ポリイミドシロキサン溶液組成物
【課題】 消泡性に優れ、配線基板の表面に塗布し、硬化させて絶縁硬化膜を形成した場合でも、配線基板上のアウターリード部の濡れを高いレベルに維持することのできるポリイミドシロキサン溶液組成物を提供する。
【解決手段】 有機溶媒中に、有機溶媒可溶性ポリイミドシロキサン、エポキシ化合物および多価イソシアネート化合物などの硬化性成分、そしてシリコーン消泡剤が含まれてなり、該シリコーン消泡剤が、ジメチルポリシロキサン、側鎖もしくは末端部に親水性基を有するポリシロキサン化合物、そして微粉末状シリカを含むものであるポリイミドシロキサン溶液組成物。
【解決手段】 有機溶媒中に、有機溶媒可溶性ポリイミドシロキサン、エポキシ化合物および多価イソシアネート化合物などの硬化性成分、そしてシリコーン消泡剤が含まれてなり、該シリコーン消泡剤が、ジメチルポリシロキサン、側鎖もしくは末端部に親水性基を有するポリシロキサン化合物、そして微粉末状シリカを含むものであるポリイミドシロキサン溶液組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ポリイミドシロキサン溶液組成物に関し、特に、絶縁硬化膜が形成された配線基板の製造に有利に用いることのできるポリイミドシロキサン溶液組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
表面に電気回路配線部が形成されている配線基板に電子部品を実装する場合は、まず、配線基板の表面に、その電気回路配線部を部分的に被覆するように硬化性樹脂溶液組成物を塗布して塗布膜を形成し、次いで該塗布膜を加熱して絶縁硬化膜とすることからなる予備処理が行なわれる。
【０００３】
特許文献１には、電子部品実装の分野において用いられる絶縁膜（保護膜、ソルダレジスト、層間絶縁層など）を形成するための溶液組成物として、有機溶媒可溶性のポリイミドシロキサンと、エポキシ化合物及び／又は多価イソシアネート化合物などの硬化性成分とを含有してなるポリイミドシロキサン溶液組成物が記載されている。この溶液組成物は、フレキシブル配線基板などの基材上にスクリーン印刷などの方法で良好に塗布できるものであり、比較的低温の加熱処理を行なうことによって硬化絶縁膜を形成することができ、得られた硬化絶縁膜は基材との密着性が優れ、ソリが発生し難く、耐熱性、耐溶剤性、耐薬品性、耐屈曲性、そして電気特性などが優れるものである。従って、特にＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープやフレキシブル配線基板などのフレキシブル性を有する配線基板を保護する硬化絶縁膜（保護膜）の形成の目的で好適に使用される。上記の有機溶媒可溶性のポリイミドシロキサンは、芳香族テトラカルボン酸化合物、ジアミノポリシロキサン成分、そして極性基を有する芳香族ジアミン化合物の反応により得られる化合物である。
【０００４】
特許文献１には、ポリイミドシロキサン溶液組成物に、必要に応じて消泡剤を加えてもよい旨の記載があり、消泡剤の例として、アクリル系消泡剤、アクリルビニルエーテル系消泡剤、フッ素系消泡剤、そしてシリコ−ン系消泡剤が挙げられている。この内、シリコ−ン系消泡剤の例としては、溶液型やオイルコンパウンド型のジメチルポリシロキサン系消泡剤（信越化学工業株式会社製のＫＳ−６０３あるいはダウコーニング社製のＤＢ−１００）などが列記されている。なお、特許文献１の実施例で用いられている消泡剤は、アクリルビニルエーテル系の消泡剤であるフローレンＡＣ３２６Ｆである。
【０００５】
配線基板への電子部品の導電性接合は、従来は、はんだを用いる方法あるいは金などの導電性材料をバンプとして用いる方法により行なっていたが、近年、例えば、液晶表示素子などの電子部品の配線基板への実装に際して、異方性導電フィルム（Anisotropic Conductive Film、ＡＣＦ）又は異方性導電ペースト（Anisotropic Conductive Paste、ＡＣＰ）などの異方性導電材料によって配線基板のアウターリード部を介して電気的接合部を形成する方法も利用されるようになってきている。
【特許文献１】特開２００２−１２６６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の発明者は、前記特許文献１に記載のポリイミドシロキサン溶液組成物を配線基板の絶縁硬化膜の形成に用いる場合に、絶縁基板への密着性を高め、かつ溶液組成物内に取り込まれた気泡（泡）を短時間に排出させる機能を有する消泡剤について研究を行なった結果、シリコーン系消泡剤として最も一般的なジメチルポリシロキサン（シリコーンオイル）系消泡剤が、上記の目的に好適であることを確認した。
【０００７】
しかしながら、その後の検討により、特許文献１に記載のポリイミドシロキサン溶液組成物にジメチルポリシロキサン系消泡剤を加えて消泡性を高めた溶液組成物を配線基板の絶縁硬化膜の形成に用いた場合に、その絶縁硬化膜が形成された配線基板のアウターリード部を介して異方性導電材料により電子部品を電気的に接合させようとすると、異方性導電材料とアウターリード部との親和性が低くなり、目的の異方性導電材料とアウターリード部との間の良好な電気的接合が実現しにくくなることが判明した。
【０００８】
このため、本発明者は、上記の異方性材料とアウターリード部との親和性が低くなる原因を調べた。その結果、ジメチルポリシロキサン系消泡剤を添加したポリイミドシロキサン溶液組成物を配線基板の表面に塗布して、絶縁硬化膜の形成に用いると、その溶液組成物の塗布膜からジメチルポリシロキサンの一部がアウターリード部の表面上に滲み出し、絶縁硬化膜の形成後も、そのジメチルポリシロキサンがアウターリード部の表面に残るために、異方性導電材料とアウターリード部との親和性（いわゆる濡れ）が低下し、良好な電気的接合が困難になっているとの結論に達した。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の結論に基づき、本発明者は更に研究を進めた結果、特許文献１に記載のポリイミドシロキサン溶液組成物に添加するシリコーン系消泡剤として、ジメチルポリシロキサンと微粉末シリカとを含む最も一般的なシリコーン系消泡剤のジメチルポリシロキサンの一部を、側鎖もしくは末端部に親水性基（特に、ポリオキシアルキレン基）に置換したシリコーン系消泡剤を用いることにより、消泡性（溶液組成物内に取り込まれた気泡を短時間に排出させる機能）が優れ、かつ配線基板の表面に塗布し、硬化させて絶縁硬化膜を形成した場合でも、配線基板上のアウターリード部へのジメチルポリシロキサンの滲み出しを抑制することができ、そして、異方性導電材料とアウターリード部との親和性が向上して、異方性導電材料とアウターリード部との間の良好な電気的接合の実現を可能にするポリイミドシロキサン溶液組成物が得られることを見いだした。
【００１０】
従って、本発明は、有機溶媒中に、有機溶媒可溶性ポリイミドシロキサン、エポキシ化合物および多価イソシアネート化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種の硬化性成分、そしてシリコーン消泡剤が含まれてなり、該シリコーン消泡剤が、ジメチルポリシロキサン、側鎖もしくは末端部に親水性基を有するポリシロキサン化合物、そして微粉末状シリカを含むことを特徴とするポリイミドシロキサン溶液組成物にある。
【００１１】
本発明はまた、表面に電気回路配線部が形成されている配線基板の表面に該電気回路配線部を部分的に被覆するように上記の本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物を塗布して塗布膜を形成し、次いで該ポリイミドシロキサン組成物塗布膜を加熱して絶縁硬化膜とすることからなる表面に絶縁硬化膜が形成された配線基板の製造方法にもある。
【００１２】
本発明はさらに、表面に電気回路配線部が形成されている配線基板の表面に該電気回路配線部を部分的に被覆するように上記の本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物を塗布して塗布膜を形成する工程、該ポリイミドシロキサン組成物塗布膜を加熱して絶縁硬化膜とする工程、そして上記配線基板表面上の電気回路配線部の絶縁硬化膜で被覆されていない領域に異方性導電性材料を介して電子部品を接続することからなる電子部品の配線基板への実装方法にもある。
【産業上の利用可能性】
【００１３】
本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物は、配線基板の表面にスクリーン印刷等の塗布方法により塗布した場合に、その塗布過程で取り込まれて塗布膜内部に生成した気泡の排出を速やかに実現でき、またアウターリード部表面へのジメチルポリシロキサンの滲み出しが抑制されるため、本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物を利用することにより高い作業性で絶縁硬化膜を有する配線基板を得ることができる。また、本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物を利用して絶縁硬化膜を形成した配線基板のアウターリード部表面に電気的接合材料、特に異方性導電材料を介して電子部品を実装する場合に実用性が高い優れた電気的接合が実現する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物の好ましい態様を次に示す。
（１）有機溶剤可溶性ポリイミドシロキサン１００質量部に対して、硬化性成分を１〜５０質量部、そしてシリコーン消泡剤を１〜１０質量部含む。
（２）シリコーン消泡剤が、側鎖もしくは末端部に親水性基を有するポリシロキサン化合物をジメチルポリシロキサンより多い量にて含む。
（３）シリコーン消泡剤が、ジメチルポリシロキサンと側鎖もしくは末端部に親水性基を有するポリシロキサン化合物との合計量１００質量部に対して、微粉末状シリカを１〜２０質量部を含む。
（４）側鎖もしくは末端部に親水性基を有するポリシロキサン化合物の親水性基がポリオキシアルキレン基（特に、エチレンオキシドとプロピレンオキシドとの共重合体からなる基）である。
（５）さらに、無機フィラーを含む。
（６）さらに、硬化触媒（硬化剤）を含む。
（７）シリコーン消泡剤が５０゜以下の水滴接触角を示す。
【００１５】
次に、本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物で用いられる有機溶媒可溶性ポリイミドシロキサンそしてエポキシ化合物および多価イソシアネート化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種の硬化性成分について説明する。なお、前述のように、本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物は、前記の特許文献１に記載のポリイミドシロキサン溶液組成物の改良であり、有機溶媒可溶性ポリイミドシロキサンそしてエポキシ化合物および多価イソシアネート化合物については、特許文献１に詳しい記載がある。
【００１６】
本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物で用いられる有機溶媒可溶性ポリイミドシロキサンは、芳香族テトラカルボン酸化合物と、ジアミノポリシロキサン及び極性基を有する芳香族ジアミン化合物とを含むジアミン化合物とを、略等モル好ましくはジアミン化合物１モルに対して芳香族テトラカルボン酸化合物が１．０〜１．２モル程度の割合となるように用いて有機溶媒中で反応させることにより得ることができる。
【００１７】
芳香族テトラカルボン酸化合物の例としては、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸、３，３’，４，４’−ジフェニルエ−テルテトラカルボン酸、３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、２，２−ビス（３，４−ベンゼンジカルボン酸）ヘキサフルオロプロパン、ピロメリット酸、１，４−ビス（３，４−ベンゼンジカルボン酸）ベンゼン、２，２−ビス〔４−（３，４−フェノキシジカルボン酸）フェニル〕プロパン、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸、１，２，４，５−ナフタレンテトラカルボン酸、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタンなどの芳香族テトラカルボン酸、またはそれらの酸二無水物や低級アルコ−ルのエステル化物を好適に挙げることができる。これらのなかでも特に、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、３，３’，４，４’−ジフェニルエ−テルテトラカルボン酸、及び２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸、又は、それらの酸二無水物や低級アルコ−ルのエステル化物は、ポリイミドシロキサンとしたときの有機溶媒に対する溶解性が優れているので好適である。
【００１８】
芳香族テトラカルボン酸化合物は、ジアミン化合物と反応させることが容易な芳香族テトラカルボン酸二無水物を用いることが好ましい。また、芳香族テトラカルボン酸二無水物の使用量がジアミン成分に対して１．０５倍モル以上で未反応無水環が残存するような場合には、そのままでもよいが、エステル化剤で開環ハーフエステル化してもよい。
【００１９】
ジアミン化合物は、ジアミノポリシロキサン及び極性基を有する芳香族ジアミン化合物以外のジアミン化合物を含んでいてもよく、好ましくはジアミノポリシロキサンを３０〜９５モル％、特に５０〜９５モル％、更に６０〜９５モル％、極性基を有する芳香族ジアミン化合物を０．５〜４０モル％、そして前記ジアミノポリシロキサン及び前記極性基を有する芳香族ジアミン化合物以外のジアミン化合物を０〜６９．５モル％（通常、０〜３０モル％）とする割合で使用される。
【００２０】
ポリイミドシロキサンのジアミン成分を構成するジアミノポリシロキサンとしては、下記一般式（１）で示される化合物が好適である。
【００２１】
【化１】
【００２２】
一般式（１）において、Ｒ1は２価の炭化水素基又は芳香族基を示し、Ｒ2は独立に一価の炭素水素基又は芳香族基を示し、ｎ１は３〜５０の整数を示す。ただし、Ｒ1は独立に炭素数１〜６の２価の炭化水素基またはフェニレン基、特にプロピレン基であり、Ｒ2は独立に炭素数１〜５のアルキル基またはフェニル基であり、ｎ１は３〜２０であることが好ましい。なお、ジアミノポリシロキサンが二種以上の混合物からなる場合は、ｎ１はアミノ当量から計算される。
【００２３】
ジアミノポリシロキサンの化合物の例としては、α，ω−ビス（２−アミノエチル)ポリジメチルシロキサン、α，ω−ビス（３−アミノプロピル)ポリジメチルシロキサン、α，ω−ビス（４−アミノフェニル)ポリジメチルシロキサン、α，ω−ビス（４−アミノ−３−メチルフェニル)ポリジメチルシロキサン、α，ω−ビス（３−アミノプロピル)ポリジフェニルシロキサン、α，ω−ビス（４−アミノブチル）ポリジメチルシロキサンなどが挙げられる。
【００２４】
