マイクロメカニカル構造体の作製方法
【課題】ＳＯＩ基板を用いて作製されるミラー構造体の両面に、より容易に所望とする形状の金属膜が形成できるようにする。
【解決手段】金属膜１０６の表面に電着レジストを電着することで、電着レジスト層１０７を形成し、電着レジスト層１０７をフォトリソグラフィーによりパターニングし、ミラー部１３１の金属パターン１４１と対向する領域に、電着レジストパターン１７１を形成する。電着レジストパターン１７１は、ミラー部１３１の裏面側の金属パターン１４１に対向して形成する金属パターンの領域を被覆するように形成する。
【解決手段】金属膜１０６の表面に電着レジストを電着することで、電着レジスト層１０７を形成し、電着レジスト層１０７をフォトリソグラフィーによりパターニングし、ミラー部１３１の金属パターン１４１と対向する領域に、電着レジストパターン１７１を形成する。電着レジストパターン１７１は、ミラー部１３１の裏面側の金属パターン１４１に対向して形成する金属パターンの領域を被覆するように形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳＯＩ基板を用いて形成されるマイクロメカニカル構造体の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
通信用デバイスあるいはスキャナーなどの光学デバイスとして、シリコンを用いたマイクロマシンニングによるＭＥＭＳミラーの開発が進展している。これらの光学デバイスは、多くの場合、赤外線を対象としている。これに対し、材料として用いているシリコンは、赤外線に対して透過性が極めて高いため、このままではミラーとして使用することができない。このため、アルミニウムや金などの、光の反射膜として反射率の高い金属の膜をシリコンの表面に形成し、赤外線に対してもミラーとして機能するようにしている。薄いシリコンをミラーの構造体とする場合、金属膜をミラー構造体の両面に形成して応力の平衡を保ち、ミラー面が平坦となるようにすることが理想的である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−０５７５７４号公報
【特許文献２】米国特許第６３６９９３１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、現状では、ミラー構造体の両面に金属膜を形成することが容易ではないという問題がある。
【０００５】
例えば、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板を用いてＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）ミラーを作製する技術がある（特許文献１参照）。この技術では、基体部の上に埋め込み絶縁層を介して配置されているＳＯＩ層をパターニングしてミラー構造体を形成し、形成したミラー構造体に対応する領域の基体部に開口を形成し、ミラー構造体が回転などの動作を行えるようにしている。
【０００６】
ここで、平坦な状態のＳＯＩ層の表面側においては、金属膜を形成し、形成した金属膜を公知のリソグラフィー技術とエッチング技術とによりパターニングすることで、ミラー構造体となるの領域に選択的に金属膜を残すようにすることが容易である。
【０００７】
これに対し、基体部の側の開口に露出させているミラー構造体の裏面側においては、数百μｍの厚さの基体部および埋め込み絶縁層のミラー構造体の領域を除去することで、開口を形成している。このため、基体部の側（ＳＯＩ基板の裏面）から見ると、上述したミラー構造体の裏面側は、ほぼ基体部の厚さだけ奥に存在することになる。言い換えると、ミラー構造体の裏面側には、ほぼ基体部の厚さの段差が存在していることになる。
【０００８】
このミラー構造体の裏面側に、上述同様にすることで選択的に金属膜を形成する場合、大きな段差が存在しているところにエッチングマスクを形成するためのレジスト膜を形成することになる。一般に、レジスト膜の形成では、スピン塗布によりレジストを塗布することで形成している。しかしながら、スピン塗布によりレジスト膜を形成すると、大きな段差のあるくぼみの中にはレジストが留まりやすく、膜厚が不均一な状態となる。
【０００９】
例えば、図２の断面図に示すように、基体部２０１，埋め込み絶縁層２０２，およびＳＯＩ層２０３を備えるＳＯＩ基板の基体部２０１側より凹部２０１ａを形成する。この状態で、凹部２０１ａ内を含めて基体部２０１の表面（ＳＯＩ基板の裏面）に金属膜２０４を形成する。この後、スピン塗布により基体部２０１の表面にフォトレジストを塗布すると、凹部２０１ａの周端部ほど膜厚が厚い不均一なフォトレジスト膜２０５が形成される。
【００１０】
この後、フォトリソグラフィーによる露光が行われるが、この露光では、一般には、フォトマスクを透過した光が照射される凹部２０１ａの全領域においては、光量がほぼ一定となる。ところが、フォトレジスト膜２０５は、上述したように膜厚が不均一であるため、凹部２０１ａの終端部と中心部とで、露光の条件が大きく異なることになり、正確なパターニングを行うことが容易ではない。正確なパターニングが行えない場合、所望とする形状・寸法のパターンを高い精度で形成することができず、所望とする形状に金属膜を形成することができなくなる。
【００１１】
また、スピン塗布およびリソグラフィーによるマスクパターンの形成の他にも、スクリーン印刷法によるマスクパターンの形成が考えられる。この方法では、図３に示すように、基体部３０１，埋め込み絶縁層３０２，およびＳＯＩ層３０３を備えるＳＯＩ基板の基体部３０１側より凹部３０１ａを形成する。この状態で、凹部３０１ａ内を含めて基体部３０１の表面（ＳＯＩ基板の裏面）に金属膜３０４を形成する。この後、スクリーン３０６の上にレジスト材料３５１を配置し、スキージ３０７をスライドさせることで、スクリーン３０６の開口部３０６ａよりレジスト材料３５１を選択的に供給する。これらのことにより、凹部３０１ａにレジストパターン３０５を形成する。しかしながら、この方法においても、形成されるレジストパターン３０５は、例えば、図３に示すように、凹部３０１ａ内において均一な膜厚が得られず、正確なパターンを形成することが容易ではない。
【００１２】
上述したように、凹部の底部においては、正確なレジストパターンを形成することが容易ではく、ミラー構造体の両面に金属膜を形成することが容易ではない。このため、現状では、凹部の内部を含めてＳＯＩ基板の裏面に金属膜を形成し、金属膜をパターニングすることなく用いている。しかしながら、このように全域に金属膜を形成する場合、ミラー構造体をこの周囲の枠部に連結・支持している連結部にも金属膜が形成されることになり、ミラー部の回動などの動作に支障を来す場合が発生する。
