【課題】研削装置のチャックテーブルに保持されていた円形板状ワークの被保持面側が保持部材によって保持されている場合において、被保持面のうち保持部材によって保持されている部分も洗浄できるようにする。
【解決手段】洗浄部材６２１に、搬出手段が保持した円形板状ワークの被保持面Ｔを接触させ、洗浄手段を構成する回転防止部材８２を上昇させ被保持面Ｔに接触させて洗浄部材６２１の回転動作によって被保持面Ｔのうち回転防止部材８２が接触している箇所以外の部分を洗浄し、その後、回転防止部材８２を下降させて、被保持面Ｔのうち回転防止部材８２が接触していた部分を露出させ、洗浄部材６２１を所定角度回転させることによって円形板状ワークが当該所定角度と同じ角度回転した後、再び回転防止部材８２を上昇させ被保持面Ｔに接触させて洗浄部材６２１の回転動作によって被保持面Ｔの未洗浄部分を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージの側面に付着する切断屑を、個片化した後に除去することによって、切断屑の残留を抑制する
【解決手段】本実施形態に係る半導体装置の製造装置は、互いに繋がっている半導体パッケージ１を供給する供給部１０と、互いに繋がっている半導体パッケージ１を個片化する切断部と、個片化された半導体パッケージ２の側面に付着した切断屑１００および２００を除去する除去部３００と、を有している。除去部３００は、個片化された半導体パッケージ２を搬送する第１の搬送経路３０と、第１の搬送経路３０の両側にそれぞれ設けられた第１のブラシ５０と、第１の搬送経路３０を通過した半導体パッケージ２を上から見て９０度回転させた状態で搬送する第２の搬送経路４０と、第２の搬送経路４０の両側にそれぞれ設けられた第２のブラシ６０と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】フットプリントや洗浄時間を増大させることなく、スクラブ洗浄部材への負荷を低減させ、研磨後の基板表面の研磨性能を向上させた洗浄を行う。
【解決手段】移動アーム４８を移動させて、基板Ｗのエッジ上方の退避位置に位置するスクラブ洗浄部材４０を基板Ｗのセンタ上方のスクラブ洗浄位置に移動させ、移動アーム４８の移動に伴って、２流体ノズル７０を該２流体ノズル７０から回転中の基板Ｗの表面に向けて流体を噴出させて該表面の２流体ジェット洗浄を行いながら移動させ、２流体ノズル７０からの流体の噴出を停止させた後、スクラブ洗浄部材４０を基板Ｗの表面に接触させてスクラブ洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】被洗浄体を表裏両側から同時にスクラブ洗浄する洗浄工程において、被洗浄体に与えるダメージを低減させる。
【課題手段】１対のブラシローラ１Ａ，１Ｂがそれぞれ挿着された２つの回転軸の回転方向と略直交してこれら２つの回転軸の軸心を含む断面において、第１の被洗浄面１１Ａと接触する複数の第１の突起５Ａの各基端部分を第１の被洗浄面１１Ａの略垂直方向から被洗浄体１０に投影した複数の第１領域Ｌａと、第２の被洗浄面１１Ｂと接触する複数の第２の突起５Ｂの各基端部分を第２の被洗浄面１１Ｂの略垂直方向から被洗浄体１０に投影した複数の第２領域Ｌｂとが重なる複数の重複範囲Ｌｐは、２つのブラシローラ１Ａ，１Ｂの回転位置に関わらず、当該重複範囲Ｌｐを含む第１領域Ｌａ及び第２領域Ｌｂの何れに対しても８０％以下の範囲に制限される。 （もっと読む）

【課題】除去処理体の処理部材で有効に除去処理できる有効除去範囲を拡大させて、基板処理装置での処理時間を短縮してスループットを向上させること。
【解決手段】本発明では、基板（２）の表面に処理部材（３８）を押圧した状態で基板（２）に対して相対的に移動しながら基板（２）の表面から除去対象物を除去する基板処理装置（１）、及び同基板処理装置（１）の処理部材（３８）、並びに基板処理方法において、処理部材（３８）は、円環状に形成され、所定の硬度を有する基準硬度処理部（４０）と、基準硬度処理部（４０）に隣接し、基準硬度処理部（４０）よりも硬度の低い低硬度処理部（４１，４２）とを有することにした。 （もっと読む）

