【課題】溶接によって生じるひずみの影響を低下させつつ、構造体と基台が接触することで生じる振動時の騒音を抑制することができる光スキャナの製造方法、および前記光スキャナを提供する。
【解決手段】ミラー部を有する平板状の構造体と、構造体を支持する基台とが準備される（Ｓ１〜Ｓ４）。準備された構造体と基台とを重ねた状態で、構造体と基台とが重なる重複領域の複数点においてレーザスポット溶接が行われることで、構造体が基台に固定される（Ｓ５）。構造体が基台に固定された後に、固定された構造体と基台との隙間に接着剤が充填される（Ｓ６）。隙間に充填された接着剤が硬化されて（Ｓ８）、製造工程は終了する。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で高感度の圧力センサを提供する。
【解決手段】圧力センサ１は、半導体基板２を加工してダイヤフラム構造を形成した圧力センサであって、半導体基板２が貫通した貫通部４を１箇所以上ダイヤフラム部３に形成し、半導体基板２が貫通していない薄板部にピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４によるブリッジ回路を形成し、無機または有機材料５ａ〜５ｃにより貫通部４を密閉している。 （もっと読む）

【課題】高感度化、製造効率の改善、低コスト化、高信頼性化の少なくとも１つを実現した機能素子、機能素子の製造方法、物理量センサー、および、この物理量センサーを備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の機能素子１は、絶縁基板２と、可動部３３と、可動部３３に設けられた可動電極指３６１〜３６５と、絶縁基板２上に設けられ、且つ、可動電極指３６１〜３６５に対向して配置された固定電極指３８１〜３８８と、を含み、固定電極指３８１〜３８８は、可動電極指３６１〜３６５の一方の側に配置された第１固定電極指３８２、３８４、３８６、３８８と、他方の側に配置された第２固定電極指３８１、３８３、３８５、３８７と、を含み、第１固定電極指と第２固定電極指とは、互いに離間して配置されている。 （もっと読む）

【課題】トランスデューサーの製造コストを低減する。
【解決手段】ナノシートトランスデューサ（１）は、溝（１００ａ）と前記溝によって互いに隔てられた電極支持部（１０１）と厚さ１μｍ未満のシート状の可撓電極（１０４）とが形成されたシリコンからなる基板（１００）と、前記電極支持部上に形成された導電膜からなる固定電極（１０３）と、前記固定電極と前記電極支持部との間に形成された絶縁層（１０２）と、を備え、前記可撓電極は前記基板の主面に対して垂直である。 （もっと読む）

【課題】 ＳＯＩ層のシリコンウエハで形成された枠体部と対向基板とが金属結合部を介して固定されたＭＥＭＳセンサにおいて、金属結合部を覆う保護絶縁層を欠陥無く形成できるようにしたＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】 対向絶縁層２２に第１の金属層３１ａが形成され、機能層のシリコンウエハから分離された枠体部１４に第２の金属層３２ａが形成され、第１の金属層３１ａと第２の金属層３２ａとが共晶接合または拡散接合で結合されている。第１の金属層３１ａのはみ出し部３１ｃと対向する部分で、枠体部１４に凹部１８が形成され、はみ出し部３１ｃと凹部１８の底表面１８ｂとの間に空隙部１９ａが形成される。ＣＶＤ法などで成膜される保護絶縁層４１が空隙部１９ａを経て金属結合部３０ａの外側部に欠陥なく成膜されるようになり、第１の金属層３１ａまたは第２の金属層３２ａの腐食を防止しやすくなる。 （もっと読む）

【課題】簡便な構造で、かつ、十分な駆動力を得ることが可能な電磁力利用の光装置装置を提供する。
【解決手段】ミラー部１０、フレーム部２０、及び、ミラー部１０をフレーム部２０に支持する一対のトーションバー部１１などを磁性薄膜で一体的に形成する。そして、外部から印加される交流磁界と主としてミラー部１０の磁化成分との電磁力により、トーションバー部を捻り回転軸としてミラー部を往復振動させるための駆動トルクを発生させる。トーションバー部１１とフレーム部２０との連結部分１２は非磁性化又は弱磁性化することでもよい。 （もっと読む）