【００１３】
このために、平坦な状態のＳＯＩ層のミラー構造体となる部分の表面側のみに金属膜を形成し、ＭＥＭＳミラーとすることも行われている（特許文献２参照）。このＭＥＭＳミラーでは、図４に示すように、駆動電極４１２，４１３を備える電極基板４１１の上に、凹部４０１ａを形成した基体部４０１，埋め込み絶縁層４０２，およびミラー構造体４３１，枠部４３２が形成されたＳＯＩ層４０３を配置する。また、ミラー構造体４３１の表面側には、金属膜４４１を備える。
【００１４】
このＭＥＭＳミラーでは、基体部４０１を支持体とし、ミラー構造体４３１が、駆動電極４１２，４１３の上に離間して配置され、駆動電極４１２，４１３に印加される制御信号により、ミラー構造体４３１を変位させ、金属膜４４１による反射面を変位させるようにしている。
【００１５】
この構造では、駆動電極４１２，４１３とミラー構造体４３１の距離は、ほぼ基体部４０１の厚さで決定されてしまい、設計自由度を著しく害し、所望の駆動特性を得ることが容易ではなくなる。また、片面だけに金属膜４４１を形成しているので、この応力によってミラー面の平坦度を維持することが容易ではないという問題も生じる。
【００１６】
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、ＳＯＩ基板を用いて作製されるミラー構造体の両面に、より容易に所望とする形状の金属膜が形成できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明に係るマイクロメカニカル構造体の作製方法は、基体部の上に埋め込み絶縁層を介して配置されたシリコンからなる表面シリコン層の上のミラー部となる領域に第１金属パターンを形成する第１工程と、表面シリコン層をパターニングし、ミラー部，このミラー部の周囲に配置された枠部、および、ミラー部と枠部とを連結する連結部を形成する第２工程と、ミラー部および連結部を含む領域に対応し、表面シリコン層の裏面に到達する開口部を基体部および埋め込み絶縁層に形成する第３工程と、電着レジストを用いたリソグラフィーにより形成した電着レジストパターンを用いることで、第１金属パターンに対向する開口部の底部のミラー部の裏面の領域に第２金属パターンを形成する第４工程とを少なくとも備える。
【００１８】
上記マイクロメカニカル構造体の作製方法において、第４工程では、開口部の内部を含む基体部の表面に金属膜を形成し、この金属膜の上の第１金属パターンに対向する領域に、第２金属パターンが形成される領域を被覆する電着レジストパターンを形成し、この電着レジストパターンをマスクとして金属膜を選択的にエッチングすることで、第２金属パターンを形成するようにすればよい。
【００１９】
上記マイクロメカニカル構造体の作製方法において、第４工程では、第１金属パターンに対向する、開口部の底部のミラー部の裏面の第２金属パターンを形成する領域が開口する電着レジストパターンを形成し、この電着レジストパターンの上に金属膜を形成し、この金属膜を形成した後に、電着レジストパターンを除去することで、第２金属パターンを形成するようにしてもよい。としたものである。
【発明の効果】
【００２０】
以上説明したように、本発明によれば、電着レジストパターンを用いることで、第１金属パターンに対向する開口部の底部のミラー部の裏面の領域に第２金属パターンを形成するようにしたので、ＳＯＩ基板を用いて作製されるミラー構造体の両面に、より容易に所望とする形状の金属膜が形成できるようになるという優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１Ａ】図１Ａは、本発明の実施の形態におけるマイクロメカニカル構造体の作製方法について説明する工程図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、本発明の実施の形態におけるマイクロメカニカル構造体の作製方法について説明する工程図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは、本発明の実施の形態におけるマイクロメカニカル構造体の作製方法について説明する工程図である。
【図１Ｄ】図１Ｄは、本発明の実施の形態におけるマイクロメカニカル構造体の作製方法について説明する工程図である。
【図１Ｅ】図１Ｅは、本発明の実施の形態におけるマイクロメカニカル構造体の作製方法について説明する工程図である。
【図１Ｆ】図１Ｆは、本発明の実施の形態におけるマイクロメカニカル構造体の作製方法について説明する工程図である。
【図１Ｇ】図１Ｇは、本発明の実施の形態におけるマイクロメカニカル構造体の作製方法について説明する工程図である。
【図１Ｈ】図１Ｈは、本発明の実施の形態におけるマイクロメカニカル構造体の作製方法について説明する工程図である。
【図１Ｉ】図１Ｉは、本発明の実施の形態におけるマイクロメカニカル構造体の作製方法について説明する工程図である。
【図１Ｊ】図１Ｊは、本発明の実施の形態におけるマイクロメカニカル構造体の作製方法について説明する工程図である。
【図１Ｋ】図１Ｋは、本発明の実施の形態におけるマイクロメカニカル構造体の作製方法について説明する工程図である。
【図１Ｌ】図１Ｌは、本発明の実施の形態におけるマイクロメカニカル構造体の作製方法について説明する工程図である。
【図２】図２は、マイクロメカニカル構造体の作製方法について説明する断面図である。
【図３】図３は、マイクロメカニカル構造体の作製方法について説明する断面図である。
【図４】図４は、マイクロメカニカル構造体の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。図１Ａ〜図１Ｌは、本発明の実施の形態におけるマイクロメカニカル構造体の作製方法について説明する工程図である。
【００２３】
まず、図１Ａに示すように、例えば単結晶シリコンからなる基体部１０１，埋め込み絶縁層１０２，および単結晶シリコンからなる表面シリコン層（ＳＯＩ層）１０３を備えるＳＯＩ基板を用意する。例えば、基体部１０１は、膜厚６２５μｍ、埋め込み絶縁層１０２は、膜厚１μｍ、ＳＯＩ層１０３は層厚１０μｍである。
【００２４】