【課題】単位時間当たりに多数のウェハを洗浄できる洗浄方法及び洗浄装置を提供する。
【解決手段】複数枚の半導体基板を一度に洗浄するバッチ方式の洗浄方法であって、複数枚の半導体基板を所定の間隔で保持した状態で搬送する第１の工程と、複数枚の半導体基板の表面及び裏面ごとに複数本ずつ設けられ、長手方向が表面及び裏面に対して平行に配置されたロールブラシで、複数枚の半導体基板を挟持する第２の工程と、表面及び裏面ごとに設けられた複数本のロールブラシを回転させて、複数枚の半導体基板を洗浄する第３の工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】洗浄条件を変えることによって、洗浄効果が如何に変化するかを、実際に洗浄を行うことなく、容易に予測することができるようにする。
【解決手段】第１洗浄条件で基板を洗浄する時の、洗浄エリア上のロール洗浄部材と基板の相対速度がゼロとなって洗浄方向が逆転する逆転点までの基板の回転軸からの距離と面積換算として定義した相対速度量とをＸＹ座標としてプロットした第１洗浄点までの第１距離を求め、第２洗浄条件で基板を洗浄する時の、前述と同様な第２洗浄点までの第２距離を求め、第２距離が第１距離よりも長いときに第２洗浄条件で基板を洗浄した方が第１洗浄条件で基板を洗浄した時よりも洗浄後に残るディフェクト数が少ないと予測する。 （もっと読む）

【課題】ロール洗浄部材の形状の最適化を図り、基板表面を高い洗浄度で効率的に洗浄して、基板表面に残存するディフェクト数を低減できるようにする。
【解決手段】表面に多数のノジュールを有し基板の直径のほぼ全長に亘って直線状に延びて基板表面との間に洗浄エリアを形成するロール洗浄部材と基板とを共に一方向に回転させつつ、ノジュールと基板表面とを互いに接触させて該表面をスクラブ洗浄する基板洗浄方法において、洗浄エリア（長さＬ）上のロール洗浄部材１６と基板Ｗの相対回転速度が相対的に低い順方向洗浄エリア（長さＬ_ｆ）では、洗浄エリア上のロール洗浄部材と基板の相対回転速度が相対的に高い逆方向洗浄エリア（長さＬ_ｉ）よりも少ない面積でノジュール１６ａと基板Ｗの表面とを互いに接触させる。 （もっと読む）

【課題】 回転機構を持たない基板処理装置であっても、基板と接触する部位を清掃することができる基板処理装置の清掃装置を提供する。
【解決手段】 清掃装置２は、処理されるウエハＷと同じ外形のベース４００と、ベース４００の下面の周縁部に下向きに植設された清掃具であるブラシ４０２と、ブラシ４０２を動かす駆動源の振動発生装置４０４とからなり、ハンド１１上で清掃装置２の振動発生装置４０４が振動してブラシ４０２が振動し、ハンド１１のウエハ支持部材８１の支持面８６ａを清掃する。 （もっと読む）

【課題】基板の処理に使用される処理液の消費量を低減すること。
【解決手段】基板処理装置は、処理液を吸収可能で弾性変形可能なスポンジ４１と、スポンジ４１に処理液を供給する貯留槽４０と、基板Ｗを保持する基板搬送ロボット２１とを含む。基板搬送ロボット２１は、スポンジ４１と基板Ｗとを相対移動させてスポンジ４１と基板Ｗの下面とを接触させることにより、スポンジ４１に吸収されている処理液を基板Ｗの下面に供給させる。 （もっと読む）