【課題】広い範囲の慣性力を検出できる容量式慣性力センサを、可動電極の下面（又は上面）に沿う方向の体格増大を抑制しつつ、検出精度劣化を抑制して提供する。
【解決手段】可動電極に対向配置された固定電極として、可動電極の変位にともない可動電極との対向距離が変化するように、可動電極における変位方向に垂直な側面に対向配置された第１固定電極と、可動電極の変位にともない可動電極との対向面積が変化するように、第１固定電極と対向する可動電極の上面及び下面の少なくとも一方に対向配置された第２固定電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳキャパシタとその制御用集積回路を反りの抑えられた１枚の基板上に有する半導体装置を提供する。
【解決手段】貫通孔を含む貫通孔領域を有する基板と、前記基板の上方のＭＥＭＳキャパシタと、前記ＭＥＭＳキャパシタの下方の前記ＭＥＭＳキャパシタの制御用集積回路とを有する半導体装置を提供する。前記制御用集積回路は、前記基板上のトランジスタを含む。前記ＭＥＭＳキャパシタの真下の前記基板上の領域と前記貫通孔領域とは、少なくとも一部において重なる。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜を厚くすることなく、放電耐圧を向上させ、デバイスの特性の安定化や性能の向上を図る。
【解決手段】高耐圧配線は、Ｓｉ基板１０１上に形成された配線層１０３と、絶縁膜１０４と、上層配線１０５，１０６と、絶縁膜１０４に形成された溝１０７とを有する。配線層１０３上の絶縁膜１０４の厚さＴは、上層配線１０５と１０６間の距離ｄよりも小さく、溝の幅Ｗは、距離ｄよりも小さい。絶縁膜１０４の厚さＴは、配線層１０３と上層配線１０５，１０６との間に与えられる最大の電位差Ｖ_maxよりも絶縁膜１０４の耐圧が大きくなるように設定され、絶縁膜１０４の露出量Ｘは、溝の幅Ｗと距離ｄとが等しいときの絶縁膜１０４に沿った沿面放電開始電圧をＶ₀（Ｖ₀＝ｂ×ｌｎＴ＋ｃ、ｂ，ｃは定数）としたとき、Ｖ_max＜ａＸ＋Ｖ₀（ａは定数）となるように設定される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、封止枠と本体素子との間に生じる応力を分散させ、本体素子の変形を防止することができるマイクロパッケージを提供することを目的とする。
【解決手段】構造体１４が形成された多角形の本体素子１０と、該本体素子を覆う封止部３０と、該本体素子と該封止部とを接合する封止枠２０を有するマイクロパッケージであって、
前記封止枠は、前記本体素子の外縁よりも内側に、前記構造体を囲むように枠状に設けられ、前記多角形の各辺に対向した各範囲において、前記各辺よりも短い短辺２０ａ、２０ｂ、２０ｃが連結された連続線で構成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】加速度センサの体格の増大が抑制され、加速度センサにおける電気的な接続部材の配置やその形状が変更されない加速度センサ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】加速度を電気信号に変換するセンシング部が形成されたセンサ基板と、センシング部を気密封止するための凹部が形成されたパッケージ基板と、が接合されて成るセンサ部を有し、センサ基板におけるパッケージ基板との対向面側に、配線パターンを介してセンシング部と電気的に接続された内部電極が複数形成され、パッケージ基板の内部に、内部電極と同数の貫通電極が形成され、パッケージ基板におけるセンサ基板との対向面の裏面に、外部電極と補助配線が複数形成されている。そして、外部電極は、内部電極と同数の電極が一方向に並んで成る第１外部電極群及び第２外部電極群を有し、これら電極群の並ぶ方向が直交している。 （もっと読む）

【課題】上下方向の視野角を広げたＭＥＭＳシャッター及びこのようなＭＥＭＳシャッターを含む表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、光源と、光源から入射する光が通過可能な第１スリットが形成された第１基板と、第１スリットが対応する位置に形成された第２スリットを含む第２基板と、第２スリットを含み、第１基板と第２基板に平行な水平面であらかじめ決められた位置を周期的に往復運動するＭＥＭＳシャッターと、第１スリットと第２スリットとの重畳によって形成される非対称的形状の光開口部とを含み、複数の光開口部を幾何学的な対称パターンに２次元平面上に配置する。 （もっと読む）