次に、ＳＯＩ層１０３の上に金属膜１０４を形成する。金属膜１０４は、例えば、ＳＯＩ層１０３の側に形成された層厚１０ｎｍのチタン層とこのチタン層の上に形成された層厚７０ｎｍの金層から構成されている。チタン層は、金層とシリコンとを密着させる密着層として機能する。これらは、例えば、電子ビーム蒸着法により形成することができる。また、これらの金属層は、スパッタ法やめっき法で形成することもできる。また、各金属層の層厚は、対象とする光の波長域にて応じて必要な反射率を確保できる範囲で、任意に選択すればよい。
【００２５】
次に、金属膜１０４を公知のリソグラフィー技術とエッチング技術とによりパターニングし、図１Ｂに示すように、後述するミラー構造体の反射面となる金属パターン（第１金属パターン）１４１、および、図示しない金属配線端子部を形成する。このパターニングにおけるエッチングでは、まず、金層は、エッチング液として希釈した王水を用いてエッチングすればよい。また、金層のエッチングには、ヨウ素-ヨウ化カリウム溶液を用いたウエットエッチングでもよく、ドライエッチングを用いてもよい。一方、チタン層は、希フッ酸によってエッチングすればよい。
【００２６】
次に、ＳＯＩ層１０３を公知のリソグラフィー技術とエッチング技術とによりパターニングし、図１Ｃに示すように、ミラー部１３１，および枠部１３２などを形成する。このパターニングにより、図１Ｄの平面図に例示するように、枠部１３２に隙間１３３を開けてミラー部１３１が形成され、また、一対の連結部１３４により、ミラー部１３１が枠部１３２に連結・支持された状態とする。これらの構造体のパターニングでは、リソグラフィー技術により形成したレジストパターンをマスクとしたＲＩＥ（Reactive Ion Etching）を用いてエッチング加工を行えばよい。また、このエッチング加工では、埋め込み絶縁層１０２をエッチングストッパ層として用いることができる。
【００２７】
次に、図１Ｅに示すように、金属パターン１４１が形成されているＳＯＩ層１０３の表面に、有機樹脂からなる保護層１０５を形成する。保護層１０５は、材料となる例えばポリベンゾオキサゾールからなる有機樹脂を塗布し、これを加熱処理することで形成できる。加熱処理は、窒素雰囲気・温度３００℃・３０分の条件で行えばよい。保護層１０５の材料としては、他にはポリイミドあるいはレジストを用いてもよいことを確認している。
【００２８】
次に、図１Ｆに示すように、基体部１０１に、埋め込み絶縁層１０２が露出する開口部１０１ａを形成する。開口部１０１ａは、前述したミラー部１３１および連結部１３４などの領域に対応して形成する。開口部１０１ａも、公知のフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術により形成することができる。このエッチングは、ドライエッチングにより行い、また、埋め込み絶縁層１０２をエッチングストップ層として用いればよい。また、よく知られているように、基体部１０１を構成する単結晶シリコンは、ＫＯＨ水溶液やテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液などのアルカリ溶液を用いてもエッチング可能である。このウエットエッチングにおいても、埋め込み絶縁層１０２がエッチングストップ層となる。
【００２９】
次に、開口部１０１ａに露出している埋め込み絶縁層１０２をエッチング除去し、図１Ｇに示すように、開口部１０１ａに続く開口部１０２ａを形成する。この開口部１０２ａの形成により、ＳＯＩ基板の裏面側より表面シリコン層（ＳＯＩ層）１０３の裏面に到達する開口部が形成されたことになる。埋め込み絶縁層１０２のエッチングでは、例えば、大気中におけるフッ化水素ガスの暴露により行えばよい。このフッ化水素暴露は、良く知られているように、常温から５０℃程度の１気圧におけるフッ化水素の飽和蒸気圧で行えばよい。また、シリコンや保護層１０５を構成している有機樹脂に影響を与えない範囲で、窒素や不活性気体をキャリアガスとし温度、フッ化水素分圧を制御して行っても良い。
【００３０】
なお、このようなウエットエッチングを行った後の乾燥を、例えば、超臨界乾燥により行うようにしてもよい。超臨界乾燥を用いる場合、用いる超臨界状態の流体により、保護層１０５を構成している有機樹脂などが溶解しないようにすることが重要となる。
【００３１】
次に、図１Ｈに示すように、開口部１０１ａの内部を含む基体部１０１の表面（ＳＯＩ基板の裏面）に金属膜１０６を形成する。金属膜１０６は、前述した金属膜１０４と同様であり、例えば、ＳＯＩ層１０３の側に形成された層厚１０ｎｍのチタン層とこのチタン層の上に形成された層厚７０ｎｍの金層から構成されている。
【００３２】
次に、図１Ｉに示すように、金属膜１０６の表面に電着レジストを電着することで、電着レジスト層１０７を形成する。例えば、電着液の中において、金属膜１０６を一方の電極としてこれに所定の電圧を印加すれば、金属膜１０６の表面に電着レジストを電着させることができる。電着レジストを電着することで、開口部１０１ａにより大きな段差を有する状態で形成されている金属膜１０６の表面に対し、均一な層厚で電着レジスト層１０７が形成できる。
【００３３】
ここで、電着レジストとしては、ポジ型、ネガ型どちらでも可能である。ただし、開口部１０１ａの側壁が、ＳＯＩ基板の裏面側から見て逆テーパ形状となっている場合を考慮し、ネガ型の電着レジストを用いるとよい。逆テーパ形状となっている場合、開口部１０１ａの側壁には、後述する電着レジスト層１０７のフォトリソグラフィーにおける露光で、光が照射されることがない領域となる。このような場合であっても、ネガ型のレストであれば、側壁に付着している電着レジスト層１０７を、現像により除去することができる。ネガ型の電着レジストとしては、例えば、カチオン電着ネガ型のエレコートＥＵ−ＸＣプロセス（株式会社シミズ製）などを用いればよい。
【００３４】
電着レジストでは、電界印加されかつ電着レジスト溶液に触れている面の上には、凹凸のある面でも均一に成長させることが可能であり、先に記したような逆テーパ型のピクセル内壁にも均一な被覆をなし得ることが特徴である。なお、電着レジストを用いた均一性にはおよばないものの、スプレー塗布法を用いても少なくともピクセル底部には均一にレジストを塗布できる。このようにして形成したスプレー塗布膜を、後述する電着レジストパターンの形成と同様にパターニングすれば、このパターンを電着レジストパターンと同様に用いることができる。
【００３５】
