【課題】従来よりも抵抗値の低いＩｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ系酸化物導電膜を形成することができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】インジウム元素（Ｉｎ）、亜鉛元素（Ｚｎ）及び下記のＡ群から選択される少なくとも１つの元素（Ａ）を含有し、Ｉｎ、Ｚｎ及びＡの金属元素の組成（原子比）がＩｎ_ｘＺｎ_（1-ｘ）Ａ_ｙで表わされる酸化物からなり、ｘ及びｙが下記式（１）及び（２）を満たすスパッタリングターゲット。
Ａ群：Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｇａ、Ｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、ランタノイド
０．６８≦ ｘ ≦０．９５ （１）
０．０００１≦ ｙ ≦０．００４５ （２） （もっと読む）

【課題】半導体材料等として有用な新規なＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを含む酸化物であって、４つの層状構造を１ユニットとする繰り返し構造を含み、前記層状構造はそれぞれＩｎ、Ｇａ、Ｚｎのうち少なくとも１つを含む酸化物からなる酸化物。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ膜に迫る高い導電率の膜を高速成膜することができる。
【解決手段】透明導電膜を成膜するために用いられるＺｎＯ蒸着材において、ＺｎＯを主成分としたペレットからなり、ペレットがＣｅとＡｌの双方の元素を含み、ＣｅがＡｌよりも含有割合が高く、Ｃｅの含有割合が０．１質量％を越え１４．９質量％以下、Ａｌの含有割合が０．１質量％以上１０質量％以下の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＡＺＯやＧＺＯと同等レベルの導電性を有し、酸化亜鉛系透明導電膜を、成膜方法に拘らず安定に形成し得る酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】実質的に、亜鉛と、チタンと、酸素と、アルミニウム、ガリウムおよびインジウムからなる群より選ばれる少なくとも１種の微量添加元素（ＴＥ）とからなる酸化物焼結体であって、前記チタンが、式：ＴｉＯ_2-X（Ｘ＝０．１〜１）で表される低原子価酸化チタンに由来する、酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜を、成膜方法に拘らず安定に形成し得る酸化物焼結体を提供すること
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなり、５．３ｇ／ｃｍ³以上の密度を有し、かつ２００ｍΩ・ｃｍ以下の比抵抗を有する。本発明の酸化物焼結体は、好ましくは、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が、０．０２を超え０．１以下であり、チタンが、式：ＴｉＯ_2-X（Ｘ＝０．１〜１）で表される低原子価酸化チタン由来のチタンである。 （もっと読む）

【課題】優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜を、成膜方法に拘らず安定に形成し得る酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】実質的に亜鉛と、チタンと、酸素と、アルミニウム、ガリウムおよびインジウムからなる群より選ばれる少なくとも１種の微量添加元素とからなる酸化物焼結体であって、前記チタンが、４価の酸化チタン由来のチタンであり、亜鉛、チタンおよび微量添加元素（ＴＥ）の合計に対するチタンの原子数比［Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ＋ＴＥ）］が、０．０２以上０．０５以下であり、亜鉛、チタンおよび微量添加元素（ＴＥ）の合計に対する微量添加元素（ＴＥ）の原子数比［ＴＥ／（Ｚｎ＋Ｔｉ＋ＴＥ）］が、０．００１を超え０．００５未満であり、酸化物焼結体が、５．３ｇ／ｃｍ³以上の密度を有し、かつ１５ｍΩ・ｃｍ未満の比抵抗を有することを特徴とする、酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】優れた導電性を有する透明導電膜の製造を可能にし、大型酸化物焼結体の作製が可能な、低温分解性バインダー樹脂を含有する酸化物成形体、酸化物焼結体、および透明導電膜形成材料を提供する。
【解決手段】酸化物成形体は、酸化亜鉛を主成分とし、低原子価金属酸化物を含有した原料粉末に対して、ポリエチレンカーボネート樹脂またはポリプロピレンカーボネート樹脂をバインダー樹脂として添加した混合粉を用いて作製されたものである。 （もっと読む）

【課題】粗大な粒子が存在しない焼結体の製造に適した一酸化チタン粉末等の低原子価酸化チタン粉末、及びそれを用いて製造した酸化亜鉛系焼結体を提供する。
【解決手段】ＢＥＴ比表面積が１ｍ^２／ｇ以上１０ｍ^２／ｇ以下であり、レーザー回折・散乱法により測定した粒度分布における積算体積分率９０％粒径が５μｍ以下である一酸化チタン粉末等の低原子価酸化チタン粉末は、粉砕ボール径が１ｍｍφ以上１０ｍｍφ以下であるボールミルにより粉砕処理が施された後、目開きが５０μｍ以上１２０μｍ以下の篩にかけて選別されたものである。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットであって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能であり、特に、直流スパッタリング法で製造しても長時間安定して放電することが可能な直流放電安定性に優れた酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化スズと；Ａｌ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｉｎ、およびＴａよりなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ｍ金属）の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、面内方向および深さ方向の比抵抗をガウス分布で近似したとき、上記比抵抗の分散係数σが０．０２以下である。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有し、しかも、非常に優れた面内均一性をする酸化物半導体膜を成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であり、前記酸化物焼結体をＸ線回折し、２θ＝３４°近傍のＸＲＤピークの強度をＡ、２θ＝３１°近傍のＸＲＤピークの強度をＢ、２θ＝３５°近傍のＸＲＤピークの強度をＣ、２θ＝２６．５°近傍のＸＲＤピークの強度をＤで表したとき、下記式（１）を満足する。
［Ａ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ）］×１００≧７０ ・・・ （１） （もっと読む）