【課題】異方性エッチングを利用して、１つの銅膜に配線パターンとビアパターンとを同時に形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】バリア膜１００上に、銅膜１０１を形成する工程と、銅膜１０１上に、第１のマスク材を形成する工程と、第１のマスク材をマスクに用いて、銅膜１０１をバリア膜１００が露出するまで異方的にエッチングする工程と、第１のマスク材を除去した後、異方的にエッチングされた銅膜１０１上に、第２のマスク材を形成する工程と、第２のマスク材をマスクに用いて、銅膜１０１をその途中まで異方的にエッチングする工程と、前記第２のマスク材を除去した後、異方的にエッチングされた銅膜１０１上に、絶縁物を堆積させ、異方的にエッチングされた銅膜１０１周囲に、層間絶縁膜１０６を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】２つのトランジスタを混載した半導体装置において、ダミー配線を介して配線間で短絡が発生するのを防止し、信頼性の高い混載デバイスを実現可能にする。
【解決手段】本発明の半導体装置は、微細ＣＭＯＳ４Ａと、微細ＣＭＯＳ４Ａに接続される微細配線１５とを有する微細ＣＭＯＳ領域と、微細ＣＭＯＳ４Ａよりも耐圧が高い高耐圧デバイス４Ｂと、高耐圧デバイス４Ｂに接続され、平面視において微細配線１５よりも配線幅が広いドレイン配線１１５及びソース配線１１６と、を有する高耐圧デバイス領域と、を具備し、高耐圧デバイス領域には、電気的に孤立したダミー配線１４が少なくともドレイン配線１１５及びソース配線１１６に隣接して配置されない。 （もっと読む）

【課題】スループット良く、銅を、異方的にエッチングすることが可能なエッチング方法を提供すること。
【解決手段】 表面にマスク材１０２が形成された銅膜１０１に、マスク材１０２をマスクに用いて酸素イオン６を照射し、銅膜１０１内に、銅膜１０１の厚さ方向の全てに対して異方的に酸化された酸化銅１０３を形成する工程と、異方的に酸化された酸化銅１０３をエッチングする工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】製造効率の向上、コストダウン、信頼性の向上、小型化を容易に実現させる。
【解決手段】各配線１１１ｈ，２１１ｈにおいて、第１半導体チップ１００および第２半導体チップ２００の側端部にて露出した側面を、導電層４０１で被覆される。これにより、導電層４０１によって両配線１１１ｈ，２１１ｈの間が電気的に接続させる。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で、所定の形状のタンタルと炭素との固相拡散接合を可能とし更に、タンタルと炭素の固相拡散接合を行う場所以外のタンタル表面に炭化物を形成する方法を提供する。
【解決手段】タンタル若しくはタンタル合金をチューブ状の形状に加工し、チューブの中に炭素粉末を圧入し、その後、チューブをコイル形状に加工した後に真空熱処理炉内に設置し、タンタル若しくはタンタル合金表面に形成されている自然酸化膜であるＴａ₂Ｏ₅を除去した後、タンタル若しくはタンタル合金チューブ内面と前記炭素粉末ＰＩＴを固相拡散結合で分子接合させるとともに、前記真空熱処理炉内に炭素源を導入してタンタル若しくはタンタル合金チューブの外表面に炭素を侵入させてＴａＣを形成する。 （もっと読む）

【課題】再配線間のリークを抑制しつつ、再配線のピッチを微細化するとともに、再配線上のビア開口時のマージンを上げる。
【解決手段】緩衝層４上には再配線７ｂが形成され、再配線７ｂ上には表面層８ｂが形成されている。表面層８ｂは、再配線７ｂから幅方向にはみ出すようにして再配線７ｂに沿うように配置され、再配線７ｂよりもエッチング耐性が高い。 （もっと読む）

【課題】配線構造における電気特性の向上を図る。
【解決手段】カーボンナノチューブ配線の製造方法は、第１導電層２００上に、絶縁膜１８を形成し、前記絶縁膜内に、前記絶縁膜を貫通するホール４０を形成し、前記ホール内の底面の前記第１導電層上および前記ホール内の側面の前記絶縁膜上に、触媒下地膜１９を形成し、前記ホール内の側面の前記触媒下地膜上に、触媒不活性膜２０を形成し、前記ホール内の底面の前記触媒下地膜上および前記ホール内の側面の前記触媒不活性膜上に、触媒膜２１を形成し、前記ホール内の底面の前記触媒膜上から複数のカーボンナノチューブ２２を成長させる。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ／Ｍｏ積層金属膜、Ｃｕ／Ｍｏ合金積層金属膜、Ｃｕ合金／Ｍｏ合金積層金属膜のような、銅又は銅合金の１層以上の銅層と、モリブデン又はモリブデン合金の１層以上のモリブデン層とを含む多重膜を、効率的で優秀に同時に一括してエッチングすることができるエッチング液組成物及びこれを用いた多重膜のエッチング方法を提供する。
【解決手段】エッチング液組成物は、総重量に対して、リン酸５０〜８０ｗｔ％；硝酸０．５〜１０ｗｔ％；酢酸５〜３０ｗｔ％；イミダゾール０．０１〜５ｗｔ％；及び残量の水を含む。添加剤イミダゾールは、銅／モリブデンガルバニック反応調節剤として機能する。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドの特性の劣化を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、ＬＳＩ基板１上に形成された第１の金属を含む再配線層８ａ、ｂおよび前記ＬＳＩ基板上に形成されたボンディングパッドとなる第２の金属を含むパッド電極２２を被覆するように、層間膜１０を形成する。前記層間膜のうち、前記再配線層に接続されるマイクロバンプを形成する領域およびボンディングワイヤが接続される領域に対応する部分を感光させ、アルカリ水溶液を含む第１のアルカリ現像液で現像することにより、前記再配線層が露出するように前記層間膜に第１の開口部１０ａを形成するとともに、前記パッド電極が露出するように前記層間膜に第２の開口部１０ｂを形成する。さらに、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドおよび多価アルコールを含む第２のアルカリ現像液で、前記層間膜の残りの露光された部分を現像する。 （もっと読む）

【課題】より低コストで、より信頼性の高いＭＩＭキャパシタを有する、より信頼性の高い半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本製造方法は、半導体基板ＳＵＢを準備する工程と、半導体基板ＳＵＢの一方の主表面上に、アルミニウム層ＡＣ１を有する第１の金属電極ＬＥＬ１と、第１の金属電極ＬＥＬ１上の誘電体層ＤＥＣと、誘電体層ＤＥＣ上の第２の金属電極ＵＥＬとを形成する工程とを備える。第１の金属電極ＬＥＬ１を形成する工程においては、表面がＲｍａｘ＜８０ｎｍ、Ｒｍｓ＜１０ｎｍ、Ｒａ＜９ｎｍの関係を満たすように、アルミニウム層ＡＣ１が形成される。第１の金属電極ＬＥＬ１を形成する工程には、少なくとも１層の第１のバリア層Ｔ１を形成する工程と、第１のバリア層Ｔ１上に、アルミニウム層ＡＣ１を形成する工程と、アルミニウム層ＡＣ１を構成する結晶を再結晶化する工程とを含んでいる。 （もっと読む）