次に、電着レジスト層１０７をフォトリソグラフィーによりパターニングし、図１Ｊに示すように、ミラー部１３１の金属パターン１４１と対向する領域に、電着レジストパターン１７１を形成する。電着レジストパターン１７１は、ミラー部１３１の裏面側の金属パターン１４１に対向して形成する金属パターンの領域を被覆するように形成する。このパターニングにおいて、例えば、ミラープロジェクション形式の露光装置を用いればよい。また、レーザー露光や電子線露光などを用いるようにしてもよい。
【００３６】
次に、電着レジストパターン１７１をマスクとして金属膜１０６を公知のリソグラフィー技術とエッチング技術とによりパターニングし、図１Ｋに示すように、ミラー部１３１の他方の反射面となる金属パターン（第２金属パターン）１６１を形成する。金属パターン１６１は、ミラー部１３１を介して金属パターン１４１と対向して配置されている。金属パターン１６１のパターニングにおけるエッチングでは、前述した金属パターン１４１の場合と同様であり、まず、金層は、エッチング液として希釈王水を用いてエッチングすればよい。また、金層のエッチングには、ヨウ素-ヨウ化カリウム溶液を用いたウエットエッチングでもよく、ドライエッチングを用いてもよい。一方、チタン層は、希フッ酸によってエッチングする。
【００３７】
この後、電着レジストパターン１７１を、公知のリムーバによって剥離する。さらに、保護に用いていた保護層１０５を、例えば、酸素プラズマやオゾンなどの活性酸素を用いることで灰化させて除去する（図１Ｌ）。この処理によって、金属パターン１４１および金属パターン１６１の金表面が酸化すると、電気的導通がとれなくなる。これを回復するために、水素雰囲気下、８０℃で加熱して還元する。この際、温度の条件は、６０℃以上であればよいことを確認している。また、真空中あるいは不活性ガス雰囲気下で加熱してもよく、この場合は２００℃以上が必要である。
【００３８】
この後に、ダイシングを行いチップ化して一連の工程を終了する。ダイシングにはレーザーを用いる公知のステルスダイシングを用いればよい。また、保護層１０５を除去せずに、通常のダイシングソーによるダイシングを行いチップ化し、この後、上述したように保護層１０５を除去するようにしてもよい。
【００３９】
また、上述では、ＳＯＩ基板のＳＯＩ側と基体部に形成した開口部に露出したＳＯＩ層の上に金属を蒸着したが、本発明の要諦は、開口部の底の領域に均一レジストを塗布し作製プロセスを容易ならしめることにあり、金属を堆積する工程を一切経ることなく、単に開口部内のシリコン構造体を更に開口部側から加工するためにリソグラフィを行ってもよく、目的に応じて種々のプロセスをとりうることは当業者であれば容易に推察できるであろう。
【００４０】
例えば、開口部１０１ａおよび開口部１０２ａを形成した後、金属膜１０６を形成する前に、電着レジストを開口部１０１ａの内部を含む基体部１０１の表面（ＳＯＩ基板の裏面）に電着する。シリコン表面に対して付着力の弱い電着レジストを用いる場合、電着の前に、シリコンの表面をシランカップリング剤などにより処理しておけばよい。このようにして形成した電着レジストの層を、公知のフォトリソグラフィー技術によりパターニングし、金属パターン１６１となる領域が開口している電着レジストパターンを形成する。この後、金属膜を形成し、よく知られたリフトオフ法により電着レジストパターンを除去すれば、金属パターン１４１と対向するように、ミラー部１３１の一方の面に金属パターンが形成できる。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
ＳＯＩ基板を利用したＭＥＭＳミラーにおいて、ＳＯＩ層に形成したミラー部の表面と、基体部に形成した開口部側の裏面との両面の領域に、金属膜を形成し、両面に反射膜となる金属パターンを備えるミラー部（ミラー構造体）を形成するとができる。
【符号の説明】
【００４２】
１０１…基体部、１０１ａ…開口部、１０２…埋め込み絶縁層、１０２ａ…開口部、１０３…表面シリコン層（ＳＯＩ層）、１０４…金属膜、１０５…保護層、１０６…金属膜、１０７…電着レジスト層、１３１…ミラー部、１３２…枠部、１３３…隙間、１３４…連結部、１４１…金属パターン（第１金属パターン）、１６１…金属パターン（第２金属パターン）、１７１…電着レジストパターン。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳＯＩ基板を用いて形成されるマイクロメカニカル構造体の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
通信用デバイスあるいはスキャナーなどの光学デバイスとして、シリコンを用いたマイクロマシンニングによるＭＥＭＳミラーの開発が進展している。これらの光学デバイスは、多くの場合、赤外線を対象としている。これに対し、材料として用いているシリコンは、赤外線に対して透過性が極めて高いため、このままではミラーとして使用することができない。このため、アルミニウムや金などの、光の反射膜として反射率の高い金属の膜をシリコンの表面に形成し、赤外線に対してもミラーとして機能するようにしている。薄いシリコンをミラーの構造体とする場合、金属膜をミラー構造体の両面に形成して応力の平衡を保ち、ミラー面が平坦となるようにすることが理想的である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−０５７５７４号公報
【特許文献２】米国特許第６３６９９３１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、現状では、ミラー構造体の両面に金属膜を形成することが容易ではないという問題がある。
【０００５】
例えば、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板を用いてＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）ミラーを作製する技術がある（特許文献１参照）。この技術では、基体部の上に埋め込み絶縁層を介して配置されているＳＯＩ層をパターニングしてミラー構造体を形成し、形成したミラー構造体に対応する領域の基体部に開口を形成し、ミラー構造体が回転などの動作を行えるようにしている。
【０００６】
ここで、平坦な状態のＳＯＩ層の表面側においては、金属膜を形成し、形成した金属膜を公知のリソグラフィー技術とエッチング技術とによりパターニングすることで、ミラー構造体となるの領域に選択的に金属膜を残すようにすることが容易である。
【０００７】