ポリイミドシロキサンのジアミン成分を構成する極性基を有する芳香族ジアミン化合物は、分子中にイソシアネート基又はエポキシ基との反応性を有する極性基を有する芳香族ジアミン化合物であり、好ましくは下記一般式（２）で示されるジアミン化合物である。
【００２５】
【化２】
【００２６】
一般式（２）において、ＸおよびＹは、それぞれ独立に、直接結合、ＣＨ2、Ｃ（ＣＨ3）2、Ｃ（ＣＦ3）2、Ｏ、ベンゼン環、ＳＯ2を示し、ｒ１はＣＯＯＨ又はＯＨを示し、ｎ２は１又は２であり、ｎ３、ｎ４はそれぞれ独立に０、１又は２、好ましくは０又は１であり、ｎ３及びｎ４の少なくとも一方は１又は２である。
【００２７】
一般式（２）で示されるジアミン化合物としては、２，４−ジアミノフェノ−ルなどのジアミノフェノ−ル化合物類、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジハイドロキシビフェニル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジハイドロキシビフェニル、４，４’−ジアミノ−２，２’−ジハイドロキシビフェニル、４，４’−ジアミノ−２，２’，５，５’−テトラハイドロキシビフェニルなどのヒドロキシビフェニル化合物類、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジハイドロキシジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジハイドロキシジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−２，２’−ジハイドロキシジフェニルメタン、２，２−ビス〔３−アミノ−４−ハイドロキシフェニル〕プロパン、２，２−ビス〔４−アミノ−３−ハイドロキシフェニル〕プロパン、２，２−ビス〔３−アミノ−４−ハイドロキシフェニル〕ヘキサフルオロプロパン、４，４’−ジアミノ−２，２’，５，５’−テトラハイドロキシジフェニルメタンなどのヒドロキシジフェニルアルカン化合物類、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジハイドロキシジフェニルエ−テル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジハイドロキシジフェニルエ−テル、４，４’−ジアミノ−２，２’−ジハイドロキシジフェニルエ−テル、４，４’−ジアミノ−２，２’，５，５’−テトラハイドロキシジフェニルエ−テルなどのヒドロキシジフェニルエ−テル化合物類、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジハイドロキシジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジハイドロキシジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノ−２，２’−ジハイドロキシジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノ−２，２’，５，５’−テトラハイドロキシジフェニルスルホンなどのヒドロキシジフェニルスルホン化合物類、２，２−ビス〔４−（４−アミノ−３−ハイドロキシフェノキシ）フェニル〕プロパンなどのビス（ハイドロキシフェニキシフェニル）アルカン化合物類、４，４’−ビス（４−アミノ−３−ハイドロキシフェノキシ）ビフェニルなどのビス（ハイドロキシフェノキシ）ビフェニル化合物類、そして２，２−ビス〔４−（４−アミノ−３−ハイドロキシフェノキシ）フェニル〕スルホンなどのビス（ハイドロキシフェニキシフェニル）スルホン化合物類などの、ＯＨ基を有するジアミン化合物類を挙げることができる。
【００２８】
一般式（２）で示されるジアミン化合物としては更に、３，５−ジアミノ安息香酸、２，４−ジアミノ安息香酸などのベンゼンカルボン酸化合物類、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジカルボキシビフェニル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジカルボキシビフェニル、４，４’−ジアミノ−２，２’−ジカルボキシビフェニル、４，４’−ジアミノ−２，２’，５，５’−テトラカルボキシビフェニルなどのカルボキシビフェニル化合物類、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジカルボキシジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジカルボキシジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−２，２’−ジカルボキシジフェニルメタン、２，２−ビス〔３−アミノ−４−カルボキシフェニル〕プロパン、２，２−ビス〔４−アミノ−３−カルボキシフェニル〕プロパン、２，２−ビス〔３−アミノ−４−カルボキシフェニル〕ヘキサフルオロプロパン、４，４’−ジアミノ−２，２’，５，５’−テトラカルボキシビフェニルなどのカルボキシジフェニルアルカン化合物類、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジカルボキシジフェニルエ−テル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジカルボキシジフェニルエ−テル、４，４’−ジアミノ−２，２’−ジカルボキシジフェニルエ−テル、４，４’−ジアミノ−２，２’，５，５’−テトラカルボキシジフェニルエ−テルなどのカルボキシジフェニルエ−テル化合物類、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジカルボキシジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジカルボキシジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノ−２，２’，５，５’−テトラカルボキシジフェニルスルホンなどのカルボキシジフェニルスルホン化合物類、２，２−ビス〔４−（４−アミノ−３−カルボキシフェノキシ）フェニル〕プロパンなどのビス（カルボキシフェノキシフェニル）アルカン化合物類、４，４’−ビス（４−アミノ−３−カルボキシフェノキシ）ビフェニルなどのビス（カルボキシフェノキシ）ビフェニル化合物類、２，２−ビス〔４−（４−アミノ−３−カルボキシフェノキシ）フェニル〕スルホンなどのビス（カルボキシフェノキシフェニル）スルホン化合物類などの、ＣＯＯＨ基を有するジアミン化合物類を挙げることができる。
【００２９】
ポリイミドシロキサンのジアミン成分を構成する前記ジアミノポリシロキサン及び前記極性基を有する芳香族ジアミン以外のジアミン化合物は、特に限定されるものではないが、下記一般式（３）で示される芳香族ジアミン化合物が好適である。
【００３０】
【化３】
一般式（３）において、ＸおよびＹは、それぞれ独立に、直接結合、ＣＨ2、Ｃ（ＣＨ3）2、Ｃ（ＣＦ3）2、Ｏ、ベンゼン環、ＳＯ2を示し、ｎ５は１又は２である。
【００３１】
一般式（３）で示される芳香族ジアミン化合物の例としては、１，４−ジアミノベンゼン、１，３−ジアミノベンゼン、２，４−ジアミノトルエン、１，４−ジアミノ−２，５−ジハロゲノベンゼンなどのベンゼン環を１個を含むジアミン化合物類、ビス（４−アミノフェニル）エ−テル、ビス（３−アミノフェニル）エ−テル、ビス（４−アミノフェニル）スルホン、ビス（３−アミノフェニル）スルホン、ビス（４−アミノフェニル）メタン、ビス（３−アミノフェニル）メタン、ビス（４−アミノフェニル）スルフィド、ビス（３−アミノフェニル）スルフィド、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、ｏ−ジアニシジン、ｏ−トリジン、トリジンスルホン酸などのベンゼン環を２個を含むジアミン化合物類、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェニル）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェニル）ベンゼン、α，α’−ビス（４−アミノフェニル）−１，４−ジイソプロピルベンゼン、α，α’−ビス（４−アミノフェニル）−１，３−ジイソプロピルベンゼンなどのベンゼン環を３個を含むジアミン化合物類、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、４，４’−（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン、５，１０−ビス（４−アミノフェニル）アントラセンなどのベンゼン環を４個以上を含むジアミン化合物類などのジアミン化合物類が挙げられる。
また、ヘキサメチレンジアミン、ジアミノドデカンなど脂肪族ジアミン化合物を上記ジアミンと共に使用することができる。
【００３２】
ポリイミドシロキサンは、例えば次の方法で得ることができる。
ａ）テトラカルボン酸化合物とジアミン化合物とを略等モル使用し、有機極性溶媒中で連続的に１５〜２５０℃で重合及びイミド化させてポリイミドシロキサンを得る方法。
ｂ）テトラカルボン酸化合物とジアミン化合物とをそれぞれ分けて、まず過剰量のテトラカルボン酸化合物とジアミン化合物（例、ジアミノポリシロキサン）とを有機極性溶媒中１５〜２５０℃で重合及びイミド化させて平均重合度１〜１０程度の末端に酸無水物基（又は、酸、そのエステル化物）を有するイミドシロキサンオリゴマーを調製し、別にテトラカルボン酸化合物と過剰量のジアミン化合物とを有機極性溶媒中１５〜２５０℃で重合及びイミド化させて平均重合度１〜１０程度の末端にアミノ基を有するイミドオリゴマーを調製し、次いでこの両者を酸成分とジアミン成分とが略等モルになるように混合して１５〜６０℃で反応させて、さらに１３０〜２５０℃に昇温して反応させてポリイミドシロキサンを得る方法。
ｃ）テトラカルボン酸化合物とジアミン化合物とを略等モル使用し、有機極性溶媒中でまず２０〜８０℃で重合させてポリアミック酸を得た後に、そのポリアミック酸をイミド化してポリイミドシロキサンを得る方法。
【００３３】
上述の方法でポリイミドシロキサンを得る際に使用される有機極性溶媒としては、含窒素系溶媒、例えばＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、Ｎ−メチルカプロラクタムなど；硫黄原子を含有する溶媒、例えばジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド、ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ヘキサメチルスルホルアミドなど，フェノール系溶媒、例えばクレゾール、フェノール、キシレノールなど；ジグライム系溶媒、例えばジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグライム）、トリエチレングリコールジメチルエーテル（トリグライム）、テトラグライムなど；酸素原子を分子内に有する溶媒、例えばアセトン、メタノール、エタノール、エチレングリコール、ジオキサン、テトラヒドロフランなど；その他、ピリジン、テトラメチル尿素などを挙げることができる。また必要に応じて、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒やソルベントナフサ、ベンゾニトリルなど他の有機溶媒を併用してもよい。
【００３４】
ポリイミドシロキサンは、前記ａ）〜ｂ）などいずれの方法で得られたものを使用してもよいが、有機溶媒に少なくとも３質量％以上、好ましくは５〜６０質量％の高濃度で溶解させることができるもので、２５℃の溶液粘度（Ｅ型回転粘度計）が１〜１００００ポイズ、特に１〜１００ポイズであることが好ましい。
【００３５】
ポリイミドシロキサンは高分子量のものが好ましく、更にイミド化率が高いものが好ましい。分子量の目安としての対数粘度（測定濃度：０．５ｇ／１００ミリリットル、溶媒：Ｎ−メチル−２−ピロリドン、測定温度：３０℃）が、０．１５以上、特に０．１６〜２のものが、硬化物の強度、伸度などの機械的物性の点から好ましい。また、赤外吸収スペクトルから求められるイミド化率は、９０％以上特に９５％以上更に実質的に１００％のものが好ましい。
【００３６】
本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物で用いられる硬化性成分は、エポキシ化合物及び／又は多価イソシアネート化合物である。
【００３７】
エポキシ化合物としては、エポキシ当量が１００〜４０００程度であって、分子量が３００〜１００００程度である液状または固体状のエポキシ樹脂が好ましい。
【００３８】
多価イソシアネ−ト化合物としては、１分子中にイソシアネ−ト基を２個以上有するものであればどのようなものでもよい。このような多価イソシアネ−ト化合物としては、脂肪族、脂環族または芳香族のジイソシアネ−ト等があり、例えば、１，４−テトラメチレンジイソシアネ−ト、１，５−ペンタメチレンジイソシアネ−ト、１，６−ヘキサメチレンジイソシアネ−ト、２，２，４−トリメチル−１，６−へキサメチレンジイソシアネ−ト、リジンジイソシアネ−ト、３−イソシアネ−トメチル−３，５，５−トリメチルシクロヘキシルイソシアネ−ト（イソホロンジイソシアネ−ト）、１，３−ビス（イソシアネ−トメチル）−シクロヘキサン、４，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネ−ト、トリレンジイソシアネ−ト、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネ−ト、１，５−ナフタレンジイソシアネ−ト、トリジンジイソシアネ−ト、キシリレンジイソシアネ−ト等を挙げることができる。
【００３９】
更に、多価イソシアネ−ト化合物として、脂肪族、脂環族または芳香族の多価イソシアネ−トから誘導されるもの、例えばイソシアヌレ−ト変性多価イソシアネ−ト、ビュレット変性多価イソシアネ−ト、ウレタン変性多価イソシアネ−ト等を挙げることができる。
【００４０】
