成する。
【解決手段】導体層の形成方法は、ポリイミド前駆体樹脂を含有する塗布液を絶縁基材表面に塗布し、乾燥して塗布膜を形成する塗布膜形成工程（Ｓ１）と、前記塗布膜を金属化合物を含有する溶液に浸漬して、該溶液中の金属イオンを前記塗布膜の表層に含浸させる浸漬工程（Ｓ２）と、前記浸漬工程によって前記塗布膜の表層に含浸させられた金属イオンを還元処理して金属被膜を形成する金属被膜形成工程（Ｓ３）と、熱処理を行って前記塗布膜中の前記ポリイミド前駆体樹脂をイミド化してポリイミド樹脂層を形成するイミド化工程（Ｓ５）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】新規な導電性物品及び高容量、高出力で、サイクル特性に優れたリチウム二次電池およびその負極材料を提供し、更には、本負極材料を形成するためのめっき液を提供すること。
【解決手段】基体上に形成された金属めっき膜中に有機高分子繊維が分散していることを特徴とする導電性物品及び集電体と活物質層からなり、前記活物質層がリチウムと合金化する金属めっき膜および有機高分子繊維で構成される負極材料並びにめっき液を開示する。 （もっと読む）

【課題】無電解Ｎｉメッキで表面処理された電子部品をはんだを利用し、接合させる際にはんだ接合部で発生する脆性破壊を防止する方法を提供する。
【解決手段】電子部品に無電解ＮｉＸＰ（Ｘ＝Ｗ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｍｎ、Ｔｌ、Ｃｕから選ばれる少なくとも1種）メッキを施して金属層を形成する段階と、該無電解ＮｉＸＰ層上にはんだをリフローし接合する段階とから構成し、はんだ接合部で発生する脆性破壊を防止する方法を達成する。 （もっと読む）

【課題】無電解メッキ処理や電解メッキ処理を行った後、電解メッキ層や無電解メッキ層を除去することなく、容易に凹部及び／又は凸部に無電解メッキが施された成形物を製造する方法を提供する。
【解決手段】疎水性の非導電性部材上に、少なくとも表面が親水性樹脂からなる独立した凹部及び／又は凸部を設けた後、当該凹部及び／又は凸部に触媒を付着させ、無電解メッキを行う。また、独立した凹部が形成された型に親水性樹脂を満たし、型と少なくとも表面が疎水性の非導電性部材を接触させ、疎水性の非導電性部材上に親水性樹脂からなる独立した凸部を転写した後、当該凸部に触媒を付着させ、無電解メッキを行う。 （もっと読む）

【課題】無電解メッキ処理や電解メッキ処理を行った後、電解メッキ層や無電解メッキ層を除去することなく、容易に凹部又は凸部以外の部分に無電解メッキが施された成形物を製造する方法及びタッチパネル用電極部材の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面が親水性の非導電性部材上に、少なくとも表面が疎水性樹脂からなる独立した凹部又は凸部を設けた後、当該凹部又は凸部以外の部分に触媒を付着させ、無電解メッキを行う。 （もっと読む）

【課題】被処理物以外の表面へめっき用金属が析出することを防止した無電解めっき装置を提供する。
【解決手段】本発明の無電解めっき装置１は、無電解めっき液Ｑを液建するめっき槽１０を備えた無電解めっき装置１であって、めっき槽１０の、無電解めっき液と接触する接液部は、無電解めっき液Ｑと接した状態で、無電解めっき液Ｑと接する側に負電荷を帯びる負電荷帯電部１２を有することを特徴とする。無電解めっき液Ｑ中のめっき用金属の陽イオンは、周囲を負イオンで囲まれた錯体として存在している。負電荷を帯びた錯体は、電気的な反発力によって負電荷を帯びた負電荷帯電部１２に接近することができず、負電荷帯電部１２、すなわちめっき槽１０内壁の接液部にめっき用金属が析出することが防止される。 （もっと読む）

本発明は亜鉛めっきおよび／または亜鉛合金めっきされた鋼材表面または少なくとも部分的に亜鉛表面を有する接合された金属構造部品を、複数の処理工程を含む表面処理により金属被覆前処理する方法に関する。本発明の方法においては、処理後の亜鉛表面上に、特に１００mg／ｍ²以下のモリブデン、タングステン、コバルト、ニッケル、鉛、錫および／または好ましくは鉄による金属被覆層が形成される。本発明の他の態様には、本発明の金属被覆前処理が施されているが、その後の被覆が施されていない、または次の被覆が予定されている金属構造部材、並びに自動車製造工程における車体製造、造船、建設、および白物家電製品の製造を目的とする上記構造部材の利用も含まれる。 （もっと読む）