シート状プローブおよびその応用
【課題】 絶縁層の厚みが大きく、径が小さい表面電極部を有する電極構造体を備えた、小さいピッチで電極が形成された回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、高い耐久性を有するシート状プローブを提供すること。
【解決手段】 電極構造体の各々は、絶縁層の表面に露出し、絶縁層の表面から突出し、その基端から先端に向かうに従って小径となる形状の表面電極部と、絶縁層の裏面に露出する裏面電極部と、表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸び、裏面電極部に連結された短絡部とよりなり、表面電極部の基端の径が、短絡部の表面電極部と接する側の端の径よりも大きいことを特徴とするシート状プローブを提供する。
【解決手段】 電極構造体の各々は、絶縁層の表面に露出し、絶縁層の表面から突出し、その基端から先端に向かうに従って小径となる形状の表面電極部と、絶縁層の裏面に露出する裏面電極部と、表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸び、裏面電極部に連結された短絡部とよりなり、表面電極部の基端の径が、短絡部の表面電極部と接する側の端の径よりも大きいことを特徴とするシート状プローブを提供する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば集積回路などの回路の電気的検査において、回路に対する電気的接続を行うためのプローブ装置として好適なシート状プローブおよびその応用に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、多数の集積回路が形成されたウエハや、半導体素子などの電子部品などの回路装置の電気的検査においては、被検査回路装置の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置された検査電極を有する検査用プローブが用いられている。
【０００３】
かかる検査用プローブとしては、従来、ピンまたはブレードよりなる検査電極が配列されてなるものが使用されている。
然るに、被検査回路装置が多数の集積回路が形成されたウエハである場合において、ウエハを検査するための検査用プローブを作製する場合には、非常に多数の検査電極を配列することが必要となるので、検査用プローブは極めて高価なものとなり、また、被検査電極のピッチが小さい場合には、検査用プローブを作製すること自体が困難となる。
【０００４】
更に、ウエハには、一般に反りが生じており、その反りの状態も製品（ウエハ）毎に異なるため、ウエハにおける多数の被検査電極に対して、検査用プローブの検査電極の各々を安定にかつ確実に接触させることは実際上困難である。
【０００５】
以上のような理由から、近年、ウエハに形成された集積回路を検査するための検査用プローブとして、一面に被検査電極のパターンに対応するパターンに従って複数の検査電極が形成された検査用回路基板と、この検査用回路基板の一面上に配置された異方導電性シートと、この異方導電性シート上に配置された、柔軟な絶縁性シートにその厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体が配列されてなるシート状プローブとを備えてなるものが提案されている（例えば特許文献１参照）。
【０００６】
図２５は、検査用回路基板８５、異方導電性シート８０およびシート状プローブ９０を備えてなる従来のプローブカードの一例における構成を示す説明用断面図である。
このプローブカードにおいては、一面に被検査回路装置の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って形成された多数の検査電極８６を有する検査用回路基板８５が設けられ、この検査用回路基板８５の一面上に、異方導電性シート８０を介してシート状プローブ９０が配置されている。
【０００７】
異方導電性シート８０は、厚み方向にのみ導電性を示すもの、または厚み方向に加圧されたときに厚み方向にのみ導電性を示す加圧導電性導電部を有するものであり、かかる異方導電性シートとしては、種々の構造のものが知られており、例えば特許文献２などには、金属粒子をエラストマー中に均一に分散して得られる異方導電性シート（以下、これを「分散型異方導電性シート」という。）が開示されている。
【０００８】
また、特許文献３などには、導電性磁性体粒子をエラストマー中に不均一に分布させることにより、厚み方向に伸びる多数の導電部と、これらを相互に絶縁する絶縁部とが形成されてなる異方導電性シート（以下、これを「偏在型異方導電性シート」という。）が開示されている。
【０００９】
さらに、特許文献４などには、導電部の表面と絶縁部との間に段差が形成された偏在型異方導電性シートが開示されている。
このようなシート状プローブ９０は、例えば樹脂よりなる柔軟な絶縁性シート９１を有し、この絶縁性シート９１に、その厚み方向に伸びる複数の電極構造体９５が被検査回路装置の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置されて構成されている。
【００１０】
この電極構造体９５の各々は、絶縁性シート９１の表面に露出する突起状の表面電極部９６と、絶縁性シート９１の裏面に露出する板状の裏面電極部９７とが、絶縁性シート９１をその厚み方向に貫通して伸びる短絡部９８を介して一体に連結されて構成されている。
【００１１】
このようなシート状プローブ９０は、一般に以下のようにして製造される。
先ず、図２６（ａ）に示したように、絶縁性シート９１の一面に金属層９２が形成されてなる積層体９０Ａを用意し、図２６（ｂ）に示したように、絶縁性シート９１にその厚み方向に貫通する貫通孔９８Ｈを形成する。
【００１２】
次いで、図２６（ｃ）に示したように、絶縁性シート９１の金属層９２上にレジスト膜９３を形成したうえで、金属層９２を共通電極として電解メッキ処理を施すことにより、絶縁性シート９１の貫通孔９８Ｈの内部に金属の堆積体が充填されて金属層９２に一体に連結された短絡部９８が形成されると共に、絶縁性シート９１の表面に、短絡部９８に一体に連結された突起状の表面電極部９６が形成される。
【００１３】
その後、金属層９２からレジスト膜９３を除去し、更に、図２６（ｄ）に示したように、表面電極部９６を含む絶縁性シート９１の表面にレジスト膜９４Ａを形成すると共に、金属層９２上に、形成すべき裏面電極部のパターンに対応するパターンに従ってレジスト膜９４Ｂを形成し、金属層９２に対してエッチング処理を施すことにより、図２６（ｅ）に示すように、金属層９２における露出する部分が除去されて裏面電極部９７が形成され、電極構造体９５が形成される。
【００１４】
そして、絶縁性シート９１および表面電極部９６上に形成されたレジスト膜９４Ａを除去すると共に、裏面電極部９７上に形成されたレジスト膜９３を除去することにより、シート状プローブ９０が得られる。
【００１５】
上記の検査用プローブにおいては、被検査回路装置に、例えばウエハの表面に、シート状プローブ９０における電極構造体９５の表面電極部９６がウエハの被検査電極上に位置するよう配置される。
【００１６】
そして、この状態で、ウエハが検査用プローブによって押圧されることにより、異方導電性シート８０が、シート状プローブ９０における電極構造体９５の裏面電極部９７によって押圧される。
【００１７】
これにより、異方導電性シート８０には、裏面電極部９７と検査用回路基板８５の検査電極８６との間にその厚み方向に導電路が形成され、その結果、ウエハの被検査電極と検査用回路基板８５の検査電極８６との電気的接続が達成される。
【００１８】
そして、この状態で、ウエハについて所要の電気的検査が実行される。
そして、このような検査用プローブによれば、ウエハが検査用プローブによって押圧されたときに、ウエハの反りの大きさに応じて異方導電性シート８０が変形するため、ウエハにおける多数の被検査電極の各々に対して良好な電気的接続を確実に達成することができる。
【００１９】
しかしながら、上記の検査用プローブにおいては、以下のような問題がある。
上記のシート状プローブ９０の製造方法における短絡部９８および表面電極部９６を形成する工程においては、電解メッキによるメッキ層が等方的に成長するため、図２７に示すように、得られる表面電極部９６においては、表面電極部９６の周縁から短絡部９８の周縁までの距離Ｗは、表面電極部９６の突出高さｈと同等の大きさとなる。
【００２０】
従って、得られる表面電極部９６の径Ｒは、突出高さｈの２倍を超えて相当に大きいものとなる。
そのため、被検査回路装置における被検査電極が微小で極めて小さいピッチで配置されてなるものである場合には、隣接する電極構造体９５間の離間距離を十分に確保することができず、その結果、得られるシート状プローブ９０においては、絶縁性シート９１による柔軟性が失われるため、被検査回路装置に対して安定した電気的接続を達成することが困難となる。
【００２１】
また、電解メッキ処理において、金属層９２の全面に対して電流密度分布が均一な電流を供給することは実際上困難であり、この電流密度分布の不均一性により、絶縁性シート９１の貫通孔９８Ｈ毎にメッキ層の成長速度が異なるため、形成される表面電極部９６の突出高さｈや、表面電極部９６の周縁から短絡部９８の周縁までの距離Ｗ、すなわち径Ｒに大きなバラツキが生じる。
【００２２】
そして、表面電極部９６の突出高さｈに大きなバラツキがある場合には、被検査回路装置に対して安定した電気的接続が困難となり、一方、表面電極部９６の径Ｒに大きなバラツキがある場合には、隣接する表面電極部９６同士が短絡する恐れがある。
【００２３】
以上において、表面電極部９６の突出高さｈを小さくする手段があり、この得られる表面電極部９６の径Ｒを小さくする手段としては、短絡部９８の径ｒ（断面形状が円形でない場合には、最短の長さを示す。）、すなわち絶縁性シート９１の貫通孔９８Ｈの径を小さくする手段が考えられる。
【００２４】
しかしながら、前者の手段によって得られるシート状プローブにおいては、被検査電極に対して安定な電気的接続を確実に達成することが困難となる。
一方、後者の手段では、電解メッキ処理によって短絡部９８および表面電極部９６を形成すること自体が困難となる。
【００２５】
このような問題を解決するため、特許文献５および特許文献６において、それぞれ基端から先端に向かって小径となるテーパ状の表面電極部を有する多数の電極構造体が配置されてなるシート状プローブが提案されている。
【００２６】
特許文献５に記載されたシート状プローブは、以下のようにして製造される。
図２８（ａ）に示したように、絶縁性シート９１の表面にレジスト膜９３Ａおよび表面側金属層９２Ａがこの順で形成され、絶縁性シート９１の裏面に裏面側金属層９２Ｂが積層されてなる積層体９０Ｂを用意する。
【００２７】
そして、図２８（ｂ）に示したように、この積層体９０Ｂにおける裏面側金属層９２Ｂ、絶縁性シート９１およびレジスト膜９３Ａの各々に互いに連通する厚み方向に伸びる貫通孔を形成する。
【００２８】
これによって、積層体９０Ｂの裏面に、形成すべき電極構造体の短絡部および表面電極部に適合するテーパ状の形態を有する電極構造体形成用凹所９０Ｋを形成する。
次いで、図２８（ｃ）に示したように、この積層体９０Ｂにおける表面側金属層９２Ａを電極としてメッキ処理することにより、電極構造体形成用凹所９０Ｋに金属を充填して
表面電極部９６および短絡部９８を形成する。
【００２９】
そして、この積層体における裏面側金属層９２Ｂにエッチング処理を施してその一部を除去することにより、図２８（ｄ）に示したように、裏面電極部９７を形成し、シート状プローブ９０が得られる。
【００３０】
また、特許文献６に記載されたシート状プローブは、以下のようにして製造される。
図２９（ａ）に示したように、形成すべきシート状プローブにおける絶縁性シートより大きい厚みを有する絶縁性シート材９１Ａの表面に表面側金属層９２Ａが形成され、絶縁性シート材９１Ａの裏面に裏面側金属層９２Ｂが積層されてなる積層体９０Ｃを用意する。
【００３１】
そして、図２９（ｂ）に示したように、この積層体９０Ｃにおける裏面側金属層９２Ｂおよび絶縁性シート材９１Ａの各々に互いに連通する厚み方向に伸びる貫通孔を形成することにより、積層体９０Ｃの裏面に、形成すべき電極構造体の短絡部および表面電極部に適合するテーパ状の形態を有する電極構造体形成用凹所９０Ｋを形成する。
【００３２】
次いで、この積層体９０Ｃにおける表面側金属層９２Ａを電極としてメッキ処理することにより、図２９（ｃ）に示したように、電極構造体形成用凹所９０Ｋに金属を充填して表面電極部９６および短絡部９８を形成する。
【００３３】
その後、この積層体９０Ｃにおける表面側金属層９２Ａを除去すると共に、絶縁性シート材９１Ａをエッチング処理して絶縁性シートの表面側部分を除去することにより、図２９（ｄ）に示したように、所要の厚みの絶縁性シート材９１Ａを形成すると共に、表面電極部９６を露出させる。
【００３４】
そして、裏面側金属層９２Ｂをエッチング処理することにより、裏面電極部９７を形成し、図２９（ｅ）に示したようにシート状プローブ９０が得られる。
このようなシート状プローブ９０によれば、表面電極部９６がテーパ状のものであるため、径が小さくて突出高さが高い表面電極部９６を、隣接する電極構造体の表面電極部９６との離間距離が十分に確保された状態で形成することができる。
【００３５】
また、電極構造体９５の各々の表面電極部９６は、積層体に形成された電極構造体形成用凹所９０Ｋをキャビティとして成形されるため、表面電極部９６の突出高さのバラツキが小さい電極構造体９５が得られる。
【００３６】
さらに、このようなシート状プローブ９０の絶縁性シート９１の周縁部には、図３０に示したように、その剛性により絶縁性シート９１を支持する、例えばセラミックスなどからなる平板リング状の支持板９９が設けられている。
【００３７】
これらは図３１に示したように接着剤１００により支持板９９と絶縁性シート９１とが接着固定されている。
【特許文献１】特開平７−２３１０１９号公報
【特許文献２】特開昭５１−９３３９３号公報
【特許文献３】特開昭５３−１４７７７２号公報
【特許文献４】特開昭６１−２５０９０６号公報
【特許文献５】特開平１１−３２６３７８号公報
【特許文献６】特開２００２−１９６０１８号公報
【特許文献７】特開２００４−１７２５８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３８】
しかしながら、これらのシート状プローブにおいては、電極構造体における表面電極部の径が短絡部の径すなわち絶縁性シートに形成された貫通孔の径と同等またはそれより小さいものであるため、電極構造体が絶縁性シートの裏面から脱落してしまい、シート状プローブを実際上使用することは困難である。
【００３９】
この問題点を解決するために、例えば、特許文献７に示される径が小さいテーパ状の電極構造体における表面電極部側に保持部を有し、電極構造体が絶縁性シートの裏面から脱落することを防止したシート状プローブが提案されている。
【００４０】
特許文献７に記載されたシート状プローブは、以下のようにして製造される。
図３２（ａ）に示したように、表面側金属層９２Ａ、絶縁性シート１１、第１の裏面側金属層９２Ｃ、絶縁層１８Ｂ、第２の裏面側金属層９２Ｂからなる５層の積層材料を用意する。
【００４１】
さらに図３２（ｂ）に示したように、この積層体９０Ｃにおける第２の裏面側金属層９２Ｂに開口部９２Ｈを設け、この開口部９２Ｈより絶縁層１８Ｂにエッチングを行い絶縁層１８Ｂに貫通孔を設ける。
【００４２】
次に絶縁層１８Ｂの貫通孔の底部に露出した第１の裏面側金属層９２Ｃにエッチングを行って絶縁性シート１１をその貫通孔の底部に露出させる。
そして第１の裏面側金属層９２Ｃの貫通孔を通じて絶縁性シート１１にエッチングを行い貫通孔の底部に表面側金属層９２Ａを露出させる。
【００４３】
このように金属層と樹脂層（絶縁層１８Ｂ、絶縁性シート１１）を交互にエッチングを行うことによって、第２の裏面側金属層９２Ｂ、絶縁層１８Ｂ、第１の裏面側金属層９２Ｃ、絶縁性シート１１の各々に互いに連通する厚み方向に伸びる貫通孔を形成する。
【００４４】
さらに積層体９０Ｃの裏面に、形成すべき電極構造体９５の短絡部９８および表面電極部９６に適合するテーパ状の形態を有する電極構造体形成用凹所９０Ｋを形成する。
次いで、この積層体９０Ｃにおける表面側金属層９２Ａを電極としてメッキ処理することにより、図３２（ｃ）に示すように、電極構造体形成用凹所９０Ｋに金属を充填して表面電極部９６および短絡部９８を形成する。
【００４５】
その後、この積層体９０Ｃにおける表面側金属層９２Ａを除去すると共に、絶縁性シート１１をエッチング処理して絶縁性シート１１を除去して第１の裏面側金属層９２Ｃを露出させる（図３２（ｄ））。
【００４６】
そして、第１の裏面側金属層９２Ｃをエッチング処理して保持部９２Ｄを形成するとともに、第２の裏面側金属層９２Ｂをエッチング処理してその一部を除去することにより、裏面電極部９７および支持部９２Ｅを形成し、図３２（ｅ）に示したようにシート状プローブ９０が得られる。
【００４７】
しかし、この製造方法により得られるシート状プローブにおいては、積層体９０Ｃの裏面に、形成すべき電極構造体の短絡部および表面電極部に適合するテーパ状の形態を有する電極構造体形成用凹所９０Ｋを形成するので、電極構造体形成用凹所の先端径９２Ｔは積層体９０Ｃの裏面に形成した開口部９２Ｈの径より小さなものとなる。
【００４８】
そして、特許文献７のシート状プローブの作製工程では、ポリイミド等の絶縁層に対し
て電極構造体を形成するための貫通孔を形成している。
この貫通孔は、図３３に示したように、第２の裏面側金属層９２Ｂの片面に、貫通孔を形成する部分に開口部９２Ｈを有するフォトレジスト膜８３のパターンを形成し、シート全体をエッチング液に浸漬してエッチングを行うことにより、ポリイミドから構成される絶縁層１８Ｂ、絶縁性シート１１に貫通孔を形成することにより得ることができる。
【００４９】
この方法では、絶縁性シート１１に積層された表面側金属層９２Ａが底面に露出した貫通孔８１ａが形成され、この表面側金属層９２Ａを共通電極として電解メッキを行う工程を経て、電極構造体が形成される。
【００５０】
しかし、ポリイミドから構成される絶縁層１８Ｂ、絶縁性シート１１に対してエッチングにより貫通孔を形成する場合、図３３に示したように貫通孔８１ａはテーパ状となり、奥に行くほどその径が次第に小さくなる。
【００５１】
このため、膜厚の厚いポリイミド膜を用いると、表面側金属層９２Ａまで到達する前に孔が閉じてしまい、貫通孔８１ａが形成できない。
すなわち、従来のように、電極構造体を形成するための貫通孔を、ポリイミドの絶縁層にエッチング加工により形成しようとすると、フォトレジスト膜８３により表面が覆われた絶縁層１８Ｂの膜厚ｔ１と絶縁性シート１１の膜厚ｔ２が厚くなると、表面側金属層９２Ａまでの間に貫通孔８１ａが形成されないという問題があった。
【００５２】
すなわち、エッチング処理でのエッチング処理角度θは、加工条件により異なるとされているが、一般的に４５°〜５５°と言われている。
このため絶縁層１８Ｂと絶縁性シート１１の膜厚ｔ１とｔ２の合計の膜厚は、開口径φ１の１／２程度以下でなければ、絶縁層に確実に貫通孔８１ａを開けることができない。
【００５３】
そのため、確実に貫通孔８１ａを形成するためには、絶縁層１８Ｂの膜厚ｔ１、または絶縁性シート１１の膜厚ｔ２を小さくする必要があり、そのため突起高さの大きい表面電極部を形成することが困難な場合があった。
【００５４】
被検査対象であるウエハの電極ピッチの狭小化に伴いシート状プローブの電極構造体の配置ピッチも短くなり、現状では通常１００〜１２０μｍであるが、将来的には例えば１００μｍ未満、さらには８０μｍ以下まで短くする必要があると考えられる。
【００５５】
一方で、隣接する電極構造体間の絶縁性を確保するためには、これらの間の絶縁部の幅（電極構造体の配置ピッチと開口径φ１との差）として、例えば４０〜５０μｍが必要とされる。
【００５６】
ポリイミド膜の強度を確保するために幅の大きなポリイミド膜を使用する場合、エッチングにより貫通孔を形成するためには、上記したように開口径φ１を大きくする必要があるが、電極構造体の配置ピッチを一定として開口径φ１を大きくしていくと、隣接する電極構造体間の絶縁性が確保できなくなる。
【００５７】
このため、電極構造体の配置ピッチを小さくすると、ポリイミド膜の膜厚が制限され、例えば電極構造体の配置ピッチを１２０μｍ、貫通孔８１ａの開口径φ１を７０μｍとする場合、使用するポリイミド膜の膜厚ｔを３５μｍ以下とする必要があり、底面側の開口径φ２をある程度以上とするためには膜厚ｔをさらに小さくしなければならない。
【００５８】
また、仮にポリイミド膜の強度を上げるため５０μｍ厚のポリイミド膜を使用したいとすると、貫通孔８１ａの開口径φ１を１００μｍ以上にしなければならず、製造される電
極構造体の隣接するポリイミド膜間の絶縁性の確立が困難となるため、ポリイミド膜の膜厚にあわせて、開口径φ１を大きくすることは不可能である。
【００５９】
図３３のようなテーパ状の貫通孔８１ａに電極構造体を形成した場合、エッチング方向奥側の開口径φ２が小さいと電気抵抗値が増加するため、この小径部分の開口径φ２はできるだけ大きいことが望ましい。
【００６０】
さらに、この小径部分の開口径φ２が小さいと、この小径部分が電気抵抗値へ影響するため、シート状プローブに設けられた各電極構造体間での電気的抵抗値のバラツキが大きくなることも懸念される。
【００６１】
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、
本発明の目的は、径が小さい表面電極部を有する電極構造体を形成することが可能で、１６０μｍ以下、更に１２０μｍ以下、特に１００μｍ以下の小さいピッチで電極が形成された回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、電極構造体が絶縁層から脱落することがなくて高い耐久性が得られるシート状プローブを提供することにある。
【００６２】
本発明の目的は、絶縁層の厚みが大きく、径が小さい表面電極部を有する電極構造体を備えた、小さいピッチで電極が形成された回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、高い耐久性を有するシート状プローブを提供することにある。
【００６３】
本発明の目的は、突出高さのバラツキが小さい表面電極部を有する電極構造体を形成することができ、小さいピッチで電極が形成された回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、電極構造体が絶縁層から脱落することのなくて高い耐久性が得られるシート状プローブを提供することにある。
【００６４】
また、本発明は、検査対象が、直径が８インチ以上の大面積のウエハや被検査電極のピッチが１００μｍ以下の極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験において、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを確実に防止し、これにより良好な電気的接続状態を安定に維持することができるシート状プローブを提供することを目的としている。
【００６５】
本発明の目的は、厚みの大きい絶縁層よりなるシート状プローブにおいて表面電極部の先端径や基端径を所望の径に調整できるシート状プローブを提供することにある。
【００６６】
本発明の目的は、上記のシート状プローブを備えたプローブカードを提供することにある。
本発明の目的は、上記のプローブカードを備えた回路装置の検査装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００６７】
本発明のシート状プローブは、
絶縁層と、
この絶縁層にその面方向に互いに離間して配置された、前記絶縁層の厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体を備えた接点膜を有するシート状プローブであって、
前記電極構造体の各々は、
前記絶縁層の表面に露出し、前記絶縁層の表面から突出し、その基端から先端に向かうに従って小径となる形状の表面電極部と、
前記絶縁層の裏面に露出する裏面電極部と、
前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸び、前記裏面電極部に連結された短絡部とよりなり、
前記表面電極部の基端の径が、前記短絡部の表面電極部と接する側の端の径よりも大きいことを特徴とする。
【００６８】
本発明のシート状プローブは、
前記表面電極部は先端部分と基端部分とにより形成され、前記先端部分の側面の傾斜角と基端部分の側面の傾斜角度が異なることを特徴とする。
【００６９】
本発明のシート状プローブは、
前記表面電極部の先端部分と基端部分が異なる金属により形成されていることを特徴とする。
【００７０】
本発明のプローブカードは、
検査対象である回路装置とテスターとの電気的接続を行うためのプローブカードであって、
検査対象である回路装置の被検査電極に対応して複数の検査電極が形成された検査用回路基板と、
この検査用回路基板上に配置された異方導電性コネクターと、
この異方導電性コネクター上に配置された上記のいずれかに記載のシート状プローブと、 を備えてなることを特徴とする。
【００７１】
本発明のプローブカードは、
検査対象である回路装置が多数の集積回路が形成されたウエハであり、
異方導電性コネクターは、
検査対象であるウエハに形成された全ての集積回路または一部の集積回路における被検査電極が配置された電極領域に対応して複数の開口が形成されたフレーム板と、
このフレーム板の各開口を塞ぐよう配置された異方導電性シートと、
を有してなることを特徴とする。
【００７２】
本発明の回路装置の検査装置は、
上記のプローブカードを備えてなることを特徴とする。
本発明のウエハ検査方法は、
複数の集積回路が形成されたウエハの各集積回路を、
上記のいずれかに記載のプローブカードを介してテスターに電気的に接続し、
前記各集積回路の電気検査を行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００７３】
本発明のシート状プローブによれば、電極構造体の表面電極部の基端の径が、短絡部の表面電極部と接する側の端の径よりも大きい構造となっているため、表面電極部の径が小さいものであっても、電極構造体が絶縁層から脱落することがなくて高い耐久性が得られる。
【００７４】
本発明のシート状プローブによれば、電極構造体の表面電極部は、先端部分と基端部分とにより形成され、前記先端部分と基端部分の側面の傾斜角度が異なるため、先端部分の側面の傾斜角度を大きくすることにより先端部分の突出高さを大きくしつつその先端の径を適度な大きくすることができ、基端部分の側面の傾斜角度を小さくすることにより基端部分の絶縁層との接触部分の径すなわち基端の径を大きくすることができる。
【００７５】
これにより表面電極部の基端の径が、短絡部の表面電極部と接する側の端の径よりも大
きい構造を容易に形成できるとともに、表面電極部の突出高さが大きいものとなるため、シート状プローブは表面電極部の径が小さいものであっても、電極構造体が絶縁層から脱落することがなくて高い耐久性が得られる。
【００７６】
そして、表面電極部の径が小さく突出高さが大きいので、例えば被検査物の被検査電極の周囲が厚い保護膜で覆われて被検査電極が接触しにくい構造のものであっても、電気的な接続が容易に行われる。
【００７７】
本発明のシート状プローブによれば、検査対象が、直径が８インチ以上の大面積のウエハで、被検査電極のピッチが１２０μｍ以下の小さい回路装置であっても、表面電極部の先端の径を適度な大きさで突出高さの大きく、表面電極部の径が短絡部の径より大きくても隣接する電極構造体間の絶縁性が確保され、そして絶縁層の厚みの大きいものとなるので、電極構造体が絶縁層から脱落することがなく、絶縁層の強度が大きいので高い耐久性が得られる。
【００７８】