多価イソシアネ−トとしては、多価イソシアネ−トのイソシアネ−ト基をブロック化剤でブロックしたブロック多価イソシアネ−トが好適に使用される。このブロック化剤としては例えば、アルコ−ル系、フェノ−ル系、活性メチレン系、メルカプタン系、酸アミド系、酸イミド系、イミダゾ−ル系、尿素系、オキシム系、アミン系、イミド系化合物、ピリジン系化合物等があり、これらを単独あるいは、混合して使用してもよい。具体的なブロック化剤としては、アルコ−ル系としてメタノ−ル、エタノ−ル、プロパノ−ル、ブタノ−ル、２−エチルヘキサノ−ル、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルカルピト−ル、ベンジルアルコ−ル、シクロヘキサノ−ル等、フェノ−ル系として、フェノ−ル、クレゾ−ル、エチルフェノ−ル、ブチルフェノ−ル、ノニルフェノ−ル、ジノニルフェノ−ル、スチレン化フェノ−ル、ヒドロキシ安息香酸エステル等、活性メチレン系として、マロン酸ジメチル、マロン酸ジエチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、アセチルアセトン等、メルカプタン系として、ブチルメルカプタン、 ドデシルメルカプタン等、酸アミド系として、アセトアニリド、酢酸アミド、ε−カプロラクタム、δ−バレロラクタム、γ−ブチロラクタム等、酸イミド系として、コハク酸イミド、マレイン酸イミド、イミダゾ−ル系として、イミダゾ−ル、２−メチルイミダゾ−ル、尿素系として、尿素、チオ尿素、エチレン尿素等、オキシム系として、ホルムアルドオキシム、アセトアルドオキシム、アセトオキシム、メチルエチルケトオキシム、シクロヘキサノンオキシム等、アミン系として、ジフェニルアミン、アニリン、カルバゾール等、イミン系として、エチレンイミン、ポリエチレンイミン等、重亜硫酸塩として、重亜硫酸ソ−ダ等、ピリジン系として、２−ヒドロキシピリジン、２−ヒドロキシキノリン等が挙げられる。
【００４１】
本発明において、硬化性成分の使用量は、ポリイミドシロキサン１００質量部に対して１〜５０質量部、好ましくは１〜４０質量部、特に２〜４０質量部である。本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物では、エポキシ化合物のみか、又はエポキシ化合物とブロック多価イソシアネート化合物との組合せが好適に使用される。エポキシ化合物とブロック多価イソシアネート化合物との組合せでは、ポリイミドシロキサン１００質量部に対してエポキシ化合物を０．５〜３０質量部及びブロック多価イソシアネート化合物を２〜４０質量部の組合せで使用するのが１３０℃程度以下の低温で硬化することができる上に、封止材料との密着性が良好であるので好適である。
【００４２】
本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物で用いられるシリコーン消泡剤は、ジメチルポリシロキサン、側鎖もしくは末端部に親水性基を有するポリシロキサン化合物、そして微粉末状シリカを含むシリコーン消泡剤であり、一般に自己乳化型消泡剤と呼ばれる消泡剤に属する。なかでも好ましいのは、５０゜以下、好ましくは２５゜以下、の水滴接触角を示すシリコーン消泡剤である。
【００４３】
側鎖もしくは末端部に親水性基を有するポリシロキサン化合物の親水性基の代表例としては、ポリオキシアルキレン基を挙げることができる。ポリオキシアルキレン基の例としては、ポリオキシエチレン基、ポリオキシプロピレン基、ポリオキシブチレン基、ポリオキシエチレンオキシプロピレン基（エチレンオキシドとプロピレンオキシドとの共重合体基）を挙げることができる。ポリオキシエチレンオキシプロピレン基であることが最も好ましい。
【００４４】
ポリオキシアルキレン基に代表される親水性基は、ポリシロキサン化合物のポリシロキサン主鎖の側鎖として、末端基として、あるいは側鎖と末端基として付けられていてよい。また、親水性基は、ポリシロキサン主鎖にアルキレン基などの連結基を介して付けられていてもよい。
【００４５】
側鎖もしくは末端部に親水性基を有するポリシロキサン化合物は、本発明で用いるシリコーン消泡剤に含まれるポリシロキサン成分（ジメチルポリシロキサンと側鎖もしくは末端部に親水性基を有するポリシロキサン化合物）の約５０質量％、もしくはそれ以上を占めることが好ましく、さらには、約６０〜９０質量％を占めることが好ましい。また、本発明のシリコーン消泡剤には、例えば、フェニル基などの芳香族基で変性されたポリシロキサン化合物などの各種のポリシロキサン化合物を少量成分として含んでいてもよい。
【００４６】
本発明で用いるシリコーン消泡剤は、微粉末状シリカを、ジメチルポリシロキサンと側鎖もしくは末端部に親水性基を有するポリシロキサン化合物との合計量１００質量部に対する量として１〜２０質量部含むことが好ましい。
【００４７】
なお、本発明で用いるシリコーン消泡剤は、たとえば、ＫＳ５３０、ＫＳ５３１、ＫＳ５３８（いずれも信越化学工業株式会社製）などの商品名で市販されている。
【００４８】
本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物は、微細な無機フィラーを含有することが好ましい。微細な無機フィラ−としては、平均粒子径が０．００１〜１５μｍ、特に０．００５〜１０μｍのものが好ましい。微細なフィラ−としては、例えば微粉状シリカであるアエロジル、タルク、マイカ、硫酸バリウムなどの微細無機フィラ−を好適に挙げることができる。微細な無機フィラーとしては、アエロジルとタルク、マイカ及び硫酸バリウムのうちの少なくとも一つからなる組合せ、特にアエロジルとタルクと硫酸バリウムとからなる組合せが好適に用いられる。
【００４９】
微細な無機フィラーはポリイミドシロキサン溶液組成物中において、スクリーン印刷などによって塗膜を形成する時の粘度特性を良好に調整し、スズメッキ時のスズ潜り（銅箔と絶縁膜との隙間にスズが侵入する現象、銅箔がえぐれて孔蝕となることもある）を好適に抑制するために有効である。
【００５０】
微細な無機フィラ−の使用量は、ポリイミドシロキサン１００質量部に対して、合計で２０〜１５０質量部、特に４０〜１２５質量部であることが好適である。
更に、本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物は、ブロック多価イソシアネ−トのブロック化剤を一定の温度以上で解離する解離触媒や、エポキシ基及び／又はイソシアネート基がポリイミドシロキサンの極性基を含む基との硬化反応を促進する硬化促進触媒からなる硬化触媒を含有することが好ましい。
【００５１】
ブロック多価イソシアネートの解離触媒としては、例えばジブチル錫ジラウレ−トなどや３級アミン類が例示できる。解離触媒の量はブロック多価イソシアネ−ト１００質量部に対して０．０１〜２５質量部程度特に０．１〜１５質量部程度が好ましい。
【００５２】
また、硬化促進触媒としては、２−エチル−４−メチルイミダゾールなどのイミダゾール類や３級アミン類が例示できる。硬化促進触媒の量は、ブロック多価イソシアネ−ト１００質量部に対して約０．０１〜２５質量部、特に約０．１〜１５質量部が好ましい。
【００５３】
本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物が、エポキシ化合物とブロック多価イソシアネートとを含有する場合には、解離触媒と硬化促進触媒との両方の作用を発揮することができる３級アミンを硬化触媒として含有させることが特に好ましい。
【００５４】
３級アミンとしては、例えば、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン（ＤＢＵと略記することもある。以下同様）、Ｎ，Ｎ−ジメチルベンジルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルヘキサンジアミン、トリエチレンジアミン（ＴＥＤＡ）、２−ジメチルアミノメチルフェノール（ＤＭＰ−１０）、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール（ＤＭＰ−３０）、ジモルホリノジエチルエーテル（ＤＭＤＥＥ）、１，４−ジメチルピペラジン、シクロヘキシルジメチルアミンなどを挙げることができる。
【００５５】
特に、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン（ＤＢＵ）、ジメチルベンジルアミン、そしてＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルヘキサンジアミンは、ブロックイソシアネートからブロック化剤を適当な温度において解離し、且つ、ポリイミドシロキサンとエポキシ化合物及び多価イソシアネート化合物との架橋反応を適当な速度に促進することができるので、本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物は、エポキシ化合物とブロック多価イソシアネートの両方を含有することが好ましい。
【００５６】
３級アミンの使用量は、ポリシロキサン骨格を有する化合物１００質量部に対して、０．５〜２０質量部、好ましくは１〜１０質量部である。
【００５７】
本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物を構成する有機溶媒としては、ポリイミドシロキサンを調製するときの反応に使用した有機溶媒をそのまま使用することができるが、好適には、含窒素系溶媒、例えばＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、Ｎ−メチルカプロラクタムなど；含硫黄原子溶媒、例えばジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド、ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ヘキサメチルスルホルアミドなど；含酸素溶媒、例えばフェノ−ル系溶媒、例えばクレゾ−ル、フェノ−ル、キシレノ−ルなど；ジグライム系溶媒、例えばジエチレングリコ−ルジメチルエ−テル（ジグライム）、トリエチレングリコ−ルジメチルエ−テル（トリグライム）、テトラグライムなど；そしてアセトン、アセトフェノン、プロピオフェノン、エチレングリコール、ジオキサン、テトラヒドロフランなどを挙げることができる。特に、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ,Ｎ−ジメチルスルホキシド、Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、γ−ブチロラクトン、トリエチレングリコ−ルジメチルエ−テル、ジエチレングリコ−ルジメチルエ−テルなどを使用することができ、特にジエチレングリコ−ルジメチルエ−テル（ジグライム）、トリエチレングリコ−ルジメチルエ−テル（トリグライム）、テトラグライムなどのジグライム系溶媒を好適に使用することができる。
【００５８】
さらに、本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物においては、有機着色顔料、無機着色顔料を所定量、例えばポリイミドシロキサン１００質量部に対して、０．１〜１００質量部程度使用することができる。
【００５９】
本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物は、ポリイミドシロキサン、エポキシ化合物及び／又は多価イソシアネ−ト化合物などの硬化性成分、前述のシリコーン消泡剤、微細なフィラーおよび有機溶媒などの所定量を均一に、撹拌・混合することによって容易に得ることができる。有機溶媒に混合させて溶液組成物にするにあたっては、ポリイミドシロキサンの重合溶液をそのままでも、又その重合溶液を適当な有機溶媒で希釈したものを使用してもよい。有機溶媒としては、前記ポリイミドシロキサンを得る際に使用できる有機極性溶媒を挙げることができるが、沸点１４０℃以上で２１０℃以下のものを使用することが好ましい。特に沸点１８０℃以上、特に２００℃以上である有機溶媒（例えばトリグライムなど）を使用すると、溶媒の蒸発による散逸が極めて減少するので、又その溶液組成物を使用するとスクリーン印刷などによって印刷をしやすくなる。有機溶媒は、ポリイミドシロキサン１００質量部に対して通常は、６０〜２００質量部程度使用する。
【００６０】
本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物は、特に限定するものではないが、室温（２５℃）での溶液粘度が５０〜１００００ポイズ、特に１００〜１０００ポイズ、更に１００〜６００ポイズであることがスクリーン印刷などの作業性や溶液物性や得られる硬化絶縁膜の特性上などを考慮すると好適である。
【００６１】
本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物は、フレキシブル配線基板などの基材上にスクリーン印刷などの方法で良好に塗布でき、比較的低温で加熱処理することによって硬化絶縁膜を形成することができ、且つ得られた硬化絶縁膜は基材との密着性が優れ、ソリが発生し難く、耐熱性、耐溶剤性、耐薬品性（スズ潜りが小さい）、耐屈曲性、電気特性が優れるのものであり、特に溶液組成物として泡抜け性（気泡の排出の容易さ）が良好（後述の測定方法で、泡抜け時間が好ましくは４００秒以下、特に１００秒以下）であるから、スクリーン印刷を用いた塗布などによって硬化絶縁膜を形成する際の作業性を著しく改善することができ、且つ前記溶液組成物を配線基板に塗布後、加熱処理して得られた硬化絶縁膜の周辺部で接着不良の原因になるハジキが抑制されるため（後述の測定方法でハジキ距離が好ましくは１００μｍ以下、特に３０μｍ以下）、異方性導電フィルム又は異方性導電ペーストに対するアウターリード部の親和性（濡れ）が維持されて、信頼性が高い電気的接合が可能となる。
【００６２】
次に本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物を用いる配線基板の実装方法について説明する。
【００６３】
本発明の配線基板の実装方法の代表的な態様は、（１）表面に電気回路となる配線が形成された絶縁基板上に配線を部分的に覆うようにポリイミドシロキサン溶液組成物塗布膜を形成する工程、（２）該ポリイミドシロキサン溶液組成物塗布膜を加熱して硬化絶縁膜とする工程、次いで（３）硬化絶縁膜で覆われていない配線部にて異方性導電フィルム（ＡＣＦ）又は異方性導電ペースト（ＡＣＰ）によって電気的接合部を形成する工程を含む。本発明の実装方法においては、硬化絶縁膜を本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物を用いて製造する点以外については、従来周知の配線基板の実装方法に基づくものである。
【００６４】
図１は、インナーリード部がＩＣチップ部品などのチップ部品に接合され、アウターリード部がＡＣＦまたはＡＣＰによって液晶装置の電極と接合されて実装が行なわれた配線基板の実施態様の一例を示す概略の断面図である。
このような配線基板の実装は、概略、次の手順によっておこなわれる。
（１）ポリイミドフィルムの絶縁基板１の表面に電気回路配線２が形成されている配線基板を準備する。必要に応じて電気回路配線２の表面はスズメッキされる。
（２）配線基板の表面の所定部分に、ポリイミドシロキサン溶液組成物をスクリーン印刷によって塗布し、得られた塗膜を５０℃〜２１０℃にて加熱処理して、硬化絶縁膜３を形成する。この加熱処理は、通常は１６０℃程度の温度で行なわれるが、既にスズメッキされた場合には１２０℃程度の比較的低い温度で加熱処理が行なわれる。
（３）硬化絶縁膜で覆われていない配線の表面にスズメッキ層４を形成する。既にスズメッキされた場合はこの工程が省略される場合もある。
（４）チップ部品５を、硬化絶縁膜で覆われていない配線部（インナーリード部）に金バンプ６によって電気的に接合する。
（５）ポリイミドフィルムの絶縁基板１とチップ部品５との隙間にエポキシ樹脂などの硬化性樹脂からなるアンダーフィル材７を注入し、通常１５０℃〜１６０℃程度の温度で加熱処理して硬化させる。
