国際特許分類[H01L35/34]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 異種材料の接合からなる熱電装置,すなわち他の熱電効果あるいは熱磁気効果を伴いまたは伴わないゼーベックまたはペルチェ効果を示すもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部 (3,132) | これらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (702)
国際特許分類[H01L35/34]に分類される特許
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ナノ粒子を含む二成分熱電材料及びその製造方法
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ナノ粒子を含む三成分熱電材料及びその製造方法
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ナノ粒子を含む三成分熱電材料及びその製造方法
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熱電変換素子、その製造方法、及び熱電変換モジュール
【課題】熱電材料からなる2個以上の粒子を直列に並べて接合してなる構造とされているにもかかわらず、従来品以上に機械的強度が改善された熱電変換素子の提供。
【解決手段】熱電変換モジュール1において、p型素子11及びn型素子12は、いずれも複数の粒子11a,12aを直列に並べて接合した構造とされている。しかも、粒子11a同士又は粒子12a同士が接合された接合部の周囲には、隆起部11b,12bが膨出している。隆起部11b,12bは、接合部の周囲全周にわたって連続する形状とされている。なお、隆起部11b,12bは、部分的に断続していてもよいが、その場合、一つの断続部分の周方向長さは、接合部の周囲半周分未満とされる。
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熱電変換モジュール
【課題】複数の粒子を一列に並べて隣り合う粒子同士を接合した構造とされた素子を利用しているにもかかわらず、衝撃や振動が伝わっても、隣り合う粒子同士の接合箇所が破断するのを抑制可能な熱電変換モジュールを提供すること。
【解決手段】熱電変換モジュール1において、p型素子11及びn型素子12は、いずれも複数の粒子を一列に並べて隣り合う粒子同士を接合した構造とされている。複数のp型素子11と複数のn型素子12との間には、それらの素子間に充填された樹脂組成物によって形成された補強部16が設けられている。個々のp型素子11及びn型素子12の構造は、くびれ部分で破断しやすい脆弱な構造となっているが、補強部16によってくびれ部分での破断が抑制される。
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熱電モジュール及びその製造方法
【課題】、シート形態の熱電素子からなる熱電モジュール及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によると、N型熱電材料からなるN型熱電シートとP型熱電材料からなるP型熱電シートとが上下方向に交互に複数個配置され、それぞれのN型熱電シートとP型熱電シートとの間に絶縁シート113が備えられた熱電積層体110と、熱電積層体110の左右側端に設けられた金属電極120と、金属電極120の外側面に設けられた基板130と、を含む。
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ホイスラー型鉄系熱電材料及びその製造方法
【課題】C含有に起因して特性が悪化する問題を解決し、熱電特性に優れたFe2VAl基のホイスラー型熱電材料を提供する。
【解決手段】下記式(1)で表されるFe2VAl基ホイスラー化合物にて熱電材料を構成する。そのホイスラー化合物母材内に不可避的不純物として含まれるCは0.15質量%以下とし、またC+O+Nは0.30質量%以下とする。(Fe1-aM1a)2−x−y(V1−bM2b)1+x(Al1−cM3c)1+y・・・式(1)但し、M1は3d,4d,5d遷移金属元素(Feを除く)からなる群から選ばれた1種以上の元素、M2は3d,4d,5d遷移金属元素(Vを除く)からなる群から選ばれた1種以上の元素、M3はIIIb(Alを除く),IVb(但しCを除く),Vb(但しNを除く)族元素からなる群から選ばれた1種以上の元素で、a≦0.2,b≦0.4,c≦0.4,|x|≦0.2,|y|≦0.2である。
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熱電変換素子及びその製造方法
【課題】優れた熱電変換性能を備えた熱電変換素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムの多孔質陽極酸化皮膜3を有する基板2上に、無機酸化物半導体を主成分として含有し且つ空隙構造を有する熱電変換層4を積層する。熱電変換層内に空隙構造が形成されると熱伝導率が低下すると共に導電率やゼーベック係数においても非常に優れたものとなる。前記無機酸化物半導体は、In2O3、SnO2、ZnO、SrTiO3、WO3、MoO3、In2O3−SnO2、フッ素ドープ酸化錫、アンチモンドープ酸化錫、アンチモンドープ酸化亜鉛、ガリウムドープ酸化亜鉛、In2O3−ZnO、及びガリウムドープIn2O3−ZnOからなる群より選ばれる。
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熱電変換素子及びその製造方法
【課題】優れた熱電変換性能を備えた熱電変換素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムの多孔質陽極酸化皮膜を有する基板上に、融点300℃以上の元素を主成分として含有し且つ空隙構造を有する熱電変換層を積層してなる熱電変換素子、及びその製造方法。
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熱電変換素子及びその製造方法
【課題】高いパワーファクターを実現することが可能な熱電変換素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】その表面にFDTS被膜6が形成されたガラス基板2の上層に、真空蒸着法によって膜厚が6nmのペンタセン薄膜3を成膜し、ペンタセン薄膜3の更に上層に真空蒸着法によって膜厚が2nmのF4−TCNQ薄膜4を成膜する。更に、F4−TCNQ薄膜4の上層には取り出し電極として膜厚が50nmのAu電極5を形成する。
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