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国際特許分類[B22D21/00]の内容

処理操作;運輸 (1,245,546) | 鋳造;粉末冶金 (29,309) | 金属の鋳造;同じ方法または装置による他の物質の鋳造 (13,454) | 鋳造方法にとって冶金的性質が重要な影響をもたらす非鉄金属または金属化合物の鋳造;そのための組成物の選択 (504)

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【課題】レニウム添加の必要性を低減又は無くし、且つ良好な鋳造性及び相安定性などの望ましい他の特性を維持しつつも、優れた高温耐クリープ性を示す単結晶ニッケル基超合金を開発すること。
【解決手段】優れた高温耐クリープ性を示す一方、このような合金に望ましい他の特性をも示す単結晶鋳造物用のレニウムを含まないニッケル基超合金は、5.60%〜5.85%のアルミニウム、9.4%〜9.9%のコバルト、5.0%〜6.0%のクロム、0.08%〜0.35%のハフニウム、0.50%〜0.70%のモリブデン、8.0%〜9.0%のタンタル、0.60%〜0.90%のチタン、8.5%〜9.8%のタングステンを含み、残部がニッケル及び少量の不可避元素を含む。 (もっと読む)


【課題】急冷凝固により磁石合金の薄帯を製造する際に、冷却ロール表面の温度変動を防止することにより、均一な微細組織とそれによる優れた磁気特性を達成することができる磁石薄帯を製造する方法および装置を提供する。
【解決手段】磁石合金の溶湯を冷却ロールの表面に吐出して急冷凝固により磁石薄帯を製造する際に、上記冷却ロールを上記磁石薄帯の生成方向に対して垂直に連続して往復移動させる。望ましくは、上記溶湯を吐出直前に加熱するための誘導コイルに対して上記ロールの表面を遮蔽するために遮蔽板を用いる。 (もっと読む)


【課題】 切断加工時などにおけるひび割れの発生を抑制することができるCu−Ga合金スラブ、および、このようなCu−Ga合金スラブを用いて作製されたスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 Cu−Ga合金スラブは、Cu−Ga合金よりも融点の高い高融点金属を、原子百分率で1at%以下含有する。このCu−Ga合金スラブを用いて、スパッタリングターゲットを作製する。 (もっと読む)


【課題】 Cu−Ga合金からなるCu−Ga合金スラブを溶解鋳造により製造する方法において、大型のCu−Ga合金スラブを、ひび割れ発生を充分に抑制して製造することができる製造方法を提供する。
【解決手段】 Cu−Ga合金スラブの製造方法では、まず、減圧下、所定の鋳造温度に坩堝1を加熱して、坩堝1内においてCu−Ga合金の溶湯を得る。次に、坩堝1内の溶湯5を、出湯開口12から出湯させる。出湯開口12から出湯された溶湯5は、流入開口32を介して貯留槽3に一時的に貯留され、排出開口33から溢流し、貯留槽3から排出される。そして、貯留槽3の排出開口33から溢流して排出された溶湯5は、注湯開口22を介して鋳型2に注湯される。そして、溶湯の鋳型2に対する注湯量と鋳造温度とは、スラブ熱量Qと鋳型熱量Qとが、Q/Q≦4.7を満たすように調整される。 (もっと読む)


【課題】 Cu−Ga合金からなるCu−Ga合金スラブを溶解鋳造により作製するための鋳造装置において、大型のCu−Ga合金スラブを、ひび割れ発生を充分に抑制して製造することができる鋳造装置を提供する。
【解決手段】 鋳造装置100は、坩堝1と鋳型2との間に貯留槽3を備える。貯留槽3は、坩堝1の下方に配置され、坩堝1の出湯開口12から出湯された溶湯を一時的に貯留する。この貯留槽3は、坩堝1の出湯開口12から出湯された溶湯が流入する流入開口32と、該流入開口32よりも下方に設けられ、流入開口32から流入して貯留される溶湯を、溢流させて排出可能な排出開口33とが設けられる。そして、注湯開口22から流入して鋳型2に注湯される溶湯の単位時間あたりの注湯量が、17.0〜26.5kg/minである。 (もっと読む)


【課題】 Cu−Ga合金からなるCu−Ga合金スラブを溶解鋳造により作製するための鋳造装置において、複数のCu−Ga合金スラブを、ひび割れ発生を充分に抑制して製造することができる鋳造装置を提供する。
【解決手段】 鋳造装置100は、坩堝1と複数の鋳型2と複数の貯留槽3とを備える。各鋳型2の外周面には、冷却抑制部材24が設けられ、互いに隣接する鋳型2間には、輻射熱伝達防止部材41が設けられている。そして、各鋳型2の鋳型条件S、および平均鋳型条件SAVが、(|SAV−S|/SAV)×100≦3の関係を満たす。 (もっと読む)


【課題】 Cu−Ga合金からなるCu−Ga合金スラブを溶解鋳造により作製するための鋳造装置において、大型のCu−Ga合金スラブを、ひび割れ発生を充分に抑制して製造することができる鋳造装置を提供する。
【解決手段】 鋳造装置100は、坩堝1と鋳型2との間に貯留槽3を備える。貯留槽3は、坩堝1の下方に配置され、坩堝1の出湯開口12から出湯された溶湯を一時的に貯留する。この貯留槽3は、坩堝1の出湯開口12から出湯された溶湯が流入する流入開口32と、該流入開口32よりも下方に設けられ、流入開口32から流入して貯留される溶湯を、溢流させて排出可能な排出開口33とが設けられている。 (もっと読む)


【課題】ビスマスと錫とを主成分とする粘り性に優れ安価であり、ビスマスと錫とが均一的に分布するな低融点無鉛ハンダ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】低融点無鉛ハンダは、第1所定Wt%のビスマスと、第2所定Wt%の錫と銅を含む金属群とからなり、前記金属群は、前記第2所定Wt%の第3所定Wt%の銅と、前記第2所定Wt%の0Wt%から3Wt%との間の銀と、残りが錫からなり、前記第1所定Wt%が54Wt%と56Wt%との間にあり、前記第2所定Wt%が46Wt%と44Wt%との間にあり、 前記第3所定Wt%が0.6Wt%と0.8Wt%の間にあることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】太陽電池に用いられるCu−Ga合金スパッタリングターゲットにおいて、従来問題になっていたスパッタリング時の放電やスパッタ膜の濃度分布不均一性という問題を解決する品質の高いCu−Ga合金スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るCu−Ga合金スパッタリングターゲットは、Ga濃度が、27.4重量%以上32重量%以下であり、不可避的空隙を含み、残部がCuからなるスパッタリングターゲットであり、凝固方向と平行な面において、不可避的空隙のうち50μm以上の空隙の面積率が、0.05%以下である。 (もっと読む)


【課題】従来のアルミニウム合金ダイカスト材と比べ製品の抜き勾配を極端に小さくでき、また、亜鉛の特質を活かしつつ、同時に比重が軽減された精密合金を提供することを課題とする。
【解決手段】上記課題を解決するため、アルミニウム、シリコン、および亜鉛を含み、全体を基準として、前記アルミニウムの含有率が40質量%以上45質量%以下であり、前記シリコンの含有率が2質量%以上8質量%以下である、ダイカスト用精密合金を提供する。 (もっと読む)


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