本発明のシート状プローブによれば、絶縁層が開口径の１／２以上の厚さであっても開口径を広げる必要がなく、さらに、開口径を広げることができない場合においても電極構造体の裏面電極形成用金属シート部材上に立設するように短絡部を形成し、この高さを絶縁層の開口径の１／２以上の高さに設定することにより、エッチング処理をする必要の有る厚さを、絶縁層の１／２以下の厚さとすることにより、良好な電気的接続状態を安定に維持することができるシート状プローブを提供することができる。
【００７９】
本発明のプローブカードによれば、上記のシート状プローブを具えてなるため、小さいピッチで電極が形成された回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、シート状プローブにおける電極構造体が脱落することがなく、検査対象が、直径が８インチ以上の大面積のウエハで、被検査電極のピッチが極めて小さく、絶縁層により周囲を囲まれた接触しにくい被検査電極を有する回路装置であっても、良好な電気的接続状態を安定に維持することができるので、高い耐久性が得られる。
【００８０】
本発明の回路装置の検査装置によれば、上記のプローブカードを備えてなるため、小さいピッチで被検査電極が形成され、被検査電極が絶縁層により周囲を囲まれた回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、多数の回路装置の検査を行う場合でも、長期間にわたって信頼性の高い検査を実行することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００８１】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
＜シート状プローブ＞
図１は、本発明のシート状プローブの他の実施形態を示した図であり、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）はＸ−Ｘ線による断面図、図２は、図１のシート状プローブにおける接点膜を拡大して示した平面図、図３は、本発明に係るシート状プローブにおける構造を示す説明用断面図、図４は、本発明に係るシート状プローブの電極構造体を拡大して示す説明用断面図である。
【００８２】
本実施形態のシート状プローブ１０は、複数の集積回路が形成された８インチなどのウエハについて、各集積回路の電気検査をウエハの状態で行うために用いられる。
このシート状プローブ１０は、図１（ａ）に示したように、被検査対象であるウエハ上の各集積回路に対応する各位置に貫通孔が形成された支持体２５を有し、この貫通孔内には接点膜９が配置されている。
【００８３】
接点膜９は、支持体２５の貫通孔周辺の支持部２７で、支持体２５に支持されている。
この支持部２７は、図１（ｂ）に示したように支持体２５の上に絶縁膜からなる接点膜９が形成され、この支持体２５によって接点膜９が支持されている。
【００８４】
接点膜９は、図２に示したように、柔軟な絶縁層１８Ｂに電極構造体１５が貫通形成された構造になっている。
また、図３に示したシート状プローブ１０は、回路装置の電気的検査を行うためのプローブに用いられるものであって、柔軟な絶縁層１８Ｂと支持体２５を有し、この絶縁層１８Ｂには、前記絶縁層１８Ｂの厚み方向に伸びる金属よりなる複数の電極構造体１５が、検査対象である回路装置の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って、前記絶縁層１８Ｂの面方向に互いに離間して配置されている。
【００８５】
電極構造体１５の各々は、絶縁層１８Ｂの表面に露出し、前記絶縁層１８Ｂの表面から突出する突起状の表面電極部１６と、絶縁層１８Ｂの裏面に露出する矩形の平板状の裏面電極部１７と、表面電極部１６の基端から連続して前記絶縁層１８Ｂをその厚み方向に貫通して伸びて裏面電極部１７に連結された短絡部１８とにより構成されている。
【００８６】
この例の電極構造体１５においては、図４に示したように表面電極部１６は、短絡部１８に連続して絶縁層１８Ｂに接する基端から先端に向かうに従って小径となる円錐台状の基端部１６Ｃと、この基端部１６Ｃに連続して先端に向かうに従って小径となる円錐台状の先端部１６Ｂとにより構成されている。
【００８７】
そして、表面電極部１６の基端に連続する短絡部１８が、絶縁層１８Ｂの他面から一面に向かうに従って小径となるテーパ状とされており、表面電極部１６の基端部１６Ｃの基端の径Ｒ６が、基端に連続する短絡部１８の一端の径Ｒ２より大きくなっている。
【００８８】
また、表面電極部１６の基端部１６Ｃは、絶縁層１８Ｂに接する基端から先端に向かうに従って小径となり、その側面の傾斜角度ｃとする。
そして、表面電極部の先端部１６Ｂは基端部１６Ｃに連続し、先端に向かうに従って小径となり、その側面の傾斜角度ｂとする。
【００８９】
この基端部１６Ｃの側面の傾斜角度ｃと、先端部１６Ｂの傾斜角度ｂとは、角度が異なっており、本実施例においては先端部１６Ｂの側面の傾斜角度ｂは、基端部１６Ｃの側面の傾斜角度ｃより小さくなっている。
【００９０】
また、絶縁層１８Ｂとしては、絶縁性を有する柔軟なものであれば特に限定されるものではなく、例えばポリイミド樹脂、液晶ポリマー、ポリエステルなどを用いることができるが、短絡部１８を形成するための貫通孔をエッチングにより容易に形成することができる点で、エッチング可能な材料よりなることが好ましく、特にポリイミドが好ましい。
【００９１】
また、絶縁層１８Ｂの厚みｄは、前記絶縁層１８Ｂが柔軟なものであれば特に限定されないが、５〜１００μｍであることが好ましく、より好ましくは１０〜５０μｍである。
さらに、支持体２５は絶縁層１８Ｂと一体的に設けられるもので、絶縁層１８Ｂと積層された状態で絶縁性シートの表面に設けられてもよく、絶縁性シートに中間層として含まれてもよい。
【００９２】
そして支持体２５は、電極構造体１５とは離間して配置され、電極構造体１５と支持体２５は絶縁性シート１１により連結されるので、電極構造体１５と支持体２５は電気的には絶縁されている。
【００９３】
また、後述するシート状プローブの製造方法によれば、支持体２５は第２の裏面側金属
層１７Ａの一部を除去することにより形成されるものである。
支持体２５を構成する金属としては、鉄、銅、ニッケル、チタンまたはこれらの合金若しくは合金鋼を用いることができるが、エッチング処理によって容易に開口部を形成できる点で、４２合金、インバー、コバールなどの鉄−ニッケル合金鋼や銅、ニッケルおよびこれらの合金が好ましい。
【００９４】
また、支持体２５としては、その線熱膨張係数が３×０-5／Ｋ以下のものを用いることが好ましく、より好ましくは−１×１０-7〜１×１０-5／Ｋ、特に好ましくは−１×１０-6〜８×１０-6／Ｋである。
【００９５】
このような支持体２５を構成する材料の具体例としては、インバーなどのインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合金、スーパーインバー、コバール、４２合金などの合金または合金鋼が挙げられる。
【００９６】
支持体２５の厚みは、３〜１００μｍであることが好ましく、より好ましくは５〜５０μｍである。
この厚みが過小である場合には、シート状プローブを支持する支持体として必要な強度が得られないことがある。
【００９７】
一方、この厚みが過大である場合には、支持体を絶縁層の内部に有する構造とする場合に絶縁層の厚みも大きいものとなり、その結果、絶縁層の貫通孔の形成が困難となることがある。
【００９８】
また、絶縁性シートをエッチングなどにより、図５（ａ）、（ｂ）示したように、多数の接点膜９に分離して支持体２５に支持させてもよい。
この場合、支持体２５の各々の開口部２６に電極構造体１５を保持する柔軟な接点膜９が互いに独立した状態（図５（ａ））、部分的に独立した状態（図５（ｂ））で配置される。
【００９９】
接点膜９の各々は、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、柔軟な絶縁層１８Ｂを有し、この絶縁層１８Ｂには、当絶縁層１８Ｂの厚み方向に伸びる金属よりなる複数の電極構造体１５が、検査対象であるウエハの電極領域における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って、絶縁層１８Ｂの面方向に互いに離間して配置されており、接点膜９は、支持体２５の開口部内に位置するよう配置されている。
【０１００】
電極構造体１５を構成する金属としては、ニッケル、銅、金、銀、パラジウム、鉄などを用いることができ、電極構造体１５としては、全体が単一の金属よりなるものであっても、２種以上の金属の合金よりなるものまたは２種以上の金属が積層されてなるものであってもよく、表面電極部１６と短絡部１８が異なる金属により構成されてもよい。
【０１０１】
そして、表面電極部の先端部１６Ｂと基端部１６Ｃが異なる金属により構成されてもよい。
先端部１６Ｂを構成する金属を、耐拡散性金属であるロジウム、パラジウム、銀、タングステン、白金およびこれらを含有する合金とすることで、被検査電極が例えば易拡散性金属のスズなどにより構成されている場合に、電極構造体に対する前記易拡散性金属による金属拡散を確実に抑止することができ、これにより、長期間にわたって高い接触信頼性を保持することができる。
【０１０２】
先端部１６Ｂにビッカース硬度（Ｈｖ）が４０以上の高導電性金属を用いることで、繰り返し検査使用時における電極構造体の表面電極部の変形を抑制することができ、これに
より、長期間にわたって高い接触信頼性を保持することができる。
【０１０３】
ビッカース硬度（Ｈｖ）が４０以上の高導電性金属としては、パラジュウム、ロジウム、ルテニウム、イリジュウム、白金、タングステン、ニッケル、コバルト、クロムまたはこれらの合金などを用いることができ、これらの中では、化学的に安定でかつ高い導電率を有する点でパラジュウム、ロジウム、ルテニウム、イリジュウム、白金を用いるが好ましい。
【０１０４】
また、ビッカース硬度（Ｈｖ）が４０以上の金属と金との合金としては、金・パラジュウム合金、金・銅合金、白金・金合金、ニッケルやコバルトを０．１〜１．０％含有する硬質金などを用いることができ、これらの中では、化学的に安定でかつ高い導電率を有する点で、金・パラジュウム合金、ニッケルやコバルトを０．１〜１．０％含有する硬質金を用いることが好ましい。
【０１０５】
電極構造体１５において、表面電極部１６の基端における径Ｒ１に対する先端における径Ｒ２の比（Ｒ２／Ｒ１）は、０．１１〜１であることが好ましく、より好ましくは０．１５〜０．９である。
【０１０６】
電極構造体１５の配置ピッチは、接続すべき回路装置の被検査電極のピッチと同一のものとされるが、４０〜１６０μｍピッチであることが好ましく、４０〜１２０μｍであることがより好ましく、特に４０〜１００μｍでることが好ましい。
【０１０７】
このような条件を満足することにより接続すべき回路装置は、ピッチが１２０μｍ以下の小さくて微小な電極を有するものや、ピッチが１００μｍ以下の極めて小さい微小な電極を有するものであっても、回路装置に対して安定な電気的接続状態が確実に得られる。
【０１０８】
また、表面電極部の基端部１６Ｃの基端の径Ｒ６は、電極構造体１５のピッチの３０〜７０％であることが好ましく、より好ましくは３５〜６０％である。
また、表面電極部の基端部１６Ｃの基端の径Ｒ６に対する突出高さｈ（Ｈ１＋Ｈ２）の比ｈ／Ｒ６は、０．４〜１．５であることが好ましく、より好ましくは０．５〜１．２である。
【０１０９】
このような条件を満足することにより接続すべき回路装置は、ピッチが１２０μｍ以下の小さくて微小な電極を有するものや、ピッチが１００μｍ以下の極めて小さい微小な電極を有するものであっても、電極のパターンに対応するパターンの電極構造体１５を容易に形成することができ、回路装置に対して安定な電気的接続状態が一層確実に得られる。
【０１１０】
表面電極部の先端部１６Ｂの径Ｒ２は、上記の条件や接続すべき電極の直径などを勘案して設定されるが、例えば５〜８０μｍであり、好ましくは２０〜６０μｍである。
表面電極部１６の突出高さｈ（Ｈ１＋Ｈ２）の高さは、接続すべき電極に対して安定な電気的接続を達成することができる点で、１５〜８０μｍであることが好ましく、より好ましくは２０〜６０μｍである。
【０１１１】
表面電極部の基端部１６Ｃの突出高さＨ２は、表面電極部が接続すべき電極に対して安定な電気的接続を達成することができる点、および電極構造体１５が絶縁層１８Ｂからの脱落を防止できる点で、４〜３０μｍであることが好ましく、より好ましくは５〜２０μｍである。
【０１１２】
表面電極部の先端部１６Ｂの突出高さＨ１は、表面電極部が接続すべき電極に対して安定な電気的接続を達成することができる点、および表面電極部の先端の強度を保持し、繰
り返し使用時の変形を抑制できる点で、１０〜５０μｍであることが好ましく、より好ましくは１５〜４０μｍである。
【０１１３】
表面電極部の基端部１６Ｃの側面の傾斜角度ｃは、３０°〜６０°が好ましく、より好ましくは４０°〜５５°である。
この角度は、例えばポリイミド層にエッチング液を用いてエッチング孔を形成し、これに金属をメッキなどの手段で充填することにより容易に形成することができる。
【０１１４】
表面電極部の先端部１６Ｂの側面の傾斜角度ｂは、７０°〜９０°が好ましく、より好ましくは８０°〜８５°である。
この角度は、例えばポリイミド層にレーザー加工を行って貫通孔を形成したり、あるいはレジスト層に露光を行ってパターン孔を形成し、これに金属をメッキなどの手段で充填することにより容易に達成することができる。
【０１１５】
また、裏面電極部１７の外径Ｒ５は、裏面電極部１７に連結された短絡部１８の絶縁層１８Ｂの裏面側の径Ｒ４より大きく、かつ、電極構造体１５のピッチより小さいものであればよいが、可能な限り大きいものであることが好ましく、これにより、例えば異方導電性シートに対しても安定な電気的接続を確実に達成することができる。
【０１１６】
また、裏面電極部１７の厚みｄ２は、強度が十分に高くて優れた繰り返し耐久性が得られる点で、１０〜８０μｍであることが好ましく、より好ましくは１２〜６０μｍである。
【０１１７】
また、短絡部１８の絶縁層１８Ｂの裏面側の径Ｒ４に対する絶縁層１８Ｂの表面側の径Ｒ３の比Ｒ３／Ｒ４は、０．２〜１であることが好ましく、より好ましくは０．３〜０．９である。
【０１１８】
また、短絡部１８の絶縁層１８Ｂの表面側の径Ｒ３は、電極構造体１５のピッチの１０〜５０％であることが好ましく、より好ましくは１５〜４５％である。
また、本発明のシート状プローブ１０においては、図６（ａ）に示したように、支持体２５によって絶縁層１８Ｂを支持する構造の他、図６（ｂ）に示したように絶縁層１８Ｂ中に多孔膜２４を有する構造も可能である。
【０１１９】
なお、図６（ｂ）に示したシート状プローブ１０の構造は、図７に示した通りである。
図７に示した本発明のシート状プローブ１０の製造方法については、絶縁層１８Ｂを支持体２５で支持するか、多孔膜２４で支持するかの違い以外は、基本的に同じ構成である。
【０１２０】
また、図７に示した、絶縁層１８Ｂを多孔膜２４で支持するタイプのシート状プローブの多孔膜２４としては、柔軟性を有する多孔膜、例えば有機繊維からなるメッシュもしくは不織布を用いることができる。
【０１２１】
メッシュもしくは不織布を形成する有機繊維としては、例えばアラミド繊維、ポリエチレン繊維、ポリアリレート繊維、ナイロン繊維、ポリテトラフルオロエチレン繊維などのフッ素樹脂繊維、ポリエステル繊維が挙げられる。
【０１２２】
合成繊維からなるメッシュでは、例えば繊維径が１５〜１００μｍ、メッシュ開口径が２０〜２００μｍのものを使用できる。
また、ポリテトラフルオロエチレンからなる開口径が１〜５μｍ程度のメンブレンフィルターを用いてもよい。
【０１２３】
また、多孔膜２４として金属からなるメッシュを用いてもよく、メッシュを形成する金属としては、例えばステンレス、アルミニウムが挙げられる。
また、多孔膜２４を用いたシート状プローブ１０は、接点膜９の支持部２７が、多孔膜２４と絶縁層１８Ｂとが一体化した構造となっているので固定強度が高く、このシート状プローブ１０を用いた検査装置による電気検査において高い繰り返し耐久性が得られる。
【０１２４】
このため、絶縁層１８Ｂの支持方法については、製造コストなどを勘案して、適宜選択すると良い。
＜シート状プローブの製造方法＞
以下、シート状プローブ１０の製造方法について説明する。
【０１２５】
まず、図８（ａ）に示したように、表面電極形成用金属シート１６Ａの保護フィルム４０Ａを設けていない側の表面にレジスト層２２を形成する。
このレジスト層２２に露光および現像により、表面電極の先端部１６Ｂを形成するための所定位置に開口２３を形成したパターンを得る（図８（ｂ））。
【０１２６】
次に、表面電極形成用金属シート１６Ａを共通電極として電解メッキなどのメッキを行い、それぞれの開口２３に金属を充填して表面電極の先端部１６Ｂを形成する（図８（ｃ））。
【０１２７】
そして、レジスト層２２を除去して、表面電極部の先端部１６Ｂが所定の位置に立設された表面電極形成用金属シート１６Ａを得た（図９（ａ））。
次に、表面電極部の先端部１６Ｂが所定の位置に立設された表面電極形成用金属シート１６Ａの先端部１６Ｂが形成された側の面に、先端部１６Ｂをその開口内に位置するようにスペーサー３９を積層する（図９（ｂ））。
【０１２８】
ここでスペーサー３９の厚みは、形成する表面電極部の厚みｈ、すなわち先端部分の１６Ｂの厚みＨ２と基端部分の厚みＨ１との合計と同様の厚みのもので、先端部１６Ｂの厚みより大きいものである。
【０１２９】
スペーサー３９は、形成するべき電極構造体に対応する位置に開口を有するものであり、金属、樹脂などで形成され、後にシート状プローブより脱離させるために、表面が平坦でテフロン（登録商標）コーティングなどの被覆がされたものが好ましい。
【０１３０】
次に、スペーサー３９の開口内部に液状の樹脂材料を塗布、硬化させて表面電極部の先端部１６Ｂを覆うように樹脂層５５を形成する（図９（ｃ））。
樹脂層５５を形成する樹脂材料としては、エッチングが容易であるポリイミドが好ましい。
【０１３１】
ポリイミドにより樹脂層５５を形成する場合は、熱硬化性のポリイミド、感光性のポリイミド、ポリイミド前駆体を溶媒に希釈したポリイミドのワニス、溶液などを用いて樹脂層５５を形成することが好ましい。
【０１３２】
樹脂層５５の形成においては、液状の樹脂材料の塗布、硬化を複数回繰り返して行い、スペーサー３９の開口内に樹脂層５５を形成することにより、表面電極部の先端部１６Ｂを覆うように樹脂層５５を形成することが好ましい。
【０１３３】
また、形成した各々の樹脂層５５は厚みにバラツキが生じることがあるので、樹脂層５５を形成後に、スペーサー３９の高さに合わせて、形成された樹脂層５５を研磨、平坦化
することにより一様の厚みをもつ樹脂層５５とすることが、高さの揃った電極構造体を形成するうえで好ましい。
【０１３４】
次いで、表面電極形成用金属シート１６Ａの樹脂層側の表面に、形成すべき電極構造体１５における基端部１６Ｃのパターンに対応するパターンに従って複数のパターン孔が形成されたエッチング用のレジスト膜２８Ａを形成する（図１０（ａ））。
【０１３５】
エッチング用のレジスト膜２８Ａのパターン孔３４Ｈの径は、形成する表面電極の基端部１６Ｃの基端の径Ｒ６と同様のものとする。
そして、レジスト膜２８Ａのパターン孔３４Ｈを介して、樹脂層５５にエッチングを行って開口５２を形成し、その底部に表面電極部の先端部１６Ｂを露出させる(図１０（ｂ
）)。
【０１３６】
樹脂層５５をエッチング処理するためのエッチング液としては、アミン系エッチング液、ヒドラジン系水溶液や水酸化カリウム水溶液などを用いることができる。
さらに、エッチング処理条件を選択することにより、樹脂層５５に、裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状の開口５２を形成することができる。
【０１３７】
その後、レジスト膜２８Ａを除去する（図１０（ｃ））。
次いで、表面電極形成用金属シート１６Ａを共通電極として電解メッキ処理を施して、それぞれの開口５２に金属を充填して表面電極の基端部１６Ｃを形成する。
【０１３８】
こうして、先端部１６Ｂおよび基端部１６Ｃからなる表面電極部１６が、表面電極形成用金属シート１６Ａに立設された積層体シートを得た。
これを積層体１０Ａとする（図１１（ａ））。
【０１３９】
このようにして先端部１６Ｂおよび基端部１６Ｃからなる表面電極部１６が形成された積層体１０Ａに、図１１（ｂ）に示すように表面電極部１６を覆うように絶縁層１８Ｂを形成し、この絶縁層１８Ｂの表面に裏面側金属層１７Ａを形成し積層体１０Ｂとする。
【０１４０】
また、絶縁層１８Ｂを構成する材料としては、エッチング可能な高分子材料を用いることが好ましく、より好ましくはポリイミドである。
ポリイミドとしては、
（１）感光性ポリイミドの溶液、ポリイミド前駆体の溶液、ポリイミド前駆体や低分子のポリイミドを溶媒で希釈した液状ポリイミドまたはワニス
（２）熱可塑性ポリイミド
（３）ポリイミドフィルム
が用いられる。
【０１４１】
このうち、感光性ポリイミドの溶液、ポリイミド前駆体の溶液、ポリイミド前駆体や低分子のポリイミドを溶媒で希釈した液状ポリイミドまたはワニスは、粘性が低いため溶液塗布することができ、塗布後に硬化（重合）するので溶媒の蒸発、重合により体積収縮を伴うものである。
【０１４２】
このような感光性ポリイミドの溶液、ポリイミド前駆体の溶液、ポリイミド前駆体や低分子のポリイミドを溶媒で希釈した液状ポリイミドまたはワニスを用いる場合には、これらを積層体１０Ａに塗布して硬化することにより絶縁層１８Ａを形成することが好ましい。
【０１４３】
熱可塑性ポリイミドにおいては、溶媒に溶解させてポリイミド溶液として積層体１０Ａ
に塗布した後、溶媒を蒸発させて絶縁層１８Ｂとすることや、熱可塑性ポリイミドのフィルムを積層体１０Ａに積層し加熱プレスすることにより積層体１０Ａに一体化させて絶縁層１８Ｂとすることができる。
【０１４４】
ポリイミドフィルムは熱にも溶媒にも溶けず安定なため、このようなポリイミドフィルムを用いる場合には、ポリイミドフィルムに熱可塑性ポリイミドフィルムを介して積層体１０Ａに積層して加熱プレスして一体化する方法や、ポリイミドフィルムの表面に感光性ポリイミドの溶液、ポリイミド前駆体の溶液、ポリイミド前駆体や低分子のポリイミドを溶媒で希釈した液状ポリイミドまたはワニスにより半硬化状態のポリイミド層を形成した後に積層体１０Ａに積層して硬化して一体化する方法等により絶縁層１８Ｂを形成することができる。
【０１４５】
また、片面に例えば４２アロイよりなる金属層が積層された積層ポリイミドシートを、接着層を介して積層体１０Ａに積層することにより絶縁層１８Ｂと裏面側金属層１７Ａを形成することもできる。
【０１４６】
裏面側金属層１７Ａは、形成すべき支持体２５の厚みと同等の厚みを有するものとされる。
その後、図１１（ｃ）に示したように積層体１０Ｂに対し、裏面側金属層１７Ａの表面に、形成すべき電極構造体１５のパターンに対応するパターンに従って複数のパターン孔２８Ｈが形成されたエッチング用のレジスト膜２８Ａを形成する。
【０１４７】
ここで、レジスト膜２８Ａを形成する材料としては、エッチング用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができる。
次いで、裏面側金属層１７Ａに対し、レジスト膜２８Ａのパターン孔２８Ｈを介して露出した部分にエッチング処理を施して部分を除去することにより、図１２（ａ）に示したように、裏面側金属層１７Ａに、それぞれレジスト膜２８Ａのパターン孔２８Ｈに連通する複数のパターン孔１７Ｈが形成される。
【０１４８】
その後、絶縁層１８Ｂに対し、レジスト膜２８Ａの各パターン孔２８Ｈおよび裏面側金属層１７Ａの各パターン孔１７Ｈを介して露出した部分に、エッチング処理を施して絶縁層の一部を除去する。
【０１４９】
これにより、図１２（ｂ）に示したように、絶縁層１８Ｂの裏面から表面に向かうに従って小径となり、底面に表面電極部１６が露出したテーパ状の複数の貫通孔１８Ｈが形成される。
【０１５０】
さらに、保護フィルム４０Ａを除去し、積層体１０Ｂの裏面にそれぞれ裏面側金属層１７Ａのパターン孔１７Ｈ、絶縁層１８Ｂの貫通孔１８Ｈが連通されてなる複数の短絡部形成用凹所１８Ｋが形成される。
【０１５１】
以上において、裏面側金属層１７Ａをエッチング処理するためのエッチング剤としては、これらの金属層を構成する材料に応じて適宜選択される。
絶縁層１８Ｂをエッチング処理するためのエッチング液としては、アミン系エッチング液、ヒドラジン系水溶液や水酸化カリウム水溶液などを用いることができ、エッチング処理条件を選択することにより、絶縁層１８Ｂに裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状の貫通孔１８Ｈを形成することができる。
【０１５２】
このようにして短絡部形成用凹所１８Ｋが形成された積層体１０Ｂからレジスト膜２８Ａを除去する。
さらに図１２（ｃ）に示したように、積層体１０Ｂの裏面側金属層１７Ａの表面に形成すべき電極構造体１５における裏面電極部１７のパターンに対応するパターンに従って、複数のパターン孔２９Ｈが形成されたメッキ用のレジスト膜２９Ａを形成する。
【０１５３】
ここで、レジスト膜２９Ａを形成する材料としては、メッキ用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができるがドライフィルムレジストが好ましい。
そして、表面電極形成用金属シート１６Ａを保護フィルム４０Ｃで覆う。
【０１５４】
次いで、積層体１０Ｂに対し、表面電極形成用金属シート１６Ａを電極として、電解メッキ処理を施して各短絡部形成用凹所１８Ｋおよびレジスト膜２９Ａの各パターン孔２９Ｈ内に金属を充填する。
【０１５５】
このようにして図１３（ａ）に示すように、表面電極部１６の各々の基端に連続してその厚み方向に貫通して伸びる短絡部１８および短絡部１８の各々の絶縁層１８Ｂの裏面側に連結された裏面電極部１７が形成される。
【０１５６】
ここで、裏面電極部１７の各々は、裏面側金属層１７Ａを介して互いに連結された状態である。
さらに、表面電極部１６、短絡部１８および裏面電極部１７が形成された積層体１０Ｂからレジスト膜２９Ａを除去する。
【０１５７】
その後に、図１３（ｂ）に示したように裏面側金属層１７Ａの、裏面電極部１７と支持体２５とする部分に、パターン孔２９Ｋを有するパターニングされたエッチング用のレジスト膜２９Ｂを形成する。
【０１５８】
ここで、レジスト膜２９Ｂの材料としては、エッチング用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができる。
その後、表面電極形成用金属シート１６Ａの上に設けられた保護フィルム４０Ｃを除去し、表面電極形成用金属シート１６Ａおよび裏面側金属層１７Ａにエッチング処理を施す。
【０１５９】
さらに、図１３（ｃ）に示したように、表面電極形成用金属シート１６Ａを除去すると共に、裏面側金属層１７Ａにおけるパターン孔２９Ｋにより露出した部分を除去して開口部２６を形成し、これにより、互いに分離した複数の裏面電極部１７および支持体２５が形成される。
【０１６０】
また、図１４（ａ）に示したように、裏面側のエッチング用のレジスト膜２９Ｂを除去した後、裏面電極部１７、支持体２５、開口部２６を覆うように、レジスト膜１７Ｅを形成する。
【０１６１】
ここで、レジスト膜１７Ｅを形成する材料としては、エッチング用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができる。
そしてレジスト膜１７Ｅの表面全体に保護フィルム４０Ｂを積層する。
【０１６２】
次いで、樹脂層５５に対してエッチング処理を施してその全部を除去し、図１４（ｂ）に示したように、表面電極部１６、絶縁層１８Ｂを露出した積層体１０Ｃを得た。
その後、積層体１０Ｃよりスペーサー３９を除去した（図１４（ｃ））。
【０１６３】
次いで、図１５（ａ）に示すように、支持体２５の一部を露出させるため、レジスト膜１７Ｆを積層体１０Ｃの上面に形成する。
この状態で、絶縁層１８Ｂをエッチング処理することにより、図１５（ｂ）に示したように、支持体２５の一部が露出される。
【０１６４】
そして、絶縁層１８Ｂの表面よりレジスト膜１７Ｆを除去し、絶縁層１８Ｂの裏面および裏面電極部１７から、保護フィルム４０Ｂおよびレジスト膜１７Ｅを除去することにより、図１５（ｃ）に示したシート状プローブ１０が得られる。
【０１６５】