これに対し、基体部の側の開口に露出させているミラー構造体の裏面側においては、数百μｍの厚さの基体部および埋め込み絶縁層のミラー構造体の領域を除去することで、開口を形成している。このため、基体部の側（ＳＯＩ基板の裏面）から見ると、上述したミラー構造体の裏面側は、ほぼ基体部の厚さだけ奥に存在することになる。言い換えると、ミラー構造体の裏面側には、ほぼ基体部の厚さの段差が存在していることになる。
【０００８】
このミラー構造体の裏面側に、上述同様にすることで選択的に金属膜を形成する場合、大きな段差が存在しているところにエッチングマスクを形成するためのレジスト膜を形成することになる。一般に、レジスト膜の形成では、スピン塗布によりレジストを塗布することで形成している。しかしながら、スピン塗布によりレジスト膜を形成すると、大きな段差のあるくぼみの中にはレジストが留まりやすく、膜厚が不均一な状態となる。
【０００９】
例えば、図２の断面図に示すように、基体部２０１，埋め込み絶縁層２０２，およびＳＯＩ層２０３を備えるＳＯＩ基板の基体部２０１側より凹部２０１ａを形成する。この状態で、凹部２０１ａ内を含めて基体部２０１の表面（ＳＯＩ基板の裏面）に金属膜２０４を形成する。この後、スピン塗布により基体部２０１の表面にフォトレジストを塗布すると、凹部２０１ａの周端部ほど膜厚が厚い不均一なフォトレジスト膜２０５が形成される。
【００１０】
この後、フォトリソグラフィーによる露光が行われるが、この露光では、一般には、フォトマスクを透過した光が照射される凹部２０１ａの全領域においては、光量がほぼ一定となる。ところが、フォトレジスト膜２０５は、上述したように膜厚が不均一であるため、凹部２０１ａの終端部と中心部とで、露光の条件が大きく異なることになり、正確なパターニングを行うことが容易ではない。正確なパターニングが行えない場合、所望とする形状・寸法のパターンを高い精度で形成することができず、所望とする形状に金属膜を形成することができなくなる。
【００１１】
また、スピン塗布およびリソグラフィーによるマスクパターンの形成の他にも、スクリーン印刷法によるマスクパターンの形成が考えられる。この方法では、図３に示すように、基体部３０１，埋め込み絶縁層３０２，およびＳＯＩ層３０３を備えるＳＯＩ基板の基体部３０１側より凹部３０１ａを形成する。この状態で、凹部３０１ａ内を含めて基体部３０１の表面（ＳＯＩ基板の裏面）に金属膜３０４を形成する。この後、スクリーン３０６の上にレジスト材料３５１を配置し、スキージ３０７をスライドさせることで、スクリーン３０６の開口部３０６ａよりレジスト材料３５１を選択的に供給する。これらのことにより、凹部３０１ａにレジストパターン３０５を形成する。しかしながら、この方法においても、形成されるレジストパターン３０５は、例えば、図３に示すように、凹部３０１ａ内において均一な膜厚が得られず、正確なパターンを形成することが容易ではない。
【００１２】
上述したように、凹部の底部においては、正確なレジストパターンを形成することが容易ではく、ミラー構造体の両面に金属膜を形成することが容易ではない。このため、現状では、凹部の内部を含めてＳＯＩ基板の裏面に金属膜を形成し、金属膜をパターニングすることなく用いている。しかしながら、このように全域に金属膜を形成する場合、ミラー構造体をこの周囲の枠部に連結・支持している連結部にも金属膜が形成されることになり、ミラー部の回動などの動作に支障を来す場合が発生する。
【００１３】
このために、平坦な状態のＳＯＩ層のミラー構造体となる部分の表面側のみに金属膜を形成し、ＭＥＭＳミラーとすることも行われている（特許文献２参照）。このＭＥＭＳミラーでは、図４に示すように、駆動電極４１２，４１３を備える電極基板４１１の上に、凹部４０１ａを形成した基体部４０１，埋め込み絶縁層４０２，およびミラー構造体４３１，枠部４３２が形成されたＳＯＩ層４０３を配置する。また、ミラー構造体４３１の表面側には、金属膜４４１を備える。
【００１４】
このＭＥＭＳミラーでは、基体部４０１を支持体とし、ミラー構造体４３１が、駆動電極４１２，４１３の上に離間して配置され、駆動電極４１２，４１３に印加される制御信号により、ミラー構造体４３１を変位させ、金属膜４４１による反射面を変位させるようにしている。
【００１５】
この構造では、駆動電極４１２，４１３とミラー構造体４３１の距離は、ほぼ基体部４０１の厚さで決定されてしまい、設計自由度を著しく害し、所望の駆動特性を得ることが容易ではなくなる。また、片面だけに金属膜４４１を形成しているので、この応力によってミラー面の平坦度を維持することが容易ではないという問題も生じる。
【００１６】
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、ＳＯＩ基板を用いて作製されるミラー構造体の両面に、より容易に所望とする形状の金属膜が形成できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明に係るマイクロメカニカル構造体の作製方法は、基体部の上に埋め込み絶縁層を介して配置されたシリコンからなる表面シリコン層の上のミラー部となる領域に第１金属パターンを形成する第１工程と、表面シリコン層をパターニングし、ミラー部，このミラー部の周囲に配置された枠部、および、ミラー部と枠部とを連結する連結部を形成する第２工程と、ミラー部および連結部を含む領域に対応し、表面シリコン層の裏面に到達する開口部を基体部および埋め込み絶縁層に形成する第３工程と、電着レジストを用いたリソグラフィーにより形成した電着レジストパターンを用いることで、第１金属パターンに対向する開口部の底部のミラー部の裏面の領域に第２金属パターンを形成する第４工程とを少なくとも備える。
【００１８】
上記マイクロメカニカル構造体の作製方法において、第４工程では、開口部の内部を含む基体部の表面に金属膜を形成し、この金属膜の上の第１金属パターンに対向する領域に、第２金属パターンが形成される領域を被覆する電着レジストパターンを形成し、この電着レジストパターンをマスクとして金属膜を選択的にエッチングすることで、第２金属パターンを形成するようにすればよい。
【００１９】
上記マイクロメカニカル構造体の作製方法において、第４工程では、第１金属パターンに対向する、開口部の底部のミラー部の裏面の第２金属パターンを形成する領域が開口する電着レジストパターンを形成し、この電着レジストパターンの上に金属膜を形成し、この金属膜を形成した後に、電着レジストパターンを除去することで、第２金属パターンを形成するようにしてもよい。としたものである。
【発明の効果】
