【課題】一層効率の良い新規なフィールドエミッションランプを提供することを目的とする。
【解決手段】真空空間内に形成された電子放出源、ゲート電極及び蛍光体層を備えた反射型フィールドエミッションランプであって、前記電子放出源は、透光性部材の表面に形成され、前記ゲート電極は、前記電子放出源に対して間隙を空けて覆うように形成され、
前記蛍光体層は、前記ゲート電極に対向するように配置された導電性部材の表面に形成され、前記電子放出源は、前記ゲート電極との間に電界が形成されて、電子線を放出し、前記蛍光体層は、前記ゲート電極との間に電界が形成されて、前記電子線が衝突することにより励起発光し、前記電子放出源は、前記透光性部材の表面に前記発光光線を通過させるスペースを形成するように配置され、該発光光線は該スペースを通過して外部に取り出される。 （もっと読む）

【課題】一層効率の良い新規なフィールドエミッションランプを提供することを目的とする。
【解決手段】真空空間内に形成された電子放出源、ゲート電極及び蛍光体層を備えた反射型フィールドエミッションランプであって、前記電子放出源は、間隙を空けて覆うように形成された前記ゲート電極との間に電界が形成されて、電子線を放出し、前記蛍光体層は、前記ゲート電極との間に電界が形成されて、前記電子線が衝突することにより励起発光し、前記電子放出源は、前記電子線が前記蛍光体層の表面に対して斜め方向から衝突し、且つ該蛍光体層からの発光光線を遮蔽しない場所に位置決めされている。 （もっと読む）

【課題】有害物質水銀を含まないワイドバンドギャップ半導体のAl_xGa_1-xN/AlN多重量子井戸（MQW）層を電子線で励起して励起状態の多重量子井戸から深紫外光を得る従来の深紫外光源において、有害なＸ線を阻止して、発光効率を高める。
【解決手段】深紫外光源は、AlN層４上に形成されたAl_0.7Ga_0.3N/AlN多重量子井戸層５、及びAl_0.7Ga_0.3N/AlN多重量子井戸層５上に形成されたアルミニウム（Al）メタルバック層６よりなる。電子放出源７より電子線ＥＢが照射されると、Al_0.7Ga_0.3N/AlN多重量子井戸層５が励起されて深紫外光ＤＵＶがサファイア（0001）基板１の光取り出し面Ｆより放射される。 （もっと読む）

【課題】輝点および輝度分布が均一な発光素子であって蛍光体がチャージアップして輝度が変化するのを抑制した発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子２０は、電子を放出する電子放出源２３と、陰極２２とを背面基板２１に備え、電磁波を受けて発光する蛍光体２６を前面基板２４に備える。発光素子２０は、電子放出源２３と蛍光体２６との間に、陰極２２に対する陽極であって電子放出源２３から放出された電子を受けて電磁波を放出する電磁波源２７を備える。発光素子２０は、電子放出源２３から電子が照射されると、照射された電子を受けた電磁波源２７から電磁波が放射状に放射され、この電磁波を受けて蛍光体２６が発光する。 （もっと読む）

【課題】有効電子線照射角度が大きい炭素膜つきワイヤ型基板を提供すること。
【解決手段】棒状の基板と、上記曲面上に形成された、ナノダイヤモンド／カーボンナノウォールを含む炭素膜とを備え、円筒型あるいは漏斗型のアノード電極の中心軸に上記炭素膜つきワイヤ型基板を配置し、アノード電極とワイヤ型基板の間に電圧を印加することで電子放出を行う際に、上記炭素膜からの有効電子線照射角度が３０°を超えて９５°以下であることを特徴とする炭素膜つきワイヤ型基板。 （もっと読む）

【課題】電子放出膜の電子放出特性及び印加電圧を変更することなく、カソード電極上の電子放出膜における電界強度を低い範囲とすることができ、蛍光体へ入射する入射電子線の密度を好ましい範囲とすることができる電界放出型光源を提供すること。
【解決手段】真空封止容器と、上記真空封止容器の中心軸に沿って配設された、棒状のサポート棒、及び、上記サポート棒の外周部に埋め込まれてなり、上記サポート棒から露出した部分に電子放出膜が形成された、１本又は複数本の棒状の電子放出部材とを備えたカソード電極とを備え、上記サポート棒の曲率半径をＤ、上記電子放出部材の曲率半径をｒとしたときに、Ｄ＞ｒであることを特徴とする、電界放出型光源。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的とするところは、カソード電極の断線が防止できるバックライトユニットおよびそれを備えたディスプレイ装置を提供することにある。
【解決手段】
バックライトユニットおよびそれを備えたディスプレイ装置が開示される。バックライトユニットは、蛍光体層とアノード電極を含む第１基板と、複数のカソード電極と複数の電子放出素子を含む第２基板とを含み、前記カソード電極のそれぞれは端子部および前記端子部から延長形成された複数の電極ストリップを含み、前記電極ストリップは前記電子放出素子の搭載された電子放出部および前記端子部と前記電子放出部との間に配置された接合部を含み、前記接合部の幅は前記端子部に近いほど大きい。 （もっと読む）

【課題】必要な熱放散能力を有し、高出力照明が可能な電界放出照明装置。
【解決手段】本願発明は、第１の電界放出カソードと、蛍光体層を備えているアノード構造物と、内部にアノード構造物と第１の電界放出カソードが配置された真空外囲容器と、を備える電界放出照明装置に関する。ここで、アノード構造物は、電圧がアノード構造物と第１の電界放出カソードの間に印加されるときに、第１の電界放出カソードによって発される電子を受け取り、真空チャンバーから外へ蛍光体層によって生成された光を反射するように構成される。本願発明の優位点は、電界放出照明装置の光出力の増加ととともに、低電力消費を含む。 （もっと読む）

発光ガラスおよび前記発光ガラス上に形成された金属微細構造を有する金属層を含む発光素子であって、前記発光ガラスが、化学組成：ａＲ_２Ｏ・ｂＺｎＯ・ｃＳｉＯ_２・ｎＭｎＯ_２（式中、Ｒはアルカリ金属元素を表し、ａ、ｂ、ｃ、およびｎは、それぞれ、９．５〜４０、８〜４０、３５〜７０、および０．０１〜１のモル部を表す）を有する。発光素子の製造方法および発光方法も提供される。該発光素子は、良好な発光均一性、高い発光効率、良好な発光安定性および単純構造を有し、超高輝度を有する発光装置に用いられうる。 （もっと読む）

本発明は、発光基体；および当該発光基体の表面上に形成される、金属微細組織を有する金属層；を含む発光素子を提供し、この際、発光基体は組成Ｙ_２ＳｉＯ_５：Ｔｂである発光材料を含む。本発明はまた、当該発光素子の製造方法および発光方法を提供する。本発明に係る発光素子は、発光の均一性が高い、発光の効率が高い、発光の安定性が良好であり、および構造が簡単であり、超高輝度の発光デバイスに応用することができる。 （もっと読む）