このように、絶縁層１８Ｂの表面に沿って外方に伸びる表面電極部１６を確実に形成することにより、電極構造体１５が絶縁層１８Ｂの裏面から脱落することがなく高い耐久性を有するシート状プローブ１０を製造することができる。
【０１６６】
また、本発明のシート状プローブ１０の製造方法によれば、膜厚の大きい絶縁層１８Ｂに対しても確実に表面電極部１６に連通する短絡部形成用凹所１８Ｋが形成でき、短絡部１８の厚みの大きい電極構造体１５を形成できる。
【０１６７】
そのため、厚みの大きな絶縁層１８Ｂよりなるシート状プローブ１０を確実に製造することができる。
さらに、積層体１０Ｂを構成する裏面側金属層１７Ａをエッチング処理して、開口部２６を形成することにより裏面側金属層１７Ａを分割分離して裏面電極部１７と支持体２５を形成するので、絶縁層１８Ｂに一体化され、電極構造体１５とは電気的に絶縁した金属よりなる支持体２５を確実に製造することができる。
【０１６８】
また、上述した以外の方法でもシート状プローブ１０を得ることができ、例えば、電極構造体１５が配置される貫通孔を絶縁層１８Ｂに形成した後、貫通孔の内面から絶縁層１８Ｂの表面に渡り無電解メッキを施し、絶縁層１８Ｂの片面もしくは両面に、貫通孔の位置にその径と同等もしくはこれよりも大きい径の開口パターンが形成されたレジスト膜を設けた状態で、スルーホールメッキを施して電極構造体１５を形成することができる。
【０１６９】
この場合、表面電極部１６もしくは裏面電極部１７の突出高さはレジスト膜の高さなどで規定される。
＜プローブカードおよび回路装置の検査装置＞
図１６は、本発明に係る回路装置の検査装置の一例における構成を示す説明用断面図であり、この回路装置の検査装置は、ウエハに形成された複数の集積回路の各々について、集積回路の電気的検査をウエハの状態で行うためのものである。
【０１７０】
また、このような回路装置の検査装置は、図１６に示したように、シート状プローブ１０が、絶縁層１８Ｂを多孔膜２４で支持するシート状プローブである場合には、多孔膜２４の外縁部に支持板２が接着剤により接着された状態で使用される。
【０１７１】
この回路装置の検査装置は、被検査回路装置であるウエハ６の被検査電極７の各々とテスターとの電気的接続を行うプローブカード１（絶縁層１８Ｂを支持体２５で支持するシート状プローブ）を有する。
【０１７２】
このプローブカード１においては、図１８にも拡大して示すように、ウエハ６に形成された全ての集積回路における被検査電極７のパターンに対応するパターンに従って複数の検査電極２１が表面（図において下面）に形成された検査用回路基板２０を有している。
【０１７３】
さらに、この検査用回路基板２０の表面には、異方導電性コネクター３０が配置され、この異方導電性コネクター３０の表面（図において下面）には、ウエハ６に形成された全ての集積回路における被検査電極７のパターンに対応するパターンに従って複数の電極構
造体１５が配置された、図１に示す構成のシート状プローブ１０が配置されている。
【０１７４】
そして、シート状プローブ１０はガイドピン５０により異方導電性コネクター３０と、電極構造体１５と導電部３６が一致するように固定された状態で保持されている。
また、プローブカード１における検査用回路基板２０の裏面（図において上面）には、プローブカード１を下方に加圧する加圧板３が設けられ、プローブカード１の下方には、ウエハ６が載置されるウエハ載置台４が設けられており、加圧板３およびウエハ載置台４の各々には、加熱器５が接続されている。
【０１７５】
さらに、このような回路装置の検査装置は、分解すると図１７（ａ）、図１７（ｂ）に示したような構成であり、異方導電性コネクター３０のフレーム板３１に形成された貫通孔と、ガイドピン５０とが嵌合することによって、位置決めを行っている。
【０１７６】
また、シート状プローブ１０は、多孔膜２４の外縁部に接着した支持板２と、加圧板３の凹部とが嵌合することによって、位置決めを行うことができるようになっている。
さらに、検査用回路基板２０を構成する基板材料としては、従来公知の種々の基板材料を用いることができ、その具体例としては、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂、ガラス繊維補強型フェノール樹脂、ガラス繊維補強型ポリイミド樹脂、ガラス繊維補強型ビスマレイミドトリアジン樹脂などの複合樹脂材料、ガラス、二酸化珪素、アルミナなどのセラミックス材料などが挙げられる。
【０１７７】
また、ＷＬＢＩ試験を行うための検査装置を構成する場合には、線熱膨張係数が３×１０-5／Ｋ以下のものを用いることが好ましく、より好ましくは１×１０-7〜１×１０-5／Ｋ、特に好ましくは１×１０-6〜６×１０-6／Ｋである。
【０１７８】
このような基板材料の具体例としては、パイレックス（登録商標）ガラス、石英ガラス、アルミナ、ベリリア、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素などが挙げられる。
異方導電性コネクター３０は、図１９に示すように、被検査回路装置であるウエハ６に形成された全ての集積回路における被検査電極７が配置された電極領域に対応して複数の開口３２が形成されたフレーム板３１と、このフレーム板３１に、それぞれ一の開口３２を塞ぐよう配置され、フレーム板３１の開口縁部に固定されて支持された複数の異方導電性シート３５とにより構成されている。
【０１７９】
フレーム板３１を構成する材料としては、フレーム板３１が容易に変形せず、その形状が安定に維持される程度の剛性を有するものであれば特に限定されず、例えば、金属材料、セラミックス材料、樹脂材料などの種々の材料を用いることができ、フレーム板３１を例えば金属材料により構成する場合には、フレーム板３１の表面に絶縁性被膜が形成されていてもよい。
【０１８０】
フレーム板３１を構成する金属材料の具体例としては、鉄、銅、ニッケル、チタン、アルミニウムなどの金属またはこれらを２種以上組み合わせた合金若しくは合金鋼などが挙げられる。
【０１８１】
フレーム板３１を構成する樹脂材料の具体例としては、液晶ポリマー、ポリイミド樹脂などが挙げられる。
また、この検査装置がＷＬＢＩ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｂｕｒｎ−ｉｎ）試験を行うためのものである場合には、フレーム板３１を構成する材料としては、線熱膨張係数が３×１０-5／Ｋ以下のものを用いることが好ましく、より好ましくは−１×１０-7〜１×１０-5／Ｋ、特に好ましくは１×１０-6〜８×１０-6／Ｋである。
【０１８２】
このような材料の具体例としては、インバーなどのインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合金、スーパーインバー、コバール、４２アロイなどの磁性金属の合金または合金鋼などが挙げられる。
【０１８３】
フレーム板３１の厚みは、その形状が維持されると共に、異方導電性シート３５を支持することが可能であれば、特に限定されるものではなく、具体的な厚みは材質によって異なるが、例えば２５〜６００μｍであることが好ましく、より好ましくは４０〜４００μｍである。
【０１８４】
異方導電性シート３５の各々は、弾性高分子物質によって形成されており、被検査回路装置であるウエハ６に形成された一の電極領域の被検査電極７のパターンに対応するパターンに従って形成された、それぞれ厚み方向に伸びる複数の導電部３６と、これらの導電部３６の各々を相互に絶縁する絶縁部３７とにより構成されている。
【０１８５】
また、図示の例では、異方導電性シート３５の両面には、導電部３６およびその周辺部分が位置する個所に、それ以外の表面から突出する突出部３８が形成されている。
異方導電性シート３５における導電部３６の各々には、磁性を示す導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向した状態で密に含有されている。
【０１８６】
これに対して、絶縁部３７は、導電性粒子Ｐが全く或いは殆ど含有されていないものである。
異方導電性シート３５の全厚（図示の例では導電部３６における厚み）は、５０〜２０００μｍであることが好ましく、より好ましくは７０〜１０００μｍ、特に好ましくは８０〜５００μｍである。
【０１８７】
この厚みが５０μｍ以上であれば、異方導電性シート３５には十分な強度が得られる。
一方、この厚みが２０００μｍ以下であれば、所要の導電性特性を有する導電部３６が確実に得られる。
【０１８８】
突出部３８の突出高さは、その合計が突出部３８における厚みの１０％以上であることが好ましく、より好ましくは１５％以上である。
このような突出高さを有する突出部３８を形成することにより、小さい加圧力で導電部３６が十分に圧縮されるため、良好な導電性が確実に得られる。
【０１８９】
また、突出部３８の突出高さは、突出部３８の最短幅または直径の１００％以下であることが好ましく、より好ましくは７０％以下である。
このような突出高さを有する突出部３８を形成することにより、突出部３８が加圧されたときに座屈することがないため、所期の導電性が確実に得られる。
【０１９０】
異方導電性シート３５を形成する弾性高分子物質としては、架橋構造を有する耐熱性の高分子物質が好ましい。
かかる架橋高分子物質を得るために用いることができる硬化性の高分子物質形成材料としては、種々のものを用いることができるが、液状シリコンゴムが好ましい。
【０１９１】
導電性粒子Ｐを得るための磁性芯粒子は、その数平均粒子径が３〜４０μｍのものであることが好ましい。
ここで、磁性芯粒子の数平均粒子径は、レーザー回折散乱法によって測定されたものをいう。
【０１９２】
上記数平均粒子径が３μｍ以上であれば、加圧変形が容易で、抵抗値が低くて接続信頼
性の高い導電部３６が得られやすい。
一方、上記数平均粒子径が４０μｍ以下であれば、微細な導電部３６を容易に形成することができ、また、得られる導電部３６は、安定な導電性を有するものとなりやすい。
【０１９３】
磁性芯粒子を構成する材料としては、鉄、ニッケル、コバルト、これらの金属を銅、樹脂によってコーティングしたものなどを用いことができるが、その飽和磁化が０．１Ｗｂ／ｍ2以上のものを好ましく用いることができ、より好ましくは０．３Ｗｂ／ｍ2以上、特に好ましくは０．５Ｗｂ／ｍ2以上のものであり、具体的には、鉄、ニッケル、コバルト
またはそれらの合金などが挙げられる。
【０１９４】
磁性芯粒子の表面に被覆される高導電性金属としては、金、銀、ロジウム、白金、クロムなどを用いることができ、これらの中では、化学的に安定でかつ高い導電率を有する点で金を用いるが好ましい。
【０１９５】
導電性粒子Ｐは、芯粒子に対する高導電性金属の割合〔（高導電性金属の質量／芯粒子の質量）×１００〕が１５質量％以上とされ、好ましくは２５〜３５質量％とされる。
高導電性金属の割合が１５質量％未満である場合には、得られる異方導電性コネクター３０を高温環境下に繰り返し使用したとき、導電性粒子Ｐの導電性が著しく低下する結果、所要の導電性を維持することができない。
【０１９６】
また、導電性粒子Ｐの数平均粒子径は、３〜４０μｍであることが好ましく、より好ましくは６〜２５μｍである。
このような導電性粒子Ｐを用いることにより、得られる異方導電性シート３５は、加圧変形が容易なものとなり、また、導電部３６において導電性粒子Ｐ間に十分な電気的接触が得られる。
【０１９７】
また、導電性粒子Ｐの形状は、特に限定されるものではないが、高分子物質形成材料中に容易に分散させることができる点で、球状のもの、星形状のものあるいはこれらが凝集した２次粒子による塊状のものであることが好ましい。
【０１９８】
導電部３６における導電性粒子Ｐの含有割合は、体積分率で１０〜６０％、好ましくは１５〜５０％となる割合で用いられることが好ましい。
この割合が１０％未満の場合には、十分に電気抵抗値の小さい導電部３６が得られないことがある。
【０１９９】
一方、この割合が６０％を超える場合には、得られる導電部３６は脆弱なものとなりやすく、導電部３６として必要な弾性が得られないことがある。
以上のような異方導電性コネクター３０は、例えば特開２００２−３２４６００号公報に記載された方法によって製造することができる。
【０２００】
上記の検査装置においては、ウエハ載置台４上に検査対象であるウエハ６が載置され、次いで、加圧板３によってプローブカード１が下方に加圧されることにより、そのシート状プローブ１０の電極構造体１５における表面電極部１６の各々が、ウエハ６の被検査電極７の各々に接触し、更に、表面電極部１６の各々によって、ウエハ６の被検査電極７の各々が加圧される。
【０２０１】
この状態においては、異方導電性コネクター３０の異方導電性シート３５における導電部３６の各々は、検査用回路基板２０の検査電極２１とシート状プローブ１０の電極構造体１５の裏面電極部１７とによって挟圧されて厚み方向に圧縮されている。
【０２０２】
このため、導電部３６にはその厚み方向に導電路が形成され、その結果、ウエハ６の被検査電極７と検査用回路基板２０の検査電極２１との電気的接続が達成される。
その後、加熱器５によって、ウエハ載置台４および加圧板３を介してウエハ６が所定の温度に加熱され、この状態で、ウエハ６における複数の集積回路の各々について所要の電気的検査が実行される。
【０２０３】
上記のプローブカード１によれば、図１に示すシート状プローブ１０を備えてなるため、小さいピッチで被検査電極７が形成されたウエハ６に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、シート状プローブ１０における電極構造体１５が脱落することがなく、絶縁層１８Ｂの厚みが大きいため高い耐久性が得られる。
【０２０４】
そして、上記の検査装置によれば、図１に示すシート状プローブ１０を有するプローブカード１を備えてなるため、小さいピッチで被検査電極７が形成されたウエハ６に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、プローブカード１が高い耐久性を有するため、多数のウエハ６の検査を行う場合でも、長期間にわたって信頼性の高い検査を実行することができる。
【０２０５】
本発明の回路装置の検査装置は、上記の例に限定されず、以下のように、種々の変更を加えることが可能である。
（１）図１６に示すプローブカード１は、ウエハ６に形成された全ての集積回路の被検査電極７に対して一括して電気的接続を達成するものであるが、ウエハ６に形成された全ての集積回路の中から選択された複数の集積回路の被検査電極７に電気的に接続されるものであってもよい。
【０２０６】
選択される集積回路の数は、ウエハ６のサイズ、ウエハ６に形成された集積回路の数、各集積回路における被検査電極７の数などを考慮して適宜選択され、例えば１６個、３２個、６４個、１２８個である。
【０２０７】
このようなプローブカード１を有する検査装置においては、ウエハ６に形成された全ての集積回路の中から選択された複数の集積回路の被検査電極７に、プローブカード１を電気的に接続して検査を行い、その後、他の集積回路の中から選択された複数の集積回路の被検査電極７に、プローブカード１を電気的に接続して検査を行う工程を繰り返すことにより、ウエハ６に形成された全ての集積回路の電気的検査を行うことができる。
【０２０８】
そして、このような検査装置によれば、直径が８インチまたは１２インチのウエハ６に高い集積度で形成された集積回路について電気的検査を行う場合において、全ての集積回路について一括して検査を行う方法と比較して、用いられる検査用回路基板２０の検査電極数や配線数を少なくすることができ、これにより、検査装置の製造コストの低減化を図ることができる。
（２）異方導電性コネクター３０における異方導電性シート３５には、被検査電極７のパターンに対応するパターンに従って形成された導電部３６の他に、被検査電極７に電気的に接続されない非接続用の導電部３６が形成されていてもよい。
（３）本発明の検査装置の検査対象である回路装置は、多数の集積回路が形成されたウエハ６に限定されるものではなく、半導体チップや、ＢＧＡ、ＣＳＰなどのパッケージＬＳＩ、ＣＭＣなどの半導体集積回路装置などに形成された回路の検査装置として構成することができる。
（４）シート状プローブ１０は円筒形のセラミックなどの保持体により保持された状態にて、異方導電性シート３５や検査用回路基板２０と、例えばガイドピン５０などにて固定一体化することもできる。
（５）本発明のシート状プローブ１０の製造方法において第２の裏面側金属層１７Ａは必
須のものでなく、これを省略し短絡部形成用凹所１８Ｋとパターン孔１７Ｈに金属を充填することにより短絡部１８と一体化した裏面電極部１７を形成してもよい。
【０２０９】
この場合、支持体２５は、別途用意した支持体２５と製造したシート状プローブ１０に接着剤などを用いて積層して、一体化してもよい。
（６）本発明のシート状プローブ１０においては、例えば図５（ａ）に示すような電極構造体１５を有する絶縁層１８Ｂよりなる複数の接点膜９が、支持体２５の開口部２６の各々に配置し支持体２５により支持された状態のシート状プローブ１０であってもよく、更に図５（ｂ）に示すように一つの接点膜９が支持体２５の複数の開口部２６を覆うように配置されたものであってもよい。
【０２１０】
このように独立する複数の接点膜９によりシート状プローブ１０を構成することにより、例えば直径８インチ以上のウエハ検査用のシート状プローブ１０を構成した場合、温度変化による接点膜９の伸縮が小さくなり電極構造体１５の位置ずれが小さくなり好ましい。
【０２１１】
このようなシート状プローブは本発明のシート状プローブ１０の製造方法における図１５（ｃ））の状態で絶縁層１８Ｂにレジストによるパターニングと、エッチングにより絶縁層１８Ｂを任意の形状の接点膜９に分割することにより得られる。
【実施例】
【０２１２】
以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
＜試験用ウエハの作製＞
図２０に示すように、直径が８インチのシリコン（線熱膨張係数３．３×１０-6／Ｋ）製のウエハ６上に、それぞれ寸法が６．８５ｍｍ×６．８５ｍｍの正方形の集積回路Ｌを合計で４８３個形成した。
【０２１３】
このウエハ６の集積回路Ｌを形成した側の表面に、感光性ポリイミドをスピンコートして、樹脂膜を形成し、プリベークを行う。
次いで、被検査電極の上部以外の領域の感光性ポリイミドにより形成された樹脂膜を露光およびベークして半硬化させた後、感光性ポリイミドにより形成された樹脂膜の非露光（未硬化）部分を現像して除去することにより、被検査電極の上部に９０μｍ×９０μｍの開口部Ｋ１を形成した。
【０２１４】
その後、高温ベーク処理を行って、半硬化の感光性ポリイミドにより形成した樹脂膜を完全硬化させて、被検査電極の上部に開口部Ｋ１が形成された厚み約１０μｍのポリイミドよりなる絶縁膜Ｂ２を形成した。
【０２１５】
ウエハ６に形成された集積回路Ｌの各々は、図２１に示すように、その中央に被検査電極領域Ａを２５００μｍの間隔で２列に有し、この被検査電極領域Ａには、図２２（ａ）に示すように、それぞれ縦方向（図２２（ａ）において上下方向）の寸法が９０μｍで横方向（図２２（ａ）において左右方向）の寸法が９０μｍの矩形の２６個の被検査電極７が１２０μｍのピッチで横方向に一列に配列されている。
【０２１６】
そして図２２（ｂ）に示すように、被検査電極７は厚さ約１０μｍの絶縁膜Ｂ２によりその表面周囲を覆われている。
このウエハ６全体の被検査電極７の総数は２６１１６個であり、全ての被検査電極７は互いに電気的に絶縁されている。
【０２１７】
以下、このウエハ６を「試験用ウエハＷ１」という。
また、全ての被検査電極７を互いに電気的に絶縁することに代えて、集積回路Ｌにおける２６個の被検査電極のうち最も外側の被検査電極７から数えて１個おきに２個ずつを互いに電気的に接続したこと以外は、上記試験用ウエハＷ１と同様の構成の４８３個の集積回路Ｌをウエハ６上に形成した。
【０２１８】
以下、このウエハを「試験用ウエハＷ２」という。
（実施例１）
直径が２０ｃｍで厚みが２５μｍのポリイミドシートの片面に直径が２０ｃｍで厚みが４μｍの銅よりなる金属層が積層された積層ポリイミドシートを用意した。
【０２１９】
この積層ポリイミドシートの金属層の表面に厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによって、レジスト層２２を形成した（図８（ａ）参照）。
ここで図８（ａ）において、ポリイミドシートが保護フィルム４０Ａに相当し、銅よりなる金属層が表面電極形成用金属シート１６Ａに相当する。
【０２２０】
次に、レジスト層２２に試験用ウエハＷ１に形成された被検査電極７のパターンに対応するパターンに従って直径が４０μｍの円形の２６１１６個の開口２３を形成した（図８（ｂ）参照）。
【０２２１】
次に積層ポリイミドシートを、スルファミン酸ニッケルを含有するメッキ浴中に浸漬し、表面電極形成用金属シート１６Ａを共通電極として、電解メッキ処理を施して各開口２３内に金属を充填することにより、直径４０μｍで厚さ２５μｍの円錐台の表面電極部の先端部１６Ｂを形成した（図８（ｃ）参照）。
【０２２２】
そして、レジスト層２２を除去して、表面電極部の先端部１６Ｂが所定の位置に立設された表面電極形成用金属シート１６Ａを得た（図９（ａ）参照）。
次に、表面電極部の先端部１６Ｂが所定の位置に立設された表面電極形成用金属シート１６Ａの先端部１６Ｂが形成された側の面に、先端部１６Ｂをその開口内に位置するように、厚みが４０μｍで３４００μｍ×８００μｍの開口がウエハ６に形成された集積回路Ｌの被検査電極領域Ａに対応する位置に形成されたスペーサー３９を積層した（図９（ｂ）参照）。
【０２２３】
次に積層ポリイミドシートに積層したスペーサー３９の開口内に、ポリイミドのワニスをスクリーン印刷にて塗布し硬化することを繰り返して、先端部１６Ｂを覆うように厚み４０μｍのポリイミドからなる樹脂層５５を形成した（図９（ｃ）参照）。
【０２２４】
次いで、積層ポリイミドシートの樹脂層５５側の表面に、厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによって、形成すべき電極構造体１５における基端部１６Ｃのパターンに対応するパターンに従って直径５５μｍのパターン孔が形成されたエッチング用のレジスト膜２８Ａを形成した（図１０（ａ）参照）。
【０２２５】
そして、レジスト膜２８Ａのパターン孔３４Ｈを介して、アミン系ポリイミドエッチング液（東レエンジニアリング株式会社製、「ＴＰＥ−３０００」）を用い、８０℃、１０分間の条件でエッチング処理を施すことにより、樹脂層５５にエッチングを行って開口５２を形成し、その底部に表面電極部の先端部１６Ｂを露出させた(図１０（ｂ）参照)。
【０２２６】
次いで、積層ポリイミドシートを、４５℃の水酸化ナトリウム溶液に２分間浸漬させることにより、レジスト膜２８Ａを除去した（図１０（ｃ）参照）。
その後、積層ポリイミドシートを、スルファミン酸ニッケルを含有するメッキ浴中に浸
漬し、表面電極形成用金属シート１６Ａを電極として、電解メッキ処理を施して樹脂層５５の開口５２に金属を充填することにより、表面電極の基端部１６Ｃを形成した。
【０２２７】
これにより、先端部１６Ｂおよび基端部１６Ｃからなる表面電極部１６が、表面電極形成用金属シート１６Ａに立設された積層体シートを得た。
これを積層体１０Ａとする（図１１（ａ）参照）。
【０２２８】
そして、直径が２０．４ｃｍで厚みが１２．５μｍのポリイミドシートの両面に厚さ１２μｍの液状ポリイミド層を形成したポリイミドシートを、積層体１０Ａの表面電極部１６およびスペーサー３９の表面に積層した。
【０２２９】
次いで、積層体１０Ａの液状ポリイミド層の表面に、直径が２２ｃｍで厚みが１０μｍの４２アロイよりなる金属シートを積層した。
そして金属シートの周縁部分の液状ポリイミド層と接する側の面に、内径が２０．４ｃｍで外径が２２ｃｍのポリエチレンテレフタレートよりなる保護テープを配置し、この状態で熱圧着処理することにより、図１１（ｂ）に示した積層体１０Ｂを作製した。
【０２３０】
積層体１０Ｂは、表面電極部１６が形成された積層体１０Ａの一面に厚みが３６μｍのポリイミドよりなる絶縁層１８Ｂが積層され、該絶縁層１８Ｂの表面に４２アロイよりなる裏面側金属層１７Ａを有するものである（図１１（ｂ）参照）。
【０２３１】
次いで、積層体１０Ｂに対し裏面側金属層１７Ａの表面全面に、試験用ウエハＷ１に形成された被検査電極のパターンに対応するパターンに従って直径が６０μｍの円形の２６１１６個のパターン孔２８Ｈが形成されたレジスト膜２８Ａを形成した（図１１（ｃ）参照）。
【０２３２】
ここで、レジスト膜２８Ａの形成において、露光処理は高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することによって行い、現像処理は１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。
【０２３３】
次いで、裏面側金属層１７Ａに対し、塩化第二鉄系エッチング液を用い、５０℃、３０秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、裏面側金属層１７Ａに、それぞれレジスト膜２８Ａのパターン孔２８Ｈに連通する２６１１６個のパターン孔１７Ｈを形成した（図１２（ａ）参照）。
【０２３４】
その後、絶縁層１８Ｂに対し、アミン系ポリイミドエッチング液（東レエンジニアリング株式会社製、「ＴＰＥ−３０００」）を用い、８０℃、１５分間の条件でエッチング処理を施すことにより、絶縁層１８Ｂに、それぞれ裏面側金属層１７Ａのパターン孔１７Ｈに連通した２６１１６個の貫通孔１８Ｈを形成し、ポリイミドシートよりなる保護フィルム４０Ａを除去した（図１２（ｂ）参照）。
【０２３５】
この貫通孔１８Ｈの各々は、絶縁層１８Ｂの表面に向かうに従って小径となるテーパ状のものであって、その底面に裏面電極部１７が露出しており、裏面側の開口径が６０μｍ表面側の開口径が２５μｍのものであった。
【０２３６】
次いで、貫通孔１８Ｈが形成された積層体１０Ｂを、４５℃の水酸化ナトリウム溶液に２分間浸漬させることにより、積層体１０Ｂからレジスト膜２８Ａを除去した。
さらにその後、積層体１０Ｂに対し、厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによって、第２の裏面側金属層１７Ａの表面全面を覆うよう、レジスト膜２９Ａを形成すると共に、レジスト膜２９Ａに、絶縁層１８Ｂの貫通孔１８Ｈに連通する寸法が２００μｍ×６
０μｍの矩形の２６１１６個のパターン孔２９Ｈを形成した。
【０２３７】
そして、表面電極形成用金属シート１６Ａを厚みが２５μｍのポリエチレンテレフタレートよりなる保護フィルム４０Ｃによって覆った（図１２（ｃ）参照）。
ここで、レジスト膜２９Ａの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。
【０２３８】
このようにして、積層体１０Ｂの裏面に、それぞれ絶縁層１８Ｂの貫通孔１８Ｈ、裏面側金属層１７Ａのパターン孔１７Ｈおよびレジスト膜２９Ａのパターン孔２９Ｈが連通されてなる２６１１６個の短絡部形成用凹所１８Ｋを形成した。
【０２３９】
次いで、積層体１０Ｂをスルファミン酸ニッケルを含有するメッキ浴中に浸漬し、積層体１０Ｂに対し、表面電極形成用金属シート１６Ａを電極として、電解メッキ処理を施して各短絡部形成用凹所１８Ｋ内に金属を充填することにより、表面電極部１６に連結された、短絡部１８および裏面側金属層１７Ａによって互いに連結された裏面電極部１７を形成した（図１３（ａ）参照）。
【０２４０】
次いで、積層体１０Ｂを、４５℃の水酸化ナトリウム溶液に２分間浸漬させることにより、積層体１０Ｂからレジスト膜２９Ａを除去した。
その後、厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによって、裏面側金属層１７Ａにおける支持体２５となる部分および裏面電極部１７を覆うよう、パターニングされてパターン孔２９Ｋを有するエッチング用のレジスト膜２９Ｂを形成した（図１３（ｂ）参照）。
【０２４１】
ここで、レジスト膜２９Ｂの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。
【０２４２】