【課題】基板の反転を必要とせず、且つ基板の周縁部にダメージを与えないように基板の裏面を洗浄することの可能な基板洗浄装置等を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１は、裏面を下方に向けた状態の基板を裏面から支えて保持する２つの基板保持手段（吸着パッド２、スピンチャック３）を備え、支える領域が重ならないようにしながらこれらの基板保持手段の間で基板を持ち替える。洗浄部材（ブラシ５）は基板保持手段により支えられている領域以外の基板の裏面を洗浄し、２つの基板保持手段の間で基板が持ち替えられることを利用して基板の裏面全体を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】表面に施されたパターニングを剥がすことなく、裏面に付着したポリマーやパーティクルを確実に除去し、それぞれの面に応じた押圧力でそれぞれの面に付着したパーティクルを確実に除去する。
【解決手段】処理装置は、被処理体Ｗの周縁部の一方の面に当接して洗浄する第一洗浄機構３０と、周縁部の他方の面に当接して洗浄する第二洗浄機構４０を備えている。処理装置は、周縁部の一方の面に加わる押圧力を調整する第一調整機構１０と、周縁部の他方の面に加わる押圧力を調整する第二調整機構２１，２５と、をさらに備えている。第二洗浄機構４０は、周縁部の他方の面に当接可能であり、横断面の中心部が硬質部からなり、中心部の周りを囲む外周部が硬質部よりも軟らかい軟質部からなる第二洗浄部を有する。被処理体Ｗの周縁部を洗浄する際、硬質部は被処理体Ｗの周縁部の側端面に当接され、軟質部は被処理体Ｗの周縁部の他方の面に当接される。 （もっと読む）

【課題】化学機械研磨のプロセス後、シリコンからなる半導体ウェハから研磨された表面および裏面の研磨プロセスの残渣を取除く。
【解決手段】シリコンからなる半導体ウェハを半導体ウェハの化学機械研磨のプロセス直後に洗浄するための方法であって、ａ）半導体ウェハを研磨板から第１の洗浄モジュールに搬送し、搬送中、半導体ウェハの両側面に、少なくとも１回、１０００Ｐａ以下の圧力で水を吹付ける工程と、ｂ）回転ローラに挟まれた半導体ウェハを、水を供給しながら洗浄する工程と、ｃ）半導体ウェハの側面に、７００００Ｐａ以下の圧力でフッ化水素および界面活性剤を含有する水溶液を吹付ける工程と、ｄ）半導体ウェハの側面に、２００００Ｐａ以下の圧力で水を吹付ける工程と、ｅ）半導体ウェハをアルカリ性洗浄水溶液に浸漬する工程と、ｆ）回転ローラに挟まれた半導体ウェハを、水を供給しながら洗浄する工程と、ｇ）半導体ウェハに水を吹付ける工程と、ｈ）半導体ウェハを乾燥する工程とを、示す順に含む方法。 （もっと読む）

【課題】 砥粒に対する洗浄性が非常に高く、かつ、悪影響を及ぼす界面活性剤などの有機物の基板表面の残留が極めて少ない電子材料用洗浄剤、または悪影響を及ぼす界面活性剤を含有せずに非常に高い洗浄性を発揮する電子材料用洗浄剤および電子材料の製造方法を提供する。
【解決手段】 還元性を有するレダクトン類（Ａ）０．０１〜１０重量％と水を含有し、１重量％に希釈したときの２５℃での表面張力が５０ｍＮ／ｍ以下である界面活性剤（Ｂ）の含有量が０．０１重量％未満であることを特徴とする電子材料用洗浄剤を用いる。 （もっと読む）

【課題】ブラシマークの発生を防止しつつ、自己洗浄機能を備えたスポンジロールを提供する。
【解決手段】軸体１０と、薄板状に形成された複数のスポンジ体２０と、薄板状に形成されたスペーサ３０と、を備え、スポンジ体２０及びスペーサ３０は軸体１０を通す中心孔を有し、スペーサ３０の中心孔はスペーサ板面に垂直な第１仮想線に対して傾いた第２仮想線を中心軸として傾いて形成されており、スポンジ体２０とスペーサ３０とは軸体１０に交互に装着されていて、スペーサ３０は中心孔によって軸体１１に斜めに装着され、スポンジ体２０はスペーサ３０に支持されて軸体１０に斜めに装着されている。 （もっと読む）