【００２０】
以上説明したように、本発明によれば、電着レジストパターンを用いることで、第１金属パターンに対向する開口部の底部のミラー部の裏面の領域に第２金属パターンを形成するようにしたので、ＳＯＩ基板を用いて作製されるミラー構造体の両面に、より容易に所望とする形状の金属膜が形成できるようになるという優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１Ａ】図１Ａは、本発明の実施の形態におけるマイクロメカニカル構造体の作製方法について説明する工程図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、本発明の実施の形態におけるマイクロメカニカル構造体の作製方法について説明する工程図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは、本発明の実施の形態におけるマイクロメカニカル構造体の作製方法について説明する工程図である。
【図１Ｄ】図１Ｄは、本発明の実施の形態におけるマイクロメカニカル構造体の作製方法について説明する工程図である。
【図１Ｅ】図１Ｅは、本発明の実施の形態におけるマイクロメカニカル構造体の作製方法について説明する工程図である。
【図１Ｆ】図１Ｆは、本発明の実施の形態におけるマイクロメカニカル構造体の作製方法について説明する工程図である。
【図１Ｇ】図１Ｇは、本発明の実施の形態におけるマイクロメカニカル構造体の作製方法について説明する工程図である。
【図１Ｈ】図１Ｈは、本発明の実施の形態におけるマイクロメカニカル構造体の作製方法について説明する工程図である。
【図１Ｉ】図１Ｉは、本発明の実施の形態におけるマイクロメカニカル構造体の作製方法について説明する工程図である。
【図１Ｊ】図１Ｊは、本発明の実施の形態におけるマイクロメカニカル構造体の作製方法について説明する工程図である。
【図１Ｋ】図１Ｋは、本発明の実施の形態におけるマイクロメカニカル構造体の作製方法について説明する工程図である。
【図１Ｌ】図１Ｌは、本発明の実施の形態におけるマイクロメカニカル構造体の作製方法について説明する工程図である。
【図２】図２は、マイクロメカニカル構造体の作製方法について説明する断面図である。
【図３】図３は、マイクロメカニカル構造体の作製方法について説明する断面図である。
【図４】図４は、マイクロメカニカル構造体の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。図１Ａ〜図１Ｌは、本発明の実施の形態におけるマイクロメカニカル構造体の作製方法について説明する工程図である。
【００２３】
まず、図１Ａに示すように、例えば単結晶シリコンからなる基体部１０１，埋め込み絶縁層１０２，および単結晶シリコンからなる表面シリコン層（ＳＯＩ層）１０３を備えるＳＯＩ基板を用意する。例えば、基体部１０１は、膜厚６２５μｍ、埋め込み絶縁層１０２は、膜厚１μｍ、ＳＯＩ層１０３は層厚１０μｍである。
【００２４】
次に、ＳＯＩ層１０３の上に金属膜１０４を形成する。金属膜１０４は、例えば、ＳＯＩ層１０３の側に形成された層厚１０ｎｍのチタン層とこのチタン層の上に形成された層厚７０ｎｍの金層から構成されている。チタン層は、金層とシリコンとを密着させる密着層として機能する。これらは、例えば、電子ビーム蒸着法により形成することができる。また、これらの金属層は、スパッタ法やめっき法で形成することもできる。また、各金属層の層厚は、対象とする光の波長域にて応じて必要な反射率を確保できる範囲で、任意に選択すればよい。
【００２５】
次に、金属膜１０４を公知のリソグラフィー技術とエッチング技術とによりパターニングし、図１Ｂに示すように、後述するミラー構造体の反射面となる金属パターン（第１金属パターン）１４１、および、図示しない金属配線端子部を形成する。このパターニングにおけるエッチングでは、まず、金層は、エッチング液として希釈した王水を用いてエッチングすればよい。また、金層のエッチングには、ヨウ素-ヨウ化カリウム溶液を用いたウエットエッチングでもよく、ドライエッチングを用いてもよい。一方、チタン層は、希フッ酸によってエッチングすればよい。
【００２６】
次に、ＳＯＩ層１０３を公知のリソグラフィー技術とエッチング技術とによりパターニングし、図１Ｃに示すように、ミラー部１３１，および枠部１３２などを形成する。このパターニングにより、図１Ｄの平面図に例示するように、枠部１３２に隙間１３３を開けてミラー部１３１が形成され、また、一対の連結部１３４により、ミラー部１３１が枠部１３２に連結・支持された状態とする。これらの構造体のパターニングでは、リソグラフィー技術により形成したレジストパターンをマスクとしたＲＩＥ（Reactive Ion Etching）を用いてエッチング加工を行えばよい。また、このエッチング加工では、埋め込み絶縁層１０２をエッチングストッパ層として用いることができる。
【００２７】
次に、図１Ｅに示すように、金属パターン１４１が形成されているＳＯＩ層１０３の表面に、有機樹脂からなる保護層１０５を形成する。保護層１０５は、材料となる例えばポリベンゾオキサゾールからなる有機樹脂を塗布し、これを加熱処理することで形成できる。加熱処理は、窒素雰囲気・温度３００℃・３０分の条件で行えばよい。保護層１０５の材料としては、他にはポリイミドあるいはレジストを用いてもよいことを確認している。
【００２８】
次に、図１Ｆに示すように、基体部１０１に、埋め込み絶縁層１０２が露出する開口部１０１ａを形成する。開口部１０１ａは、前述したミラー部１３１および連結部１３４などの領域に対応して形成する。開口部１０１ａも、公知のフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術により形成することができる。このエッチングは、ドライエッチングにより行い、また、埋め込み絶縁層１０２をエッチングストップ層として用いればよい。また、よく知られているように、基体部１０１を構成する単結晶シリコンは、ＫＯＨ水溶液やテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液などのアルカリ溶液を用いてもエッチング可能である。このウエットエッチングにおいても、埋め込み絶縁層１０２がエッチングストップ層となる。
【００２９】