次いで、積層体１０Ｂから保護フィルム４０Ｃを除去し、その後、表面電極形成用金属シート１６Ａおよび裏面側金属層１７Ａに対し、アンモニア系エッチング液を用い、５０℃、３０秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、表面電極形成用金属シート１６Ａの全部を除去した。
【０２４３】
また、裏面側金属層１７Ａにおけるパターン孔２９Ｋにより露出した部分を除去し、これにより、裏面電極部１７の各々を互いに分離させると共に、試験用ウエハＷ１に形成された集積回路における電極領域のパターンに対応するパターンに従って形成された複数の開口部２６を有する支持体２５を形成した（図１３（ｃ）参照）。
【０２４４】
支持体２５に設けられた開口部２６の各々は、横方向３６００μｍ×縦方向１０００μｍである。
次いで、積層体１０Ｂを４５℃の水酸化ナトリウム水溶液に２分間浸漬することにより、支持体２５の裏面および裏面電極部１７からレジスト膜２９Ｂを除去した。
【０２４５】
その後、厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによって、支持体２５の裏面、絶縁層１８Ｂの裏面および裏面電極部１７を覆うよう、レジスト膜１７Ｅを形成し、このレジスト膜１７Ｅを厚みが２５μｍのポリエチレンテレフタレートよりなる保護フィルム４０Ｂによって覆った（図１４（ａ）参照）。
【０２４６】
その後、積層体１０Ｂに対し、アミン系ポリイミドエッチング液（東レエンジニアリング株式会社製、「ＴＰＥ−３０００」）を用い、８０℃、１０分間の条件でエッチング処
理を施すことにより、樹脂層５５を除去した積層体１０Ｃを得た（図１４（ｂ）参照）。
【０２４７】
その後、積層体１０Ｃよりスペーサー３９を除去した（図１４（ｃ）参照）。
そして、積層体１０Ｃの表面電極部１６および絶縁層１８Ｂを覆うように厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによりレジスト膜を形成し、接点膜９となるべき部分を覆うように、パターニングされたレジスト膜１７Ｆを形成した（図１５（ａ）参照）。
【０２４８】
レジスト膜１７Ｆの各々は横方向４６００μｍで縦方向２０００μｍである。
この状態で、アミン系ポリイミドエッチング液（東レエンジニアリング株式会社製、「ＴＰＥ−３０００」）を用い、８０℃、１０分間の条件でエッチング処理を施すことにより、金属フレーム板の各々の貫通孔に電極構造体１５が形成された接点膜９を備えた積層体１０Ｃを得た（図１５（ｂ）参照）。
【０２４９】
そして、積層体１０Ｃから保護フィルム４０Ｂを除去し、次に４５℃の水酸化ナトリウム水溶液に２分間浸漬することにより、レジスト膜１７Ｅおよびレジスト膜１７Ｆを除去した（図１５（ｃ）参照）。
【０２５０】
その後、支持体２５における周縁部分よりポリエチレンテレフタレートよりなる保護テープを除去し、支持体２５における周縁部分の表面に接着剤（セメダイン（株）：２液型アクリル接着剤 Ｙ−６２０）を塗布して接着剤層を形成し、外径が２２ｃｍ、内径が２０．５ｃｍで厚みが２ｍｍのリング状の窒化シリコンよりなる支持板２を配置した後、支持板２と支持体２５とを５０ｋｇの荷重で加圧し、２５℃で８時間保持することにより、支持板２を支持体２５に接合することにより、本発明に係るシート状プローブ１０を製造した。
【０２５１】
以上においてドライフィルムレジストとして特に記載しなかった部分においては、日立化成製のＨ−Ｋ３５０を使用した。
得られたシート状プローブ１０は、絶縁層１８Ｂの厚みｄが３６μｍ、電極構造体１５の表面電極部１６の先端部１６Ｂの先端の径Ｒ２が３６μｍ、基端における径Ｒ１が４０μｍ、表面電極部の基端部１６Ｃの基端の径Ｒ６は５５μｍ。
【０２５２】
表面電極部１６の先端部１６Ｂの突出高さＨ１は２５μｍ。
表面電極部１６の基端部１６Ｃの突出高さＨ２は１５μｍ。
表面電極部１６の突出高さｈ（Ｈ１＋Ｈ２）は４０μｍ。
【０２５３】
表面電極部１６の基端における径Ｒ１に対する先端における径Ｒ２の比（Ｒ２／Ｒ１）は０．９。
表面電極部の基端部１６Ｃの基端の径Ｒ６に対する突出高さｈの比ｈ／Ｒ６は０．７３。
【０２５４】
表面電極部１６の先端部１６Ｂの側面の傾斜角度ｂは８５°で、表面電極部１６の基端部１６Ｃの側面の傾斜角度ｃは４５°。
短絡部１８の形状が円錐台状で、その表面側の一端の径Ｒ３が２５μｍ、裏面側の他端の径Ｒ４が６０μｍ、裏面電極部１７の形状が矩形の平板状で、その横幅（径Ｒ５）が６０μｍ、縦幅が２００μｍ、厚みｄ２が２０μｍのものである。
（比較例１）
図３２（ａ）に示すような表面側金属層９２Ａ、第２の裏面側金属層９２Ｂ、第１の裏面側金属層９２Ｃを有し、絶縁性シート１１、絶縁層１８Ｂよりなる積層体９０Ｃを用意した。
【０２５５】
積層体９０Ｃは、表面側金属層９２Ａが厚さ４μｍの銅よりなり、絶縁層１８Ｂが厚さ１２．５μｍのポリイミドよりなり、第１の裏面側金属層９２Ｃが厚さ４μｍの銅よりなり、絶縁性シート１１が厚さ３７．５μｍのポリイミドよりなり、第２の裏面側金属層９２Ｂが厚さ１０μｍの４２アロイよりなるものである。
【０２５６】
この積層体９０Ｃに対して、特開２００４−１７２５８９号に記載された方法に従い、第２の裏面側金属層側９２Ｂに直径９０μｍのパターン孔を形成し、順次に絶縁層１８Ｂ、第１の裏面側金属層９２Ｃ、絶縁性シート１１に連続する貫通孔を形成し、貫通孔の底面に表面側金属層９２Ａを露出させ、短絡部と表面電極部を一括して形成する電極構造体形成用凹所９０Ｋを作成した（図３２（ｂ）参照）。
【０２５７】
次いで、積層体９０Ｃをスルファミン酸ニッケルを含有するメッキ浴中に浸漬し、積層体９０Ｃに対し、表面側金属層９２Ａを電極として、電解メッキ処理を施して電極構造体形成用凹所９０Ｋ内に金属を充填した（図３２（ｃ）参照）。
【０２５８】
次いで、絶縁性シート１１をエッチングにより除去した（図３２（ｄ）参照）。
次いで、第１の裏面側金属層にエッチングを行い保持部を形成し、第２の裏面側金属層にエッチングを行いその一部を除去することにより裏面電極部と支持部９２Ｅを形成し、絶縁層１８Ｂにエッチングを行い絶縁層を各々の接点膜に分割した（図３２（ｅ）参照）。
【０２５９】
その後、外径が２２ｃｍ、内径が２０．５ｃｍで厚みが２ｍｍのリング状の窒化シリコンよりなる支持板２の表面に、シアノアクリレート系接着剤（東亞合成（株）製：品名 アロンアルファ 品番：♯２００）を滴下して接着層を形成し、これに接点膜を形成した積層体を積層し、２５℃で３０分保持することにより、接着層を硬化させてシート状プローブを製造した。
【０２６０】
得られたシート状プローブは、絶縁層の厚みｄが３７．５μｍ、電極構造体の表面電極部の形状が円錐台状で、その基端の径が３７μｍ、その先端の径が１３μｍ（平均値）であり、その突出高さが１２．５μｍ、保持部は横幅が６０μｍ、縦幅が２００μｍで厚みが４μｍ、短絡部の形状が円錐台状で、その表面側の一端の径が３７μｍ、裏面側の他端の径が９０μｍ、裏面電極部の形状が矩形の平板状で、その横幅が９０μｍ、縦幅が２００μｍ、厚みが２０μｍのものである。
【０２６１】
このようにして、合計で４枚のシート状プローブを製造した。
これらのシート状プローブを「シート状プローブＯ１」〜「シート状プローブＯ４」とする。
〈異方導電性コネクターの作製〉
（１）磁性芯粒子の調製：
市販のニッケル粒子（Ｗｅｓｔａｉｍ社製、「ＦＣ１０００」）を用い、以下のようにして磁性芯粒子を調製した。
【０２６２】
日清エンジニアリング株式会社製の空気分級機「ターボクラシファイア ＴＣ−１５Ｎ」によって、ニッケル粒子２ｋｇを、比重が８．９、風量が２．５ｍ3／ｍｉｎ、ロータ
ー回転数が２２５０ｒｐｍ、分級点が１５μｍ、ニッケル粒子の供給速度が６０ｇ／ｍｉｎの条件で分級処理し、粒子径が１５μｍ以下のニッケル粒子０．８ｋｇを捕集し、更に、このニッケル粒子０．８ｋｇを、比重が８．９、風量が２．５ｍ3／ｍｉｎ、ローター
回転数が２９３０ｒｐｍ、分級点が１０μｍ、ニッケル粒子の供給速度が３０ｇ／ｍｉｎの条件で分級処理し、ニッケル粒子０．５ｋｇを捕集した。
【０２６３】
得られたニッケル粒子は、数平均粒子径が７．４μｍ、粒子径の変動係数が２７％、ＢＥＴ比表面積が０．４６×１０3ｍ2／ｋｇ、飽和磁化が０．６Ｗｂ／ｍ2であった。
このニッケル粒子を磁性芯粒子Ｑとする。
（２）導電性粒子の調製：
粉末メッキ装置の処理槽内に、磁性芯粒子Ｑ１００ｇを投入し、更に、０．３２Ｎの塩酸水溶液２Ｌを加えて攪拌し、磁性芯粒子Ｑを含有するスラリーを得た。
【０２６４】
このスラリーを常温で３０分間攪拌することにより、磁性芯粒子Ｑの酸処理を行い、その後、１分間静置して磁性芯粒子Ｑを沈殿させ、上澄み液を除去した。
次いで、酸処理が施された磁性芯粒子Ｑに純水２Ｌを加え、常温で２分間攪拌し、その後、１分間静置して磁性芯粒子Ｑを沈殿させ、上澄み液を除去した。
【０２６５】
この操作を更に２回繰り返すことにより、磁性芯粒子Ｑの洗浄処理を行った。
そして、酸処理および洗浄処理が施された磁性芯粒子Ｑに、金の含有割合が２０ｇ／Ｌの金メッキ液２Ｌを加え、処理層内の温度を９０℃に昇温して攪拌することにより、スラリーを調製した。
【０２６６】
この状態で、スラリーを攪拌しながら、磁性芯粒子Ｑに対して金の置換メッキを行った。
その後、スラリーを放冷しながら静置して粒子を沈殿させ、上澄み液を除去することにより、導電性粒子Ｐを調製した。
【０２６７】
このようにして得られた導電性粒子に純水２Ｌを加え、常温で２分間攪拌し、その後、１分間静置して導電性粒子を沈殿させ、上澄み液を除去した。この操作を更に２回繰り返し、その後、９０℃に加熱した純水２Ｌを加えて攪拌し、得られたスラリーを濾紙によって濾過して導電性粒子を回収した。
【０２６８】
そして、この導電性粒子を、９０℃に設定された乾燥機によって乾燥処理した。
得られた導電性粒子は、数平均粒子径が７．３μｍ、ＢＥＴ比表面積が０．３８×１０3ｍ2／ｋｇ、（被覆層を形成する金の質量）／（磁性芯粒子［Ａ］の質量）の値が０．３であった。
【０２６９】
この導電性粒子を「導電性粒子（ａ）」とする。
（３）フレーム板の作製：
図２３および図２４に示す構成に従い、下記の条件により、上記の試験用ウエハＷ１における各被検査電極領域に対応して形成された９６６個の開口３２を有する直径が８インチのフレーム板３１を作製した。
【０２７０】
このフレーム板３１の材質はコバール（線熱膨張係数５×１０-6／Ｋ）で、その厚みは、６０μｍである。
開口３２の各々は、その横方向（図２３および図２４において左右方向）の寸法が３６００μｍで縦方向（図２３および図２４において上下方向）の寸法が９００μｍである。
【０２７１】
フレーム板３１の開口３２は、図２３に示すように試験用ウエハに形成された集積回路Ｌの１個に対して２個が形成されており、同一集積回路Ｌに対して設けられているフレーム板３１の開口３２は中心間距離（図２４において上下方向）で２０００μｍピッチで配置されている。
【０２７２】
縦方向に隣接する開口３２の間の中央位置には、円形の空気流入孔３３が形成されており、その直径は１０００μｍである。
（４）異方導電性シート用成形材料の調製：
付加型液状シリコンゴム１００重量部に、導電性粒子３０重量部を添加して混合し、その後、減圧による脱泡処理を施すことにより、異方導電性シート用の成形材料を調製した。
【０２７３】
以上において、使用した付加型液状シリコンゴムは、それぞれ粘度が２５０Ｐａ・ｓであるＡ液およびＢ液よりなる二液型のものであって、その硬化物の圧縮永久歪みが５％、デュロメーターＡ硬度が３２、引裂強度が２５ｋＮ／ｍのものである。
【０２７４】
ここで、付加型液状シリコンゴムおよびその硬化物の特性は、以下のようにして測定されたものである。
（ｉ）付加型液状シリコンゴムの粘度は、Ｂ型粘度計により、２３±２℃における値を測定した。
（ｉｉ）シリコンゴム硬化物の圧縮永久歪みは、次のようにして測定した。
【０２７５】
二液型の付加型液状シリコンゴムにおけるＡ液とＢ液とを等量となる割合で攪拌混合した。
次いで、この混合物を金型に流し込み、混合物に対して減圧による脱泡処理を行った後、１２０℃、３０分間の条件で硬化処理を行うことにより、厚みが１２．７ｍｍ、直径が２９ｍｍのシリコンゴム硬化物よりなる円柱体を作製し、この円柱体に対して、２００℃、４時間の条件でポストキュアを行った。
【０２７６】
このようにして得られた円柱体を試験片として用い、ＪＩＳ Ｋ ６２４９に準拠して１５０±２℃における圧縮永久歪みを測定した。
（ｉｉｉ）シリコンゴム硬化物の引裂強度は、次のようにして測定した。
【０２７７】
上記（ｉｉ）と同様の条件で付加型液状シリコンゴムの硬化処理およびポストキュアを行うことにより、厚みが２．５ｍｍのシートを作製した。
このシートから打ち抜きによってクレセント形の試験片を作製し、ＪＩＳ Ｋ ６２４９に準拠して２３±２℃における引裂強度を測定した。
（ｉｖ）デュロメーターＡ硬度は、上記（ｉｉｉ）と同様にして作製されたシートを５枚重ね合わせ、得られた積重体を試験片として用い、ＪＩＳ Ｋ ６２４９に準拠して２３±２℃における値を測定した。
（５）異方導電性コネクターの作製：
上記（３）で作製したフレーム板３１および上記（４）で調製した成形材料を用い、特開２００２−３２４６００号公報に記載された方法に従って、フレーム板３１に、それぞれ一の開口３２を塞ぐよう配置され、フレーム板３１の開口縁部に固定されて支持された、図１９に示す構成の９６６個の異方導電性シート３５を形成することにより、異方導電性コネクター３０を製造した。
【０２７８】
ここで、成形材料層の硬化処理は、電磁石によって厚み方向に２Ｔの磁場を作用させながら、１００℃、１時間の条件で行った。
得られた異方導電性シート３５について具体的に説明すると、異方導電性シート３５の各々は、横方向の寸法が６０００μｍ、縦方向の寸法が２０００μｍであり、２６個の導電部３６が１２０μｍのピッチで横方向に一列に配列されており、導電部３６の各々は、横方向の寸法が６０μｍ、縦方向の寸法が２００μｍ、厚みが１５０μｍ、突出部３８の突出高さが２５μｍ、絶縁部３７の厚みが１００μｍである。
【０２７９】
また、横方向において最も外側に位置する導電部３６とフレーム板３１の開口縁との間には、非接続用の導電部３６が配置されている。
非接続用の導電部３６の各々は、横方向の寸法が６０μｍ、縦方向の寸法が２００μｍ、厚みが１５０μｍである。
【０２８０】
また、各異方導電性シート３５における導電部３６中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての導電部３６について体積分率で約２５％であった。
このようにして、合計で８枚の異方導電性コネクターを製造した。
これらの異方導電性コネクターを「異方導電性コネクターＣ１」〜「異方導電性コネクターＣ８」とする。
〈検査用回路基板の作製〉
基板材料としてアルミナセラミックス（線熱膨張係数４．８×１０-6／Ｋ）を用い、試験用ウエハＷ１における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って検査電極２１が形成された検査用回路基板２０を作製した。
【０２８１】
この検査用回路基板２０は、全体の寸法が３０ｃｍ×３０ｃｍの矩形であり、その検査電極は、横方向の寸法が６０μｍで縦方向の寸法が２００μｍである。
得られた検査用回路基板を「検査用回路基板Ｔ１」とする。
〈シート状プローブの評価〉
（１）試験１（隣接する電極構造体間の絶縁性）：
シート状プローブＭ１、Ｍ２、シート状プローブＯ１、Ｏ２の各々について、以下のようにして隣接する電極構造体間の絶縁性の評価を行った。
【０２８２】
室温（２５℃）下において、試験用ウエハＷ１を試験台に配置し、この試験用ウエハＷ１の表面上に、シート状プローブをその表面電極部１６の各々が試験用ウエハＷ１の被検査電極７上に位置するよう位置合わせして配置し、このシート状プローブ上に、異方導電性コネクター３０をその導電部３６の各々がシート状プローブの裏面電極部１７上に位置するよう位置合わせして配置し、この異方導電性コネクター３０上に、検査用回路基板Ｔ１をその検査電極２１の各々が異方導電性コネクター３０の導電部３６上に位置するよう位置合わせして配置し、更に検査用回路基板Ｔ１を下方に２００ｋｇの荷重（電極構造体１個当たりに加わる荷重が平均で約８ｇ）で加圧した。
【０２８３】
ここで、異方導電性コネクター３０としては下記表１に示すものを使用した。
そして、検査用回路基板Ｔ１における２６１１６個の検査電極２１の各々に順次電圧を印加すると共に、電圧が印加された検査電極と他の検査電極との間の電気抵抗をシート状プローブにおける電極構造体１５間の電気抵抗（以下、「絶縁抵抗」という。）として測定し、全測定点における絶縁抵抗が１０ＭΩ以下である測定点の割合（以下、「絶縁不良割合」という。）を求めた。
【０２８４】
ここで、絶縁抵抗が１０ＭΩ以下である場合には、実際上、ウエハに形成された集積回路の電気的検査に使用することが困難である。
以上の結果を下記表１に示す。
【０２８５】
【表１】
【０２８６】
（２）試験２（電極構造体の接続安定性）：
シート状プローブＭ３、Ｍ４、シート状プローブＯ３、Ｏ４の各々について、以下のようにして被検査電極に対する電極構造体１５の接続安定性の評価を行った。
【０２８７】
室温（２５℃）下において、試験用ウエハＷ２を、電熱ヒーターを備えた試験台に配置し、この試験用ウエハＷ２の表面上に、シート状プローブをその表面電極部１６の各々が試験用ウエハＷ２の被検査電極７上に位置するよう位置合わせして配置し、このシート状
プローブ上に、異方導電性コネクター３０をその導電部３６の各々がシート状プローブの裏面電極部１７上に位置するよう位置合わせして配置し、この異方導電性コネクター３０上に、検査用回路基板Ｔ１をその検査電極２１の各々が異方導電性コネクター３０の導電部３６上に位置するよう位置合わせして配置し、更に検査用回路基板Ｔ１を下方に２００ｋｇの荷重（電極構造体１個当たりに加わる荷重が平均で約８ｇ）で加圧した。
【０２８８】
ここで、異方導電性コネクター３０としては下記表２に示すものを使用した。
そして、検査用回路基板Ｔ１における２６１１６個の検査電極７について、シート状プローブ、異方導電性コネクター３０および試験用ウエハＷ２を介して互いに電気的に接続された２個の検査電極２１の間の電気抵抗を順次測定した。
【０２８９】
さらに、測定された電気抵抗値の２分の１の値を、検査用回路基板Ｔ１の検査電極２１と試験用ウエハＷ２の被検査電極７との間の電気抵抗（以下、「導通抵抗」という。）として記録し、全測定点における導通抵抗が１Ω以上である測定点の割合（以下、「接続不良割合」という。）を求めた。
【０２９０】
この操作を「操作（１）」とする。
次いで、検査用回路基板Ｔ１に対する加圧を解除し、その後、試験台を１２５℃に昇温してその温度が安定するまで放置し、その後、検査用回路基板Ｔ１を下方に２００ｋｇの荷重（電極構造体１個当たりに加わる荷重が平均で約８ｇ）で加圧し、上記操作（１）と同様にして接続不良割合を求めた。この操作を「操作（２）」とする。
【０２９１】
次いで、試験台を室温（２５℃）まで冷却し、検査用回路基板Ｔ１に対する加圧を解除した。この操作を「操作（３）」とする。
そして、上記の操作（１）、操作（２）および操作（３）を１サイクルとして合計で２００サイクル連続して行った。
【０２９２】
ここで、導通抵抗が１Ω以上である場合には、実際上、ウエハに形成された集積回路の電気的検査に使用することが困難である。
以上の結果を下記表２に示す。
【０２９３】
【表２】
【０２９４】
また、試験２が終了した後、各々のシート状プローブを観察したところ、いずれのシー
ト状プローブも電極構造体１５も絶縁層１８Ｂから脱落していなかった。
表２の結果より、比較例に関わるシート状プローブＯでは、表面電極部の突出高さが小さいため、絶縁層にてその表面の周囲を覆われた被検査電極を有するウエハに対しては、その電気的接続を安定して継続できないことが明らかになった。
【図面の簡単な説明】
【０２９５】
【図１】図１は、本発明のシート状プローブの他の実施形態を示した図であり、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）はＸ−Ｘ線による断面図である。
【図２】図２は、図１のシート状プローブにおける接点膜を拡大して示した平面図である。
【図３】図３は、本発明に係るシート状プローブにおける構造を示す説明用断面図である。
【図４】図４は、本発明に係るシート状プローブの電極構造体を拡大して示す説明用断面図である。
【図５】図５は、本発明のシート状プローブの実施形態を示した断面図である。
【図６】図６（ａ）は、支持体として板状支持体を用いて絶縁層をその表面で支持した場合を示した断面図、図６（ｂ）は、本発明のシート状プローブにおける接点膜の支持部の断面図である。
【図７】図７は、本発明に係るシート状プローブにおける構造を示す説明用断面図である。
【図８】図８は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。
【図９】図９は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。
【図１０】図１０は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。
【図１１】図１１は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。
【図１２】図１２は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。
【図１３】図１３は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。
【図１４】図１４は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。
【図１５】図１５は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。
【図１６】図１６は、本発明の回路装置の検査装置およびそれに用いられるプローブカードの他の実施形態を示した断面図である。
【図１７】図１７は、図１６のプローブカードにおける組み立て前後の各状態を示した断面図である。
【図１８】図１８は、図１６に示す検査装置におけるプローブカードを拡大して示す説明用断面図である。
【図１９】図１９は、図１８に示すプローブカードにおける異方導電性コネクターの平面図である。
【図２０】図２０は、実施例で作製した試験用ウエハを示す平面図である。
【図２１】図２１は、図２０に示す試験用ウエハに形成された集積回路の被検査電極領域の位置を示す説明図である。
【図２２】図２２は、図２１に示す試験用ウエハに形成された集積回路の被検査電極の配置パターンを示す説明図である。
【図２３】図２３は、実施例で作製した異方導電性コネクターにおけるフレーム板を示す平面図である。
【図２４】図２４は、図２３に示すフレーム板の一部を拡大して示す説明図である。
【図２５】図２５は、従来のプローブカードの一例における構成を示す説明用断面図である。
【図２６】図２６は、従来のシート状プローブの製造例を示す説明用断面図である。
【図２７】図２７は、図２６に示すプローブカードにおけるシート状プローブを拡大して示す説明用断面図である。
【図２８】図２８は、従来のシート状プローブの他の製造例を示す説明用断面図である。
【図２９】図２９は、従来のシート状プローブの他の製造例を示す説明用断面図である。
【図３０】図３０は、リング状の支持板を用いた従来のシート状プローブの断面図である。
【図３１】図３１は、従来のシート状プローブに、リング状の支持板を接着する方法を示した概略断面図である。
【図３２】図３２は、従来のシート状プローブに、リング状の支持板を接着する方法を示した概略断面図である。
【図３３】図３３は、従来のシート状プローブの、貫通孔を説明する概略図である。
【符号の説明】
【０２９６】
１ プローブカード
２ 支持板
３ 加圧板
４ ウエハ載置台
５ 加熱器
６ ウエハ
７ 被検査電極
８ 直径
９ 接点膜
１０ シート状プローブ
１０Ａ 積層体
１０Ｂ 積層体
１０Ｃ 積層体
１１ 絶縁性シート
１５ 電極構造体
１６ 表面電極部
１６Ａ 表面電極形成用金属シート
１６Ｂ 先端部
１６Ｃ 基端部
１７ 裏面電極部
１７Ａ 裏面側金属層
１７Ｅ レジスト膜
１７Ｆ レジスト膜
１７Ｈ 各パターン孔
１８ 短絡部
１８Ｂ 絶縁層
１８Ｋ 短絡部形成用凹所
１８Ｈ 貫通孔
１９ 保持部
２０ 検査用回路基板
２１ 検査電極
２２ 支持部
２３ 開口
２４ 多孔膜
２５ 支持体
２６ 開口部
２７ 支持部
２８Ａ レジスト膜
２８Ｈ パターン孔
２９Ａ レジスト膜
２９Ｂ レジスト膜
２９Ｈ パターン孔
２９Ｋ パターン孔
３０ 異方導電性コネクター
３１ フレーム板
３２ 開口
３３ 空気流入孔
３４Ｈ パターン孔
３５ 異方導電性シート
３６ 導電部
３７ 絶縁部
３８ 突出部
３９ スペーサー
４０Ａ 保護フィルム
４０Ｂ 保護フィルム
４０Ｃ 保護フィルム
５０ ガイドピン
５２ 開口
５５ 樹脂層
８０ 異方導電性シート
８１ａ 貫通孔
８３ フォトレジスト膜
８５ 検査用回路基板
８６ 検査電極
９０ シート状プローブ
９０Ａ 積層体
９０Ｂ 積層体
９０Ｃ 積層体
９０Ｋ 電極構造体形成用凹所
９１ 絶縁性シート
９１Ａ 絶縁性シート材
９１Ｂ 絶縁性シート
９２ 金属層
９２Ａ 表面側金属層
９２Ｂ 第２の裏面側金属層
９２Ｃ 第１の裏面側金属層
９２Ｄ 保持部
９２Ｅ 支持部
９２Ｈ 開口部
９２Ｔ 先端径
９３ レジスト膜
９４Ａ レジスト膜
９４Ｂ レジスト膜
９５ 電極構造体
９６ 表面電極部
９７ 裏面電極部
９８ 短絡部
９８Ｈ 貫通孔
９９ 支持板
１００ 接着剤
ｂ 傾斜角度
Ｂ２ 絶縁膜
ｃ 傾斜角度
Ｋ１ 開口部
Ｌ 集積回路
Ｐ 導電性粒子
Ｑ 磁性芯粒子
Ｒ 径
ｒ 径
Ｒ１ 径
Ｒ２ 径
Ｒ３ 径
Ｒ４ 径
Ｒ５ 径
Ｒ６ 径
ｔ 膜厚
ｔ１ 膜厚
ｔ２ 膜厚
Ｗ 距離
θ エッチング処理角度
φ１ 開口径
φ２ 開口径
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば集積回路などの回路の電気的検査において、回路に対する電気的接続を行うためのプローブ装置として好適なシート状プローブおよびその応用に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、多数の集積回路が形成されたウエハや、半導体素子などの電子部品などの回路装置の電気的検査においては、被検査回路装置の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置された検査電極を有する検査用プローブが用いられている。
【０００３】
かかる検査用プローブとしては、従来、ピンまたはブレードよりなる検査電極が配列されてなるものが使用されている。
然るに、被検査回路装置が多数の集積回路が形成されたウエハである場合において、ウエハを検査するための検査用プローブを作製する場合には、非常に多数の検査電極を配列することが必要となるので、検査用プローブは極めて高価なものとなり、また、被検査電極のピッチが小さい場合には、検査用プローブを作製すること自体が困難となる。
【０００４】
更に、ウエハには、一般に反りが生じており、その反りの状態も製品（ウエハ）毎に異なるため、ウエハにおける多数の被検査電極に対して、検査用プローブの検査電極の各々を安定にかつ確実に接触させることは実際上困難である。
【０００５】
以上のような理由から、近年、ウエハに形成された集積回路を検査するための検査用プローブとして、一面に被検査電極のパターンに対応するパターンに従って複数の検査電極が形成された検査用回路基板と、この検査用回路基板の一面上に配置された異方導電性シートと、この異方導電性シート上に配置された、柔軟な絶縁性シートにその厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体が配列されてなるシート状プローブとを備えてなるものが提案されている（例えば特許文献１参照）。
【０００６】
図２５は、検査用回路基板８５、異方導電性シート８０およびシート状プローブ９０を備えてなる従来のプローブカードの一例における構成を示す説明用断面図である。
