国際特許分類[H01L21/301]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | 21/20〜21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理 (43,387) | 半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する (3,878)
国際特許分類[H01L21/301]に分類される特許
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ダイシングマシンの溝切制御方法及び装置
半導体装置とその製造方法
半導体装置の製造方法及び半導体装置製造用金型及び半導体装置及びその実装方法
【課題】本発明はチップサイズパッケージ構造を有した半導体装置の製造方法及び半導体装置製造用金型及び半導体装置に関し、半導体装置の製造効率及び信頼性の向上を図ることを目的とする。
【解決手段】バンプ12が配設された複数の半導体素子11が形成された基板16を金型20のキャビティ28内に装着し、続いてバンプ12の配設位置に樹脂35を供給してバンプ12を封止し樹脂層13を形成する樹脂封止工程と、樹脂層13に覆われたバンプ12の少なくとも先端部を樹脂層13より露出させる突起電極露出工程と、基板16を樹脂層13と共に切断して個々の半導体素子11に分離する分離工程とを具備する。
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割り込み制御方法および装置
【目的】 割り込みをマスクする時間を最小限に留めて割り込み処理が発生した場合であっても、処理の応答性を高めることができるようにする。
【構成】 それぞれ優先度が設定されたメッセージを有し、オペレーティングシステムによって管理される多数のメッセージ群の中から特定のメッセージを検索し、特定のメッセージを検索したら割り込みを禁止した後に、割り込みを禁止する前に割り込み処理ルーチンが送信されたか否かを検知し、検索された特定のメッセージと割り込み処理ルーチンとの優先度を比較して優先度が高い方のメッセージの内容を送信する。
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半導体チップの吸着装置
【目的】 接触禁止領域を有する半導体チップを取り扱う場合に、接触禁止領域にダメージを与えることなく、しかもチップの傾きを生じさせることなく、半導体チップを吸着保持することができる半導体チップの吸着装置を提供する。
【構成】 一方の面に接触禁止領域2を有する半導体チップ1の側縁領域4に接触するチップ接触部11と、チップ接触部11の内側に形成された凹み部12と、凹み部12に連通して形成された吸気孔13とを備えた吸着コレット10を介して半導体チップ1を吸着保持する。
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半導体装置の製造方法
半導体装置の製造方法
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