【解決手段】 高分子フィルムの一面に高分子フィルム側から第１層として防湿膜、第２層として耐エッチング膜及び第３層として導電膜が順に積層されてなる防湿性透明導電性フィルム、及び高分子フィルムの一面に高分子フィルム側から第１層として防湿膜及び第２層として耐エッチング膜が順に積層されると共に、上記高分子フィルムの他面に導電膜が積層されてなる防湿性透明導電性フィルム。
【効果】 本発明の防湿性透明導電性フィルムは、導電膜のエッチングによるパターニングによって防湿性が損なわれることがなく、特に、防湿膜、耐エッチング膜及び導電膜を同一の成膜法にて成膜したものは、簡略化された成膜工程により防湿性に優れた透明導電性フィルムとして製造でき、また、簡易な層構成であることから、工程管理やコストの面で有利である。 （もっと読む）

【課題】 電気抵抗が低く、かつ、耐凝集性に優れた金属薄膜（Ａｇ系薄膜）および透明導電体、及び、耐硫化性および耐凝集性に優れたＡｇ系反射膜を提供する。
【解決手段】 (1) 第１層としてＡｇ薄膜を有し、その上に第２層として貴金属元素であるＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔの１種以上を含有するＡｇ合金膜を有するＡｇ系２層膜であって、前記Ａｇ合金膜の膜厚をＹ（ｎｍ）、前記Ａｇ合金膜での貴金属元素の含有量をＸ（ａｔ％）、前記Ａｇ薄膜の膜厚をＺ（ｎｍ）としたときに、Ｙ≧８／Ｘであると共に、Ｙ＋Ｚ≧５であることを特徴とするＡｇ系２層膜、(2) 透明基体上に透明膜が形成され、その上に前記Ａｇ系２層膜が形成され、その上に透明膜が形成されていることを特徴とする透明導電体、(3) 前記Ａｇ系２層膜でのＸが２５ａｔ％以上、Ｙが８ｎｍ以上であり、且つ、Ａｇ薄膜及びＡｇ合金膜が希土類元素を０．０５〜３．０ａｔ％含有するもの等。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリングターゲットの強度を向上させることができ、スパッタリングターゲットの割れがなく、高密度のスパッタリングターゲットを製造することが可能な透明導電性薄膜製造用スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】 比表面積が１ｍ²／ｇ以上２０ｍ²／ｇ以下である酸化インジウム粉末に、ケイ素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、スズ（Ｓｎ）およびタングステン（Ｗ）からなる群より選ばれた少なくとも一種以上の金属粉末または酸化物粉末を混合し、得られた混合粉末を使用して、ホットプレスを行う。好ましくは、酸化インジウム粉末の比表面積が、１５ｍ²／ｇ以下であり、さらに好ましくは、６ｍ²／ｇ以下である。 （もっと読む）

本発明は、スパッタリングにおいてスパッタターゲットの熱応力を緩和する方法に関する。本方法は、ターゲットホルダを用意する工程と、このターゲットホルダ上にインジウムスズ酸化物を含むターゲット材料を吹き付けによって付着させる工程と、ターゲットホルダ上のターゲット材料を付着させている間に、ターゲット材料に気孔を導入する工程とを含む。これら気孔により、吹き付けられたターゲット材料は少なくとも２％の気孔率を有するようになり、熱応力が緩和する。また、本発明は、緩和された熱応力を有するスパッタターゲットに関するとともに、インジウムスズ酸化物で基材表面を被覆する方法に関する。 （もっと読む）

SnO₂を主成分とするIn₂O₃-ZnO-SnO₂系複合酸化物に、SiO₂、B₂O₃の何れか１種又は２種の酸化物を添加した材料から成ることを特徴とするスパッタリングターゲット。膜の非晶質性が安定であり、成膜速度が速く、記録層との密着性、機械特性に優れ、且つ透過率が高く、非硫化物系で構成することにより、隣接する反射層、記録層の劣化が生じ難い光情報記録媒体用薄膜（特に保護膜としての使用）及びその製造方法並びにこれらに適用できるパッタリングターゲットに関するものであり、これによって、光情報記録媒体の特性の向上及び生産性を大幅に改善することを目的とする。 （もっと読む）

