【課題】中央部と周縁部とでエッチング形状を均一化することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバと、該チャンバ内に配設され被処理ウエハが載置されるチャックと、前記チャックの周縁部に前記ウエハの載置位置を囲うように配設されたフォーカスリングと、前記ウエハの径方向の位置に応じて異なる種類のガスを供給可能なガス供給機構とを備えたプラズマエッチング装置を用いて前記ウエハからなる半導体装置を製造する製造方法であって、有機膜が形成されたウエハを前記チャック上に載置し、前記処理ガス供給機構から、前記ウエハの有機膜をエッチングするエッチングガスを前記ウエハの中央部に導入し、前記処理ガス供給機構から、前記エッチングガスと反応する性質を有するエッチング阻害因子ガスを前記ウエハの周縁部に導入し、前記エッチングガスを用いて前記ウエハをプラズマエッチングすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低圧力雰囲気ではガスによる熱伝達が少ないため、温度の制御が困難である。プラズマ処理装置において、被処理基板等の温度制御対象と温度制御手段の間の熱抵抗が大きく、素早い温度制御が困難であった。
【解決手段】被処理基板を戴置する基板電極を備えた処理室と、該処理室に所定量のガスを供給するガス供給機構と、該処理室の圧力またはガス密度を制御可能な排気速度可変の真空排気系と、該処理室内に電磁波を供給してプラズマを発生する機構と、該電磁波を該処理室内に供給するための電磁波透過窓と、を備えたプラズマ処理装置において、被処理基板の温度を制御するため赤外線等の電磁波を被処理基板の表面または処理室に供給する電磁波供給機構を備える。 （もっと読む）

【課題】いかなる濃度イオン注入がなされているレジストであってもアッシングできるようにする。
【解決手段】チャンバー７によって、レジストが塗布されているウェハに紫外光を照射する。チャンバー５によって、ウェハをオゾンガスに接触させてアッシングする。チャンバー６によって、レジストの成分に対応する半導体ガスを接触させる。チャンバー７によって、紫外光を照射したウェハに対してオゾンガスを接触させる。 （もっと読む）

【課題】プラズマのエッチング工程によって発生する素子特性および信頼性の劣化を防止することのできる半導体素子のゲート形成方法と、プラズマのエッチング工程によって発生する上部の隅部における電界の集中現象を防止することのできる半導体素子のゲート形成方法を提供すること。
【解決手段】支持基板と、埋め込み絶縁層および半導体層からなる基板を備えるステップと、蒸気エッチング工程で前記半導体層をエッチングして互いに離隔した第１トレンチおよび第２トレンチを形成するステップと、前記第１トレンチおよび第２トレンチを備える前記基板の上面にゲート絶縁膜を形成するステップと、前記ゲート絶縁膜上にゲート導電膜を形成するステップとを含む半導体素子のトリプルゲート形成方法を提供する。 （もっと読む）

急速熱プロセスの間に基板の均一な加熱または冷却を達成するための装置および方法が、開示される。より詳しくは、基板を横断する温度均一性を改善するために急速熱プロセスの間に基板を支持するエッジリングおよび／または反射体プレートの温度を制御するための装置および方法が、開示され、それは、エッジリングを加熱または冷却するためにエッジリングに隣接する熱質量またはプレートを伴う。
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【課題】９０℃以下の低温で基板上のレジストを除去する。
【解決手段】レジスト除去装置１はレジスト１７の除去に供される基板１６を加熱可能に格納すると共に大気圧よりも低圧のもとオゾンガスと共に不飽和炭化水素ガスまたは不飽和炭化水素のフッ素置換体ガスが供給されるチャンバ２を備える。チャンバ２は基板１６の温度が９０℃以下となるように内圧が制御される。前記オゾンガスとしてはオゾン含有ガスを蒸気圧の差に基づいてオゾンのみを液化分離した後に再び気化して得られる超高濃度オゾンガスが挙げられる。前記処理した基板１６には洗浄するために超純水を供給するとよい。チャンバ２は基板１６を保持するサセプタ１５を備える。サセプタ２は赤外光を発する光源４によって加熱される。 （もっと読む）