このプローブカードにおいては、一面に被検査回路装置の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って形成された多数の検査電極８６を有する検査用回路基板８５が設けられ、この検査用回路基板８５の一面上に、異方導電性シート８０を介してシート状プローブ９０が配置されている。
【０００７】
異方導電性シート８０は、厚み方向にのみ導電性を示すもの、または厚み方向に加圧されたときに厚み方向にのみ導電性を示す加圧導電性導電部を有するものであり、かかる異方導電性シートとしては、種々の構造のものが知られており、例えば特許文献２などには、金属粒子をエラストマー中に均一に分散して得られる異方導電性シート（以下、これを「分散型異方導電性シート」という。）が開示されている。
【０００８】
また、特許文献３などには、導電性磁性体粒子をエラストマー中に不均一に分布させることにより、厚み方向に伸びる多数の導電部と、これらを相互に絶縁する絶縁部とが形成されてなる異方導電性シート（以下、これを「偏在型異方導電性シート」という。）が開示されている。
【０００９】
さらに、特許文献４などには、導電部の表面と絶縁部との間に段差が形成された偏在型異方導電性シートが開示されている。
このようなシート状プローブ９０は、例えば樹脂よりなる柔軟な絶縁性シート９１を有し、この絶縁性シート９１に、その厚み方向に伸びる複数の電極構造体９５が被検査回路装置の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置されて構成されている。
【００１０】
この電極構造体９５の各々は、絶縁性シート９１の表面に露出する突起状の表面電極部９６と、絶縁性シート９１の裏面に露出する板状の裏面電極部９７とが、絶縁性シート９１をその厚み方向に貫通して伸びる短絡部９８を介して一体に連結されて構成されている。
【００１１】
このようなシート状プローブ９０は、一般に以下のようにして製造される。
先ず、図２６（ａ）に示したように、絶縁性シート９１の一面に金属層９２が形成されてなる積層体９０Ａを用意し、図２６（ｂ）に示したように、絶縁性シート９１にその厚み方向に貫通する貫通孔９８Ｈを形成する。
【００１２】
次いで、図２６（ｃ）に示したように、絶縁性シート９１の金属層９２上にレジスト膜９３を形成したうえで、金属層９２を共通電極として電解メッキ処理を施すことにより、絶縁性シート９１の貫通孔９８Ｈの内部に金属の堆積体が充填されて金属層９２に一体に連結された短絡部９８が形成されると共に、絶縁性シート９１の表面に、短絡部９８に一体に連結された突起状の表面電極部９６が形成される。
【００１３】
その後、金属層９２からレジスト膜９３を除去し、更に、図２６（ｄ）に示したように、表面電極部９６を含む絶縁性シート９１の表面にレジスト膜９４Ａを形成すると共に、金属層９２上に、形成すべき裏面電極部のパターンに対応するパターンに従ってレジスト膜９４Ｂを形成し、金属層９２に対してエッチング処理を施すことにより、図２６（ｅ）に示すように、金属層９２における露出する部分が除去されて裏面電極部９７が形成され、電極構造体９５が形成される。
【００１４】
そして、絶縁性シート９１および表面電極部９６上に形成されたレジスト膜９４Ａを除去すると共に、裏面電極部９７上に形成されたレジスト膜９３を除去することにより、シート状プローブ９０が得られる。
【００１５】
上記の検査用プローブにおいては、被検査回路装置に、例えばウエハの表面に、シート状プローブ９０における電極構造体９５の表面電極部９６がウエハの被検査電極上に位置するよう配置される。
【００１６】
そして、この状態で、ウエハが検査用プローブによって押圧されることにより、異方導電性シート８０が、シート状プローブ９０における電極構造体９５の裏面電極部９７によって押圧される。
【００１７】
これにより、異方導電性シート８０には、裏面電極部９７と検査用回路基板８５の検査電極８６との間にその厚み方向に導電路が形成され、その結果、ウエハの被検査電極と検査用回路基板８５の検査電極８６との電気的接続が達成される。
【００１８】
そして、この状態で、ウエハについて所要の電気的検査が実行される。
そして、このような検査用プローブによれば、ウエハが検査用プローブによって押圧されたときに、ウエハの反りの大きさに応じて異方導電性シート８０が変形するため、ウエハにおける多数の被検査電極の各々に対して良好な電気的接続を確実に達成することができる。
【００１９】
しかしながら、上記の検査用プローブにおいては、以下のような問題がある。
上記のシート状プローブ９０の製造方法における短絡部９８および表面電極部９６を形成する工程においては、電解メッキによるメッキ層が等方的に成長するため、図２７に示すように、得られる表面電極部９６においては、表面電極部９６の周縁から短絡部９８の周縁までの距離Ｗは、表面電極部９６の突出高さｈと同等の大きさとなる。
【００２０】
従って、得られる表面電極部９６の径Ｒは、突出高さｈの２倍を超えて相当に大きいものとなる。
そのため、被検査回路装置における被検査電極が微小で極めて小さいピッチで配置されてなるものである場合には、隣接する電極構造体９５間の離間距離を十分に確保することができず、その結果、得られるシート状プローブ９０においては、絶縁性シート９１による柔軟性が失われるため、被検査回路装置に対して安定した電気的接続を達成することが困難となる。
【００２１】
また、電解メッキ処理において、金属層９２の全面に対して電流密度分布が均一な電流を供給することは実際上困難であり、この電流密度分布の不均一性により、絶縁性シート９１の貫通孔９８Ｈ毎にメッキ層の成長速度が異なるため、形成される表面電極部９６の突出高さｈや、表面電極部９６の周縁から短絡部９８の周縁までの距離Ｗ、すなわち径Ｒに大きなバラツキが生じる。
【００２２】
そして、表面電極部９６の突出高さｈに大きなバラツキがある場合には、被検査回路装置に対して安定した電気的接続が困難となり、一方、表面電極部９６の径Ｒに大きなバラツキがある場合には、隣接する表面電極部９６同士が短絡する恐れがある。
【００２３】
以上において、表面電極部９６の突出高さｈを小さくする手段があり、この得られる表面電極部９６の径Ｒを小さくする手段としては、短絡部９８の径ｒ（断面形状が円形でない場合には、最短の長さを示す。）、すなわち絶縁性シート９１の貫通孔９８Ｈの径を小さくする手段が考えられる。
【００２４】
しかしながら、前者の手段によって得られるシート状プローブにおいては、被検査電極に対して安定な電気的接続を確実に達成することが困難となる。
一方、後者の手段では、電解メッキ処理によって短絡部９８および表面電極部９６を形成すること自体が困難となる。
【００２５】
このような問題を解決するため、特許文献５および特許文献６において、それぞれ基端から先端に向かって小径となるテーパ状の表面電極部を有する多数の電極構造体が配置されてなるシート状プローブが提案されている。
【００２６】
特許文献５に記載されたシート状プローブは、以下のようにして製造される。
図２８（ａ）に示したように、絶縁性シート９１の表面にレジスト膜９３Ａおよび表面側金属層９２Ａがこの順で形成され、絶縁性シート９１の裏面に裏面側金属層９２Ｂが積層されてなる積層体９０Ｂを用意する。
【００２７】
そして、図２８（ｂ）に示したように、この積層体９０Ｂにおける裏面側金属層９２Ｂ、絶縁性シート９１およびレジスト膜９３Ａの各々に互いに連通する厚み方向に伸びる貫通孔を形成する。
【００２８】
これによって、積層体９０Ｂの裏面に、形成すべき電極構造体の短絡部および表面電極部に適合するテーパ状の形態を有する電極構造体形成用凹所９０Ｋを形成する。
次いで、図２８（ｃ）に示したように、この積層体９０Ｂにおける表面側金属層９２Ａを電極としてメッキ処理することにより、電極構造体形成用凹所９０Ｋに金属を充填して
表面電極部９６および短絡部９８を形成する。
【００２９】
そして、この積層体における裏面側金属層９２Ｂにエッチング処理を施してその一部を除去することにより、図２８（ｄ）に示したように、裏面電極部９７を形成し、シート状プローブ９０が得られる。
【００３０】
また、特許文献６に記載されたシート状プローブは、以下のようにして製造される。
図２９（ａ）に示したように、形成すべきシート状プローブにおける絶縁性シートより大きい厚みを有する絶縁性シート材９１Ａの表面に表面側金属層９２Ａが形成され、絶縁性シート材９１Ａの裏面に裏面側金属層９２Ｂが積層されてなる積層体９０Ｃを用意する。
【００３１】
そして、図２９（ｂ）に示したように、この積層体９０Ｃにおける裏面側金属層９２Ｂおよび絶縁性シート材９１Ａの各々に互いに連通する厚み方向に伸びる貫通孔を形成することにより、積層体９０Ｃの裏面に、形成すべき電極構造体の短絡部および表面電極部に適合するテーパ状の形態を有する電極構造体形成用凹所９０Ｋを形成する。
【００３２】
次いで、この積層体９０Ｃにおける表面側金属層９２Ａを電極としてメッキ処理することにより、図２９（ｃ）に示したように、電極構造体形成用凹所９０Ｋに金属を充填して表面電極部９６および短絡部９８を形成する。
【００３３】
その後、この積層体９０Ｃにおける表面側金属層９２Ａを除去すると共に、絶縁性シート材９１Ａをエッチング処理して絶縁性シートの表面側部分を除去することにより、図２９（ｄ）に示したように、所要の厚みの絶縁性シート材９１Ａを形成すると共に、表面電極部９６を露出させる。
【００３４】
そして、裏面側金属層９２Ｂをエッチング処理することにより、裏面電極部９７を形成し、図２９（ｅ）に示したようにシート状プローブ９０が得られる。
このようなシート状プローブ９０によれば、表面電極部９６がテーパ状のものであるため、径が小さくて突出高さが高い表面電極部９６を、隣接する電極構造体の表面電極部９６との離間距離が十分に確保された状態で形成することができる。
【００３５】
また、電極構造体９５の各々の表面電極部９６は、積層体に形成された電極構造体形成用凹所９０Ｋをキャビティとして成形されるため、表面電極部９６の突出高さのバラツキが小さい電極構造体９５が得られる。
【００３６】
さらに、このようなシート状プローブ９０の絶縁性シート９１の周縁部には、図３０に示したように、その剛性により絶縁性シート９１を支持する、例えばセラミックスなどからなる平板リング状の支持板９９が設けられている。
【００３７】
これらは図３１に示したように接着剤１００により支持板９９と絶縁性シート９１とが接着固定されている。
【特許文献１】特開平７−２３１０１９号公報
【特許文献２】特開昭５１−９３３９３号公報
【特許文献３】特開昭５３−１４７７７２号公報
【特許文献４】特開昭６１−２５０９０６号公報
【特許文献５】特開平１１−３２６３７８号公報
【特許文献６】特開２００２−１９６０１８号公報
【特許文献７】特開２００４−１７２５８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３８】
しかしながら、これらのシート状プローブにおいては、電極構造体における表面電極部の径が短絡部の径すなわち絶縁性シートに形成された貫通孔の径と同等またはそれより小さいものであるため、電極構造体が絶縁性シートの裏面から脱落してしまい、シート状プローブを実際上使用することは困難である。
【００３９】
この問題点を解決するために、例えば、特許文献７に示される径が小さいテーパ状の電極構造体における表面電極部側に保持部を有し、電極構造体が絶縁性シートの裏面から脱落することを防止したシート状プローブが提案されている。
【００４０】
特許文献７に記載されたシート状プローブは、以下のようにして製造される。
図３２（ａ）に示したように、表面側金属層９２Ａ、絶縁性シート１１、第１の裏面側金属層９２Ｃ、絶縁層１８Ｂ、第２の裏面側金属層９２Ｂからなる５層の積層材料を用意する。
【００４１】
さらに図３２（ｂ）に示したように、この積層体９０Ｃにおける第２の裏面側金属層９２Ｂに開口部９２Ｈを設け、この開口部９２Ｈより絶縁層１８Ｂにエッチングを行い絶縁層１８Ｂに貫通孔を設ける。
【００４２】
次に絶縁層１８Ｂの貫通孔の底部に露出した第１の裏面側金属層９２Ｃにエッチングを行って絶縁性シート１１をその貫通孔の底部に露出させる。
そして第１の裏面側金属層９２Ｃの貫通孔を通じて絶縁性シート１１にエッチングを行い貫通孔の底部に表面側金属層９２Ａを露出させる。
【００４３】
このように金属層と樹脂層（絶縁層１８Ｂ、絶縁性シート１１）を交互にエッチングを行うことによって、第２の裏面側金属層９２Ｂ、絶縁層１８Ｂ、第１の裏面側金属層９２Ｃ、絶縁性シート１１の各々に互いに連通する厚み方向に伸びる貫通孔を形成する。
【００４４】
さらに積層体９０Ｃの裏面に、形成すべき電極構造体９５の短絡部９８および表面電極部９６に適合するテーパ状の形態を有する電極構造体形成用凹所９０Ｋを形成する。
次いで、この積層体９０Ｃにおける表面側金属層９２Ａを電極としてメッキ処理することにより、図３２（ｃ）に示すように、電極構造体形成用凹所９０Ｋに金属を充填して表面電極部９６および短絡部９８を形成する。
【００４５】
その後、この積層体９０Ｃにおける表面側金属層９２Ａを除去すると共に、絶縁性シート１１をエッチング処理して絶縁性シート１１を除去して第１の裏面側金属層９２Ｃを露出させる（図３２（ｄ））。
【００４６】
そして、第１の裏面側金属層９２Ｃをエッチング処理して保持部９２Ｄを形成するとともに、第２の裏面側金属層９２Ｂをエッチング処理してその一部を除去することにより、裏面電極部９７および支持部９２Ｅを形成し、図３２（ｅ）に示したようにシート状プローブ９０が得られる。
【００４７】
しかし、この製造方法により得られるシート状プローブにおいては、積層体９０Ｃの裏面に、形成すべき電極構造体の短絡部および表面電極部に適合するテーパ状の形態を有する電極構造体形成用凹所９０Ｋを形成するので、電極構造体形成用凹所の先端径９２Ｔは積層体９０Ｃの裏面に形成した開口部９２Ｈの径より小さなものとなる。
【００４８】
そして、特許文献７のシート状プローブの作製工程では、ポリイミド等の絶縁層に対し
て電極構造体を形成するための貫通孔を形成している。
この貫通孔は、図３３に示したように、第２の裏面側金属層９２Ｂの片面に、貫通孔を形成する部分に開口部９２Ｈを有するフォトレジスト膜８３のパターンを形成し、シート全体をエッチング液に浸漬してエッチングを行うことにより、ポリイミドから構成される絶縁層１８Ｂ、絶縁性シート１１に貫通孔を形成することにより得ることができる。
【００４９】
この方法では、絶縁性シート１１に積層された表面側金属層９２Ａが底面に露出した貫通孔８１ａが形成され、この表面側金属層９２Ａを共通電極として電解メッキを行う工程を経て、電極構造体が形成される。
【００５０】
しかし、ポリイミドから構成される絶縁層１８Ｂ、絶縁性シート１１に対してエッチングにより貫通孔を形成する場合、図３３に示したように貫通孔８１ａはテーパ状となり、奥に行くほどその径が次第に小さくなる。
【００５１】
このため、膜厚の厚いポリイミド膜を用いると、表面側金属層９２Ａまで到達する前に孔が閉じてしまい、貫通孔８１ａが形成できない。
すなわち、従来のように、電極構造体を形成するための貫通孔を、ポリイミドの絶縁層にエッチング加工により形成しようとすると、フォトレジスト膜８３により表面が覆われた絶縁層１８Ｂの膜厚ｔ１と絶縁性シート１１の膜厚ｔ２が厚くなると、表面側金属層９２Ａまでの間に貫通孔８１ａが形成されないという問題があった。
【００５２】
すなわち、エッチング処理でのエッチング処理角度θは、加工条件により異なるとされているが、一般的に４５°〜５５°と言われている。
このため絶縁層１８Ｂと絶縁性シート１１の膜厚ｔ１とｔ２の合計の膜厚は、開口径φ１の１／２程度以下でなければ、絶縁層に確実に貫通孔８１ａを開けることができない。
【００５３】
そのため、確実に貫通孔８１ａを形成するためには、絶縁層１８Ｂの膜厚ｔ１、または絶縁性シート１１の膜厚ｔ２を小さくする必要があり、そのため突起高さの大きい表面電極部を形成することが困難な場合があった。
【００５４】
被検査対象であるウエハの電極ピッチの狭小化に伴いシート状プローブの電極構造体の配置ピッチも短くなり、現状では通常１００〜１２０μｍであるが、将来的には例えば１００μｍ未満、さらには８０μｍ以下まで短くする必要があると考えられる。
【００５５】
一方で、隣接する電極構造体間の絶縁性を確保するためには、これらの間の絶縁部の幅（電極構造体の配置ピッチと開口径φ１との差）として、例えば４０〜５０μｍが必要とされる。
【００５６】
ポリイミド膜の強度を確保するために幅の大きなポリイミド膜を使用する場合、エッチングにより貫通孔を形成するためには、上記したように開口径φ１を大きくする必要があるが、電極構造体の配置ピッチを一定として開口径φ１を大きくしていくと、隣接する電極構造体間の絶縁性が確保できなくなる。
【００５７】
このため、電極構造体の配置ピッチを小さくすると、ポリイミド膜の膜厚が制限され、例えば電極構造体の配置ピッチを１２０μｍ、貫通孔８１ａの開口径φ１を７０μｍとする場合、使用するポリイミド膜の膜厚ｔを３５μｍ以下とする必要があり、底面側の開口径φ２をある程度以上とするためには膜厚ｔをさらに小さくしなければならない。
【００５８】
また、仮にポリイミド膜の強度を上げるため５０μｍ厚のポリイミド膜を使用したいとすると、貫通孔８１ａの開口径φ１を１００μｍ以上にしなければならず、製造される電
極構造体の隣接するポリイミド膜間の絶縁性の確立が困難となるため、ポリイミド膜の膜厚にあわせて、開口径φ１を大きくすることは不可能である。
【００５９】
図３３のようなテーパ状の貫通孔８１ａに電極構造体を形成した場合、エッチング方向奥側の開口径φ２が小さいと電気抵抗値が増加するため、この小径部分の開口径φ２はできるだけ大きいことが望ましい。
【００６０】
さらに、この小径部分の開口径φ２が小さいと、この小径部分が電気抵抗値へ影響するため、シート状プローブに設けられた各電極構造体間での電気的抵抗値のバラツキが大きくなることも懸念される。
【００６１】
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、
本発明の目的は、径が小さい表面電極部を有する電極構造体を形成することが可能で、１６０μｍ以下、更に１２０μｍ以下、特に１００μｍ以下の小さいピッチで電極が形成された回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、電極構造体が絶縁層から脱落することがなくて高い耐久性が得られるシート状プローブを提供することにある。
【００６２】
本発明の目的は、絶縁層の厚みが大きく、径が小さい表面電極部を有する電極構造体を備えた、小さいピッチで電極が形成された回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、高い耐久性を有するシート状プローブを提供することにある。
【００６３】
本発明の目的は、突出高さのバラツキが小さい表面電極部を有する電極構造体を形成することができ、小さいピッチで電極が形成された回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、電極構造体が絶縁層から脱落することのなくて高い耐久性が得られるシート状プローブを提供することにある。
【００６４】
また、本発明は、検査対象が、直径が８インチ以上の大面積のウエハや被検査電極のピッチが１００μｍ以下の極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験において、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを確実に防止し、これにより良好な電気的接続状態を安定に維持することができるシート状プローブを提供することを目的としている。
【００６５】
本発明の目的は、厚みの大きい絶縁層よりなるシート状プローブにおいて表面電極部の先端径や基端径を所望の径に調整できるシート状プローブを提供することにある。
【００６６】
本発明の目的は、上記のシート状プローブを備えたプローブカードを提供することにある。
本発明の目的は、上記のプローブカードを備えた回路装置の検査装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００６７】
本発明のシート状プローブは、
絶縁層と、
この絶縁層にその面方向に互いに離間して配置された、前記絶縁層の厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体を備えた接点膜を有するシート状プローブであって、
前記電極構造体の各々は、
前記絶縁層の表面に露出し、前記絶縁層の表面から突出し、その基端から先端に向かうに従って小径となる形状の表面電極部と、
前記絶縁層の裏面に露出する裏面電極部と、
前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸び、前記裏面電極部に連結された短絡部とよりなり、
前記表面電極部の基端の径が、前記短絡部の表面電極部と接する側の端の径よりも大きいことを特徴とする。
【００６８】
本発明のシート状プローブは、
前記表面電極部は先端部分と基端部分とにより形成され、前記先端部分の側面の傾斜角と基端部分の側面の傾斜角度が異なることを特徴とする。
【００６９】
本発明のシート状プローブは、
前記表面電極部の先端部分と基端部分が異なる金属により形成されていることを特徴とする。
【００７０】
本発明のプローブカードは、
検査対象である回路装置とテスターとの電気的接続を行うためのプローブカードであって、
検査対象である回路装置の被検査電極に対応して複数の検査電極が形成された検査用回路基板と、
この検査用回路基板上に配置された異方導電性コネクターと、
この異方導電性コネクター上に配置された上記のいずれかに記載のシート状プローブと、 を備えてなることを特徴とする。
【００７１】
本発明のプローブカードは、
検査対象である回路装置が多数の集積回路が形成されたウエハであり、
異方導電性コネクターは、
検査対象であるウエハに形成された全ての集積回路または一部の集積回路における被検査電極が配置された電極領域に対応して複数の開口が形成されたフレーム板と、
このフレーム板の各開口を塞ぐよう配置された異方導電性シートと、
を有してなることを特徴とする。
【００７２】
本発明の回路装置の検査装置は、
上記のプローブカードを備えてなることを特徴とする。
本発明のウエハ検査方法は、
複数の集積回路が形成されたウエハの各集積回路を、
上記のいずれかに記載のプローブカードを介してテスターに電気的に接続し、
前記各集積回路の電気検査を行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００７３】
本発明のシート状プローブによれば、電極構造体の表面電極部の基端の径が、短絡部の表面電極部と接する側の端の径よりも大きい構造となっているため、表面電極部の径が小さいものであっても、電極構造体が絶縁層から脱落することがなくて高い耐久性が得られる。
【００７４】
本発明のシート状プローブによれば、電極構造体の表面電極部は、先端部分と基端部分とにより形成され、前記先端部分と基端部分の側面の傾斜角度が異なるため、先端部分の側面の傾斜角度を大きくすることにより先端部分の突出高さを大きくしつつその先端の径を適度な大きくすることができ、基端部分の側面の傾斜角度を小さくすることにより基端部分の絶縁層との接触部分の径すなわち基端の径を大きくすることができる。
【００７５】
これにより表面電極部の基端の径が、短絡部の表面電極部と接する側の端の径よりも大
きい構造を容易に形成できるとともに、表面電極部の突出高さが大きいものとなるため、シート状プローブは表面電極部の径が小さいものであっても、電極構造体が絶縁層から脱落することがなくて高い耐久性が得られる。
【００７６】
そして、表面電極部の径が小さく突出高さが大きいので、例えば被検査物の被検査電極の周囲が厚い保護膜で覆われて被検査電極が接触しにくい構造のものであっても、電気的な接続が容易に行われる。
【００７７】
本発明のシート状プローブによれば、検査対象が、直径が８インチ以上の大面積のウエハで、被検査電極のピッチが１２０μｍ以下の小さい回路装置であっても、表面電極部の先端の径を適度な大きさで突出高さの大きく、表面電極部の径が短絡部の径より大きくても隣接する電極構造体間の絶縁性が確保され、そして絶縁層の厚みの大きいものとなるので、電極構造体が絶縁層から脱落することがなく、絶縁層の強度が大きいので高い耐久性が得られる。
【００７８】
本発明のシート状プローブによれば、絶縁層が開口径の１／２以上の厚さであっても開口径を広げる必要がなく、さらに、開口径を広げることができない場合においても電極構造体の裏面電極形成用金属シート部材上に立設するように短絡部を形成し、この高さを絶縁層の開口径の１／２以上の高さに設定することにより、エッチング処理をする必要の有る厚さを、絶縁層の１／２以下の厚さとすることにより、良好な電気的接続状態を安定に維持することができるシート状プローブを提供することができる。
【００７９】
本発明のプローブカードによれば、上記のシート状プローブを具えてなるため、小さいピッチで電極が形成された回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、シート状プローブにおける電極構造体が脱落することがなく、検査対象が、直径が８インチ以上の大面積のウエハで、被検査電極のピッチが極めて小さく、絶縁層により周囲を囲まれた接触しにくい被検査電極を有する回路装置であっても、良好な電気的接続状態を安定に維持することができるので、高い耐久性が得られる。
【００８０】
本発明の回路装置の検査装置によれば、上記のプローブカードを備えてなるため、小さいピッチで被検査電極が形成され、被検査電極が絶縁層により周囲を囲まれた回路装置に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、多数の回路装置の検査を行う場合でも、長期間にわたって信頼性の高い検査を実行することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００８１】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
＜シート状プローブ＞
図１は、本発明のシート状プローブの他の実施形態を示した図であり、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）はＸ−Ｘ線による断面図、図２は、図１のシート状プローブにおける接点膜を拡大して示した平面図、図３は、本発明に係るシート状プローブにおける構造を示す説明用断面図、図４は、本発明に係るシート状プローブの電極構造体を拡大して示す説明用断面図である。
【００８２】
本実施形態のシート状プローブ１０は、複数の集積回路が形成された８インチなどのウエハについて、各集積回路の電気検査をウエハの状態で行うために用いられる。
このシート状プローブ１０は、図１（ａ）に示したように、被検査対象であるウエハ上の各集積回路に対応する各位置に貫通孔が形成された支持体２５を有し、この貫通孔内には接点膜９が配置されている。
【００８３】
接点膜９は、支持体２５の貫通孔周辺の支持部２７で、支持体２５に支持されている。
この支持部２７は、図１（ｂ）に示したように支持体２５の上に絶縁膜からなる接点膜９が形成され、この支持体２５によって接点膜９が支持されている。
【００８４】
接点膜９は、図２に示したように、柔軟な絶縁層１８Ｂに電極構造体１５が貫通形成された構造になっている。
また、図３に示したシート状プローブ１０は、回路装置の電気的検査を行うためのプローブに用いられるものであって、柔軟な絶縁層１８Ｂと支持体２５を有し、この絶縁層１８Ｂには、前記絶縁層１８Ｂの厚み方向に伸びる金属よりなる複数の電極構造体１５が、検査対象である回路装置の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って、前記絶縁層１８Ｂの面方向に互いに離間して配置されている。
【００８５】
電極構造体１５の各々は、絶縁層１８Ｂの表面に露出し、前記絶縁層１８Ｂの表面から突出する突起状の表面電極部１６と、絶縁層１８Ｂの裏面に露出する矩形の平板状の裏面電極部１７と、表面電極部１６の基端から連続して前記絶縁層１８Ｂをその厚み方向に貫通して伸びて裏面電極部１７に連結された短絡部１８とにより構成されている。
【００８６】