（６）液晶パネルの基板１０の電極９を、ＡＣＦまたはＡＣＰ８を用いて、配線基板の硬化絶縁膜で覆われていない配線部（アウターリード部）に熱圧着して接合する。
【実施例】
【００６５】
以下の実施例において「泡抜け時間」は、ポリイミドシロキサン組成物をスクリーンマスク（ＳＵＳ＃１８０、乳剤厚１５μｍ、メッシュ厚１０１μｍ）を用い、１ｃｍ×１ｃｍ枠をスキージ（硬度：７０、材質：シリコーンゴム）にてポリイミドフィルム（ユーピレックス２５Ｓ）上に手塗り印刷し、印刷面を１０倍の光学顕微鏡にて透過光下に観察し、全ての泡が消滅するまでの時間を測定することにより調べた。測定は３回行いその平均値を泡抜け時間として記載した。泡抜け時間が短いことは、泡抜け性が良いことを意味する。
【００６６】
「ハジキ」の評価では、スクリーンマスク（ＳＵＳ＃１８０、乳剤厚１５μｍ、メッシュ厚１０１μｍ）とスキージ（硬度：７０、材質：シリコーンゴム）とを用いて、銅箔（福田金属箔粉工業（株）製ＣＦ−Ｔ８の鏡面）上にポリイミドシロキサン溶液組成物を塗布し、次いで１２０℃（もしくは１６０℃）の温度で１時間加熱処理して硬化させた後、銅箔上にスズメッキし、その後１５０℃の温度で２時間熱処理してハジキ評価用サンプルを作製した。
ハジキの評価は、和光純薬工業（株）製のぬれ張力試験用混合液Ｎｏ．３５．０を用い、これをスポイトにて硬化絶縁膜際から１ｃｍの位置に０．１ｍＬ垂らし、次いで、スポイトの先でぬれ張力試験用混合液を硬化膜際に近づけて、硬化膜の際を挟んで硬化絶縁膜表面の側から銅箔表面を濡らす。そして、その後、硬化膜の際からぬれ張力試験用混合液がはじかれた銅箔表面領域の距離を測定した。はじかれた距離が大きいほどハジキの程度が大きい。
【００６７】
ＡＣＦ密着強度の測定は次の方法により実施した。まず、ＡＣＦ密着強度測定用サンプルをハジキ評価用サンプルの作成方法と同じ方法により作成した。次いで、別の銅箔（福田金属箔粉工業（株）製ＣＦ−Ｔ８の鏡面）上にＡＣＦ（ソニーケミカル（株）製ＦＰ１７０８Ｅ）を６０℃で圧着した。次に、ＡＣＦ密着強度測定用サンプルの硬化膜の隣接する位置に、ＡＣＦを圧着した銅箔のＡＣＦ部を配置し、銅箔の上から１９０℃、１０ｋｇ／ｃｍ2の圧力で１０秒間圧着して、剥離試験用の積層体を得た。次いで、この積層体を９０゜剥離により剥離して、剥離強度を測定した。
【００６８】
水滴接触角は、次の方法により測定した。銅箔（福田金属箔粉工業（株）製ＣＦ−Ｔ８の鏡面）の表面に消泡剤を薄く塗布し、この塗布面に精製水の水滴を垂らし、その水滴接触角を水滴接触角測定装置を用いて測定した。測定は５回実施し、その平均値を水滴接触角として記載した。
【００６９】
実施例と比較例で用いた材料（消泡剤以外）は次の通りである。
〔エポキシ化合物〕
（１）エピコート８２８：ジャパンエポキシレジン（株）製、エポキシ樹脂、エポキシ当量：１９０
（２）エピコート１５７Ｓ７０：ジャパンエポキシレジン（株）製、エポキシ樹脂、エポキシ当量：２１０
〔多価イソシアネート化合物〕
Ｂ−８８２Ｎ：タケネートＢ−８８２Ｎ、三井武田ケミカル（株）製、１，６−ヘキサメチレンジイソシアネートブロック化体、ブロック化剤：メチルエチルケトオキシム
〔硬化触媒〕
２Ｅ４ＭＺ：四国化成工業（株）製、２−エチル−４−メチルイミダゾール
ＤＢＵ：アルドリッチ製、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン
〔無機フィラー〕
アエロジル＃５０：日本アエロジル（株）製、平均粒径３０ｎｍ
アエロジル＃１３０：日本アエロジル（株）製、平均粒径１６ｎｍ
タルクＰ−３：日本タルク（株）製タルク、ミクロエースＰ−３、平均粒径５．１μｍ
硫酸バリウムＢ−３０：堺化学工業（株）製硫酸バリウム、平均粒径０．３μｍ
【００７０】
〔参考例１〕
ポリイミドシロキサン溶液の製造：
容量５００ｍＬのガラス製フラスコに、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物４７．１ｇ（０．１６モル）、溶媒のメチルトリグライム（ＴＧ）１００ｇを仕込み、窒素雰囲気下、１８０℃で加熱撹拌した。α，ω−ビス（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサン（アミノ当量：４６０）１２５．１ｇ（０．１３６モル）、ＴＧ４０ｇを加え、１８０℃で６０分加熱撹拌した。さらにこの反応溶液に３，３’−カルボキシ−４，４’−ジアミノジフェニルメタン（ＭＢＡＡ）６．９ｇ（０．０２４モル）及びＴＧ３９ｇを加え、１８０℃で１０時間加熱撹拌した後、濾過を行った。得られたポリイミドシロキサン反応溶液は、ポリマ−固形分濃度５１質量％、ηinhが０．２０の溶液であった。イミド化率は実質的に１００％であった。
【００７１】
［実施例１］
ガラス製容器に、参考例１で得たポリイミドシロキサン溶液を４０．０ｇ、エポキシ化合物のエピコート８２８を３．７ｇ（ポリイミドシロキサン溶液１００質量部に対して９．２５質量部、以下同じ）、硬化触媒の２Ｅ４ＭＺを０．０８ｇ（０．２質量部）、シリコーン系消泡剤のＫＳ５３１（信越化学工業（株）製、自己乳化型シリコーン消泡剤、ジメチルポリシロキサン、ジメチルポリシロキサンより多い量の側鎖にポリエチレンオキシ・プロピレンオキシ基が付いて親水性とされたポリシロキサン化合物、そして微粉末状のシリカを含有、水滴接触角：１８゜）を０．９ｇ（２．２５質量部）、無機充填材のアエロジル＃５０を３．９ｇ（９．７５質量部）、タルクのミクロエースＰ−３を４．８ｇ（１２．０質量部）、そして硫酸バリウムＢ−３０を１４．５ｇ（３６．２５質量部）を仕込み、２５℃で２時間撹拌して均一に混合して、本発明のポリイミドシロキサン組成物を得た。
このポリイミドシロキサン組成物の泡抜け時間（秒）とハジキ距離（μｍ）の測定結果を表１に示す。
【００７２】
［実施例２］
エポキシ化合物のエピコート８２８をエピコート１５７Ｓ７０に変え、そして硬化触媒の２Ｅ４ＭＺの使用量を０．２５質量部（ポリイミドシロキサン溶液１００質量部に対する相対量、以下同じ）に変えた以外は、実施例１と同様な操作を行ない、本発明のポリイミドシロキサン組成物を得た。
このポリイミドシロキサン組成物の泡抜け時間（秒）、ハジキ距離（μｍ）そしてＡＣＦ剥離強度（ｇ／ｃｍ）の測定結果を表１に示す。
【００７３】
［実施例３］
エポキシ化合物のエピコート１５７Ｓ７０の使用量を１質量部（ポリイミドシロキサン溶液１００質量部に対する相対量、以下同じ）に変え、多価イソシアネート化合物のＢ−８８２Ｎを１０質量部追加し、硬化触媒として０．１質量部の２Ｅ４ＭＺと０．４質量部のＤＢＵを用い、無機フィラーとして、２質量部のアエロジル＃５０、８．２５質量部のアエロジル＃１３０、２２．７５質量部のミクロエースＰ−３、そして１１．２５質量部の硫酸バリウムＢ−３０を用いた以外は、実施例２と同様な操作を行ない、本発明のポリイミドシロキサン組成物を得た。
このポリイミドシロキサン組成物の泡抜け時間（秒）とハジキ距離（μｍ）の測定結果を表１に示す。
【００７４】
［実施例４］
シリコーン系消泡剤のＫＳ５３１をＫＳ５３０（信越化学工業（株）製、自己乳化型シリコーン消泡剤、ジメチルポリシロキサン、ジメチルポリシロキサンより多い量の側鎖にポリエチレンオキシ・プロピレンオキシ基が付いて親水性とされたポリシロキサン化合物そして微粉末状のシリカを含有、水滴接触角：１３゜）に変えた以外は、実施例２と同様な操作を行ない、本発明のポリイミドシロキサン組成物を得た。
このポリイミドシロキサン組成物の泡抜け時間（秒）、ハジキ距離（μｍ）そしてＡＣＦ剥離強度（ｇ／ｃｍ）の測定結果を表１に示す。
【００７５】
［実施例５］
シリコーン系消泡剤のＫＳ５３１をＫＳ−５３８（信越化学工業（株）製、自己乳化型シリコーン消泡剤、ジメチルポリシロキサン、ジメチルポリシロキサンより多い量の側鎖にポリエチレンオキシ・プロピレンオキシ基が付いて親水性とされたポリシロキサン化合物そして微粉末状のシリカを含有、水滴接触角：１７゜）に変えた以外は、実施例２と同様な操作を行ない、本発明のポリイミドシロキサン組成物を得た。
このポリイミドシロキサン組成物の泡抜け時間（秒）、ハジキ距離（μｍ）そしてＡＣＦ剥離強度（ｇ／ｃｍ）の測定結果を表１に示す。
【００７６】
［比較例１］
シリコーン系消泡剤のＫＳ５３１をＤＢ−１００（ダウ・コーニング・アジア（株）製、ジメチルポリシロキサンと微粉末状のシリカを含有、水滴接触角：６６゜）に変えた以外は、実施例２と同様な操作を行ない、比較用のポリイミドシロキサン組成物を得た。
このポリイミドシロキサン組成物の泡抜け時間（秒）、ハジキ距離（μｍ）そしてＡＣＦ剥離強度（ｇ／ｃｍ）の測定結果を表１に示す。
【００７７】
［比較例２］
シリコーン系消泡剤のＫＳ５３１をＫＳ５１０（信越化学工業（株）製、オイルコンパウンド型シリコーン消泡剤、側鎖に炭素原子数１０以上のアルキル基を有するポリシロキサン化合物と微粉末状のシリカを含有、水滴接触角：９４゜）に変えた以外は、実施例２と同様な操作を行ない、比較用のポリイミドシロキサン組成物を得た。
このポリイミドシロキサン組成物の泡抜け時間（秒）、ハジキ距離（μｍ）そしてＡＣＦ剥離強度（ｇ／ｃｍ）の測定結果を表１に示す。
【００７８】
［比較例３］
シリコーン系消泡剤のＫＳ５３１をＸ−５０−１０４１（信越化学工業（株）製、エマルジョン型シリコーン消泡剤、ジメチルポリシロキサン、微粉末状のシリカそして乳化剤を含有、水滴接触角：１９゜）に変えた以外は、実施例２と同様な操作を行ない、比較用のポリイミドシロキサン組成物を得た。
このポリイミドシロキサン組成物の泡抜け時間（秒）、ハジキ距離（μｍ）そしてＡＣＦ剥離強度（ｇ／ｃｍ）の測定結果を表１に示す。
【００７９】
［比較例４］
シリコーン系消泡剤のＫＳ５３１をＫＭ−９８１（信越化学工業（株）製、エマルジョン型シリコーン消泡剤、ジメチルポリシロキサン、微粉末状のシリカそして乳化剤を含有、水滴接触角：３０゜）に変えた以外は、実施例２と同様な操作を行ない、比較用のポリイミドシロキサン組成物を得た。
このポリイミドシロキサン組成物の泡抜け時間（秒）、ハジキ距離（μｍ）そしてＡＣＦ剥離強度（ｇ／ｃｍ）の測定結果を表１に示す。
【００８０】
［比較例５］
シリコーン系消泡剤のＫＳ５３１を金属石鹸系消泡剤のノプコＮＸＺ（サンノプコ（株）製、脂肪酸金属塩を含有、水滴接触角：１０゜）に変えた以外は、実施例２と同様な操作を行ない、比較用のポリイミドシロキサン組成物を得た。
このポリイミドシロキサン組成物の泡抜け時間（秒）、ハジキ距離（μｍ）そしてＡＣＦ剥離強度（ｇ／ｃｍ）の測定結果を表１に示す。
【００８１】
［比較例６］
シリコーン系消泡剤のＫＳ５３１をアクリルビニルエーテル系消泡剤のフローレンＡＣ−３２６Ｆ（共栄社化学（株）製、水滴接触角：４２゜）に変えた以外は、実施例２と同様な操作を行ない、比較用のポリイミドシロキサン組成物を得た。
このポリイミドシロキサン組成物の泡抜け時間（秒）、ハジキ距離（μｍ）そしてＡＣＦ剥離強度（ｇ／ｃｍ）の測定結果を表１に示す。
【００８２】
表１
──────────────────────────────────
泡抜け時間 ハジキ距離 ＡＣＦ剥離強度
──────────────────────────────────
実施例１ ３８秒 ０μｍ −−
実施例２ ４７秒 ０μｍ ７８０ｇ／ｃｍ
実施例３ ５７秒 ０μｍ −−
実施例４ ３７秒 ０μｍ ７４０ｇ／ｃｍ
実施例５ ２４秒 ０μｍ ７５０ｇ／ｃｍ
──────────────────────────────────
比較例１ ２５秒 ５００μｍ ７４０ｇ／ｃｍ
比較例２ １４２秒 ４００μｍ ２８０ｇ／ｃｍ
比較例３ ２６秒 ４１０μｍ ２９０ｇ／ｃｍ
比較例４ ２８秒 ３７０μｍ ３４０ｇ／ｃｍ
比較例５ ＞６００秒 ０μｍ ７７０ｇ／ｃｍ
比較例６ ＞６００秒 ０μｍ ７８０ｇ／ｃｍ
──────────────────────────────────
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】インナーリード部がチップ部品に接合され、アウターリード部がＡＣＦ又はＡＣＰによって液晶装置の電極と接合されて実装された配線基板の概略の断面図である。
【符号の説明】
【００８４】
１ ポリイミドフィルムかなる絶縁基板
２ 電気回路配線
３ 硬化膜（保護膜）
４ スズメッキ
５ ＩＣチップ部品
６ 金バンプ
７ アンダーフィル
８ 異方性導電フイルム又は異方性導電ペースト
９ 液晶パネル基板の電極
１０ 液晶パネル基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ポリイミドシロキサン溶液組成物に関し、特に、絶縁硬化膜が形成された配線基板の製造に有利に用いることのできるポリイミドシロキサン溶液組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
表面に電気回路配線部が形成されている配線基板に電子部品を実装する場合は、まず、配線基板の表面に、その電気回路配線部を部分的に被覆するように硬化性樹脂溶液組成物を塗布して塗布膜を形成し、次いで該塗布膜を加熱して絶縁硬化膜とすることからなる予備処理が行なわれる。
【０００３】
特許文献１には、電子部品実装の分野において用いられる絶縁膜（保護膜、ソルダレジスト、層間絶縁層など）を形成するための溶液組成物として、有機溶媒可溶性のポリイミドシロキサンと、エポキシ化合物及び／又は多価イソシアネート化合物などの硬化性成分とを含有してなるポリイミドシロキサン溶液組成物が記載されている。この溶液組成物は、フレキシブル配線基板などの基材上にスクリーン印刷などの方法で良好に塗布できるものであり、比較的低温の加熱処理を行なうことによって硬化絶縁膜を形成することができ、得られた硬化絶縁膜は基材との密着性が優れ、ソリが発生し難く、耐熱性、耐溶剤性、耐薬品性、耐屈曲性、そして電気特性などが優れるものである。従って、特にＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープやフレキシブル配線基板などのフレキシブル性を有する配線基板を保護する硬化絶縁膜（保護膜）の形成の目的で好適に使用される。上記の有機溶媒可溶性のポリイミドシロキサンは、芳香族テトラカルボン酸化合物、ジアミノポリシロキサン成分、そして極性基を有する芳香族ジアミン化合物の反応により得られる化合物である。
【０００４】
特許文献１には、ポリイミドシロキサン溶液組成物に、必要に応じて消泡剤を加えてもよい旨の記載があり、消泡剤の例として、アクリル系消泡剤、アクリルビニルエーテル系消泡剤、フッ素系消泡剤、そしてシリコ−ン系消泡剤が挙げられている。この内、シリコ−ン系消泡剤の例としては、溶液型やオイルコンパウンド型のジメチルポリシロキサン系消泡剤（信越化学工業株式会社製のＫＳ−６０３あるいはダウコーニング社製のＤＢ−１００）などが列記されている。なお、特許文献１の実施例で用いられている消泡剤は、アクリルビニルエーテル系の消泡剤であるフローレンＡＣ３２６Ｆである。
【０００５】
配線基板への電子部品の導電性接合は、従来は、はんだを用いる方法あるいは金などの導電性材料をバンプとして用いる方法により行なっていたが、近年、例えば、液晶表示素子などの電子部品の配線基板への実装に際して、異方性導電フィルム（Anisotropic Conductive Film、ＡＣＦ）又は異方性導電ペースト（Anisotropic Conductive Paste、ＡＣＰ）などの異方性導電材料によって配線基板のアウターリード部を介して電気的接合部を形成する方法も利用されるようになってきている。