【課題】 複数の半導体ウエハを一括して処理可能に構成されたものにおいて、すべての半導体ウエハについて、所定の熱処理を、半導体ウエハの面内での均一性、および、半導体ウエハ間での均一性が高い状態で、行うことのできる半導体ウエハ加熱処理装置を提供すること。
【解決手段】 半導体ウエハが保持された状態のウエハ保持具を、内面が反射面とされた処理容器内に収容し、当該処理容器内に設けられたフィラメントランプによって加熱することにより、半導体ウエハの加熱処理を行う半導体ウエハ加熱処理装置において、フィラメントランプがフィラメントの色温度が２０００Ｋ以下となるよう点灯される。 （もっと読む）

【課題】ポッピング現象の発生を防止させながら基板のレジストを除去すると共にレジストを除去する際のエネルギーコストの低減と装置構成の単純化させること。
【解決手段】基板１６（例えば高ドーズイオン注入レジストを有するもの）を格納するチャンバ２を備え、このチャンバ２には大気圧よりも低圧のもとでオゾンガスと不飽和炭化水素ガスと水蒸気とが供給する。前記オゾンガスとしてはオゾン含有ガスを蒸気圧の差に基づいてオゾンのみを液化分離した後に再び気化して得られる超高濃度オゾンガスが挙げられる。前記処理した基板１６には洗浄するために超純水を供給するとよい。チャンバ２は基板１６を保持するサセプタ１５を備える。サセプタ１５はその温度が１００℃以下となるように加熱される。前記サセプタを加熱する手段としては例えば赤外光を発する光源４が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】 基板から揮発性残渣を除去するための方法及びシステムの提供。
【解決手段】 一実施形態において、基板上でハロゲン処理プロセスを行いつつ、揮発性残渣除去プロセスが、システム内のエンルートで行われる。揮発性残渣除去プロセスは、ハロゲン処理チャンバとＦＯＵＰ以外のシステム内で行われる。一実施形態において、基板から揮発性残渣を除去する方法は、真空気密プラットフォームを持つ処理システムを準備するステップと、プラットフォームの処理チャンバ内で基板をハロゲンを含む化学で処理するステップと、処理された基板をプラットフォーム内で処理して、処理された基板から揮発性残渣を放出させるステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】不要な付着膜が堆積することを阻止することにより、クリーニング処理の回数を大幅に減少させてスループットを向上させるようにした処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器４内で被処理体Ｗに対して所定の処理を施す処理装置において、前記処理容器の内壁の表面及び／又は前記処理容器の内部構造物の表面にＳＡＭ（Ｓｅｌｆ ａｓｓｅｍｂｌｅｄ ｍｏｎｏｌａｙｅｒ）膜よりなる膜付着防止層５４Ａ〜５４Ｈを形成する。これにより、不要な付着膜が堆積することを阻止する。 （もっと読む）

【課題】 設備の大型化を招くことなく、基板に残存する塩素系ガスを効率良く取り除くことが可能なエッチング後処理方法及びエッチング装置を提供する。
【解決手段】 塩素系ガスによりエッチングを行い基板上の信号線加工を行った後、ランプヒータにより基板を加熱し、残存する塩素系ガスを除去する。ランプヒータによる加熱は、エッチング後の基板の搬送の際に行う。あるいは、高温ガスを導入して基板に残存する塩素系ガスを除去する。高温ガスの導入により、レジストのアッシングと残存する塩素系ガスの除去を同時に行う。高温ガスは、例えば酸素ガスである。 （もっと読む）

【課題】遠隔プラズマ処理プロセス処理を用い、ウェハの自然酸化膜除去などの表面処理を効率的に行うことができ、ウェハの歩留り悪化や装置負担を軽減し得るバッチ式真空処理装置を提供する。
【解決手段】上下方向に連通可能となるように縦型に構成される一対のチャンバを備えるバッチ式真空処理装置１１の一対のチャンバのうち、上側チャンバを加熱チャンバ１３として用い、下側チャンバをプロセスチャンバ１２として用いる。この装置１１を用い、プラズマ発生部１５により発生する水素ラジカルを用いてプロセスチャンバ１２内のウェハ５をバッチ単位で遠隔プラズマ処理し、自然酸化膜を除去する。さらに、バッチ単位のウェハ５を加熱チャンバ１３に移送し、加熱処理を行ってウェハ５の副生成物であるアンモニア錯体の除去処理を行う。 （もっと読む）