【課題】基板のベベル部を簡便かつ効率的に洗浄することができ、省スペース化にも有利な基板洗浄装置、これを備える塗布現像装置、および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態による基板洗浄装置は、基板の裏面中心部を保持し、当該基板を回転する基板保持回転部と、第１の洗浄部、前記第１の洗浄部の周りに配置される第２の洗浄部、並びに前記第１の洗浄部および前記第２の洗浄部が取り付けられる台座を含む洗浄部材と、前記基板保持回転部に保持される前記基板の裏面に前記第１の洗浄部と前記第２の洗浄部とを接触可能に、前記基板保持回転部および前記洗浄部材を相対的に昇降する昇降部と、前記第２の洗浄部の一部を前記基板の外側に露出可能に、前記基板の裏面に沿った方向に、前記基板および前記洗浄部材を相対的に駆動する駆動部とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板の中心と回転中心とを一致させ基板を処理することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】被処理基板に処理流体を供給して基板処理を行う基板処理部と、前記被処理基板の側面に接触させ、前記被処理基板の位置を定める位置決め機構部と、前記位置決め機構部を駆動する位置決め駆動部と、前記位置決め機構部の位置を検出する検出部と、前記被処理基板の基準となる基準基板に対する前記位置決め機構部の位置を基準位置情報として記憶する記憶部と、前記基準位置情報と前記検出部において検出された前記位置決め機構部の位置情報との差を算出し、前記差より前記被処理基板の実測情報を算出する演算部と、を有することを特徴とする基板処理装置を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】洗浄部材の汚染物質を継続的に低減可能な洗浄装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１１を支持回転する回転支持体１３と、回転支持体１３に対して半導体基板１１とは反対側及び半導体基板１１から離れた下側に配置され、Ｖ字形の斜面を形成するように上側に開いた溝の表面にブラシ部２９が形成された洗浄面を有するブラシ洗浄具２７と、それぞれの外周部が、回転支持体１３に支持された半導体基板１１の相対向する被処理面に接触が可能、且つブラシ洗浄具２７のＶ字形の斜面に接触が可能で、等方的な回転対称軸の回りに回転する円柱状のロール部材２１と、樹脂粒子１８が分散されたスクラブ洗浄液１７を半導体基板１１の被処理面にそれぞれ供給するスクラブ洗浄液供給部１５と、ブラシ洗浄具２７の溝に２箇所で接触するように配置されたロール部材２１の外周部にそれぞれ純水３５を供給する純水供給部３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】 基板の周端部の傾斜部を含めて確実に洗浄や研磨の処理を実施することができるばかりか支持手段も複雑でなく自身の耐久性にも優れた処理手段を有する基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板を支持する基板支持手段と、所定の径を有するとともに先端に形成した中心に凹部を形成する平面を処理部としたＰＶＡスポンジからなる処理手段と、基板支持手段に支持させた基板の軸線に対してその処理手段をその軸線が直角になるように処理部を基板の周縁部に向けて所定位置に支持する処理手段の支持手段と、処理手段の支持手段に付設されて処理手段の回転手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】疎水性ウェーハを洗浄する優れた方法および装置を提供する。
【解決手段】疎水性ウェーハを洗浄するために界面活性剤を使用する方法および装置が提供される。第１の態様では、本方法は、純ＤＩ水をウェーハへ供給することなくウェーハを洗浄および乾燥することができる。第２の態様では、本方法は、界面活性剤溶液がウェーハからリンスされると直ちに、またはその前にＤＩ水の供給が停止するように、短い時間だけ純ＤＩ水をウェーハへ供給することによってウェーハを洗浄することができ、その後、ウェーハが乾燥される。別の態様では、疎水性ウェーハは、洗浄装置間で移送される間、界面活性剤で湿潤されたままであり、希釈界面活性剤により、または短時間のＤＩ水の噴霧によりリンスされた後、乾燥される。 （もっと読む）