SnO₂を主成分とするIn₂O₃-ZnO-SnO₂系複合酸化物に、Ta、Yの何れか１種又は２種の元素の酸化物を添加した材料から成ることを特徴とするスパッタリングターゲット。膜の非晶質性が安定であり、成膜速度が速く、記録層との密着性、機械特性に優れ、且つ透過率が高く、非硫化物系で構成することにより、隣接する反射層、記録層の劣化が生じ難い光情報記録媒体用薄膜（特に保護膜としての使用）及びその製造方法並びにこれらに適用できるパッタリングターゲットに関するものであり、これによって、光情報記録媒体の特性の向上及び生産性を大幅に改善することを目的とする。 （もっと読む）

容易にパターニングが可能で、かつ低コストで実現可能な低抵抗で透明性に優れた酸化スズ膜からなる透明電極の製造方法の提供。
基板上にパターニングされた酸化スズ膜を形成した透明電極の製造方法であって、基板上に光吸収性を有する酸化スズ膜を形成する工程、光吸収性を有する酸化スズ膜の一部をエッチング液で溶解してパターニングする工程、パターニングされた光吸収性を有する酸化スズ膜を加熱処理し酸化スズ膜とする工程とを含むことを特徴とする透明電極の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 改善された光学的および電気的膜特性を有する透明で導電性の酸化物膜（ＴＣＯ膜）であり、薄膜太陽電池において使用するのに適する表面構造を有する該膜の提供。
【解決手段】 この課題は、反応性スパッタリングによって基板上に導電性で透明な酸化亜鉛膜を生成し、プロセスにヒステリシス領域を有している方法において、ドーピング剤を含有する金属Ｚｎターゲットを使用し、該ターゲットのドーピング剤含有量が２．３原子％より少なく； 基板のための加熱器を、２００℃より高い該基板温度に調整される様に調整し；
１９０ｎｍ／分より早い静的溶着速度に相当する５０ｎｍ*ｍ／分より早い動的溶着速度に調整し；そして安定な金属プロセスと不安定なプロセスとの間の転換点と安定化されたプロセス曲線の屈曲点との間に位置する、不安定なプロセス領域内で安定化した作業点を選択する各段階を含むことを特徴とする、上記方法によって解決される。 （もっと読む）

安価に製造することができ、高密度のスパッタリングターゲットを得ることができ、ターゲットのライフを伸ばすことができる酸化インジウム−酸化錫粉末及びそれを用いたスパッタリングターゲットを提供する。 Ｉｎ−Ｓｎ酸化物を主成分とする酸化インジウム−酸化錫
粉末であって、Ｘ線回折で間化合物Ｉｎ_４Ｓｎ_３Ｏ_１２が検出されず、Ｉｎ_２Ｏ_３（２２２）積分回折強度及びＳｎＯ_２（１１０）積分回折強度の比から求められるＳｎＯ_２の析出量（質量％）から算出される、Ｉｎ_２Ｏ_３中のＳｎＯ_２固溶量が２．３質量％以上であることを特徴とする酸化インジウム−酸化錫粉末にある。 （もっと読む）

一側面において、本発明は電気分解により水の分割に用いる光電気化学(PEC)電極すなわち光電極を提供する。該光電極は電解質溶液と接触する導電性表面を有する。この表面はドープしたスズ酸化物であって、該光電気化学電極の半導体太陽電池物質と電気的に接触している。本発明の変形において、透明な反射防止性の導電性を有する金属酸化物の別の層が該ドープしたスズ酸化物層と該半導体物質との間に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 高抵抗透明導電膜、特に抵抗膜式タッチパネル装置等の画面位置確定のために使用されるシート抵抗５００〜２０００Ω／□程度の高い表面抵抗率を有する透明導電膜の形成に有用である高抵抗透明導電性膜用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 酸化インジウムと酸化錫を主成分とする焼結体であって、さらに酸化ケイ素又は酸化チタンの少なくとも一方を含有することを特徴とする高抵抗透明導電性膜用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 相対密度が高く、成膜中における異常放電が少なくノジュールが発生しにくい、ＩＴＯターゲットの製造方法の提供を課題とする。
【解決手段】 酸化インジウム粉末及び酸化錫粉末からなる成形体を焼結炉内に入れて焼結させるに際し、焼結炉内に酸素を成形体重量１ｋｇ当り０．５〜３．０リッター／分の割合で、少なくとも成形体片面に沿って酸素が流れるように流入させつつ、成形体中に含まれる成形用バインダを揮発させた後は、２４時間程度かけて１０００℃まで昇温し、１０００℃から１４００〜１６００℃の所望の温度までを１５０分以内で昇温し、１４００〜１６００℃の温度範囲で１０時間以上保持して焼結させる。 （もっと読む）