【課題】レイアウトを容易にすることができると共に、プラズマ処理の均一化を充分に達成することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明のプラズマ処理装置１は、第１のコンベア３および第２のコンベア４と、高周波電力が印加される上部電極部１０と、該上部電極部１０に対向するアース電極としての下部電極１１とを備える。第１のコンベア３および第２のコンベア４は、ワーク２を上部電極部１０および下部電極１１の間の処理空間へ搬送し、ワーク２が上記処理空間を通過する際、高周波電界に発生したプラズマによってワーク２に所定のプラズマ処理が施される。 （もっと読む）

【課題】 同一のプロセス条件下においては被処理体の温度が目標温度であるプロセス温度に到達するまでの昇温時間を一定に維持することが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】 被処理体５に対して熱処理を行う枚葉式の熱処理装置において、被処理体を収容できる処理容器４と、被処理体の裏面と接触して被処理体を支持する支持部１０と、処理容器内に所定のガスを導入するガス供給手段１４と、処理容器内の雰囲気を排気する排気手段１６と、処理容器の外側に設けられて被処理体を加熱する加熱手段３０と、加熱手段へ電力を供給する電力供給源３３と、支持部に設けられた温度検出手段４０と、温度検出手段からの検出値に基づいて支持部に被処理体を支持させた直後の前記支持部の降温レートを求め、該降温レートが所定の基準値を維持するように電力供給源の出力電力を制御する電力制御手段３４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造効率を向上させることができるようにした半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】 ウエーハ上に形成された層間絶縁膜をドライエッチングして半導体装置を製造する装置であって、層間絶縁膜が形成されたウエーハを収容し、当該層間絶縁膜をプラズマ雰囲気中でドライエッチングするための第２チャンバ２０と、レジストパターンをアッシングするための第３チャンバ３０と、アッシング後のウエーハを収容し、当該ウエーハを所定条件で熱処理するための第４チャンバ４０と、これら第２〜第４チャンバ２０，３０，４０間でウエーハを受け渡しする搬送アーム９を備えた搬送室７とを有するものである。 （もっと読む）

スループットを最適化するためにプロセス加工システムを動作させるための方法およびシステムを記載する。本プロセス加工システムは化学的酸化物除去のために構成され、本プロセス加工システムは、基材を化学処理するように構成された下部チャンバ部分、基材を熱処理するように構成された上部チャンバ部分、および下部チャンバ部分と上部チャンバ部分との間で基材を移動させるように構成された基材昇降アセンブリを有するプロセスチャンバを備える。
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プラズマ処理システムは、少なくとも１つのマルチピース式バッフルプレートを有する。このマルチピース式バッフルプレートアセンブリは、開口を有する少なくとも１つの環状リング部分と、前記開口内に着座するように寸法付けられたインサート部分とを含む。個々の部品は、セラミック材料から作ることができる。プラズマ処理中に、バッフルプレートにおける温度勾配によって生じる影響が最小化される。
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コストアップを抑制しつつ良好な耐圧強度を発揮する耐圧構造体を提供する。ウエハＷが配置される第一空間９３と、ヒータ８１、８２が設置された第二空間９４と、第一空間９３と第二空間９４とに仕切る仕切パネル９５を備え、仕切パネル９５は内部が中空の中空体９６と、少なくとも第二空間９４側の部分には固着しない状態で中空体９６の中空部内に収容された耐圧支持体９７とから構成され、中空体９６の中空部は第一空間９３の圧力よりも低圧に減圧されている。中空体９６の第一空間９３に接する上側壁９６ａにも上側壁９６ａを耐圧支持体９７の上面に押接する力Ｆｃが作用するので、中空体９６は耐圧支持体９７で補強され、仕切パネル９５は所期の耐圧強度を発揮する。 （もっと読む）