この例の電極構造体１５においては、図４に示したように表面電極部１６は、短絡部１８に連続して絶縁層１８Ｂに接する基端から先端に向かうに従って小径となる円錐台状の基端部１６Ｃと、この基端部１６Ｃに連続して先端に向かうに従って小径となる円錐台状の先端部１６Ｂとにより構成されている。
【００８７】
そして、表面電極部１６の基端に連続する短絡部１８が、絶縁層１８Ｂの他面から一面に向かうに従って小径となるテーパ状とされており、表面電極部１６の基端部１６Ｃの基端の径Ｒ６が、基端に連続する短絡部１８の一端の径Ｒ２より大きくなっている。
【００８８】
また、表面電極部１６の基端部１６Ｃは、絶縁層１８Ｂに接する基端から先端に向かうに従って小径となり、その側面の傾斜角度ｃとする。
そして、表面電極部の先端部１６Ｂは基端部１６Ｃに連続し、先端に向かうに従って小径となり、その側面の傾斜角度ｂとする。
【００８９】
この基端部１６Ｃの側面の傾斜角度ｃと、先端部１６Ｂの傾斜角度ｂとは、角度が異なっており、本実施例においては先端部１６Ｂの側面の傾斜角度ｂは、基端部１６Ｃの側面の傾斜角度ｃより小さくなっている。
【００９０】
また、絶縁層１８Ｂとしては、絶縁性を有する柔軟なものであれば特に限定されるものではなく、例えばポリイミド樹脂、液晶ポリマー、ポリエステルなどを用いることができるが、短絡部１８を形成するための貫通孔をエッチングにより容易に形成することができる点で、エッチング可能な材料よりなることが好ましく、特にポリイミドが好ましい。
【００９１】
また、絶縁層１８Ｂの厚みｄは、前記絶縁層１８Ｂが柔軟なものであれば特に限定されないが、５〜１００μｍであることが好ましく、より好ましくは１０〜５０μｍである。
さらに、支持体２５は絶縁層１８Ｂと一体的に設けられるもので、絶縁層１８Ｂと積層された状態で絶縁性シートの表面に設けられてもよく、絶縁性シートに中間層として含まれてもよい。
【００９２】
そして支持体２５は、電極構造体１５とは離間して配置され、電極構造体１５と支持体２５は絶縁性シート１１により連結されるので、電極構造体１５と支持体２５は電気的には絶縁されている。
【００９３】
また、後述するシート状プローブの製造方法によれば、支持体２５は第２の裏面側金属
層１７Ａの一部を除去することにより形成されるものである。
支持体２５を構成する金属としては、鉄、銅、ニッケル、チタンまたはこれらの合金若しくは合金鋼を用いることができるが、エッチング処理によって容易に開口部を形成できる点で、４２合金、インバー、コバールなどの鉄−ニッケル合金鋼や銅、ニッケルおよびこれらの合金が好ましい。
【００９４】
また、支持体２５としては、その線熱膨張係数が３×０-5／Ｋ以下のものを用いることが好ましく、より好ましくは−１×１０-7〜１×１０-5／Ｋ、特に好ましくは−１×１０-6〜８×１０-6／Ｋである。
【００９５】
このような支持体２５を構成する材料の具体例としては、インバーなどのインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合金、スーパーインバー、コバール、４２合金などの合金または合金鋼が挙げられる。
【００９６】
支持体２５の厚みは、３〜１００μｍであることが好ましく、より好ましくは５〜５０μｍである。
この厚みが過小である場合には、シート状プローブを支持する支持体として必要な強度が得られないことがある。
【００９７】
一方、この厚みが過大である場合には、支持体を絶縁層の内部に有する構造とする場合に絶縁層の厚みも大きいものとなり、その結果、絶縁層の貫通孔の形成が困難となることがある。
【００９８】
また、絶縁性シートをエッチングなどにより、図５（ａ）、（ｂ）示したように、多数の接点膜９に分離して支持体２５に支持させてもよい。
この場合、支持体２５の各々の開口部２６に電極構造体１５を保持する柔軟な接点膜９が互いに独立した状態（図５（ａ））、部分的に独立した状態（図５（ｂ））で配置される。
【００９９】
接点膜９の各々は、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、柔軟な絶縁層１８Ｂを有し、この絶縁層１８Ｂには、当絶縁層１８Ｂの厚み方向に伸びる金属よりなる複数の電極構造体１５が、検査対象であるウエハの電極領域における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って、絶縁層１８Ｂの面方向に互いに離間して配置されており、接点膜９は、支持体２５の開口部内に位置するよう配置されている。
【０１００】
電極構造体１５を構成する金属としては、ニッケル、銅、金、銀、パラジウム、鉄などを用いることができ、電極構造体１５としては、全体が単一の金属よりなるものであっても、２種以上の金属の合金よりなるものまたは２種以上の金属が積層されてなるものであってもよく、表面電極部１６と短絡部１８が異なる金属により構成されてもよい。
【０１０１】
そして、表面電極部の先端部１６Ｂと基端部１６Ｃが異なる金属により構成されてもよい。
先端部１６Ｂを構成する金属を、耐拡散性金属であるロジウム、パラジウム、銀、タングステン、白金およびこれらを含有する合金とすることで、被検査電極が例えば易拡散性金属のスズなどにより構成されている場合に、電極構造体に対する前記易拡散性金属による金属拡散を確実に抑止することができ、これにより、長期間にわたって高い接触信頼性を保持することができる。
【０１０２】
先端部１６Ｂにビッカース硬度（Ｈｖ）が４０以上の高導電性金属を用いることで、繰り返し検査使用時における電極構造体の表面電極部の変形を抑制することができ、これに
より、長期間にわたって高い接触信頼性を保持することができる。
【０１０３】
ビッカース硬度（Ｈｖ）が４０以上の高導電性金属としては、パラジュウム、ロジウム、ルテニウム、イリジュウム、白金、タングステン、ニッケル、コバルト、クロムまたはこれらの合金などを用いることができ、これらの中では、化学的に安定でかつ高い導電率を有する点でパラジュウム、ロジウム、ルテニウム、イリジュウム、白金を用いるが好ましい。
【０１０４】
また、ビッカース硬度（Ｈｖ）が４０以上の金属と金との合金としては、金・パラジュウム合金、金・銅合金、白金・金合金、ニッケルやコバルトを０．１〜１．０％含有する硬質金などを用いることができ、これらの中では、化学的に安定でかつ高い導電率を有する点で、金・パラジュウム合金、ニッケルやコバルトを０．１〜１．０％含有する硬質金を用いることが好ましい。
【０１０５】
電極構造体１５において、表面電極部１６の基端における径Ｒ１に対する先端における径Ｒ２の比（Ｒ２／Ｒ１）は、０．１１〜１であることが好ましく、より好ましくは０．１５〜０．９である。
【０１０６】
電極構造体１５の配置ピッチは、接続すべき回路装置の被検査電極のピッチと同一のものとされるが、４０〜１６０μｍピッチであることが好ましく、４０〜１２０μｍであることがより好ましく、特に４０〜１００μｍでることが好ましい。
【０１０７】
このような条件を満足することにより接続すべき回路装置は、ピッチが１２０μｍ以下の小さくて微小な電極を有するものや、ピッチが１００μｍ以下の極めて小さい微小な電極を有するものであっても、回路装置に対して安定な電気的接続状態が確実に得られる。
【０１０８】
また、表面電極部の基端部１６Ｃの基端の径Ｒ６は、電極構造体１５のピッチの３０〜７０％であることが好ましく、より好ましくは３５〜６０％である。
また、表面電極部の基端部１６Ｃの基端の径Ｒ６に対する突出高さｈ（Ｈ１＋Ｈ２）の比ｈ／Ｒ６は、０．４〜１．５であることが好ましく、より好ましくは０．５〜１．２である。
【０１０９】
このような条件を満足することにより接続すべき回路装置は、ピッチが１２０μｍ以下の小さくて微小な電極を有するものや、ピッチが１００μｍ以下の極めて小さい微小な電極を有するものであっても、電極のパターンに対応するパターンの電極構造体１５を容易に形成することができ、回路装置に対して安定な電気的接続状態が一層確実に得られる。
【０１１０】
表面電極部の先端部１６Ｂの径Ｒ２は、上記の条件や接続すべき電極の直径などを勘案して設定されるが、例えば５〜８０μｍであり、好ましくは２０〜６０μｍである。
表面電極部１６の突出高さｈ（Ｈ１＋Ｈ２）の高さは、接続すべき電極に対して安定な電気的接続を達成することができる点で、１５〜８０μｍであることが好ましく、より好ましくは２０〜６０μｍである。
【０１１１】
表面電極部の基端部１６Ｃの突出高さＨ２は、表面電極部が接続すべき電極に対して安定な電気的接続を達成することができる点、および電極構造体１５が絶縁層１８Ｂからの脱落を防止できる点で、４〜３０μｍであることが好ましく、より好ましくは５〜２０μｍである。
【０１１２】
表面電極部の先端部１６Ｂの突出高さＨ１は、表面電極部が接続すべき電極に対して安定な電気的接続を達成することができる点、および表面電極部の先端の強度を保持し、繰
り返し使用時の変形を抑制できる点で、１０〜５０μｍであることが好ましく、より好ましくは１５〜４０μｍである。
【０１１３】
表面電極部の基端部１６Ｃの側面の傾斜角度ｃは、３０°〜６０°が好ましく、より好ましくは４０°〜５５°である。
この角度は、例えばポリイミド層にエッチング液を用いてエッチング孔を形成し、これに金属をメッキなどの手段で充填することにより容易に形成することができる。
【０１１４】
表面電極部の先端部１６Ｂの側面の傾斜角度ｂは、７０°〜９０°が好ましく、より好ましくは８０°〜８５°である。
この角度は、例えばポリイミド層にレーザー加工を行って貫通孔を形成したり、あるいはレジスト層に露光を行ってパターン孔を形成し、これに金属をメッキなどの手段で充填することにより容易に達成することができる。
【０１１５】
また、裏面電極部１７の外径Ｒ５は、裏面電極部１７に連結された短絡部１８の絶縁層１８Ｂの裏面側の径Ｒ４より大きく、かつ、電極構造体１５のピッチより小さいものであればよいが、可能な限り大きいものであることが好ましく、これにより、例えば異方導電性シートに対しても安定な電気的接続を確実に達成することができる。
【０１１６】
また、裏面電極部１７の厚みｄ２は、強度が十分に高くて優れた繰り返し耐久性が得られる点で、１０〜８０μｍであることが好ましく、より好ましくは１２〜６０μｍである。
【０１１７】
また、短絡部１８の絶縁層１８Ｂの裏面側の径Ｒ４に対する絶縁層１８Ｂの表面側の径Ｒ３の比Ｒ３／Ｒ４は、０．２〜１であることが好ましく、より好ましくは０．３〜０．９である。
【０１１８】
また、短絡部１８の絶縁層１８Ｂの表面側の径Ｒ３は、電極構造体１５のピッチの１０〜５０％であることが好ましく、より好ましくは１５〜４５％である。
また、本発明のシート状プローブ１０においては、図６（ａ）に示したように、支持体２５によって絶縁層１８Ｂを支持する構造の他、図６（ｂ）に示したように絶縁層１８Ｂ中に多孔膜２４を有する構造も可能である。
【０１１９】
なお、図６（ｂ）に示したシート状プローブ１０の構造は、図７に示した通りである。
図７に示した本発明のシート状プローブ１０の製造方法については、絶縁層１８Ｂを支持体２５で支持するか、多孔膜２４で支持するかの違い以外は、基本的に同じ構成である。
【０１２０】
また、図７に示した、絶縁層１８Ｂを多孔膜２４で支持するタイプのシート状プローブの多孔膜２４としては、柔軟性を有する多孔膜、例えば有機繊維からなるメッシュもしくは不織布を用いることができる。
【０１２１】
メッシュもしくは不織布を形成する有機繊維としては、例えばアラミド繊維、ポリエチレン繊維、ポリアリレート繊維、ナイロン繊維、ポリテトラフルオロエチレン繊維などのフッ素樹脂繊維、ポリエステル繊維が挙げられる。
【０１２２】
合成繊維からなるメッシュでは、例えば繊維径が１５〜１００μｍ、メッシュ開口径が２０〜２００μｍのものを使用できる。
また、ポリテトラフルオロエチレンからなる開口径が１〜５μｍ程度のメンブレンフィルターを用いてもよい。
【０１２３】
また、多孔膜２４として金属からなるメッシュを用いてもよく、メッシュを形成する金属としては、例えばステンレス、アルミニウムが挙げられる。
また、多孔膜２４を用いたシート状プローブ１０は、接点膜９の支持部２７が、多孔膜２４と絶縁層１８Ｂとが一体化した構造となっているので固定強度が高く、このシート状プローブ１０を用いた検査装置による電気検査において高い繰り返し耐久性が得られる。
【０１２４】
このため、絶縁層１８Ｂの支持方法については、製造コストなどを勘案して、適宜選択すると良い。
＜シート状プローブの製造方法＞
以下、シート状プローブ１０の製造方法について説明する。
【０１２５】
まず、図８（ａ）に示したように、表面電極形成用金属シート１６Ａの保護フィルム４０Ａを設けていない側の表面にレジスト層２２を形成する。
このレジスト層２２に露光および現像により、表面電極の先端部１６Ｂを形成するための所定位置に開口２３を形成したパターンを得る（図８（ｂ））。
【０１２６】
次に、表面電極形成用金属シート１６Ａを共通電極として電解メッキなどのメッキを行い、それぞれの開口２３に金属を充填して表面電極の先端部１６Ｂを形成する（図８（ｃ））。
【０１２７】
そして、レジスト層２２を除去して、表面電極部の先端部１６Ｂが所定の位置に立設された表面電極形成用金属シート１６Ａを得た（図９（ａ））。
次に、表面電極部の先端部１６Ｂが所定の位置に立設された表面電極形成用金属シート１６Ａの先端部１６Ｂが形成された側の面に、先端部１６Ｂをその開口内に位置するようにスペーサー３９を積層する（図９（ｂ））。
【０１２８】
ここでスペーサー３９の厚みは、形成する表面電極部の厚みｈ、すなわち先端部分の１６Ｂの厚みＨ２と基端部分の厚みＨ１との合計と同様の厚みのもので、先端部１６Ｂの厚みより大きいものである。
【０１２９】
スペーサー３９は、形成するべき電極構造体に対応する位置に開口を有するものであり、金属、樹脂などで形成され、後にシート状プローブより脱離させるために、表面が平坦でテフロン（登録商標）コーティングなどの被覆がされたものが好ましい。
【０１３０】
次に、スペーサー３９の開口内部に液状の樹脂材料を塗布、硬化させて表面電極部の先端部１６Ｂを覆うように樹脂層５５を形成する（図９（ｃ））。
樹脂層５５を形成する樹脂材料としては、エッチングが容易であるポリイミドが好ましい。
【０１３１】
ポリイミドにより樹脂層５５を形成する場合は、熱硬化性のポリイミド、感光性のポリイミド、ポリイミド前駆体を溶媒に希釈したポリイミドのワニス、溶液などを用いて樹脂層５５を形成することが好ましい。
【０１３２】
樹脂層５５の形成においては、液状の樹脂材料の塗布、硬化を複数回繰り返して行い、スペーサー３９の開口内に樹脂層５５を形成することにより、表面電極部の先端部１６Ｂを覆うように樹脂層５５を形成することが好ましい。
【０１３３】
また、形成した各々の樹脂層５５は厚みにバラツキが生じることがあるので、樹脂層５５を形成後に、スペーサー３９の高さに合わせて、形成された樹脂層５５を研磨、平坦化
することにより一様の厚みをもつ樹脂層５５とすることが、高さの揃った電極構造体を形成するうえで好ましい。
【０１３４】
次いで、表面電極形成用金属シート１６Ａの樹脂層側の表面に、形成すべき電極構造体１５における基端部１６Ｃのパターンに対応するパターンに従って複数のパターン孔が形成されたエッチング用のレジスト膜２８Ａを形成する（図１０（ａ））。
【０１３５】
エッチング用のレジスト膜２８Ａのパターン孔３４Ｈの径は、形成する表面電極の基端部１６Ｃの基端の径Ｒ６と同様のものとする。
そして、レジスト膜２８Ａのパターン孔３４Ｈを介して、樹脂層５５にエッチングを行って開口５２を形成し、その底部に表面電極部の先端部１６Ｂを露出させる(図１０（ｂ
）)。
【０１３６】
樹脂層５５をエッチング処理するためのエッチング液としては、アミン系エッチング液、ヒドラジン系水溶液や水酸化カリウム水溶液などを用いることができる。
さらに、エッチング処理条件を選択することにより、樹脂層５５に、裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状の開口５２を形成することができる。
【０１３７】
その後、レジスト膜２８Ａを除去する（図１０（ｃ））。
次いで、表面電極形成用金属シート１６Ａを共通電極として電解メッキ処理を施して、それぞれの開口５２に金属を充填して表面電極の基端部１６Ｃを形成する。
【０１３８】
こうして、先端部１６Ｂおよび基端部１６Ｃからなる表面電極部１６が、表面電極形成用金属シート１６Ａに立設された積層体シートを得た。
これを積層体１０Ａとする（図１１（ａ））。
【０１３９】
このようにして先端部１６Ｂおよび基端部１６Ｃからなる表面電極部１６が形成された積層体１０Ａに、図１１（ｂ）に示すように表面電極部１６を覆うように絶縁層１８Ｂを形成し、この絶縁層１８Ｂの表面に裏面側金属層１７Ａを形成し積層体１０Ｂとする。
【０１４０】
また、絶縁層１８Ｂを構成する材料としては、エッチング可能な高分子材料を用いることが好ましく、より好ましくはポリイミドである。
ポリイミドとしては、
（１）感光性ポリイミドの溶液、ポリイミド前駆体の溶液、ポリイミド前駆体や低分子のポリイミドを溶媒で希釈した液状ポリイミドまたはワニス
（２）熱可塑性ポリイミド
（３）ポリイミドフィルム
が用いられる。
【０１４１】
このうち、感光性ポリイミドの溶液、ポリイミド前駆体の溶液、ポリイミド前駆体や低分子のポリイミドを溶媒で希釈した液状ポリイミドまたはワニスは、粘性が低いため溶液塗布することができ、塗布後に硬化（重合）するので溶媒の蒸発、重合により体積収縮を伴うものである。
【０１４２】
このような感光性ポリイミドの溶液、ポリイミド前駆体の溶液、ポリイミド前駆体や低分子のポリイミドを溶媒で希釈した液状ポリイミドまたはワニスを用いる場合には、これらを積層体１０Ａに塗布して硬化することにより絶縁層１８Ａを形成することが好ましい。
【０１４３】
熱可塑性ポリイミドにおいては、溶媒に溶解させてポリイミド溶液として積層体１０Ａ
に塗布した後、溶媒を蒸発させて絶縁層１８Ｂとすることや、熱可塑性ポリイミドのフィルムを積層体１０Ａに積層し加熱プレスすることにより積層体１０Ａに一体化させて絶縁層１８Ｂとすることができる。
【０１４４】
ポリイミドフィルムは熱にも溶媒にも溶けず安定なため、このようなポリイミドフィルムを用いる場合には、ポリイミドフィルムに熱可塑性ポリイミドフィルムを介して積層体１０Ａに積層して加熱プレスして一体化する方法や、ポリイミドフィルムの表面に感光性ポリイミドの溶液、ポリイミド前駆体の溶液、ポリイミド前駆体や低分子のポリイミドを溶媒で希釈した液状ポリイミドまたはワニスにより半硬化状態のポリイミド層を形成した後に積層体１０Ａに積層して硬化して一体化する方法等により絶縁層１８Ｂを形成することができる。
【０１４５】
また、片面に例えば４２アロイよりなる金属層が積層された積層ポリイミドシートを、接着層を介して積層体１０Ａに積層することにより絶縁層１８Ｂと裏面側金属層１７Ａを形成することもできる。
【０１４６】
裏面側金属層１７Ａは、形成すべき支持体２５の厚みと同等の厚みを有するものとされる。
その後、図１１（ｃ）に示したように積層体１０Ｂに対し、裏面側金属層１７Ａの表面に、形成すべき電極構造体１５のパターンに対応するパターンに従って複数のパターン孔２８Ｈが形成されたエッチング用のレジスト膜２８Ａを形成する。
【０１４７】
ここで、レジスト膜２８Ａを形成する材料としては、エッチング用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができる。
次いで、裏面側金属層１７Ａに対し、レジスト膜２８Ａのパターン孔２８Ｈを介して露出した部分にエッチング処理を施して部分を除去することにより、図１２（ａ）に示したように、裏面側金属層１７Ａに、それぞれレジスト膜２８Ａのパターン孔２８Ｈに連通する複数のパターン孔１７Ｈが形成される。
【０１４８】
その後、絶縁層１８Ｂに対し、レジスト膜２８Ａの各パターン孔２８Ｈおよび裏面側金属層１７Ａの各パターン孔１７Ｈを介して露出した部分に、エッチング処理を施して絶縁層の一部を除去する。
【０１４９】
これにより、図１２（ｂ）に示したように、絶縁層１８Ｂの裏面から表面に向かうに従って小径となり、底面に表面電極部１６が露出したテーパ状の複数の貫通孔１８Ｈが形成される。
【０１５０】
さらに、保護フィルム４０Ａを除去し、積層体１０Ｂの裏面にそれぞれ裏面側金属層１７Ａのパターン孔１７Ｈ、絶縁層１８Ｂの貫通孔１８Ｈが連通されてなる複数の短絡部形成用凹所１８Ｋが形成される。
【０１５１】
以上において、裏面側金属層１７Ａをエッチング処理するためのエッチング剤としては、これらの金属層を構成する材料に応じて適宜選択される。
絶縁層１８Ｂをエッチング処理するためのエッチング液としては、アミン系エッチング液、ヒドラジン系水溶液や水酸化カリウム水溶液などを用いることができ、エッチング処理条件を選択することにより、絶縁層１８Ｂに裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状の貫通孔１８Ｈを形成することができる。
【０１５２】
このようにして短絡部形成用凹所１８Ｋが形成された積層体１０Ｂからレジスト膜２８Ａを除去する。
さらに図１２（ｃ）に示したように、積層体１０Ｂの裏面側金属層１７Ａの表面に形成すべき電極構造体１５における裏面電極部１７のパターンに対応するパターンに従って、複数のパターン孔２９Ｈが形成されたメッキ用のレジスト膜２９Ａを形成する。
【０１５３】
ここで、レジスト膜２９Ａを形成する材料としては、メッキ用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができるがドライフィルムレジストが好ましい。
そして、表面電極形成用金属シート１６Ａを保護フィルム４０Ｃで覆う。
【０１５４】
次いで、積層体１０Ｂに対し、表面電極形成用金属シート１６Ａを電極として、電解メッキ処理を施して各短絡部形成用凹所１８Ｋおよびレジスト膜２９Ａの各パターン孔２９Ｈ内に金属を充填する。
【０１５５】
このようにして図１３（ａ）に示すように、表面電極部１６の各々の基端に連続してその厚み方向に貫通して伸びる短絡部１８および短絡部１８の各々の絶縁層１８Ｂの裏面側に連結された裏面電極部１７が形成される。
【０１５６】
ここで、裏面電極部１７の各々は、裏面側金属層１７Ａを介して互いに連結された状態である。
さらに、表面電極部１６、短絡部１８および裏面電極部１７が形成された積層体１０Ｂからレジスト膜２９Ａを除去する。
【０１５７】
その後に、図１３（ｂ）に示したように裏面側金属層１７Ａの、裏面電極部１７と支持体２５とする部分に、パターン孔２９Ｋを有するパターニングされたエッチング用のレジスト膜２９Ｂを形成する。
【０１５８】
ここで、レジスト膜２９Ｂの材料としては、エッチング用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができる。
その後、表面電極形成用金属シート１６Ａの上に設けられた保護フィルム４０Ｃを除去し、表面電極形成用金属シート１６Ａおよび裏面側金属層１７Ａにエッチング処理を施す。
【０１５９】
さらに、図１３（ｃ）に示したように、表面電極形成用金属シート１６Ａを除去すると共に、裏面側金属層１７Ａにおけるパターン孔２９Ｋにより露出した部分を除去して開口部２６を形成し、これにより、互いに分離した複数の裏面電極部１７および支持体２５が形成される。
【０１６０】
また、図１４（ａ）に示したように、裏面側のエッチング用のレジスト膜２９Ｂを除去した後、裏面電極部１７、支持体２５、開口部２６を覆うように、レジスト膜１７Ｅを形成する。
【０１６１】
ここで、レジスト膜１７Ｅを形成する材料としては、エッチング用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができる。
そしてレジスト膜１７Ｅの表面全体に保護フィルム４０Ｂを積層する。
【０１６２】
次いで、樹脂層５５に対してエッチング処理を施してその全部を除去し、図１４（ｂ）に示したように、表面電極部１６、絶縁層１８Ｂを露出した積層体１０Ｃを得た。
その後、積層体１０Ｃよりスペーサー３９を除去した（図１４（ｃ））。
【０１６３】
次いで、図１５（ａ）に示すように、支持体２５の一部を露出させるため、レジスト膜１７Ｆを積層体１０Ｃの上面に形成する。
この状態で、絶縁層１８Ｂをエッチング処理することにより、図１５（ｂ）に示したように、支持体２５の一部が露出される。
【０１６４】
そして、絶縁層１８Ｂの表面よりレジスト膜１７Ｆを除去し、絶縁層１８Ｂの裏面および裏面電極部１７から、保護フィルム４０Ｂおよびレジスト膜１７Ｅを除去することにより、図１５（ｃ）に示したシート状プローブ１０が得られる。
【０１６５】
このように、絶縁層１８Ｂの表面に沿って外方に伸びる表面電極部１６を確実に形成することにより、電極構造体１５が絶縁層１８Ｂの裏面から脱落することがなく高い耐久性を有するシート状プローブ１０を製造することができる。
【０１６６】
また、本発明のシート状プローブ１０の製造方法によれば、膜厚の大きい絶縁層１８Ｂに対しても確実に表面電極部１６に連通する短絡部形成用凹所１８Ｋが形成でき、短絡部１８の厚みの大きい電極構造体１５を形成できる。
【０１６７】
そのため、厚みの大きな絶縁層１８Ｂよりなるシート状プローブ１０を確実に製造することができる。
さらに、積層体１０Ｂを構成する裏面側金属層１７Ａをエッチング処理して、開口部２６を形成することにより裏面側金属層１７Ａを分割分離して裏面電極部１７と支持体２５を形成するので、絶縁層１８Ｂに一体化され、電極構造体１５とは電気的に絶縁した金属よりなる支持体２５を確実に製造することができる。
【０１６８】
また、上述した以外の方法でもシート状プローブ１０を得ることができ、例えば、電極構造体１５が配置される貫通孔を絶縁層１８Ｂに形成した後、貫通孔の内面から絶縁層１８Ｂの表面に渡り無電解メッキを施し、絶縁層１８Ｂの片面もしくは両面に、貫通孔の位置にその径と同等もしくはこれよりも大きい径の開口パターンが形成されたレジスト膜を設けた状態で、スルーホールメッキを施して電極構造体１５を形成することができる。
【０１６９】
この場合、表面電極部１６もしくは裏面電極部１７の突出高さはレジスト膜の高さなどで規定される。
＜プローブカードおよび回路装置の検査装置＞
図１６は、本発明に係る回路装置の検査装置の一例における構成を示す説明用断面図であり、この回路装置の検査装置は、ウエハに形成された複数の集積回路の各々について、集積回路の電気的検査をウエハの状態で行うためのものである。
【０１７０】
また、このような回路装置の検査装置は、図１６に示したように、シート状プローブ１０が、絶縁層１８Ｂを多孔膜２４で支持するシート状プローブである場合には、多孔膜２４の外縁部に支持板２が接着剤により接着された状態で使用される。
【０１７１】
この回路装置の検査装置は、被検査回路装置であるウエハ６の被検査電極７の各々とテスターとの電気的接続を行うプローブカード１（絶縁層１８Ｂを支持体２５で支持するシート状プローブ）を有する。
【０１７２】
このプローブカード１においては、図１８にも拡大して示すように、ウエハ６に形成された全ての集積回路における被検査電極７のパターンに対応するパターンに従って複数の検査電極２１が表面（図において下面）に形成された検査用回路基板２０を有している。
【０１７３】
さらに、この検査用回路基板２０の表面には、異方導電性コネクター３０が配置され、この異方導電性コネクター３０の表面（図において下面）には、ウエハ６に形成された全ての集積回路における被検査電極７のパターンに対応するパターンに従って複数の電極構
造体１５が配置された、図１に示す構成のシート状プローブ１０が配置されている。
【０１７４】
そして、シート状プローブ１０はガイドピン５０により異方導電性コネクター３０と、電極構造体１５と導電部３６が一致するように固定された状態で保持されている。
また、プローブカード１における検査用回路基板２０の裏面（図において上面）には、プローブカード１を下方に加圧する加圧板３が設けられ、プローブカード１の下方には、ウエハ６が載置されるウエハ載置台４が設けられており、加圧板３およびウエハ載置台４の各々には、加熱器５が接続されている。
【０１７５】
さらに、このような回路装置の検査装置は、分解すると図１７（ａ）、図１７（ｂ）に示したような構成であり、異方導電性コネクター３０のフレーム板３１に形成された貫通孔と、ガイドピン５０とが嵌合することによって、位置決めを行っている。
【０１７６】