【特許文献１】特開２００２−１２６６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の発明者は、前記特許文献１に記載のポリイミドシロキサン溶液組成物を配線基板の絶縁硬化膜の形成に用いる場合に、絶縁基板への密着性を高め、かつ溶液組成物内に取り込まれた気泡（泡）を短時間に排出させる機能を有する消泡剤について研究を行なった結果、シリコーン系消泡剤として最も一般的なジメチルポリシロキサン（シリコーンオイル）系消泡剤が、上記の目的に好適であることを確認した。
【０００７】
しかしながら、その後の検討により、特許文献１に記載のポリイミドシロキサン溶液組成物にジメチルポリシロキサン系消泡剤を加えて消泡性を高めた溶液組成物を配線基板の絶縁硬化膜の形成に用いた場合に、その絶縁硬化膜が形成された配線基板のアウターリード部を介して異方性導電材料により電子部品を電気的に接合させようとすると、異方性導電材料とアウターリード部との親和性が低くなり、目的の異方性導電材料とアウターリード部との間の良好な電気的接合が実現しにくくなることが判明した。
【０００８】
このため、本発明者は、上記の異方性材料とアウターリード部との親和性が低くなる原因を調べた。その結果、ジメチルポリシロキサン系消泡剤を添加したポリイミドシロキサン溶液組成物を配線基板の表面に塗布して、絶縁硬化膜の形成に用いると、その溶液組成物の塗布膜からジメチルポリシロキサンの一部がアウターリード部の表面上に滲み出し、絶縁硬化膜の形成後も、そのジメチルポリシロキサンがアウターリード部の表面に残るために、異方性導電材料とアウターリード部との親和性（いわゆる濡れ）が低下し、良好な電気的接合が困難になっているとの結論に達した。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の結論に基づき、本発明者は更に研究を進めた結果、特許文献１に記載のポリイミドシロキサン溶液組成物に添加するシリコーン系消泡剤として、ジメチルポリシロキサンと微粉末シリカとを含む最も一般的なシリコーン系消泡剤のジメチルポリシロキサンの一部を、側鎖もしくは末端部に親水性基（特に、ポリオキシアルキレン基）に置換したシリコーン系消泡剤を用いることにより、消泡性（溶液組成物内に取り込まれた気泡を短時間に排出させる機能）が優れ、かつ配線基板の表面に塗布し、硬化させて絶縁硬化膜を形成した場合でも、配線基板上のアウターリード部へのジメチルポリシロキサンの滲み出しを抑制することができ、そして、異方性導電材料とアウターリード部との親和性が向上して、異方性導電材料とアウターリード部との間の良好な電気的接合の実現を可能にするポリイミドシロキサン溶液組成物が得られることを見いだした。
【００１０】
従って、本発明は、有機溶媒中に、有機溶媒可溶性ポリイミドシロキサン、エポキシ化合物および多価イソシアネート化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種の硬化性成分、そしてシリコーン消泡剤が含まれてなり、該シリコーン消泡剤が、ジメチルポリシロキサン、側鎖もしくは末端部に親水性基を有するポリシロキサン化合物、そして微粉末状シリカを含むことを特徴とするポリイミドシロキサン溶液組成物にある。
【００１１】
本発明はまた、表面に電気回路配線部が形成されている配線基板の表面に該電気回路配線部を部分的に被覆するように上記の本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物を塗布して塗布膜を形成し、次いで該ポリイミドシロキサン組成物塗布膜を加熱して絶縁硬化膜とすることからなる表面に絶縁硬化膜が形成された配線基板の製造方法にもある。
【００１２】
本発明はさらに、表面に電気回路配線部が形成されている配線基板の表面に該電気回路配線部を部分的に被覆するように上記の本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物を塗布して塗布膜を形成する工程、該ポリイミドシロキサン組成物塗布膜を加熱して絶縁硬化膜とする工程、そして上記配線基板表面上の電気回路配線部の絶縁硬化膜で被覆されていない領域に異方性導電性材料を介して電子部品を接続することからなる電子部品の配線基板への実装方法にもある。
【産業上の利用可能性】
【００１３】
本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物は、配線基板の表面にスクリーン印刷等の塗布方法により塗布した場合に、その塗布過程で取り込まれて塗布膜内部に生成した気泡の排出を速やかに実現でき、またアウターリード部表面へのジメチルポリシロキサンの滲み出しが抑制されるため、本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物を利用することにより高い作業性で絶縁硬化膜を有する配線基板を得ることができる。また、本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物を利用して絶縁硬化膜を形成した配線基板のアウターリード部表面に電気的接合材料、特に異方性導電材料を介して電子部品を実装する場合に実用性が高い優れた電気的接合が実現する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物の好ましい態様を次に示す。
（１）有機溶剤可溶性ポリイミドシロキサン１００質量部に対して、硬化性成分を１〜５０質量部、そしてシリコーン消泡剤を１〜１０質量部含む。
（２）シリコーン消泡剤が、側鎖もしくは末端部に親水性基を有するポリシロキサン化合物をジメチルポリシロキサンより多い量にて含む。
（３）シリコーン消泡剤が、ジメチルポリシロキサンと側鎖もしくは末端部に親水性基を有するポリシロキサン化合物との合計量１００質量部に対して、微粉末状シリカを１〜２０質量部を含む。
（４）側鎖もしくは末端部に親水性基を有するポリシロキサン化合物の親水性基がポリオキシアルキレン基（特に、エチレンオキシドとプロピレンオキシドとの共重合体からなる基）である。
（５）さらに、無機フィラーを含む。
（６）さらに、硬化触媒（硬化剤）を含む。
（７）シリコーン消泡剤が５０゜以下の水滴接触角を示す。
【００１５】
次に、本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物で用いられる有機溶媒可溶性ポリイミドシロキサンそしてエポキシ化合物および多価イソシアネート化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種の硬化性成分について説明する。なお、前述のように、本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物は、前記の特許文献１に記載のポリイミドシロキサン溶液組成物の改良であり、有機溶媒可溶性ポリイミドシロキサンそしてエポキシ化合物および多価イソシアネート化合物については、特許文献１に詳しい記載がある。
【００１６】
本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物で用いられる有機溶媒可溶性ポリイミドシロキサンは、芳香族テトラカルボン酸化合物と、ジアミノポリシロキサン及び極性基を有する芳香族ジアミン化合物とを含むジアミン化合物とを、略等モル好ましくはジアミン化合物１モルに対して芳香族テトラカルボン酸化合物が１．０〜１．２モル程度の割合となるように用いて有機溶媒中で反応させることにより得ることができる。
【００１７】
芳香族テトラカルボン酸化合物の例としては、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸、３，３’，４，４’−ジフェニルエ−テルテトラカルボン酸、３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、２，２−ビス（３，４−ベンゼンジカルボン酸）ヘキサフルオロプロパン、ピロメリット酸、１，４−ビス（３，４−ベンゼンジカルボン酸）ベンゼン、２，２−ビス〔４−（３，４−フェノキシジカルボン酸）フェニル〕プロパン、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸、１，２，４，５−ナフタレンテトラカルボン酸、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタンなどの芳香族テトラカルボン酸、またはそれらの酸二無水物や低級アルコ−ルのエステル化物を好適に挙げることができる。これらのなかでも特に、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、３，３’，４，４’−ジフェニルエ−テルテトラカルボン酸、及び２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸、又は、それらの酸二無水物や低級アルコ−ルのエステル化物は、ポリイミドシロキサンとしたときの有機溶媒に対する溶解性が優れているので好適である。
【００１８】
芳香族テトラカルボン酸化合物は、ジアミン化合物と反応させることが容易な芳香族テトラカルボン酸二無水物を用いることが好ましい。また、芳香族テトラカルボン酸二無水物の使用量がジアミン成分に対して１．０５倍モル以上で未反応無水環が残存するような場合には、そのままでもよいが、エステル化剤で開環ハーフエステル化してもよい。
【００１９】
ジアミン化合物は、ジアミノポリシロキサン及び極性基を有する芳香族ジアミン化合物以外のジアミン化合物を含んでいてもよく、好ましくはジアミノポリシロキサンを３０〜９５モル％、特に５０〜９５モル％、更に６０〜９５モル％、極性基を有する芳香族ジアミン化合物を０．５〜４０モル％、そして前記ジアミノポリシロキサン及び前記極性基を有する芳香族ジアミン化合物以外のジアミン化合物を０〜６９．５モル％（通常、０〜３０モル％）とする割合で使用される。
【００２０】
ポリイミドシロキサンのジアミン成分を構成するジアミノポリシロキサンとしては、下記一般式（１）で示される化合物が好適である。
【００２１】
【化１】
【００２２】
一般式（１）において、Ｒ1は２価の炭化水素基又は芳香族基を示し、Ｒ2は独立に一価の炭素水素基又は芳香族基を示し、ｎ１は３〜５０の整数を示す。ただし、Ｒ1は独立に炭素数１〜６の２価の炭化水素基またはフェニレン基、特にプロピレン基であり、Ｒ2は独立に炭素数１〜５のアルキル基またはフェニル基であり、ｎ１は３〜２０であることが好ましい。なお、ジアミノポリシロキサンが二種以上の混合物からなる場合は、ｎ１はアミノ当量から計算される。
【００２３】
ジアミノポリシロキサンの化合物の例としては、α，ω−ビス（２−アミノエチル)ポリジメチルシロキサン、α，ω−ビス（３−アミノプロピル)ポリジメチルシロキサン、α，ω−ビス（４−アミノフェニル)ポリジメチルシロキサン、α，ω−ビス（４−アミノ−３−メチルフェニル)ポリジメチルシロキサン、α，ω−ビス（３−アミノプロピル)ポリジフェニルシロキサン、α，ω−ビス（４−アミノブチル）ポリジメチルシロキサンなどが挙げられる。
【００２４】
ポリイミドシロキサンのジアミン成分を構成する極性基を有する芳香族ジアミン化合物は、分子中にイソシアネート基又はエポキシ基との反応性を有する極性基を有する芳香族ジアミン化合物であり、好ましくは下記一般式（２）で示されるジアミン化合物である。
【００２５】
【化２】
【００２６】
一般式（２）において、ＸおよびＹは、それぞれ独立に、直接結合、ＣＨ2、Ｃ（ＣＨ3）2、Ｃ（ＣＦ3）2、Ｏ、ベンゼン環、ＳＯ2を示し、ｒ１はＣＯＯＨ又はＯＨを示し、ｎ２は１又は２であり、ｎ３、ｎ４はそれぞれ独立に０、１又は２、好ましくは０又は１であり、ｎ３及びｎ４の少なくとも一方は１又は２である。
【００２７】
一般式（２）で示されるジアミン化合物としては、２，４−ジアミノフェノ−ルなどのジアミノフェノ−ル化合物類、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジハイドロキシビフェニル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジハイドロキシビフェニル、４，４’−ジアミノ−２，２’−ジハイドロキシビフェニル、４，４’−ジアミノ−２，２’，５，５’−テトラハイドロキシビフェニルなどのヒドロキシビフェニル化合物類、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジハイドロキシジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジハイドロキシジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−２，２’−ジハイドロキシジフェニルメタン、２，２−ビス〔３−アミノ−４−ハイドロキシフェニル〕プロパン、２，２−ビス〔４−アミノ−３−ハイドロキシフェニル〕プロパン、２，２−ビス〔３−アミノ−４−ハイドロキシフェニル〕ヘキサフルオロプロパン、４，４’−ジアミノ−２，２’，５，５’−テトラハイドロキシジフェニルメタンなどのヒドロキシジフェニルアルカン化合物類、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジハイドロキシジフェニルエ−テル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジハイドロキシジフェニルエ−テル、４，４’−ジアミノ−２，２’−ジハイドロキシジフェニルエ−テル、４，４’−ジアミノ−２，２’，５，５’−テトラハイドロキシジフェニルエ−テルなどのヒドロキシジフェニルエ−テル化合物類、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジハイドロキシジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジハイドロキシジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノ−２，２’−ジハイドロキシジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノ−２，２’，５，５’−テトラハイドロキシジフェニルスルホンなどのヒドロキシジフェニルスルホン化合物類、２，２−ビス〔４−（４−アミノ−３−ハイドロキシフェノキシ）フェニル〕プロパンなどのビス（ハイドロキシフェニキシフェニル）アルカン化合物類、４，４’−ビス（４−アミノ−３−ハイドロキシフェノキシ）ビフェニルなどのビス（ハイドロキシフェノキシ）ビフェニル化合物類、そして２，２−ビス〔４−（４−アミノ−３−ハイドロキシフェノキシ）フェニル〕スルホンなどのビス（ハイドロキシフェニキシフェニル）スルホン化合物類などの、ＯＨ基を有するジアミン化合物類を挙げることができる。
【００２８】