次に、開口部１０１ａに露出している埋め込み絶縁層１０２をエッチング除去し、図１Ｇに示すように、開口部１０１ａに続く開口部１０２ａを形成する。この開口部１０２ａの形成により、ＳＯＩ基板の裏面側より表面シリコン層（ＳＯＩ層）１０３の裏面に到達する開口部が形成されたことになる。埋め込み絶縁層１０２のエッチングでは、例えば、大気中におけるフッ化水素ガスの暴露により行えばよい。このフッ化水素暴露は、良く知られているように、常温から５０℃程度の１気圧におけるフッ化水素の飽和蒸気圧で行えばよい。また、シリコンや保護層１０５を構成している有機樹脂に影響を与えない範囲で、窒素や不活性気体をキャリアガスとし温度、フッ化水素分圧を制御して行っても良い。
【００３０】
なお、このようなウエットエッチングを行った後の乾燥を、例えば、超臨界乾燥により行うようにしてもよい。超臨界乾燥を用いる場合、用いる超臨界状態の流体により、保護層１０５を構成している有機樹脂などが溶解しないようにすることが重要となる。
【００３１】
次に、図１Ｈに示すように、開口部１０１ａの内部を含む基体部１０１の表面（ＳＯＩ基板の裏面）に金属膜１０６を形成する。金属膜１０６は、前述した金属膜１０４と同様であり、例えば、ＳＯＩ層１０３の側に形成された層厚１０ｎｍのチタン層とこのチタン層の上に形成された層厚７０ｎｍの金層から構成されている。
【００３２】
次に、図１Ｉに示すように、金属膜１０６の表面に電着レジストを電着することで、電着レジスト層１０７を形成する。例えば、電着液の中において、金属膜１０６を一方の電極としてこれに所定の電圧を印加すれば、金属膜１０６の表面に電着レジストを電着させることができる。電着レジストを電着することで、開口部１０１ａにより大きな段差を有する状態で形成されている金属膜１０６の表面に対し、均一な層厚で電着レジスト層１０７が形成できる。
【００３３】
ここで、電着レジストとしては、ポジ型、ネガ型どちらでも可能である。ただし、開口部１０１ａの側壁が、ＳＯＩ基板の裏面側から見て逆テーパ形状となっている場合を考慮し、ネガ型の電着レジストを用いるとよい。逆テーパ形状となっている場合、開口部１０１ａの側壁には、後述する電着レジスト層１０７のフォトリソグラフィーにおける露光で、光が照射されることがない領域となる。このような場合であっても、ネガ型のレストであれば、側壁に付着している電着レジスト層１０７を、現像により除去することができる。ネガ型の電着レジストとしては、例えば、カチオン電着ネガ型のエレコートＥＵ−ＸＣプロセス（株式会社シミズ製）などを用いればよい。
【００３４】
電着レジストでは、電界印加されかつ電着レジスト溶液に触れている面の上には、凹凸のある面でも均一に成長させることが可能であり、先に記したような逆テーパ型のピクセル内壁にも均一な被覆をなし得ることが特徴である。なお、電着レジストを用いた均一性にはおよばないものの、スプレー塗布法を用いても少なくともピクセル底部には均一にレジストを塗布できる。このようにして形成したスプレー塗布膜を、後述する電着レジストパターンの形成と同様にパターニングすれば、このパターンを電着レジストパターンと同様に用いることができる。
【００３５】
次に、電着レジスト層１０７をフォトリソグラフィーによりパターニングし、図１Ｊに示すように、ミラー部１３１の金属パターン１４１と対向する領域に、電着レジストパターン１７１を形成する。電着レジストパターン１７１は、ミラー部１３１の裏面側の金属パターン１４１に対向して形成する金属パターンの領域を被覆するように形成する。このパターニングにおいて、例えば、ミラープロジェクション形式の露光装置を用いればよい。また、レーザー露光や電子線露光などを用いるようにしてもよい。
【００３６】
次に、電着レジストパターン１７１をマスクとして金属膜１０６を公知のリソグラフィー技術とエッチング技術とによりパターニングし、図１Ｋに示すように、ミラー部１３１の他方の反射面となる金属パターン（第２金属パターン）１６１を形成する。金属パターン１６１は、ミラー部１３１を介して金属パターン１４１と対向して配置されている。金属パターン１６１のパターニングにおけるエッチングでは、前述した金属パターン１４１の場合と同様であり、まず、金層は、エッチング液として希釈王水を用いてエッチングすればよい。また、金層のエッチングには、ヨウ素-ヨウ化カリウム溶液を用いたウエットエッチングでもよく、ドライエッチングを用いてもよい。一方、チタン層は、希フッ酸によってエッチングする。
【００３７】
この後、電着レジストパターン１７１を、公知のリムーバによって剥離する。さらに、保護に用いていた保護層１０５を、例えば、酸素プラズマやオゾンなどの活性酸素を用いることで灰化させて除去する（図１Ｌ）。この処理によって、金属パターン１４１および金属パターン１６１の金表面が酸化すると、電気的導通がとれなくなる。これを回復するために、水素雰囲気下、８０℃で加熱して還元する。この際、温度の条件は、６０℃以上であればよいことを確認している。また、真空中あるいは不活性ガス雰囲気下で加熱してもよく、この場合は２００℃以上が必要である。
【００３８】
この後に、ダイシングを行いチップ化して一連の工程を終了する。ダイシングにはレーザーを用いる公知のステルスダイシングを用いればよい。また、保護層１０５を除去せずに、通常のダイシングソーによるダイシングを行いチップ化し、この後、上述したように保護層１０５を除去するようにしてもよい。
【００３９】
また、上述では、ＳＯＩ基板のＳＯＩ側と基体部に形成した開口部に露出したＳＯＩ層の上に金属を蒸着したが、本発明の要諦は、開口部の底の領域に均一レジストを塗布し作製プロセスを容易ならしめることにあり、金属を堆積する工程を一切経ることなく、単に開口部内のシリコン構造体を更に開口部側から加工するためにリソグラフィを行ってもよく、目的に応じて種々のプロセスをとりうることは当業者であれば容易に推察できるであろう。
【００４０】
例えば、開口部１０１ａおよび開口部１０２ａを形成した後、金属膜１０６を形成する前に、電着レジストを開口部１０１ａの内部を含む基体部１０１の表面（ＳＯＩ基板の裏面）に電着する。シリコン表面に対して付着力の弱い電着レジストを用いる場合、電着の前に、シリコンの表面をシランカップリング剤などにより処理しておけばよい。このようにして形成した電着レジストの層を、公知のフォトリソグラフィー技術によりパターニングし、金属パターン１６１となる領域が開口している電着レジストパターンを形成する。この後、金属膜を形成し、よく知られたリフトオフ法により電着レジストパターンを除去すれば、金属パターン１４１と対向するように、ミラー部１３１の一方の面に金属パターンが形成できる。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