また、シート状プローブ１０は、多孔膜２４の外縁部に接着した支持板２と、加圧板３の凹部とが嵌合することによって、位置決めを行うことができるようになっている。
さらに、検査用回路基板２０を構成する基板材料としては、従来公知の種々の基板材料を用いることができ、その具体例としては、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂、ガラス繊維補強型フェノール樹脂、ガラス繊維補強型ポリイミド樹脂、ガラス繊維補強型ビスマレイミドトリアジン樹脂などの複合樹脂材料、ガラス、二酸化珪素、アルミナなどのセラミックス材料などが挙げられる。
【０１７７】
また、ＷＬＢＩ試験を行うための検査装置を構成する場合には、線熱膨張係数が３×１０-5／Ｋ以下のものを用いることが好ましく、より好ましくは１×１０-7〜１×１０-5／Ｋ、特に好ましくは１×１０-6〜６×１０-6／Ｋである。
【０１７８】
このような基板材料の具体例としては、パイレックス（登録商標）ガラス、石英ガラス、アルミナ、ベリリア、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素などが挙げられる。
異方導電性コネクター３０は、図１９に示すように、被検査回路装置であるウエハ６に形成された全ての集積回路における被検査電極７が配置された電極領域に対応して複数の開口３２が形成されたフレーム板３１と、このフレーム板３１に、それぞれ一の開口３２を塞ぐよう配置され、フレーム板３１の開口縁部に固定されて支持された複数の異方導電性シート３５とにより構成されている。
【０１７９】
フレーム板３１を構成する材料としては、フレーム板３１が容易に変形せず、その形状が安定に維持される程度の剛性を有するものであれば特に限定されず、例えば、金属材料、セラミックス材料、樹脂材料などの種々の材料を用いることができ、フレーム板３１を例えば金属材料により構成する場合には、フレーム板３１の表面に絶縁性被膜が形成されていてもよい。
【０１８０】
フレーム板３１を構成する金属材料の具体例としては、鉄、銅、ニッケル、チタン、アルミニウムなどの金属またはこれらを２種以上組み合わせた合金若しくは合金鋼などが挙げられる。
【０１８１】
フレーム板３１を構成する樹脂材料の具体例としては、液晶ポリマー、ポリイミド樹脂などが挙げられる。
また、この検査装置がＷＬＢＩ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｂｕｒｎ−ｉｎ）試験を行うためのものである場合には、フレーム板３１を構成する材料としては、線熱膨張係数が３×１０-5／Ｋ以下のものを用いることが好ましく、より好ましくは−１×１０-7〜１×１０-5／Ｋ、特に好ましくは１×１０-6〜８×１０-6／Ｋである。
【０１８２】
このような材料の具体例としては、インバーなどのインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合金、スーパーインバー、コバール、４２アロイなどの磁性金属の合金または合金鋼などが挙げられる。
【０１８３】
フレーム板３１の厚みは、その形状が維持されると共に、異方導電性シート３５を支持することが可能であれば、特に限定されるものではなく、具体的な厚みは材質によって異なるが、例えば２５〜６００μｍであることが好ましく、より好ましくは４０〜４００μｍである。
【０１８４】
異方導電性シート３５の各々は、弾性高分子物質によって形成されており、被検査回路装置であるウエハ６に形成された一の電極領域の被検査電極７のパターンに対応するパターンに従って形成された、それぞれ厚み方向に伸びる複数の導電部３６と、これらの導電部３６の各々を相互に絶縁する絶縁部３７とにより構成されている。
【０１８５】
また、図示の例では、異方導電性シート３５の両面には、導電部３６およびその周辺部分が位置する個所に、それ以外の表面から突出する突出部３８が形成されている。
異方導電性シート３５における導電部３６の各々には、磁性を示す導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向した状態で密に含有されている。
【０１８６】
これに対して、絶縁部３７は、導電性粒子Ｐが全く或いは殆ど含有されていないものである。
異方導電性シート３５の全厚（図示の例では導電部３６における厚み）は、５０〜２０００μｍであることが好ましく、より好ましくは７０〜１０００μｍ、特に好ましくは８０〜５００μｍである。
【０１８７】
この厚みが５０μｍ以上であれば、異方導電性シート３５には十分な強度が得られる。
一方、この厚みが２０００μｍ以下であれば、所要の導電性特性を有する導電部３６が確実に得られる。
【０１８８】
突出部３８の突出高さは、その合計が突出部３８における厚みの１０％以上であることが好ましく、より好ましくは１５％以上である。
このような突出高さを有する突出部３８を形成することにより、小さい加圧力で導電部３６が十分に圧縮されるため、良好な導電性が確実に得られる。
【０１８９】
また、突出部３８の突出高さは、突出部３８の最短幅または直径の１００％以下であることが好ましく、より好ましくは７０％以下である。
このような突出高さを有する突出部３８を形成することにより、突出部３８が加圧されたときに座屈することがないため、所期の導電性が確実に得られる。
【０１９０】
異方導電性シート３５を形成する弾性高分子物質としては、架橋構造を有する耐熱性の高分子物質が好ましい。
かかる架橋高分子物質を得るために用いることができる硬化性の高分子物質形成材料としては、種々のものを用いることができるが、液状シリコンゴムが好ましい。
【０１９１】
導電性粒子Ｐを得るための磁性芯粒子は、その数平均粒子径が３〜４０μｍのものであることが好ましい。
ここで、磁性芯粒子の数平均粒子径は、レーザー回折散乱法によって測定されたものをいう。
【０１９２】
上記数平均粒子径が３μｍ以上であれば、加圧変形が容易で、抵抗値が低くて接続信頼
性の高い導電部３６が得られやすい。
一方、上記数平均粒子径が４０μｍ以下であれば、微細な導電部３６を容易に形成することができ、また、得られる導電部３６は、安定な導電性を有するものとなりやすい。
【０１９３】
磁性芯粒子を構成する材料としては、鉄、ニッケル、コバルト、これらの金属を銅、樹脂によってコーティングしたものなどを用いことができるが、その飽和磁化が０．１Ｗｂ／ｍ2以上のものを好ましく用いることができ、より好ましくは０．３Ｗｂ／ｍ2以上、特に好ましくは０．５Ｗｂ／ｍ2以上のものであり、具体的には、鉄、ニッケル、コバルト
またはそれらの合金などが挙げられる。
【０１９４】
磁性芯粒子の表面に被覆される高導電性金属としては、金、銀、ロジウム、白金、クロムなどを用いることができ、これらの中では、化学的に安定でかつ高い導電率を有する点で金を用いるが好ましい。
【０１９５】
導電性粒子Ｐは、芯粒子に対する高導電性金属の割合〔（高導電性金属の質量／芯粒子の質量）×１００〕が１５質量％以上とされ、好ましくは２５〜３５質量％とされる。
高導電性金属の割合が１５質量％未満である場合には、得られる異方導電性コネクター３０を高温環境下に繰り返し使用したとき、導電性粒子Ｐの導電性が著しく低下する結果、所要の導電性を維持することができない。
【０１９６】
また、導電性粒子Ｐの数平均粒子径は、３〜４０μｍであることが好ましく、より好ましくは６〜２５μｍである。
このような導電性粒子Ｐを用いることにより、得られる異方導電性シート３５は、加圧変形が容易なものとなり、また、導電部３６において導電性粒子Ｐ間に十分な電気的接触が得られる。
【０１９７】
また、導電性粒子Ｐの形状は、特に限定されるものではないが、高分子物質形成材料中に容易に分散させることができる点で、球状のもの、星形状のものあるいはこれらが凝集した２次粒子による塊状のものであることが好ましい。
【０１９８】
導電部３６における導電性粒子Ｐの含有割合は、体積分率で１０〜６０％、好ましくは１５〜５０％となる割合で用いられることが好ましい。
この割合が１０％未満の場合には、十分に電気抵抗値の小さい導電部３６が得られないことがある。
【０１９９】
一方、この割合が６０％を超える場合には、得られる導電部３６は脆弱なものとなりやすく、導電部３６として必要な弾性が得られないことがある。
以上のような異方導電性コネクター３０は、例えば特開２００２−３２４６００号公報に記載された方法によって製造することができる。
【０２００】
上記の検査装置においては、ウエハ載置台４上に検査対象であるウエハ６が載置され、次いで、加圧板３によってプローブカード１が下方に加圧されることにより、そのシート状プローブ１０の電極構造体１５における表面電極部１６の各々が、ウエハ６の被検査電極７の各々に接触し、更に、表面電極部１６の各々によって、ウエハ６の被検査電極７の各々が加圧される。
【０２０１】
この状態においては、異方導電性コネクター３０の異方導電性シート３５における導電部３６の各々は、検査用回路基板２０の検査電極２１とシート状プローブ１０の電極構造体１５の裏面電極部１７とによって挟圧されて厚み方向に圧縮されている。
【０２０２】
このため、導電部３６にはその厚み方向に導電路が形成され、その結果、ウエハ６の被検査電極７と検査用回路基板２０の検査電極２１との電気的接続が達成される。
その後、加熱器５によって、ウエハ載置台４および加圧板３を介してウエハ６が所定の温度に加熱され、この状態で、ウエハ６における複数の集積回路の各々について所要の電気的検査が実行される。
【０２０３】
上記のプローブカード１によれば、図１に示すシート状プローブ１０を備えてなるため、小さいピッチで被検査電極７が形成されたウエハ６に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、シート状プローブ１０における電極構造体１５が脱落することがなく、絶縁層１８Ｂの厚みが大きいため高い耐久性が得られる。
【０２０４】
そして、上記の検査装置によれば、図１に示すシート状プローブ１０を有するプローブカード１を備えてなるため、小さいピッチで被検査電極７が形成されたウエハ６に対しても安定な電気的接続状態を確実に達成することができ、しかも、プローブカード１が高い耐久性を有するため、多数のウエハ６の検査を行う場合でも、長期間にわたって信頼性の高い検査を実行することができる。
【０２０５】
本発明の回路装置の検査装置は、上記の例に限定されず、以下のように、種々の変更を加えることが可能である。
（１）図１６に示すプローブカード１は、ウエハ６に形成された全ての集積回路の被検査電極７に対して一括して電気的接続を達成するものであるが、ウエハ６に形成された全ての集積回路の中から選択された複数の集積回路の被検査電極７に電気的に接続されるものであってもよい。
【０２０６】
選択される集積回路の数は、ウエハ６のサイズ、ウエハ６に形成された集積回路の数、各集積回路における被検査電極７の数などを考慮して適宜選択され、例えば１６個、３２個、６４個、１２８個である。
【０２０７】
このようなプローブカード１を有する検査装置においては、ウエハ６に形成された全ての集積回路の中から選択された複数の集積回路の被検査電極７に、プローブカード１を電気的に接続して検査を行い、その後、他の集積回路の中から選択された複数の集積回路の被検査電極７に、プローブカード１を電気的に接続して検査を行う工程を繰り返すことにより、ウエハ６に形成された全ての集積回路の電気的検査を行うことができる。
【０２０８】
そして、このような検査装置によれば、直径が８インチまたは１２インチのウエハ６に高い集積度で形成された集積回路について電気的検査を行う場合において、全ての集積回路について一括して検査を行う方法と比較して、用いられる検査用回路基板２０の検査電極数や配線数を少なくすることができ、これにより、検査装置の製造コストの低減化を図ることができる。
（２）異方導電性コネクター３０における異方導電性シート３５には、被検査電極７のパターンに対応するパターンに従って形成された導電部３６の他に、被検査電極７に電気的に接続されない非接続用の導電部３６が形成されていてもよい。
（３）本発明の検査装置の検査対象である回路装置は、多数の集積回路が形成されたウエハ６に限定されるものではなく、半導体チップや、ＢＧＡ、ＣＳＰなどのパッケージＬＳＩ、ＣＭＣなどの半導体集積回路装置などに形成された回路の検査装置として構成することができる。
（４）シート状プローブ１０は円筒形のセラミックなどの保持体により保持された状態にて、異方導電性シート３５や検査用回路基板２０と、例えばガイドピン５０などにて固定一体化することもできる。
（５）本発明のシート状プローブ１０の製造方法において第２の裏面側金属層１７Ａは必
須のものでなく、これを省略し短絡部形成用凹所１８Ｋとパターン孔１７Ｈに金属を充填することにより短絡部１８と一体化した裏面電極部１７を形成してもよい。
【０２０９】
この場合、支持体２５は、別途用意した支持体２５と製造したシート状プローブ１０に接着剤などを用いて積層して、一体化してもよい。
（６）本発明のシート状プローブ１０においては、例えば図５（ａ）に示すような電極構造体１５を有する絶縁層１８Ｂよりなる複数の接点膜９が、支持体２５の開口部２６の各々に配置し支持体２５により支持された状態のシート状プローブ１０であってもよく、更に図５（ｂ）に示すように一つの接点膜９が支持体２５の複数の開口部２６を覆うように配置されたものであってもよい。
【０２１０】
このように独立する複数の接点膜９によりシート状プローブ１０を構成することにより、例えば直径８インチ以上のウエハ検査用のシート状プローブ１０を構成した場合、温度変化による接点膜９の伸縮が小さくなり電極構造体１５の位置ずれが小さくなり好ましい。
【０２１１】
このようなシート状プローブは本発明のシート状プローブ１０の製造方法における図１５（ｃ））の状態で絶縁層１８Ｂにレジストによるパターニングと、エッチングにより絶縁層１８Ｂを任意の形状の接点膜９に分割することにより得られる。
【実施例】
【０２１２】
以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
＜試験用ウエハの作製＞
図２０に示すように、直径が８インチのシリコン（線熱膨張係数３．３×１０-6／Ｋ）製のウエハ６上に、それぞれ寸法が６．８５ｍｍ×６．８５ｍｍの正方形の集積回路Ｌを合計で４８３個形成した。
【０２１３】
このウエハ６の集積回路Ｌを形成した側の表面に、感光性ポリイミドをスピンコートして、樹脂膜を形成し、プリベークを行う。
次いで、被検査電極の上部以外の領域の感光性ポリイミドにより形成された樹脂膜を露光およびベークして半硬化させた後、感光性ポリイミドにより形成された樹脂膜の非露光（未硬化）部分を現像して除去することにより、被検査電極の上部に９０μｍ×９０μｍの開口部Ｋ１を形成した。
【０２１４】
その後、高温ベーク処理を行って、半硬化の感光性ポリイミドにより形成した樹脂膜を完全硬化させて、被検査電極の上部に開口部Ｋ１が形成された厚み約１０μｍのポリイミドよりなる絶縁膜Ｂ２を形成した。
【０２１５】
ウエハ６に形成された集積回路Ｌの各々は、図２１に示すように、その中央に被検査電極領域Ａを２５００μｍの間隔で２列に有し、この被検査電極領域Ａには、図２２（ａ）に示すように、それぞれ縦方向（図２２（ａ）において上下方向）の寸法が９０μｍで横方向（図２２（ａ）において左右方向）の寸法が９０μｍの矩形の２６個の被検査電極７が１２０μｍのピッチで横方向に一列に配列されている。
【０２１６】
そして図２２（ｂ）に示すように、被検査電極７は厚さ約１０μｍの絶縁膜Ｂ２によりその表面周囲を覆われている。
このウエハ６全体の被検査電極７の総数は２６１１６個であり、全ての被検査電極７は互いに電気的に絶縁されている。
【０２１７】
以下、このウエハ６を「試験用ウエハＷ１」という。
また、全ての被検査電極７を互いに電気的に絶縁することに代えて、集積回路Ｌにおける２６個の被検査電極のうち最も外側の被検査電極７から数えて１個おきに２個ずつを互いに電気的に接続したこと以外は、上記試験用ウエハＷ１と同様の構成の４８３個の集積回路Ｌをウエハ６上に形成した。
【０２１８】
以下、このウエハを「試験用ウエハＷ２」という。
（実施例１）
直径が２０ｃｍで厚みが２５μｍのポリイミドシートの片面に直径が２０ｃｍで厚みが４μｍの銅よりなる金属層が積層された積層ポリイミドシートを用意した。
【０２１９】
この積層ポリイミドシートの金属層の表面に厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによって、レジスト層２２を形成した（図８（ａ）参照）。
ここで図８（ａ）において、ポリイミドシートが保護フィルム４０Ａに相当し、銅よりなる金属層が表面電極形成用金属シート１６Ａに相当する。
【０２２０】
次に、レジスト層２２に試験用ウエハＷ１に形成された被検査電極７のパターンに対応するパターンに従って直径が４０μｍの円形の２６１１６個の開口２３を形成した（図８（ｂ）参照）。
【０２２１】
次に積層ポリイミドシートを、スルファミン酸ニッケルを含有するメッキ浴中に浸漬し、表面電極形成用金属シート１６Ａを共通電極として、電解メッキ処理を施して各開口２３内に金属を充填することにより、直径４０μｍで厚さ２５μｍの円錐台の表面電極部の先端部１６Ｂを形成した（図８（ｃ）参照）。
【０２２２】
そして、レジスト層２２を除去して、表面電極部の先端部１６Ｂが所定の位置に立設された表面電極形成用金属シート１６Ａを得た（図９（ａ）参照）。
次に、表面電極部の先端部１６Ｂが所定の位置に立設された表面電極形成用金属シート１６Ａの先端部１６Ｂが形成された側の面に、先端部１６Ｂをその開口内に位置するように、厚みが４０μｍで３４００μｍ×８００μｍの開口がウエハ６に形成された集積回路Ｌの被検査電極領域Ａに対応する位置に形成されたスペーサー３９を積層した（図９（ｂ）参照）。
【０２２３】
次に積層ポリイミドシートに積層したスペーサー３９の開口内に、ポリイミドのワニスをスクリーン印刷にて塗布し硬化することを繰り返して、先端部１６Ｂを覆うように厚み４０μｍのポリイミドからなる樹脂層５５を形成した（図９（ｃ）参照）。
【０２２４】
次いで、積層ポリイミドシートの樹脂層５５側の表面に、厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによって、形成すべき電極構造体１５における基端部１６Ｃのパターンに対応するパターンに従って直径５５μｍのパターン孔が形成されたエッチング用のレジスト膜２８Ａを形成した（図１０（ａ）参照）。
【０２２５】
そして、レジスト膜２８Ａのパターン孔３４Ｈを介して、アミン系ポリイミドエッチング液（東レエンジニアリング株式会社製、「ＴＰＥ−３０００」）を用い、８０℃、１０分間の条件でエッチング処理を施すことにより、樹脂層５５にエッチングを行って開口５２を形成し、その底部に表面電極部の先端部１６Ｂを露出させた(図１０（ｂ）参照)。
【０２２６】
次いで、積層ポリイミドシートを、４５℃の水酸化ナトリウム溶液に２分間浸漬させることにより、レジスト膜２８Ａを除去した（図１０（ｃ）参照）。
その後、積層ポリイミドシートを、スルファミン酸ニッケルを含有するメッキ浴中に浸
漬し、表面電極形成用金属シート１６Ａを電極として、電解メッキ処理を施して樹脂層５５の開口５２に金属を充填することにより、表面電極の基端部１６Ｃを形成した。
【０２２７】
これにより、先端部１６Ｂおよび基端部１６Ｃからなる表面電極部１６が、表面電極形成用金属シート１６Ａに立設された積層体シートを得た。
これを積層体１０Ａとする（図１１（ａ）参照）。
【０２２８】
そして、直径が２０．４ｃｍで厚みが１２．５μｍのポリイミドシートの両面に厚さ１２μｍの液状ポリイミド層を形成したポリイミドシートを、積層体１０Ａの表面電極部１６およびスペーサー３９の表面に積層した。
【０２２９】
次いで、積層体１０Ａの液状ポリイミド層の表面に、直径が２２ｃｍで厚みが１０μｍの４２アロイよりなる金属シートを積層した。
そして金属シートの周縁部分の液状ポリイミド層と接する側の面に、内径が２０．４ｃｍで外径が２２ｃｍのポリエチレンテレフタレートよりなる保護テープを配置し、この状態で熱圧着処理することにより、図１１（ｂ）に示した積層体１０Ｂを作製した。
【０２３０】
積層体１０Ｂは、表面電極部１６が形成された積層体１０Ａの一面に厚みが３６μｍのポリイミドよりなる絶縁層１８Ｂが積層され、該絶縁層１８Ｂの表面に４２アロイよりなる裏面側金属層１７Ａを有するものである（図１１（ｂ）参照）。
【０２３１】
次いで、積層体１０Ｂに対し裏面側金属層１７Ａの表面全面に、試験用ウエハＷ１に形成された被検査電極のパターンに対応するパターンに従って直径が６０μｍの円形の２６１１６個のパターン孔２８Ｈが形成されたレジスト膜２８Ａを形成した（図１１（ｃ）参照）。
【０２３２】
ここで、レジスト膜２８Ａの形成において、露光処理は高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することによって行い、現像処理は１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。
【０２３３】
次いで、裏面側金属層１７Ａに対し、塩化第二鉄系エッチング液を用い、５０℃、３０秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、裏面側金属層１７Ａに、それぞれレジスト膜２８Ａのパターン孔２８Ｈに連通する２６１１６個のパターン孔１７Ｈを形成した（図１２（ａ）参照）。
【０２３４】
その後、絶縁層１８Ｂに対し、アミン系ポリイミドエッチング液（東レエンジニアリング株式会社製、「ＴＰＥ−３０００」）を用い、８０℃、１５分間の条件でエッチング処理を施すことにより、絶縁層１８Ｂに、それぞれ裏面側金属層１７Ａのパターン孔１７Ｈに連通した２６１１６個の貫通孔１８Ｈを形成し、ポリイミドシートよりなる保護フィルム４０Ａを除去した（図１２（ｂ）参照）。
【０２３５】
この貫通孔１８Ｈの各々は、絶縁層１８Ｂの表面に向かうに従って小径となるテーパ状のものであって、その底面に裏面電極部１７が露出しており、裏面側の開口径が６０μｍ表面側の開口径が２５μｍのものであった。
【０２３６】
次いで、貫通孔１８Ｈが形成された積層体１０Ｂを、４５℃の水酸化ナトリウム溶液に２分間浸漬させることにより、積層体１０Ｂからレジスト膜２８Ａを除去した。
さらにその後、積層体１０Ｂに対し、厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによって、第２の裏面側金属層１７Ａの表面全面を覆うよう、レジスト膜２９Ａを形成すると共に、レジスト膜２９Ａに、絶縁層１８Ｂの貫通孔１８Ｈに連通する寸法が２００μｍ×６
０μｍの矩形の２６１１６個のパターン孔２９Ｈを形成した。
【０２３７】
そして、表面電極形成用金属シート１６Ａを厚みが２５μｍのポリエチレンテレフタレートよりなる保護フィルム４０Ｃによって覆った（図１２（ｃ）参照）。
ここで、レジスト膜２９Ａの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。
【０２３８】
このようにして、積層体１０Ｂの裏面に、それぞれ絶縁層１８Ｂの貫通孔１８Ｈ、裏面側金属層１７Ａのパターン孔１７Ｈおよびレジスト膜２９Ａのパターン孔２９Ｈが連通されてなる２６１１６個の短絡部形成用凹所１８Ｋを形成した。
【０２３９】
次いで、積層体１０Ｂをスルファミン酸ニッケルを含有するメッキ浴中に浸漬し、積層体１０Ｂに対し、表面電極形成用金属シート１６Ａを電極として、電解メッキ処理を施して各短絡部形成用凹所１８Ｋ内に金属を充填することにより、表面電極部１６に連結された、短絡部１８および裏面側金属層１７Ａによって互いに連結された裏面電極部１７を形成した（図１３（ａ）参照）。
【０２４０】
次いで、積層体１０Ｂを、４５℃の水酸化ナトリウム溶液に２分間浸漬させることにより、積層体１０Ｂからレジスト膜２９Ａを除去した。
その後、厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによって、裏面側金属層１７Ａにおける支持体２５となる部分および裏面電極部１７を覆うよう、パターニングされてパターン孔２９Ｋを有するエッチング用のレジスト膜２９Ｂを形成した（図１３（ｂ）参照）。
【０２４１】
ここで、レジスト膜２９Ｂの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。
【０２４２】
次いで、積層体１０Ｂから保護フィルム４０Ｃを除去し、その後、表面電極形成用金属シート１６Ａおよび裏面側金属層１７Ａに対し、アンモニア系エッチング液を用い、５０℃、３０秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、表面電極形成用金属シート１６Ａの全部を除去した。
【０２４３】
また、裏面側金属層１７Ａにおけるパターン孔２９Ｋにより露出した部分を除去し、これにより、裏面電極部１７の各々を互いに分離させると共に、試験用ウエハＷ１に形成された集積回路における電極領域のパターンに対応するパターンに従って形成された複数の開口部２６を有する支持体２５を形成した（図１３（ｃ）参照）。
【０２４４】
支持体２５に設けられた開口部２６の各々は、横方向３６００μｍ×縦方向１０００μｍである。
次いで、積層体１０Ｂを４５℃の水酸化ナトリウム水溶液に２分間浸漬することにより、支持体２５の裏面および裏面電極部１７からレジスト膜２９Ｂを除去した。
【０２４５】
その後、厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによって、支持体２５の裏面、絶縁層１８Ｂの裏面および裏面電極部１７を覆うよう、レジスト膜１７Ｅを形成し、このレジスト膜１７Ｅを厚みが２５μｍのポリエチレンテレフタレートよりなる保護フィルム４０Ｂによって覆った（図１４（ａ）参照）。
【０２４６】
その後、積層体１０Ｂに対し、アミン系ポリイミドエッチング液（東レエンジニアリング株式会社製、「ＴＰＥ−３０００」）を用い、８０℃、１０分間の条件でエッチング処
理を施すことにより、樹脂層５５を除去した積層体１０Ｃを得た（図１４（ｂ）参照）。
【０２４７】
その後、積層体１０Ｃよりスペーサー３９を除去した（図１４（ｃ）参照）。
そして、積層体１０Ｃの表面電極部１６および絶縁層１８Ｂを覆うように厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによりレジスト膜を形成し、接点膜９となるべき部分を覆うように、パターニングされたレジスト膜１７Ｆを形成した（図１５（ａ）参照）。
【０２４８】
レジスト膜１７Ｆの各々は横方向４６００μｍで縦方向２０００μｍである。
この状態で、アミン系ポリイミドエッチング液（東レエンジニアリング株式会社製、「ＴＰＥ−３０００」）を用い、８０℃、１０分間の条件でエッチング処理を施すことにより、金属フレーム板の各々の貫通孔に電極構造体１５が形成された接点膜９を備えた積層体１０Ｃを得た（図１５（ｂ）参照）。
【０２４９】
そして、積層体１０Ｃから保護フィルム４０Ｂを除去し、次に４５℃の水酸化ナトリウム水溶液に２分間浸漬することにより、レジスト膜１７Ｅおよびレジスト膜１７Ｆを除去した（図１５（ｃ）参照）。
【０２５０】
その後、支持体２５における周縁部分よりポリエチレンテレフタレートよりなる保護テープを除去し、支持体２５における周縁部分の表面に接着剤（セメダイン（株）：２液型アクリル接着剤 Ｙ−６２０）を塗布して接着剤層を形成し、外径が２２ｃｍ、内径が２０．５ｃｍで厚みが２ｍｍのリング状の窒化シリコンよりなる支持板２を配置した後、支持板２と支持体２５とを５０ｋｇの荷重で加圧し、２５℃で８時間保持することにより、支持板２を支持体２５に接合することにより、本発明に係るシート状プローブ１０を製造した。
【０２５１】
以上においてドライフィルムレジストとして特に記載しなかった部分においては、日立化成製のＨ−Ｋ３５０を使用した。
得られたシート状プローブ１０は、絶縁層１８Ｂの厚みｄが３６μｍ、電極構造体１５の表面電極部１６の先端部１６Ｂの先端の径Ｒ２が３６μｍ、基端における径Ｒ１が４０μｍ、表面電極部の基端部１６Ｃの基端の径Ｒ６は５５μｍ。
【０２５２】
表面電極部１６の先端部１６Ｂの突出高さＨ１は２５μｍ。
表面電極部１６の基端部１６Ｃの突出高さＨ２は１５μｍ。
表面電極部１６の突出高さｈ（Ｈ１＋Ｈ２）は４０μｍ。