一般式（２）で示されるジアミン化合物としては更に、３，５−ジアミノ安息香酸、２，４−ジアミノ安息香酸などのベンゼンカルボン酸化合物類、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジカルボキシビフェニル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジカルボキシビフェニル、４，４’−ジアミノ−２，２’−ジカルボキシビフェニル、４，４’−ジアミノ−２，２’，５，５’−テトラカルボキシビフェニルなどのカルボキシビフェニル化合物類、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジカルボキシジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジカルボキシジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−２，２’−ジカルボキシジフェニルメタン、２，２−ビス〔３−アミノ−４−カルボキシフェニル〕プロパン、２，２−ビス〔４−アミノ−３−カルボキシフェニル〕プロパン、２，２−ビス〔３−アミノ−４−カルボキシフェニル〕ヘキサフルオロプロパン、４，４’−ジアミノ−２，２’，５，５’−テトラカルボキシビフェニルなどのカルボキシジフェニルアルカン化合物類、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジカルボキシジフェニルエ−テル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジカルボキシジフェニルエ−テル、４，４’−ジアミノ−２，２’−ジカルボキシジフェニルエ−テル、４，４’−ジアミノ−２，２’，５，５’−テトラカルボキシジフェニルエ−テルなどのカルボキシジフェニルエ−テル化合物類、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジカルボキシジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジカルボキシジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノ−２，２’，５，５’−テトラカルボキシジフェニルスルホンなどのカルボキシジフェニルスルホン化合物類、２，２−ビス〔４−（４−アミノ−３−カルボキシフェノキシ）フェニル〕プロパンなどのビス（カルボキシフェノキシフェニル）アルカン化合物類、４，４’−ビス（４−アミノ−３−カルボキシフェノキシ）ビフェニルなどのビス（カルボキシフェノキシ）ビフェニル化合物類、２，２−ビス〔４−（４−アミノ−３−カルボキシフェノキシ）フェニル〕スルホンなどのビス（カルボキシフェノキシフェニル）スルホン化合物類などの、ＣＯＯＨ基を有するジアミン化合物類を挙げることができる。
【００２９】
ポリイミドシロキサンのジアミン成分を構成する前記ジアミノポリシロキサン及び前記極性基を有する芳香族ジアミン以外のジアミン化合物は、特に限定されるものではないが、下記一般式（３）で示される芳香族ジアミン化合物が好適である。
【００３０】
【化３】
一般式（３）において、ＸおよびＹは、それぞれ独立に、直接結合、ＣＨ2、Ｃ（ＣＨ3）2、Ｃ（ＣＦ3）2、Ｏ、ベンゼン環、ＳＯ2を示し、ｎ５は１又は２である。
【００３１】
一般式（３）で示される芳香族ジアミン化合物の例としては、１，４−ジアミノベンゼン、１，３−ジアミノベンゼン、２，４−ジアミノトルエン、１，４−ジアミノ−２，５−ジハロゲノベンゼンなどのベンゼン環を１個を含むジアミン化合物類、ビス（４−アミノフェニル）エ−テル、ビス（３−アミノフェニル）エ−テル、ビス（４−アミノフェニル）スルホン、ビス（３−アミノフェニル）スルホン、ビス（４−アミノフェニル）メタン、ビス（３−アミノフェニル）メタン、ビス（４−アミノフェニル）スルフィド、ビス（３−アミノフェニル）スルフィド、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、ｏ−ジアニシジン、ｏ−トリジン、トリジンスルホン酸などのベンゼン環を２個を含むジアミン化合物類、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェニル）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェニル）ベンゼン、α，α’−ビス（４−アミノフェニル）−１，４−ジイソプロピルベンゼン、α，α’−ビス（４−アミノフェニル）−１，３−ジイソプロピルベンゼンなどのベンゼン環を３個を含むジアミン化合物類、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、４，４’−（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン、５，１０−ビス（４−アミノフェニル）アントラセンなどのベンゼン環を４個以上を含むジアミン化合物類などのジアミン化合物類が挙げられる。
また、ヘキサメチレンジアミン、ジアミノドデカンなど脂肪族ジアミン化合物を上記ジアミンと共に使用することができる。
【００３２】
ポリイミドシロキサンは、例えば次の方法で得ることができる。
ａ）テトラカルボン酸化合物とジアミン化合物とを略等モル使用し、有機極性溶媒中で連続的に１５〜２５０℃で重合及びイミド化させてポリイミドシロキサンを得る方法。
ｂ）テトラカルボン酸化合物とジアミン化合物とをそれぞれ分けて、まず過剰量のテトラカルボン酸化合物とジアミン化合物（例、ジアミノポリシロキサン）とを有機極性溶媒中１５〜２５０℃で重合及びイミド化させて平均重合度１〜１０程度の末端に酸無水物基（又は、酸、そのエステル化物）を有するイミドシロキサンオリゴマーを調製し、別にテトラカルボン酸化合物と過剰量のジアミン化合物とを有機極性溶媒中１５〜２５０℃で重合及びイミド化させて平均重合度１〜１０程度の末端にアミノ基を有するイミドオリゴマーを調製し、次いでこの両者を酸成分とジアミン成分とが略等モルになるように混合して１５〜６０℃で反応させて、さらに１３０〜２５０℃に昇温して反応させてポリイミドシロキサンを得る方法。
ｃ）テトラカルボン酸化合物とジアミン化合物とを略等モル使用し、有機極性溶媒中でまず２０〜８０℃で重合させてポリアミック酸を得た後に、そのポリアミック酸をイミド化してポリイミドシロキサンを得る方法。
【００３３】
上述の方法でポリイミドシロキサンを得る際に使用される有機極性溶媒としては、含窒素系溶媒、例えばＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、Ｎ−メチルカプロラクタムなど；硫黄原子を含有する溶媒、例えばジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド、ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ヘキサメチルスルホルアミドなど，フェノール系溶媒、例えばクレゾール、フェノール、キシレノールなど；ジグライム系溶媒、例えばジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグライム）、トリエチレングリコールジメチルエーテル（トリグライム）、テトラグライムなど；酸素原子を分子内に有する溶媒、例えばアセトン、メタノール、エタノール、エチレングリコール、ジオキサン、テトラヒドロフランなど；その他、ピリジン、テトラメチル尿素などを挙げることができる。また必要に応じて、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒やソルベントナフサ、ベンゾニトリルなど他の有機溶媒を併用してもよい。
【００３４】
ポリイミドシロキサンは、前記ａ）〜ｂ）などいずれの方法で得られたものを使用してもよいが、有機溶媒に少なくとも３質量％以上、好ましくは５〜６０質量％の高濃度で溶解させることができるもので、２５℃の溶液粘度（Ｅ型回転粘度計）が１〜１００００ポイズ、特に１〜１００ポイズであることが好ましい。
【００３５】
ポリイミドシロキサンは高分子量のものが好ましく、更にイミド化率が高いものが好ましい。分子量の目安としての対数粘度（測定濃度：０．５ｇ／１００ミリリットル、溶媒：Ｎ−メチル−２−ピロリドン、測定温度：３０℃）が、０．１５以上、特に０．１６〜２のものが、硬化物の強度、伸度などの機械的物性の点から好ましい。また、赤外吸収スペクトルから求められるイミド化率は、９０％以上特に９５％以上更に実質的に１００％のものが好ましい。
【００３６】
本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物で用いられる硬化性成分は、エポキシ化合物及び／又は多価イソシアネート化合物である。
【００３７】
エポキシ化合物としては、エポキシ当量が１００〜４０００程度であって、分子量が３００〜１００００程度である液状または固体状のエポキシ樹脂が好ましい。
【００３８】
多価イソシアネ−ト化合物としては、１分子中にイソシアネ−ト基を２個以上有するものであればどのようなものでもよい。このような多価イソシアネ−ト化合物としては、脂肪族、脂環族または芳香族のジイソシアネ−ト等があり、例えば、１，４−テトラメチレンジイソシアネ−ト、１，５−ペンタメチレンジイソシアネ−ト、１，６−ヘキサメチレンジイソシアネ−ト、２，２，４−トリメチル−１，６−へキサメチレンジイソシアネ−ト、リジンジイソシアネ−ト、３−イソシアネ−トメチル−３，５，５−トリメチルシクロヘキシルイソシアネ−ト（イソホロンジイソシアネ−ト）、１，３−ビス（イソシアネ−トメチル）−シクロヘキサン、４，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネ−ト、トリレンジイソシアネ−ト、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネ−ト、１，５−ナフタレンジイソシアネ−ト、トリジンジイソシアネ−ト、キシリレンジイソシアネ−ト等を挙げることができる。
【００３９】
更に、多価イソシアネ−ト化合物として、脂肪族、脂環族または芳香族の多価イソシアネ−トから誘導されるもの、例えばイソシアヌレ−ト変性多価イソシアネ−ト、ビュレット変性多価イソシアネ−ト、ウレタン変性多価イソシアネ−ト等を挙げることができる。
【００４０】
多価イソシアネ−トとしては、多価イソシアネ−トのイソシアネ−ト基をブロック化剤でブロックしたブロック多価イソシアネ−トが好適に使用される。このブロック化剤としては例えば、アルコ−ル系、フェノ−ル系、活性メチレン系、メルカプタン系、酸アミド系、酸イミド系、イミダゾ−ル系、尿素系、オキシム系、アミン系、イミド系化合物、ピリジン系化合物等があり、これらを単独あるいは、混合して使用してもよい。具体的なブロック化剤としては、アルコ−ル系としてメタノ−ル、エタノ−ル、プロパノ−ル、ブタノ−ル、２−エチルヘキサノ−ル、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルカルピト−ル、ベンジルアルコ−ル、シクロヘキサノ−ル等、フェノ−ル系として、フェノ−ル、クレゾ−ル、エチルフェノ−ル、ブチルフェノ−ル、ノニルフェノ−ル、ジノニルフェノ−ル、スチレン化フェノ−ル、ヒドロキシ安息香酸エステル等、活性メチレン系として、マロン酸ジメチル、マロン酸ジエチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、アセチルアセトン等、メルカプタン系として、ブチルメルカプタン、 ドデシルメルカプタン等、酸アミド系として、アセトアニリド、酢酸アミド、ε−カプロラクタム、δ−バレロラクタム、γ−ブチロラクタム等、酸イミド系として、コハク酸イミド、マレイン酸イミド、イミダゾ−ル系として、イミダゾ−ル、２−メチルイミダゾ−ル、尿素系として、尿素、チオ尿素、エチレン尿素等、オキシム系として、ホルムアルドオキシム、アセトアルドオキシム、アセトオキシム、メチルエチルケトオキシム、シクロヘキサノンオキシム等、アミン系として、ジフェニルアミン、アニリン、カルバゾール等、イミン系として、エチレンイミン、ポリエチレンイミン等、重亜硫酸塩として、重亜硫酸ソ−ダ等、ピリジン系として、２−ヒドロキシピリジン、２−ヒドロキシキノリン等が挙げられる。
【００４１】
本発明において、硬化性成分の使用量は、ポリイミドシロキサン１００質量部に対して１〜５０質量部、好ましくは１〜４０質量部、特に２〜４０質量部である。本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物では、エポキシ化合物のみか、又はエポキシ化合物とブロック多価イソシアネート化合物との組合せが好適に使用される。エポキシ化合物とブロック多価イソシアネート化合物との組合せでは、ポリイミドシロキサン１００質量部に対してエポキシ化合物を０．５〜３０質量部及びブロック多価イソシアネート化合物を２〜４０質量部の組合せで使用するのが１３０℃程度以下の低温で硬化することができる上に、封止材料との密着性が良好であるので好適である。
【００４２】
本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物で用いられるシリコーン消泡剤は、ジメチルポリシロキサン、側鎖もしくは末端部に親水性基を有するポリシロキサン化合物、そして微粉末状シリカを含むシリコーン消泡剤であり、一般に自己乳化型消泡剤と呼ばれる消泡剤に属する。なかでも好ましいのは、５０゜以下、好ましくは２５゜以下、の水滴接触角を示すシリコーン消泡剤である。
【００４３】
側鎖もしくは末端部に親水性基を有するポリシロキサン化合物の親水性基の代表例としては、ポリオキシアルキレン基を挙げることができる。ポリオキシアルキレン基の例としては、ポリオキシエチレン基、ポリオキシプロピレン基、ポリオキシブチレン基、ポリオキシエチレンオキシプロピレン基（エチレンオキシドとプロピレンオキシドとの共重合体基）を挙げることができる。ポリオキシエチレンオキシプロピレン基であることが最も好ましい。
【００４４】
ポリオキシアルキレン基に代表される親水性基は、ポリシロキサン化合物のポリシロキサン主鎖の側鎖として、末端基として、あるいは側鎖と末端基として付けられていてよい。また、親水性基は、ポリシロキサン主鎖にアルキレン基などの連結基を介して付けられていてもよい。
【００４５】
側鎖もしくは末端部に親水性基を有するポリシロキサン化合物は、本発明で用いるシリコーン消泡剤に含まれるポリシロキサン成分（ジメチルポリシロキサンと側鎖もしくは末端部に親水性基を有するポリシロキサン化合物）の約５０質量％、もしくはそれ以上を占めることが好ましく、さらには、約６０〜９０質量％を占めることが好ましい。また、本発明のシリコーン消泡剤には、例えば、フェニル基などの芳香族基で変性されたポリシロキサン化合物などの各種のポリシロキサン化合物を少量成分として含んでいてもよい。
【００４６】
本発明で用いるシリコーン消泡剤は、微粉末状シリカを、ジメチルポリシロキサンと側鎖もしくは末端部に親水性基を有するポリシロキサン化合物との合計量１００質量部に対する量として１〜２０質量部含むことが好ましい。
