【課題】Ｓｉ基板の表面にめっき用触媒を均一に付着させることができ、高品質の無電解めっき膜を形成可能な無電解めっき方法を提供する。
【解決手段】無電解めっきを、Ｓｉ基板表面の酸化物を除去する工程（手順Ｓ１）、酸化物が除去されたＳｉ基板を洗浄する工程（手順Ｓ２）、Ｓｉ基板の表面に存在する水素をハロゲンで置換する工程（手順Ｓ３）、水素がハロゲンで置換されたＳｉ基板を洗浄する工程（手順Ｓ４）、Ｓｉ基板の表面にめっき用の触媒を付与する工程（手順Ｓ５）、めっき用の触媒が付与されたＳｉ基板を洗浄する工程（手順Ｓ６）、Ｓｉ基板の表面に所要の無電解めっき膜を形成する工程（手順Ｓ７）、めっき膜が形成されたＳｉ基板を洗浄する工程（手順Ｓ８）、洗浄後のＳｉ基板を乾燥する工程（手順Ｓ９）とを経て行う。 （もっと読む）

【課題】 Ｓｉ等の非金属基板表面に直接的にメッキ処理を行うことを可能とする。
【解決手段】 非金属からなるＳｉ基板１１と、Ｓｉ基板１１表面に形成された無機酸化物微粒子の焼結体からなる下地薄膜１６１と、下地薄膜１６１上に無電解メッキ処理により形成されたメッキ膜 (Ｎｉ-Ｐ膜１６２)とを有する。
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【課題】無線物品用ループアンテナの製作、及びテレホンカード等のスマートカード用回路の製作のために、金属パターンを非導電性基板上に設けるプロセスを提供する。
【解決手段】方法は、触媒インクを塗布することで非導電性基板を触媒する、触媒インク中の触媒金属イオン源を関連する金属に還元する、無電解金属を基板面の触媒インクパターンに堆積する、及び電解金属を無電解金属層上にメッキして所望の金属パターンを非導電性基板に製造する工程を含む。触媒インクは、概して、１つ以上の溶媒、触媒金属イオン源、架橋剤、１つ以上のコポリマー、ポリウレタンポリマー、及び任意で、１つ以上のフィラーを含む。 （もっと読む）

遊離−ＯＨ基と反応可能な疎水性成分が含まれる外側コーティング及び無機ゾル−ゲルコーティングである内側コーティングから成る二重コーティングが施されることにより容易に洗浄可能となる表面を備えた構造体であって、
前記外側疎水性コーティングが高くても１００℃までの穏やかな温度で乾燥された極めて反応性の高い内側ゾル−ゲルコーティングへ処理され、及び前記疎水性コーティングが縮合反応によって前記ゾル−ゲルコーティングへ化学的に強固に固定され、及び前記構造体表面上の前記二重コーティングが５０℃を越える温度で焼成されることを特徴とする前記構造体。 （もっと読む）