ＳＯＩ基板を利用したＭＥＭＳミラーにおいて、ＳＯＩ層に形成したミラー部の表面と、基体部に形成した開口部側の裏面との両面の領域に、金属膜を形成し、両面に反射膜となる金属パターンを備えるミラー部（ミラー構造体）を形成するとができる。
【符号の説明】
【００４２】
１０１…基体部、１０１ａ…開口部、１０２…埋め込み絶縁層、１０２ａ…開口部、１０３…表面シリコン層（ＳＯＩ層）、１０４…金属膜、１０５…保護層、１０６…金属膜、１０７…電着レジスト層、１３１…ミラー部、１３２…枠部、１３３…隙間、１３４…連結部、１４１…金属パターン（第１金属パターン）、１６１…金属パターン（第２金属パターン）、１７１…電着レジストパターン。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体部の上に埋め込み絶縁層を介して配置されたシリコンからなる表面シリコン層の上のミラー部となる領域に第１金属パターンを形成する第１工程と、
前記表面シリコン層をパターニングし、前記ミラー部，このミラー部の周囲に配置された枠部、および、前記ミラー部と前記枠部とを連結する連結部を形成する第２工程と、
前記ミラー部および前記連結部を含む領域に対応し、前記表面シリコン層の裏面に到達する開口部を前記基体部および前記埋め込み絶縁層に形成する第３工程と、
電着レジストを用いたリソグラフィーにより形成した電着レジストパターンを用いることで、前記第１金属パターンに対向する前記開口部の底部の前記ミラー部の裏面の領域に第２金属パターンを形成する第４工程と
を少なくとも備えることを特徴とするマイクロメカニカル構造体の作製方法。
【請求項２】
請求項１記載のマイクロメカニカル構造体の作製方法において、
前記第４工程では、
前記開口部の内部を含む前記基体部の表面に金属膜を形成し、この金属膜の上の前記第１金属パターンに対向する領域に、前記第２金属パターンが形成される領域を被覆する前記電着レジストパターンを形成し、この電着レジストパターンをマスクとして前記金属膜を選択的にエッチングすることで、前記第２金属パターンを形成する
ことを特徴とするマイクロメカニカル構造体の作製方法。
【請求項３】
請求項１記載のマイクロメカニカル構造体の作製方法において、
前記第４工程では、
前記第１金属パターンに対向する、前記開口部の底部の前記ミラー部の裏面の前記第２金属パターンを形成する領域が開口する前記電着レジストパターンを形成し、この電着レジストパターンの上に金属膜を形成し、この金属膜を形成した後に、前記電着レジストパターンを除去することで、前記第２金属パターンを形成する
ことを特徴とするマイクロメカニカル構造体の作製方法。
【請求項１】
基体部の上に埋め込み絶縁層を介して配置されたシリコンからなる表面シリコン層の上のミラー部となる領域に第１金属パターンを形成する第１工程と、
前記表面シリコン層をパターニングし、前記ミラー部，このミラー部の周囲に配置された枠部、および、前記ミラー部と前記枠部とを連結する連結部を形成する第２工程と、
前記ミラー部および前記連結部を含む領域に対応し、前記表面シリコン層の裏面に到達する開口部を前記基体部および前記埋め込み絶縁層に形成する第３工程と、
電着レジストを用いたリソグラフィーにより形成した電着レジストパターンを用いることで、前記第１金属パターンに対向する前記開口部の底部の前記ミラー部の裏面の領域に第２金属パターンを形成する第４工程と
を少なくとも備えることを特徴とするマイクロメカニカル構造体の作製方法。
【請求項２】
請求項１記載のマイクロメカニカル構造体の作製方法において、
前記第４工程では、
前記開口部の内部を含む前記基体部の表面に金属膜を形成し、この金属膜の上の前記第１金属パターンに対向する領域に、前記第２金属パターンが形成される領域を被覆する前記電着レジストパターンを形成し、この電着レジストパターンをマスクとして前記金属膜を選択的にエッチングすることで、前記第２金属パターンを形成する
ことを特徴とするマイクロメカニカル構造体の作製方法。
【請求項３】
請求項１記載のマイクロメカニカル構造体の作製方法において、
前記第４工程では、
前記第１金属パターンに対向する、前記開口部の底部の前記ミラー部の裏面の前記第２金属パターンを形成する領域が開口する前記電着レジストパターンを形成し、この電着レジストパターンの上に金属膜を形成し、この金属膜を形成した後に、前記電着レジストパターンを除去することで、前記第２金属パターンを形成する
ことを特徴とするマイクロメカニカル構造体の作製方法。
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図１Ｄ】
【図１Ｅ】
【図１Ｆ】
【図１Ｇ】
【図１Ｈ】
【図１Ｉ】
【図１Ｊ】
【図１Ｋ】
【図１Ｌ】
【図２】
【図３】
【図４】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図１Ｄ】
【図１Ｅ】
【図１Ｆ】
【図１Ｇ】
【図１Ｈ】
【図１Ｉ】
【図１Ｊ】
【図１Ｋ】
【図１Ｌ】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１０−２５６４５２（Ｐ２０１０−２５６４５２Ａ）
【公開日】平成２２年１１月１１日（２０１０．１１．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１０３７９８（Ｐ２００９−１０３７９８）
【出願日】平成２１年４月２２日（２００９．４．２２）
【出願人】（０００００４２２６）日本電信電話株式会社 (13,992)
【出願人】（０００１０２７３９）エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社 (265)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１１月１１日（２０１０．１１．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年４月２２日（２００９．４．２２）
【出願人】（０００００４２２６）日本電信電話株式会社 (13,992)
【出願人】（０００１０２７３９）エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社 (265)
【Ｆターム（参考）】
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