【００４７】
なお、本発明で用いるシリコーン消泡剤は、たとえば、ＫＳ５３０、ＫＳ５３１、ＫＳ５３８（いずれも信越化学工業株式会社製）などの商品名で市販されている。
【００４８】
本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物は、微細な無機フィラーを含有することが好ましい。微細な無機フィラ−としては、平均粒子径が０．００１〜１５μｍ、特に０．００５〜１０μｍのものが好ましい。微細なフィラ−としては、例えば微粉状シリカであるアエロジル、タルク、マイカ、硫酸バリウムなどの微細無機フィラ−を好適に挙げることができる。微細な無機フィラーとしては、アエロジルとタルク、マイカ及び硫酸バリウムのうちの少なくとも一つからなる組合せ、特にアエロジルとタルクと硫酸バリウムとからなる組合せが好適に用いられる。
【００４９】
微細な無機フィラーはポリイミドシロキサン溶液組成物中において、スクリーン印刷などによって塗膜を形成する時の粘度特性を良好に調整し、スズメッキ時のスズ潜り（銅箔と絶縁膜との隙間にスズが侵入する現象、銅箔がえぐれて孔蝕となることもある）を好適に抑制するために有効である。
【００５０】
微細な無機フィラ−の使用量は、ポリイミドシロキサン１００質量部に対して、合計で２０〜１５０質量部、特に４０〜１２５質量部であることが好適である。
更に、本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物は、ブロック多価イソシアネ−トのブロック化剤を一定の温度以上で解離する解離触媒や、エポキシ基及び／又はイソシアネート基がポリイミドシロキサンの極性基を含む基との硬化反応を促進する硬化促進触媒からなる硬化触媒を含有することが好ましい。
【００５１】
ブロック多価イソシアネートの解離触媒としては、例えばジブチル錫ジラウレ−トなどや３級アミン類が例示できる。解離触媒の量はブロック多価イソシアネ−ト１００質量部に対して０．０１〜２５質量部程度特に０．１〜１５質量部程度が好ましい。
【００５２】
また、硬化促進触媒としては、２−エチル−４−メチルイミダゾールなどのイミダゾール類や３級アミン類が例示できる。硬化促進触媒の量は、ブロック多価イソシアネ−ト１００質量部に対して約０．０１〜２５質量部、特に約０．１〜１５質量部が好ましい。
【００５３】
本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物が、エポキシ化合物とブロック多価イソシアネートとを含有する場合には、解離触媒と硬化促進触媒との両方の作用を発揮することができる３級アミンを硬化触媒として含有させることが特に好ましい。
【００５４】
３級アミンとしては、例えば、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン（ＤＢＵと略記することもある。以下同様）、Ｎ，Ｎ−ジメチルベンジルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルヘキサンジアミン、トリエチレンジアミン（ＴＥＤＡ）、２−ジメチルアミノメチルフェノール（ＤＭＰ−１０）、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール（ＤＭＰ−３０）、ジモルホリノジエチルエーテル（ＤＭＤＥＥ）、１，４−ジメチルピペラジン、シクロヘキシルジメチルアミンなどを挙げることができる。
【００５５】
特に、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン（ＤＢＵ）、ジメチルベンジルアミン、そしてＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルヘキサンジアミンは、ブロックイソシアネートからブロック化剤を適当な温度において解離し、且つ、ポリイミドシロキサンとエポキシ化合物及び多価イソシアネート化合物との架橋反応を適当な速度に促進することができるので、本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物は、エポキシ化合物とブロック多価イソシアネートの両方を含有することが好ましい。
【００５６】
３級アミンの使用量は、ポリシロキサン骨格を有する化合物１００質量部に対して、０．５〜２０質量部、好ましくは１〜１０質量部である。
【００５７】
本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物を構成する有機溶媒としては、ポリイミドシロキサンを調製するときの反応に使用した有機溶媒をそのまま使用することができるが、好適には、含窒素系溶媒、例えばＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、Ｎ−メチルカプロラクタムなど；含硫黄原子溶媒、例えばジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド、ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ヘキサメチルスルホルアミドなど；含酸素溶媒、例えばフェノ−ル系溶媒、例えばクレゾ−ル、フェノ−ル、キシレノ−ルなど；ジグライム系溶媒、例えばジエチレングリコ−ルジメチルエ−テル（ジグライム）、トリエチレングリコ−ルジメチルエ−テル（トリグライム）、テトラグライムなど；そしてアセトン、アセトフェノン、プロピオフェノン、エチレングリコール、ジオキサン、テトラヒドロフランなどを挙げることができる。特に、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ,Ｎ−ジメチルスルホキシド、Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、γ−ブチロラクトン、トリエチレングリコ−ルジメチルエ−テル、ジエチレングリコ−ルジメチルエ−テルなどを使用することができ、特にジエチレングリコ−ルジメチルエ−テル（ジグライム）、トリエチレングリコ−ルジメチルエ−テル（トリグライム）、テトラグライムなどのジグライム系溶媒を好適に使用することができる。
【００５８】
さらに、本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物においては、有機着色顔料、無機着色顔料を所定量、例えばポリイミドシロキサン１００質量部に対して、０．１〜１００質量部程度使用することができる。
【００５９】
本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物は、ポリイミドシロキサン、エポキシ化合物及び／又は多価イソシアネ−ト化合物などの硬化性成分、前述のシリコーン消泡剤、微細なフィラーおよび有機溶媒などの所定量を均一に、撹拌・混合することによって容易に得ることができる。有機溶媒に混合させて溶液組成物にするにあたっては、ポリイミドシロキサンの重合溶液をそのままでも、又その重合溶液を適当な有機溶媒で希釈したものを使用してもよい。有機溶媒としては、前記ポリイミドシロキサンを得る際に使用できる有機極性溶媒を挙げることができるが、沸点１４０℃以上で２１０℃以下のものを使用することが好ましい。特に沸点１８０℃以上、特に２００℃以上である有機溶媒（例えばトリグライムなど）を使用すると、溶媒の蒸発による散逸が極めて減少するので、又その溶液組成物を使用するとスクリーン印刷などによって印刷をしやすくなる。有機溶媒は、ポリイミドシロキサン１００質量部に対して通常は、６０〜２００質量部程度使用する。
【００６０】
本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物は、特に限定するものではないが、室温（２５℃）での溶液粘度が５０〜１００００ポイズ、特に１００〜１０００ポイズ、更に１００〜６００ポイズであることがスクリーン印刷などの作業性や溶液物性や得られる硬化絶縁膜の特性上などを考慮すると好適である。
【００６１】
本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物は、フレキシブル配線基板などの基材上にスクリーン印刷などの方法で良好に塗布でき、比較的低温で加熱処理することによって硬化絶縁膜を形成することができ、且つ得られた硬化絶縁膜は基材との密着性が優れ、ソリが発生し難く、耐熱性、耐溶剤性、耐薬品性（スズ潜りが小さい）、耐屈曲性、電気特性が優れるのものであり、特に溶液組成物として泡抜け性（気泡の排出の容易さ）が良好（後述の測定方法で、泡抜け時間が好ましくは４００秒以下、特に１００秒以下）であるから、スクリーン印刷を用いた塗布などによって硬化絶縁膜を形成する際の作業性を著しく改善することができ、且つ前記溶液組成物を配線基板に塗布後、加熱処理して得られた硬化絶縁膜の周辺部で接着不良の原因になるハジキが抑制されるため（後述の測定方法でハジキ距離が好ましくは１００μｍ以下、特に３０μｍ以下）、異方性導電フィルム又は異方性導電ペーストに対するアウターリード部の親和性（濡れ）が維持されて、信頼性が高い電気的接合が可能となる。
【００６２】
次に本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物を用いる配線基板の実装方法について説明する。
【００６３】
本発明の配線基板の実装方法の代表的な態様は、（１）表面に電気回路となる配線が形成された絶縁基板上に配線を部分的に覆うようにポリイミドシロキサン溶液組成物塗布膜を形成する工程、（２）該ポリイミドシロキサン溶液組成物塗布膜を加熱して硬化絶縁膜とする工程、次いで（３）硬化絶縁膜で覆われていない配線部にて異方性導電フィルム（ＡＣＦ）又は異方性導電ペースト（ＡＣＰ）によって電気的接合部を形成する工程を含む。本発明の実装方法においては、硬化絶縁膜を本発明のポリイミドシロキサン溶液組成物を用いて製造する点以外については、従来周知の配線基板の実装方法に基づくものである。
【００６４】
図１は、インナーリード部がＩＣチップ部品などのチップ部品に接合され、アウターリード部がＡＣＦまたはＡＣＰによって液晶装置の電極と接合されて実装が行なわれた配線基板の実施態様の一例を示す概略の断面図である。
このような配線基板の実装は、概略、次の手順によっておこなわれる。
（１）ポリイミドフィルムの絶縁基板１の表面に電気回路配線２が形成されている配線基板を準備する。必要に応じて電気回路配線２の表面はスズメッキされる。
（２）配線基板の表面の所定部分に、ポリイミドシロキサン溶液組成物をスクリーン印刷によって塗布し、得られた塗膜を５０℃〜２１０℃にて加熱処理して、硬化絶縁膜３を形成する。この加熱処理は、通常は１６０℃程度の温度で行なわれるが、既にスズメッキされた場合には１２０℃程度の比較的低い温度で加熱処理が行なわれる。
（３）硬化絶縁膜で覆われていない配線の表面にスズメッキ層４を形成する。既にスズメッキされた場合はこの工程が省略される場合もある。
（４）チップ部品５を、硬化絶縁膜で覆われていない配線部（インナーリード部）に金バンプ６によって電気的に接合する。
（５）ポリイミドフィルムの絶縁基板１とチップ部品５との隙間にエポキシ樹脂などの硬化性樹脂からなるアンダーフィル材７を注入し、通常１５０℃〜１６０℃程度の温度で加熱処理して硬化させる。
（６）液晶パネルの基板１０の電極９を、ＡＣＦまたはＡＣＰ８を用いて、配線基板の硬化絶縁膜で覆われていない配線部（アウターリード部）に熱圧着して接合する。
【実施例】
【００６５】
以下の実施例において「泡抜け時間」は、ポリイミドシロキサン組成物をスクリーンマスク（ＳＵＳ＃１８０、乳剤厚１５μｍ、メッシュ厚１０１μｍ）を用い、１ｃｍ×１ｃｍ枠をスキージ（硬度：７０、材質：シリコーンゴム）にてポリイミドフィルム（ユーピレックス２５Ｓ）上に手塗り印刷し、印刷面を１０倍の光学顕微鏡にて透過光下に観察し、全ての泡が消滅するまでの時間を測定することにより調べた。測定は３回行いその平均値を泡抜け時間として記載した。泡抜け時間が短いことは、泡抜け性が良いことを意味する。
【００６６】
「ハジキ」の評価では、スクリーンマスク（ＳＵＳ＃１８０、乳剤厚１５μｍ、メッシュ厚１０１μｍ）とスキージ（硬度：７０、材質：シリコーンゴム）とを用いて、銅箔（福田金属箔粉工業（株）製ＣＦ−Ｔ８の鏡面）上にポリイミドシロキサン溶液組成物を塗布し、次いで１２０℃（もしくは１６０℃）の温度で１時間加熱処理して硬化させた後、銅箔上にスズメッキし、その後１５０℃の温度で２時間熱処理してハジキ評価用サンプルを作製した。
ハジキの評価は、和光純薬工業（株）製のぬれ張力試験用混合液Ｎｏ．３５．０を用い、これをスポイトにて硬化絶縁膜際から１ｃｍの位置に０．１ｍＬ垂らし、次いで、スポイトの先でぬれ張力試験用混合液を硬化膜際に近づけて、硬化膜の際を挟んで硬化絶縁膜表面の側から銅箔表面を濡らす。そして、その後、硬化膜の際からぬれ張力試験用混合液がはじかれた銅箔表面領域の距離を測定した。はじかれた距離が大きいほどハジキの程度が大きい。
【００６７】
ＡＣＦ密着強度の測定は次の方法により実施した。まず、ＡＣＦ密着強度測定用サンプルをハジキ評価用サンプルの作成方法と同じ方法により作成した。次いで、別の銅箔（福田金属箔粉工業（株）製ＣＦ−Ｔ８の鏡面）上にＡＣＦ（ソニーケミカル（株）製ＦＰ１７０８Ｅ）を６０℃で圧着した。次に、ＡＣＦ密着強度測定用サンプルの硬化膜の隣接する位置に、ＡＣＦを圧着した銅箔のＡＣＦ部を配置し、銅箔の上から１９０℃、１０ｋｇ／ｃｍ2の圧力で１０秒間圧着して、剥離試験用の積層体を得た。次いで、この積層体を９０゜剥離により剥離して、剥離強度を測定した。
【００６８】
水滴接触角は、次の方法により測定した。銅箔（福田金属箔粉工業（株）製ＣＦ−Ｔ８の鏡面）の表面に消泡剤を薄く塗布し、この塗布面に精製水の水滴を垂らし、その水滴接触角を水滴接触角測定装置を用いて測定した。測定は５回実施し、その平均値を水滴接触角として記載した。
【００６９】
実施例と比較例で用いた材料（消泡剤以外）は次の通りである。
〔エポキシ化合物〕
（１）エピコート８２８：ジャパンエポキシレジン（株）製、エポキシ樹脂、エポキシ当量：１９０
（２）エピコート１５７Ｓ７０：ジャパンエポキシレジン（株）製、エポキシ樹脂、エポキシ当量：２１０
〔多価イソシアネート化合物〕
Ｂ−８８２Ｎ：タケネートＢ−８８２Ｎ、三井武田ケミカル（株）製、１，６−ヘキサメチレンジイソシアネートブロック化体、ブロック化剤：メチルエチルケトオキシム
〔硬化触媒〕
２Ｅ４ＭＺ：四国化成工業（株）製、２−エチル−４−メチルイミダゾール
ＤＢＵ：アルドリッチ製、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン
〔無機フィラー〕
アエロジル＃５０：日本アエロジル（株）製、平均粒径３０ｎｍ
アエロジル＃１３０：日本アエロジル（株）製、平均粒径１６ｎｍ
タルクＰ−３：日本タルク（株）製タルク、ミクロエースＰ−３、平均粒径５．１μｍ
硫酸バリウムＢ−３０：堺化学工業（株）製硫酸バリウム、平均粒径０．３μｍ
【００７０】
〔参考例１〕
ポリイミドシロキサン溶液の製造：