【０２５３】
表面電極部１６の基端における径Ｒ１に対する先端における径Ｒ２の比（Ｒ２／Ｒ１）は０．９。
表面電極部の基端部１６Ｃの基端の径Ｒ６に対する突出高さｈの比ｈ／Ｒ６は０．７３。
【０２５４】
表面電極部１６の先端部１６Ｂの側面の傾斜角度ｂは８５°で、表面電極部１６の基端部１６Ｃの側面の傾斜角度ｃは４５°。
短絡部１８の形状が円錐台状で、その表面側の一端の径Ｒ３が２５μｍ、裏面側の他端の径Ｒ４が６０μｍ、裏面電極部１７の形状が矩形の平板状で、その横幅（径Ｒ５）が６０μｍ、縦幅が２００μｍ、厚みｄ２が２０μｍのものである。
（比較例１）
図３２（ａ）に示すような表面側金属層９２Ａ、第２の裏面側金属層９２Ｂ、第１の裏面側金属層９２Ｃを有し、絶縁性シート１１、絶縁層１８Ｂよりなる積層体９０Ｃを用意した。
【０２５５】
積層体９０Ｃは、表面側金属層９２Ａが厚さ４μｍの銅よりなり、絶縁層１８Ｂが厚さ１２．５μｍのポリイミドよりなり、第１の裏面側金属層９２Ｃが厚さ４μｍの銅よりなり、絶縁性シート１１が厚さ３７．５μｍのポリイミドよりなり、第２の裏面側金属層９２Ｂが厚さ１０μｍの４２アロイよりなるものである。
【０２５６】
この積層体９０Ｃに対して、特開２００４−１７２５８９号に記載された方法に従い、第２の裏面側金属層側９２Ｂに直径９０μｍのパターン孔を形成し、順次に絶縁層１８Ｂ、第１の裏面側金属層９２Ｃ、絶縁性シート１１に連続する貫通孔を形成し、貫通孔の底面に表面側金属層９２Ａを露出させ、短絡部と表面電極部を一括して形成する電極構造体形成用凹所９０Ｋを作成した（図３２（ｂ）参照）。
【０２５７】
次いで、積層体９０Ｃをスルファミン酸ニッケルを含有するメッキ浴中に浸漬し、積層体９０Ｃに対し、表面側金属層９２Ａを電極として、電解メッキ処理を施して電極構造体形成用凹所９０Ｋ内に金属を充填した（図３２（ｃ）参照）。
【０２５８】
次いで、絶縁性シート１１をエッチングにより除去した（図３２（ｄ）参照）。
次いで、第１の裏面側金属層にエッチングを行い保持部を形成し、第２の裏面側金属層にエッチングを行いその一部を除去することにより裏面電極部と支持部９２Ｅを形成し、絶縁層１８Ｂにエッチングを行い絶縁層を各々の接点膜に分割した（図３２（ｅ）参照）。
【０２５９】
その後、外径が２２ｃｍ、内径が２０．５ｃｍで厚みが２ｍｍのリング状の窒化シリコンよりなる支持板２の表面に、シアノアクリレート系接着剤（東亞合成（株）製：品名 アロンアルファ 品番：♯２００）を滴下して接着層を形成し、これに接点膜を形成した積層体を積層し、２５℃で３０分保持することにより、接着層を硬化させてシート状プローブを製造した。
【０２６０】
得られたシート状プローブは、絶縁層の厚みｄが３７．５μｍ、電極構造体の表面電極部の形状が円錐台状で、その基端の径が３７μｍ、その先端の径が１３μｍ（平均値）であり、その突出高さが１２．５μｍ、保持部は横幅が６０μｍ、縦幅が２００μｍで厚みが４μｍ、短絡部の形状が円錐台状で、その表面側の一端の径が３７μｍ、裏面側の他端の径が９０μｍ、裏面電極部の形状が矩形の平板状で、その横幅が９０μｍ、縦幅が２００μｍ、厚みが２０μｍのものである。
【０２６１】
このようにして、合計で４枚のシート状プローブを製造した。
これらのシート状プローブを「シート状プローブＯ１」〜「シート状プローブＯ４」とする。
〈異方導電性コネクターの作製〉
（１）磁性芯粒子の調製：
市販のニッケル粒子（Ｗｅｓｔａｉｍ社製、「ＦＣ１０００」）を用い、以下のようにして磁性芯粒子を調製した。
【０２６２】
日清エンジニアリング株式会社製の空気分級機「ターボクラシファイア ＴＣ−１５Ｎ」によって、ニッケル粒子２ｋｇを、比重が８．９、風量が２．５ｍ3／ｍｉｎ、ロータ
ー回転数が２２５０ｒｐｍ、分級点が１５μｍ、ニッケル粒子の供給速度が６０ｇ／ｍｉｎの条件で分級処理し、粒子径が１５μｍ以下のニッケル粒子０．８ｋｇを捕集し、更に、このニッケル粒子０．８ｋｇを、比重が８．９、風量が２．５ｍ3／ｍｉｎ、ローター
回転数が２９３０ｒｐｍ、分級点が１０μｍ、ニッケル粒子の供給速度が３０ｇ／ｍｉｎの条件で分級処理し、ニッケル粒子０．５ｋｇを捕集した。
【０２６３】
得られたニッケル粒子は、数平均粒子径が７．４μｍ、粒子径の変動係数が２７％、ＢＥＴ比表面積が０．４６×１０3ｍ2／ｋｇ、飽和磁化が０．６Ｗｂ／ｍ2であった。
このニッケル粒子を磁性芯粒子Ｑとする。
（２）導電性粒子の調製：
粉末メッキ装置の処理槽内に、磁性芯粒子Ｑ１００ｇを投入し、更に、０．３２Ｎの塩酸水溶液２Ｌを加えて攪拌し、磁性芯粒子Ｑを含有するスラリーを得た。
【０２６４】
このスラリーを常温で３０分間攪拌することにより、磁性芯粒子Ｑの酸処理を行い、その後、１分間静置して磁性芯粒子Ｑを沈殿させ、上澄み液を除去した。
次いで、酸処理が施された磁性芯粒子Ｑに純水２Ｌを加え、常温で２分間攪拌し、その後、１分間静置して磁性芯粒子Ｑを沈殿させ、上澄み液を除去した。
【０２６５】
この操作を更に２回繰り返すことにより、磁性芯粒子Ｑの洗浄処理を行った。
そして、酸処理および洗浄処理が施された磁性芯粒子Ｑに、金の含有割合が２０ｇ／Ｌの金メッキ液２Ｌを加え、処理層内の温度を９０℃に昇温して攪拌することにより、スラリーを調製した。
【０２６６】
この状態で、スラリーを攪拌しながら、磁性芯粒子Ｑに対して金の置換メッキを行った。
その後、スラリーを放冷しながら静置して粒子を沈殿させ、上澄み液を除去することにより、導電性粒子Ｐを調製した。
【０２６７】
このようにして得られた導電性粒子に純水２Ｌを加え、常温で２分間攪拌し、その後、１分間静置して導電性粒子を沈殿させ、上澄み液を除去した。この操作を更に２回繰り返し、その後、９０℃に加熱した純水２Ｌを加えて攪拌し、得られたスラリーを濾紙によって濾過して導電性粒子を回収した。
【０２６８】
そして、この導電性粒子を、９０℃に設定された乾燥機によって乾燥処理した。
得られた導電性粒子は、数平均粒子径が７．３μｍ、ＢＥＴ比表面積が０．３８×１０3ｍ2／ｋｇ、（被覆層を形成する金の質量）／（磁性芯粒子［Ａ］の質量）の値が０．３であった。
【０２６９】
この導電性粒子を「導電性粒子（ａ）」とする。
（３）フレーム板の作製：
図２３および図２４に示す構成に従い、下記の条件により、上記の試験用ウエハＷ１における各被検査電極領域に対応して形成された９６６個の開口３２を有する直径が８インチのフレーム板３１を作製した。
【０２７０】
このフレーム板３１の材質はコバール（線熱膨張係数５×１０-6／Ｋ）で、その厚みは、６０μｍである。
開口３２の各々は、その横方向（図２３および図２４において左右方向）の寸法が３６００μｍで縦方向（図２３および図２４において上下方向）の寸法が９００μｍである。
【０２７１】
フレーム板３１の開口３２は、図２３に示すように試験用ウエハに形成された集積回路Ｌの１個に対して２個が形成されており、同一集積回路Ｌに対して設けられているフレーム板３１の開口３２は中心間距離（図２４において上下方向）で２０００μｍピッチで配置されている。
【０２７２】
縦方向に隣接する開口３２の間の中央位置には、円形の空気流入孔３３が形成されており、その直径は１０００μｍである。
（４）異方導電性シート用成形材料の調製：
付加型液状シリコンゴム１００重量部に、導電性粒子３０重量部を添加して混合し、その後、減圧による脱泡処理を施すことにより、異方導電性シート用の成形材料を調製した。
【０２７３】
以上において、使用した付加型液状シリコンゴムは、それぞれ粘度が２５０Ｐａ・ｓであるＡ液およびＢ液よりなる二液型のものであって、その硬化物の圧縮永久歪みが５％、デュロメーターＡ硬度が３２、引裂強度が２５ｋＮ／ｍのものである。
【０２７４】
ここで、付加型液状シリコンゴムおよびその硬化物の特性は、以下のようにして測定されたものである。
（ｉ）付加型液状シリコンゴムの粘度は、Ｂ型粘度計により、２３±２℃における値を測定した。
（ｉｉ）シリコンゴム硬化物の圧縮永久歪みは、次のようにして測定した。
【０２７５】
二液型の付加型液状シリコンゴムにおけるＡ液とＢ液とを等量となる割合で攪拌混合した。
次いで、この混合物を金型に流し込み、混合物に対して減圧による脱泡処理を行った後、１２０℃、３０分間の条件で硬化処理を行うことにより、厚みが１２．７ｍｍ、直径が２９ｍｍのシリコンゴム硬化物よりなる円柱体を作製し、この円柱体に対して、２００℃、４時間の条件でポストキュアを行った。
【０２７６】
このようにして得られた円柱体を試験片として用い、ＪＩＳ Ｋ ６２４９に準拠して１５０±２℃における圧縮永久歪みを測定した。
（ｉｉｉ）シリコンゴム硬化物の引裂強度は、次のようにして測定した。
【０２７７】
上記（ｉｉ）と同様の条件で付加型液状シリコンゴムの硬化処理およびポストキュアを行うことにより、厚みが２．５ｍｍのシートを作製した。
このシートから打ち抜きによってクレセント形の試験片を作製し、ＪＩＳ Ｋ ６２４９に準拠して２３±２℃における引裂強度を測定した。
（ｉｖ）デュロメーターＡ硬度は、上記（ｉｉｉ）と同様にして作製されたシートを５枚重ね合わせ、得られた積重体を試験片として用い、ＪＩＳ Ｋ ６２４９に準拠して２３±２℃における値を測定した。
（５）異方導電性コネクターの作製：
上記（３）で作製したフレーム板３１および上記（４）で調製した成形材料を用い、特開２００２−３２４６００号公報に記載された方法に従って、フレーム板３１に、それぞれ一の開口３２を塞ぐよう配置され、フレーム板３１の開口縁部に固定されて支持された、図１９に示す構成の９６６個の異方導電性シート３５を形成することにより、異方導電性コネクター３０を製造した。
【０２７８】
ここで、成形材料層の硬化処理は、電磁石によって厚み方向に２Ｔの磁場を作用させながら、１００℃、１時間の条件で行った。
得られた異方導電性シート３５について具体的に説明すると、異方導電性シート３５の各々は、横方向の寸法が６０００μｍ、縦方向の寸法が２０００μｍであり、２６個の導電部３６が１２０μｍのピッチで横方向に一列に配列されており、導電部３６の各々は、横方向の寸法が６０μｍ、縦方向の寸法が２００μｍ、厚みが１５０μｍ、突出部３８の突出高さが２５μｍ、絶縁部３７の厚みが１００μｍである。
【０２７９】
また、横方向において最も外側に位置する導電部３６とフレーム板３１の開口縁との間には、非接続用の導電部３６が配置されている。
非接続用の導電部３６の各々は、横方向の寸法が６０μｍ、縦方向の寸法が２００μｍ、厚みが１５０μｍである。
【０２８０】
また、各異方導電性シート３５における導電部３６中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての導電部３６について体積分率で約２５％であった。
このようにして、合計で８枚の異方導電性コネクターを製造した。
これらの異方導電性コネクターを「異方導電性コネクターＣ１」〜「異方導電性コネクターＣ８」とする。
〈検査用回路基板の作製〉
基板材料としてアルミナセラミックス（線熱膨張係数４．８×１０-6／Ｋ）を用い、試験用ウエハＷ１における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って検査電極２１が形成された検査用回路基板２０を作製した。
【０２８１】
この検査用回路基板２０は、全体の寸法が３０ｃｍ×３０ｃｍの矩形であり、その検査電極は、横方向の寸法が６０μｍで縦方向の寸法が２００μｍである。
得られた検査用回路基板を「検査用回路基板Ｔ１」とする。
〈シート状プローブの評価〉
（１）試験１（隣接する電極構造体間の絶縁性）：
シート状プローブＭ１、Ｍ２、シート状プローブＯ１、Ｏ２の各々について、以下のようにして隣接する電極構造体間の絶縁性の評価を行った。
【０２８２】
室温（２５℃）下において、試験用ウエハＷ１を試験台に配置し、この試験用ウエハＷ１の表面上に、シート状プローブをその表面電極部１６の各々が試験用ウエハＷ１の被検査電極７上に位置するよう位置合わせして配置し、このシート状プローブ上に、異方導電性コネクター３０をその導電部３６の各々がシート状プローブの裏面電極部１７上に位置するよう位置合わせして配置し、この異方導電性コネクター３０上に、検査用回路基板Ｔ１をその検査電極２１の各々が異方導電性コネクター３０の導電部３６上に位置するよう位置合わせして配置し、更に検査用回路基板Ｔ１を下方に２００ｋｇの荷重（電極構造体１個当たりに加わる荷重が平均で約８ｇ）で加圧した。
【０２８３】
ここで、異方導電性コネクター３０としては下記表１に示すものを使用した。
そして、検査用回路基板Ｔ１における２６１１６個の検査電極２１の各々に順次電圧を印加すると共に、電圧が印加された検査電極と他の検査電極との間の電気抵抗をシート状プローブにおける電極構造体１５間の電気抵抗（以下、「絶縁抵抗」という。）として測定し、全測定点における絶縁抵抗が１０ＭΩ以下である測定点の割合（以下、「絶縁不良割合」という。）を求めた。
【０２８４】
ここで、絶縁抵抗が１０ＭΩ以下である場合には、実際上、ウエハに形成された集積回路の電気的検査に使用することが困難である。
以上の結果を下記表１に示す。
【０２８５】
【表１】
【０２８６】
（２）試験２（電極構造体の接続安定性）：
シート状プローブＭ３、Ｍ４、シート状プローブＯ３、Ｏ４の各々について、以下のようにして被検査電極に対する電極構造体１５の接続安定性の評価を行った。
【０２８７】
室温（２５℃）下において、試験用ウエハＷ２を、電熱ヒーターを備えた試験台に配置し、この試験用ウエハＷ２の表面上に、シート状プローブをその表面電極部１６の各々が試験用ウエハＷ２の被検査電極７上に位置するよう位置合わせして配置し、このシート状
プローブ上に、異方導電性コネクター３０をその導電部３６の各々がシート状プローブの裏面電極部１７上に位置するよう位置合わせして配置し、この異方導電性コネクター３０上に、検査用回路基板Ｔ１をその検査電極２１の各々が異方導電性コネクター３０の導電部３６上に位置するよう位置合わせして配置し、更に検査用回路基板Ｔ１を下方に２００ｋｇの荷重（電極構造体１個当たりに加わる荷重が平均で約８ｇ）で加圧した。
【０２８８】
ここで、異方導電性コネクター３０としては下記表２に示すものを使用した。
そして、検査用回路基板Ｔ１における２６１１６個の検査電極７について、シート状プローブ、異方導電性コネクター３０および試験用ウエハＷ２を介して互いに電気的に接続された２個の検査電極２１の間の電気抵抗を順次測定した。
【０２８９】
さらに、測定された電気抵抗値の２分の１の値を、検査用回路基板Ｔ１の検査電極２１と試験用ウエハＷ２の被検査電極７との間の電気抵抗（以下、「導通抵抗」という。）として記録し、全測定点における導通抵抗が１Ω以上である測定点の割合（以下、「接続不良割合」という。）を求めた。
【０２９０】
この操作を「操作（１）」とする。
次いで、検査用回路基板Ｔ１に対する加圧を解除し、その後、試験台を１２５℃に昇温してその温度が安定するまで放置し、その後、検査用回路基板Ｔ１を下方に２００ｋｇの荷重（電極構造体１個当たりに加わる荷重が平均で約８ｇ）で加圧し、上記操作（１）と同様にして接続不良割合を求めた。この操作を「操作（２）」とする。
【０２９１】
次いで、試験台を室温（２５℃）まで冷却し、検査用回路基板Ｔ１に対する加圧を解除した。この操作を「操作（３）」とする。
そして、上記の操作（１）、操作（２）および操作（３）を１サイクルとして合計で２００サイクル連続して行った。
【０２９２】
ここで、導通抵抗が１Ω以上である場合には、実際上、ウエハに形成された集積回路の電気的検査に使用することが困難である。
以上の結果を下記表２に示す。
【０２９３】
【表２】
【０２９４】
また、試験２が終了した後、各々のシート状プローブを観察したところ、いずれのシー
ト状プローブも電極構造体１５も絶縁層１８Ｂから脱落していなかった。
表２の結果より、比較例に関わるシート状プローブＯでは、表面電極部の突出高さが小さいため、絶縁層にてその表面の周囲を覆われた被検査電極を有するウエハに対しては、その電気的接続を安定して継続できないことが明らかになった。
【図面の簡単な説明】
【０２９５】
【図１】図１は、本発明のシート状プローブの他の実施形態を示した図であり、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）はＸ−Ｘ線による断面図である。
【図２】図２は、図１のシート状プローブにおける接点膜を拡大して示した平面図である。
【図３】図３は、本発明に係るシート状プローブにおける構造を示す説明用断面図である。
【図４】図４は、本発明に係るシート状プローブの電極構造体を拡大して示す説明用断面図である。
【図５】図５は、本発明のシート状プローブの実施形態を示した断面図である。
【図６】図６（ａ）は、支持体として板状支持体を用いて絶縁層をその表面で支持した場合を示した断面図、図６（ｂ）は、本発明のシート状プローブにおける接点膜の支持部の断面図である。
【図７】図７は、本発明に係るシート状プローブにおける構造を示す説明用断面図である。
【図８】図８は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。
【図９】図９は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。
【図１０】図１０は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。
【図１１】図１１は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。
【図１２】図１２は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。
【図１３】図１３は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。
【図１４】図１４は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。
【図１５】図１５は、本発明に係るシート状プローブを製造するための積層体の構成を示す説明用断面図である。
【図１６】図１６は、本発明の回路装置の検査装置およびそれに用いられるプローブカードの他の実施形態を示した断面図である。
【図１７】図１７は、図１６のプローブカードにおける組み立て前後の各状態を示した断面図である。
【図１８】図１８は、図１６に示す検査装置におけるプローブカードを拡大して示す説明用断面図である。
【図１９】図１９は、図１８に示すプローブカードにおける異方導電性コネクターの平面図である。
【図２０】図２０は、実施例で作製した試験用ウエハを示す平面図である。
【図２１】図２１は、図２０に示す試験用ウエハに形成された集積回路の被検査電極領域の位置を示す説明図である。
【図２２】図２２は、図２１に示す試験用ウエハに形成された集積回路の被検査電極の配置パターンを示す説明図である。
【図２３】図２３は、実施例で作製した異方導電性コネクターにおけるフレーム板を示す平面図である。
【図２４】図２４は、図２３に示すフレーム板の一部を拡大して示す説明図である。
【図２５】図２５は、従来のプローブカードの一例における構成を示す説明用断面図である。
【図２６】図２６は、従来のシート状プローブの製造例を示す説明用断面図である。
【図２７】図２７は、図２６に示すプローブカードにおけるシート状プローブを拡大して示す説明用断面図である。
【図２８】図２８は、従来のシート状プローブの他の製造例を示す説明用断面図である。
【図２９】図２９は、従来のシート状プローブの他の製造例を示す説明用断面図である。
【図３０】図３０は、リング状の支持板を用いた従来のシート状プローブの断面図である。
【図３１】図３１は、従来のシート状プローブに、リング状の支持板を接着する方法を示した概略断面図である。
【図３２】図３２は、従来のシート状プローブに、リング状の支持板を接着する方法を示した概略断面図である。
【図３３】図３３は、従来のシート状プローブの、貫通孔を説明する概略図である。
【符号の説明】
【０２９６】
１ プローブカード
２ 支持板
３ 加圧板
４ ウエハ載置台
５ 加熱器
６ ウエハ
７ 被検査電極
８ 直径
９ 接点膜
１０ シート状プローブ
１０Ａ 積層体
１０Ｂ 積層体
１０Ｃ 積層体
１１ 絶縁性シート
１５ 電極構造体
１６ 表面電極部
１６Ａ 表面電極形成用金属シート
１６Ｂ 先端部
１６Ｃ 基端部
１７ 裏面電極部
１７Ａ 裏面側金属層
１７Ｅ レジスト膜
１７Ｆ レジスト膜
１７Ｈ 各パターン孔
１８ 短絡部
１８Ｂ 絶縁層
１８Ｋ 短絡部形成用凹所
１８Ｈ 貫通孔
１９ 保持部
２０ 検査用回路基板
２１ 検査電極
２２ 支持部
２３ 開口
２４ 多孔膜
２５ 支持体
２６ 開口部
２７ 支持部
２８Ａ レジスト膜
２８Ｈ パターン孔
２９Ａ レジスト膜
２９Ｂ レジスト膜
２９Ｈ パターン孔
２９Ｋ パターン孔
３０ 異方導電性コネクター
３１ フレーム板
３２ 開口
３３ 空気流入孔
３４Ｈ パターン孔
３５ 異方導電性シート
３６ 導電部
３７ 絶縁部
３８ 突出部
３９ スペーサー
４０Ａ 保護フィルム
４０Ｂ 保護フィルム
４０Ｃ 保護フィルム
５０ ガイドピン
５２ 開口
５５ 樹脂層
８０ 異方導電性シート
８１ａ 貫通孔
８３ フォトレジスト膜
８５ 検査用回路基板
８６ 検査電極
９０ シート状プローブ
９０Ａ 積層体
９０Ｂ 積層体
９０Ｃ 積層体
９０Ｋ 電極構造体形成用凹所
９１ 絶縁性シート
９１Ａ 絶縁性シート材
９１Ｂ 絶縁性シート
９２ 金属層
９２Ａ 表面側金属層
９２Ｂ 第２の裏面側金属層
９２Ｃ 第１の裏面側金属層
９２Ｄ 保持部
９２Ｅ 支持部
９２Ｈ 開口部
９２Ｔ 先端径
９３ レジスト膜
９４Ａ レジスト膜
９４Ｂ レジスト膜
９５ 電極構造体
９６ 表面電極部
９７ 裏面電極部
９８ 短絡部
９８Ｈ 貫通孔
９９ 支持板
１００ 接着剤
ｂ 傾斜角度
Ｂ２ 絶縁膜
ｃ 傾斜角度
Ｋ１ 開口部
Ｌ 集積回路
Ｐ 導電性粒子
Ｑ 磁性芯粒子
Ｒ 径
ｒ 径
Ｒ１ 径
Ｒ２ 径
Ｒ３ 径
Ｒ４ 径
Ｒ５ 径
Ｒ６ 径
ｔ 膜厚
ｔ１ 膜厚
ｔ２ 膜厚
Ｗ 距離
θ エッチング処理角度
φ１ 開口径
φ２ 開口径
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
この絶縁層にその面方向に互いに離間して配置された、前記絶縁層の厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体を備えた接点膜を有するシート状プローブであって、
前記電極構造体の各々は、
前記絶縁層の表面に露出し、前記絶縁層の表面から突出し、その基端から先端に向かうに従って小径となる形状の表面電極部と、
前記絶縁層の裏面に露出する裏面電極部と、
前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸び、前記裏面電極部に連結された短絡部とよりなり、
前記表面電極部の基端の径が、前記短絡部の表面電極部と接する側の端の径よりも大きいことを特徴とするシート状プローブ。
【請求項２】
前記表面電極部は先端部分と基端部分とにより形成され、前記先端部分の側面の傾斜角度と基端部分の側面の傾斜角度が異なることを特徴とする請求項１に記載のシート状プローブ。
【請求項３】
前記表面電極部の先端部分と基端部分が異なる金属により形成されていることを特徴とする請求項２に記載のシート状プローブ。
【請求項４】
検査対象である回路装置とテスターとの電気的接続を行うためのプローブカードであって、
検査対象である回路装置の被検査電極に対応して複数の検査電極が形成された検査用回路基板と、
この検査用回路基板上に配置された異方導電性コネクターと、
この異方導電性コネクター上に配置された請求項１から３のいずれかに記載のシート状プローブと、
を備えてなることを特徴とするプローブカード。
【請求項５】
検査対象である回路装置が多数の集積回路が形成されたウエハであり、
異方導電性コネクターは、
検査対象であるウエハに形成された全ての集積回路または一部の集積回路における被検査電極が配置された電極領域に対応して複数の開口が形成されたフレーム板と、
このフレーム板の各開口を塞ぐよう配置された異方導電性シートと、
を有してなることを特徴とする請求項４に記載のプローブカード。
【請求項６】
請求項４または請求項５に記載されたプローブカードを備えてなることを特徴とする回路装置の検査装置。
【請求項７】
複数の集積回路が形成されたウエハの各集積回路を、
請求項４または請求項５に記載されたプローブカードを介してテスターに電気的に接続し、
前記各集積回路の電気検査を行うことを特徴とするウエハの検査方法。
【請求項１】
絶縁層と、
この絶縁層にその面方向に互いに離間して配置された、前記絶縁層の厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体を備えた接点膜を有するシート状プローブであって、
前記電極構造体の各々は、
前記絶縁層の表面に露出し、前記絶縁層の表面から突出し、その基端から先端に向かうに従って小径となる形状の表面電極部と、
前記絶縁層の裏面に露出する裏面電極部と、
前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸び、前記裏面電極部に連結された短絡部とよりなり、
前記表面電極部の基端の径が、前記短絡部の表面電極部と接する側の端の径よりも大きいことを特徴とするシート状プローブ。
【請求項２】
前記表面電極部は先端部分と基端部分とにより形成され、前記先端部分の側面の傾斜角度と基端部分の側面の傾斜角度が異なることを特徴とする請求項１に記載のシート状プローブ。
【請求項３】
前記表面電極部の先端部分と基端部分が異なる金属により形成されていることを特徴とする請求項２に記載のシート状プローブ。
【請求項４】
検査対象である回路装置とテスターとの電気的接続を行うためのプローブカードであって、
検査対象である回路装置の被検査電極に対応して複数の検査電極が形成された検査用回路基板と、
この検査用回路基板上に配置された異方導電性コネクターと、
この異方導電性コネクター上に配置された請求項１から３のいずれかに記載のシート状プローブと、
を備えてなることを特徴とするプローブカード。
【請求項５】
検査対象である回路装置が多数の集積回路が形成されたウエハであり、
異方導電性コネクターは、
検査対象であるウエハに形成された全ての集積回路または一部の集積回路における被検査電極が配置された電極領域に対応して複数の開口が形成されたフレーム板と、
このフレーム板の各開口を塞ぐよう配置された異方導電性シートと、
を有してなることを特徴とする請求項４に記載のプローブカード。
【請求項６】
請求項４または請求項５に記載されたプローブカードを備えてなることを特徴とする回路装置の検査装置。
【請求項７】
複数の集積回路が形成されたウエハの各集積回路を、
請求項４または請求項５に記載されたプローブカードを介してテスターに電気的に接続し、
前記各集積回路の電気検査を行うことを特徴とするウエハの検査方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【公開番号】特開２００６−５８３０８（Ｐ２００６−５８３０８Ａ）
【公開日】平成１８年３月２日（２００６．３．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２７０６５９（Ｐ２００５−２７０６５９）
【出願日】平成１７年９月１６日（２００５．９．１６）
【分割の表示】特願２００５−１２８６５０（Ｐ２００５−１２８６５０）の分割
【原出願日】平成１７年４月２６日（２００５．４．２６）
【出願人】（０００００４１７８）ＪＳＲ株式会社 (3,320)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年３月２日（２００６．３．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年９月１６日（２００５．９．１６）
【分割の表示】特願２００５−１２８６５０（Ｐ２００５−１２８６５０）の分割
【原出願日】平成１７年４月２６日（２００５．４．２６）
【出願人】（０００００４１７８）ＪＳＲ株式会社 (3,320)
【Ｆターム（参考）】
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