容量５００ｍＬのガラス製フラスコに、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物４７．１ｇ（０．１６モル）、溶媒のメチルトリグライム（ＴＧ）１００ｇを仕込み、窒素雰囲気下、１８０℃で加熱撹拌した。α，ω−ビス（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサン（アミノ当量：４６０）１２５．１ｇ（０．１３６モル）、ＴＧ４０ｇを加え、１８０℃で６０分加熱撹拌した。さらにこの反応溶液に３，３’−カルボキシ−４，４’−ジアミノジフェニルメタン（ＭＢＡＡ）６．９ｇ（０．０２４モル）及びＴＧ３９ｇを加え、１８０℃で１０時間加熱撹拌した後、濾過を行った。得られたポリイミドシロキサン反応溶液は、ポリマ−固形分濃度５１質量％、ηinhが０．２０の溶液であった。イミド化率は実質的に１００％であった。
【００７１】
［実施例１］
ガラス製容器に、参考例１で得たポリイミドシロキサン溶液を４０．０ｇ、エポキシ化合物のエピコート８２８を３．７ｇ（ポリイミドシロキサン溶液１００質量部に対して９．２５質量部、以下同じ）、硬化触媒の２Ｅ４ＭＺを０．０８ｇ（０．２質量部）、シリコーン系消泡剤のＫＳ５３１（信越化学工業（株）製、自己乳化型シリコーン消泡剤、ジメチルポリシロキサン、ジメチルポリシロキサンより多い量の側鎖にポリエチレンオキシ・プロピレンオキシ基が付いて親水性とされたポリシロキサン化合物、そして微粉末状のシリカを含有、水滴接触角：１８゜）を０．９ｇ（２．２５質量部）、無機充填材のアエロジル＃５０を３．９ｇ（９．７５質量部）、タルクのミクロエースＰ−３を４．８ｇ（１２．０質量部）、そして硫酸バリウムＢ−３０を１４．５ｇ（３６．２５質量部）を仕込み、２５℃で２時間撹拌して均一に混合して、本発明のポリイミドシロキサン組成物を得た。
このポリイミドシロキサン組成物の泡抜け時間（秒）とハジキ距離（μｍ）の測定結果を表１に示す。
【００７２】
［実施例２］
エポキシ化合物のエピコート８２８をエピコート１５７Ｓ７０に変え、そして硬化触媒の２Ｅ４ＭＺの使用量を０．２５質量部（ポリイミドシロキサン溶液１００質量部に対する相対量、以下同じ）に変えた以外は、実施例１と同様な操作を行ない、本発明のポリイミドシロキサン組成物を得た。
このポリイミドシロキサン組成物の泡抜け時間（秒）、ハジキ距離（μｍ）そしてＡＣＦ剥離強度（ｇ／ｃｍ）の測定結果を表１に示す。
【００７３】
［実施例３］
エポキシ化合物のエピコート１５７Ｓ７０の使用量を１質量部（ポリイミドシロキサン溶液１００質量部に対する相対量、以下同じ）に変え、多価イソシアネート化合物のＢ−８８２Ｎを１０質量部追加し、硬化触媒として０．１質量部の２Ｅ４ＭＺと０．４質量部のＤＢＵを用い、無機フィラーとして、２質量部のアエロジル＃５０、８．２５質量部のアエロジル＃１３０、２２．７５質量部のミクロエースＰ−３、そして１１．２５質量部の硫酸バリウムＢ−３０を用いた以外は、実施例２と同様な操作を行ない、本発明のポリイミドシロキサン組成物を得た。
このポリイミドシロキサン組成物の泡抜け時間（秒）とハジキ距離（μｍ）の測定結果を表１に示す。
【００７４】
［実施例４］
シリコーン系消泡剤のＫＳ５３１をＫＳ５３０（信越化学工業（株）製、自己乳化型シリコーン消泡剤、ジメチルポリシロキサン、ジメチルポリシロキサンより多い量の側鎖にポリエチレンオキシ・プロピレンオキシ基が付いて親水性とされたポリシロキサン化合物そして微粉末状のシリカを含有、水滴接触角：１３゜）に変えた以外は、実施例２と同様な操作を行ない、本発明のポリイミドシロキサン組成物を得た。
このポリイミドシロキサン組成物の泡抜け時間（秒）、ハジキ距離（μｍ）そしてＡＣＦ剥離強度（ｇ／ｃｍ）の測定結果を表１に示す。
【００７５】
［実施例５］
シリコーン系消泡剤のＫＳ５３１をＫＳ−５３８（信越化学工業（株）製、自己乳化型シリコーン消泡剤、ジメチルポリシロキサン、ジメチルポリシロキサンより多い量の側鎖にポリエチレンオキシ・プロピレンオキシ基が付いて親水性とされたポリシロキサン化合物そして微粉末状のシリカを含有、水滴接触角：１７゜）に変えた以外は、実施例２と同様な操作を行ない、本発明のポリイミドシロキサン組成物を得た。
このポリイミドシロキサン組成物の泡抜け時間（秒）、ハジキ距離（μｍ）そしてＡＣＦ剥離強度（ｇ／ｃｍ）の測定結果を表１に示す。
【００７６】
［比較例１］
シリコーン系消泡剤のＫＳ５３１をＤＢ−１００（ダウ・コーニング・アジア（株）製、ジメチルポリシロキサンと微粉末状のシリカを含有、水滴接触角：６６゜）に変えた以外は、実施例２と同様な操作を行ない、比較用のポリイミドシロキサン組成物を得た。
このポリイミドシロキサン組成物の泡抜け時間（秒）、ハジキ距離（μｍ）そしてＡＣＦ剥離強度（ｇ／ｃｍ）の測定結果を表１に示す。
【００７７】
［比較例２］
シリコーン系消泡剤のＫＳ５３１をＫＳ５１０（信越化学工業（株）製、オイルコンパウンド型シリコーン消泡剤、側鎖に炭素原子数１０以上のアルキル基を有するポリシロキサン化合物と微粉末状のシリカを含有、水滴接触角：９４゜）に変えた以外は、実施例２と同様な操作を行ない、比較用のポリイミドシロキサン組成物を得た。
このポリイミドシロキサン組成物の泡抜け時間（秒）、ハジキ距離（μｍ）そしてＡＣＦ剥離強度（ｇ／ｃｍ）の測定結果を表１に示す。
【００７８】
［比較例３］
シリコーン系消泡剤のＫＳ５３１をＸ−５０−１０４１（信越化学工業（株）製、エマルジョン型シリコーン消泡剤、ジメチルポリシロキサン、微粉末状のシリカそして乳化剤を含有、水滴接触角：１９゜）に変えた以外は、実施例２と同様な操作を行ない、比較用のポリイミドシロキサン組成物を得た。
このポリイミドシロキサン組成物の泡抜け時間（秒）、ハジキ距離（μｍ）そしてＡＣＦ剥離強度（ｇ／ｃｍ）の測定結果を表１に示す。
【００７９】
［比較例４］
シリコーン系消泡剤のＫＳ５３１をＫＭ−９８１（信越化学工業（株）製、エマルジョン型シリコーン消泡剤、ジメチルポリシロキサン、微粉末状のシリカそして乳化剤を含有、水滴接触角：３０゜）に変えた以外は、実施例２と同様な操作を行ない、比較用のポリイミドシロキサン組成物を得た。
このポリイミドシロキサン組成物の泡抜け時間（秒）、ハジキ距離（μｍ）そしてＡＣＦ剥離強度（ｇ／ｃｍ）の測定結果を表１に示す。
【００８０】
［比較例５］
シリコーン系消泡剤のＫＳ５３１を金属石鹸系消泡剤のノプコＮＸＺ（サンノプコ（株）製、脂肪酸金属塩を含有、水滴接触角：１０゜）に変えた以外は、実施例２と同様な操作を行ない、比較用のポリイミドシロキサン組成物を得た。
このポリイミドシロキサン組成物の泡抜け時間（秒）、ハジキ距離（μｍ）そしてＡＣＦ剥離強度（ｇ／ｃｍ）の測定結果を表１に示す。
【００８１】
［比較例６］
シリコーン系消泡剤のＫＳ５３１をアクリルビニルエーテル系消泡剤のフローレンＡＣ−３２６Ｆ（共栄社化学（株）製、水滴接触角：４２゜）に変えた以外は、実施例２と同様な操作を行ない、比較用のポリイミドシロキサン組成物を得た。
このポリイミドシロキサン組成物の泡抜け時間（秒）、ハジキ距離（μｍ）そしてＡＣＦ剥離強度（ｇ／ｃｍ）の測定結果を表１に示す。
【００８２】
表１
──────────────────────────────────
泡抜け時間 ハジキ距離 ＡＣＦ剥離強度
──────────────────────────────────
実施例１ ３８秒 ０μｍ −−
実施例２ ４７秒 ０μｍ ７８０ｇ／ｃｍ
実施例３ ５７秒 ０μｍ −−
実施例４ ３７秒 ０μｍ ７４０ｇ／ｃｍ
実施例５ ２４秒 ０μｍ ７５０ｇ／ｃｍ
──────────────────────────────────
比較例１ ２５秒 ５００μｍ ７４０ｇ／ｃｍ
比較例２ １４２秒 ４００μｍ ２８０ｇ／ｃｍ
比較例３ ２６秒 ４１０μｍ ２９０ｇ／ｃｍ
比較例４ ２８秒 ３７０μｍ ３４０ｇ／ｃｍ
比較例５ ＞６００秒 ０μｍ ７７０ｇ／ｃｍ
比較例６ ＞６００秒 ０μｍ ７８０ｇ／ｃｍ
──────────────────────────────────
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】インナーリード部がチップ部品に接合され、アウターリード部がＡＣＦ又はＡＣＰによって液晶装置の電極と接合されて実装された配線基板の概略の断面図である。
【符号の説明】
【００８４】
１ ポリイミドフィルムかなる絶縁基板
２ 電気回路配線
３ 硬化膜（保護膜）
４ スズメッキ
５ ＩＣチップ部品
６ 金バンプ
７ アンダーフィル
８ 異方性導電フイルム又は異方性導電ペースト
９ 液晶パネル基板の電極
１０ 液晶パネル基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機溶媒中に、有機溶媒可溶性ポリイミドシロキサン、エポキシ化合物および多価イソシアネート化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種の硬化性成分、そしてシリコーン消泡剤が含まれてなり、該シリコーン消泡剤が、ジメチルポリシロキサン、側鎖もしくは末端部に親水性基を有するポリシロキサン化合物、そして微粉末状シリカを含むことを特徴とするポリイミドシロキサン溶液組成物。
【請求項２】
有機溶剤可溶性ポリイミドシロキサン１００質量部に対して、硬化性成分を１〜５０質量部、そしてシリコーン消泡剤を１〜１０質量部含む請求項１に記載のポリイミドシロキサン溶液組成物。
【請求項３】
該シリコーン消泡剤が、側鎖もしくは末端部に親水性基を有するポリシロキサン化合物をジメチルポリシロキサンより多い量にて含むものである請求項１に記載のポリイミドシロキサン溶液組成物。
【請求項４】
該シリコーン消泡剤が、ジメチルポリシロキサンと側鎖もしくは末端部に親水性基を有するポリシロキサン化合物との合計量１００質量部に対して、微粉末状シリカを１〜２０質量部を含む請求項２に記載のポリイミドシロキサン溶液組成物。
【請求項５】
側鎖もしくは末端部に親水性基を有するポリシロキサン化合物の親水性基がポリオキシアルキレン基である請求項１に記載のポリイミドシロキサン溶液組成物。
【請求項６】
ポリオキシアルキレン基が、エチレンオキシドとプロピレンオキシドとの共重合体からなる基である請求項５に記載のポリイミドシロキサン溶液組成物。
【請求項７】
さらに、無機フィラーを含む請求項１に記載のポリイミドシロキサン溶液組成物。
【請求項８】
さらに、硬化触媒を含む請求項１に記載のポリイミドシロキサン溶液組成物。
【請求項９】
該シリコーン消泡剤が５０゜以下の水滴接触角を示す請求項１に記載のポリイミドシロキサン溶液組成物。
【請求項１０】
表面に電気回路配線部が形成されている配線基板の表面に該電気回路配線部を部分的に被覆するように請求項１に記載のポリイミドシロキサン溶液組成物を塗布して塗布膜を形成し、次いで該ポリイミドシロキサン溶液組成物塗布膜を加熱して絶縁硬化膜とすることからなる表面に絶縁硬化膜が形成された配線基板の製造方法。
【請求項１１】
表面に電気回路配線部が形成されている配線基板の表面に該電気回路配線部を部分的に被覆するように請求項１に記載のポリイミドシロキサン溶液組成物を塗布して塗布膜を形成する工程、該ポリイミドシロキサン溶液組成物塗布膜を加熱して絶縁硬化膜とする工程、そして上記配線基板表面上の電気回路配線部の絶縁硬化膜で被覆されていない領域に異方性導電性材料を介して電子部品を接続することからなる電子部品の配線基板への実装方法。
【請求項１】
有機溶媒中に、有機溶媒可溶性ポリイミドシロキサン、エポキシ化合物および多価イソシアネート化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種の硬化性成分、そしてシリコーン消泡剤が含まれてなり、該シリコーン消泡剤が、ジメチルポリシロキサン、側鎖もしくは末端部に親水性基を有するポリシロキサン化合物、そして微粉末状シリカを含むことを特徴とするポリイミドシロキサン溶液組成物。
【請求項２】
有機溶剤可溶性ポリイミドシロキサン１００質量部に対して、硬化性成分を１〜５０質量部、そしてシリコーン消泡剤を１〜１０質量部含む請求項１に記載のポリイミドシロキサン溶液組成物。
【請求項３】
該シリコーン消泡剤が、側鎖もしくは末端部に親水性基を有するポリシロキサン化合物をジメチルポリシロキサンより多い量にて含むものである請求項１に記載のポリイミドシロキサン溶液組成物。
【請求項４】
該シリコーン消泡剤が、ジメチルポリシロキサンと側鎖もしくは末端部に親水性基を有するポリシロキサン化合物との合計量１００質量部に対して、微粉末状シリカを１〜２０質量部を含む請求項２に記載のポリイミドシロキサン溶液組成物。
【請求項５】
側鎖もしくは末端部に親水性基を有するポリシロキサン化合物の親水性基がポリオキシアルキレン基である請求項１に記載のポリイミドシロキサン溶液組成物。
【請求項６】
ポリオキシアルキレン基が、エチレンオキシドとプロピレンオキシドとの共重合体からなる基である請求項５に記載のポリイミドシロキサン溶液組成物。
【請求項７】
さらに、無機フィラーを含む請求項１に記載のポリイミドシロキサン溶液組成物。
【請求項８】
さらに、硬化触媒を含む請求項１に記載のポリイミドシロキサン溶液組成物。
【請求項９】
該シリコーン消泡剤が５０゜以下の水滴接触角を示す請求項１に記載のポリイミドシロキサン溶液組成物。
【請求項１０】
表面に電気回路配線部が形成されている配線基板の表面に該電気回路配線部を部分的に被覆するように請求項１に記載のポリイミドシロキサン溶液組成物を塗布して塗布膜を形成し、次いで該ポリイミドシロキサン溶液組成物塗布膜を加熱して絶縁硬化膜とすることからなる表面に絶縁硬化膜が形成された配線基板の製造方法。
【請求項１１】
表面に電気回路配線部が形成されている配線基板の表面に該電気回路配線部を部分的に被覆するように請求項１に記載のポリイミドシロキサン溶液組成物を塗布して塗布膜を形成する工程、該ポリイミドシロキサン溶液組成物塗布膜を加熱して絶縁硬化膜とする工程、そして上記配線基板表面上の電気回路配線部の絶縁硬化膜で被覆されていない領域に異方性導電性材料を介して電子部品を接続することからなる電子部品の配線基板への実装方法。
【図１】
【国際公開番号】ＷＯ２００５／０８０５０５
【国際公開日】平成１７年９月１日（２００５．９．１）
【発行日】平成１９年１０月２５日（２００７．１０．２５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−５１０２７０（Ｐ２００６−５１０２７０）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＪＰ２００５／００２７４９
【国際出願日】平成１７年２月２１日（２００５．２．２１）
【出願人】（００００００２０６）宇部興産株式会社 (2,022)
【Ｆターム（参考）】
【国際公開日】平成１７年９月１日（２００５．９．１）
【発行日】平成１９年１０月２５日（２００７．１０．２５）
【国際特許分類】
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＪＰ２００５／００２７４９
【国際出願日】平成１７年２月２１日（２００５．２．２１）
【出願人】（００００００２０６）宇部興産株式会社 (2,022)
【Ｆターム（参考）】
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