【課題】光スキャナを一度製造した後に光スキャナの構造または剛性を変更するなどの手間をかけずに所望の共振周波数を得ることが可能な光スキャナを提供する。
【解決手段】駆動信号生成部４０から駆動部４に駆動信号が供給される（Ｓ１）。駆動部４に駆動信号が供給されると、電流供給部５０から磁界発生部５に電流が供給される（Ｓ２）。電流が供給されると、共振周波数決定部７４により共振周波数が決定される（Ｓ３）。共振周波数が決定されると、判断部７６により決定された共振周波数が所望の共振周波数と等しいか否かが判断される（Ｓ４）。決定された共振周波数が所望の共振周波数でないと判断されると（Ｓ４：Ｎｏ）、磁界発生部５に供給される電流の絶対値が所定の微小幅分、増大される（Ｓ５）。 （もっと読む）

【課題】合流直後の反応基質間の接触面積を増やし、且つ濃度不均一による反応生成物の収率低下が抑制された流通式管型反応装置を提供する。
【解決手段】反応に使用する２種以上の流体を供給するための２つ以上の流体供給路、該流体を流通させながら反応させることができる反応流路、および反応生成物を排出するための流体排出路を有し； 流体供給路は反応流路の入口に連通するように接続され； 流体排出路は反応流路の出口に連通するように接続され； 且つ反応流路は長手方向に直角でない向きに複数の管路が分岐および合流するように配置されてなる管路網を有する、流通式管型反応装置。 （もっと読む）

【課題】 少ない工程で製造できる１軸加速度センサを提供する。
【解決手段】 支持部（Ｓ）と、平行する二つの面に内周面が開口している凹部（５０）が形成され前記凹部内に重心を有する錘部（Ｍ）と、一端が前記支持部と結合し他端が前記凹部の底面に結合している板ばね形の可撓部（Ｆ）と、前記可撓部の長手方向の両端近傍でかつ前記可撓部の短手方向の両端近傍に少なくとも２つずつ互いに前記可撓部の厚さ方向に離間して設けられる歪み検出素子（Ｐ１〜Ｐ４）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイス中に、シリコンゲルマニウム層と、ＣＭＯＳ金属層や他のシリコンゲルマニウム層のようなこのシリコンゲルマニウム層に接続する層との間に、双方の層を分離する誘電体層スタック中の開口部を通る低抵抗コンタクトを形成する方法を提案する。
【解決手段】誘電体層６の開口部中に中間層である界面層１４を形成し、これによってこの開口部の底部と開口部の側壁を覆う。この中間層はシリコンゲルマニウムＭＥＭＳ電極８と、ＭＥＭＳ成分を含むシリコンゲルマニウム構造層４との界面となる。中間層、すなわち界面層１４は、ＴｉＮ層またはＴａＮ層より成る。 （もっと読む）

【課題】従来よりもインピーダンスを低減することが可能な共振器およびその製造方法、ならびにそのような共振器を備えた発振器および電子機器を提供する。
【解決手段】入力交流信号Ｓinの周波数に応じて縦波振動による共振振動を行う振動部１１内において、絶縁膜１１２を３つ以上設ける。振動部１１内における各絶縁膜１１２の面積（Ｙ−Ｚ端面の面積）の総和が大きくなり、従来よりもインピーダンスを低減することができる。なお、振動部の振動面内において、各絶縁膜１１２が、互いに直交する２方向のそれぞれに沿って振動するようにしたり、同心円の中心から外周方向へ向かって放射状に振動するようにしたり、円環状の振動部における周回方向に沿って振動するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】微細構造体を高精度に製造する。
【解決手段】基板１１上に被陽極酸化金属膜２１を形成する工程（Ａ）と、被陽極酸化金属膜２１に、基板１１に形成する凹部１２のパターンに合わせたパターンで凹部２２を形成する工程（Ｂ）と、凹部２２のピッチに合ったピッチで微細孔２３が開孔する陽極酸化条件で被陽極酸化金属膜２１を部分的に陽極酸化して、微細孔膜部２４とバリア層部２５とからなる陽極酸化膜２６を形成する工程（Ｃ１）と、バリア層部２５において微細孔２３の下方に位置する部分をエッチング除去する工程（Ｄ）と、非陽極酸化部分２７において微細孔２３の下方に位置する部分をエッチング除去する工程（Ｅ）と、微細孔膜部２４をマスクとしてエッチングを行い、基板１１に凹部１２を形成する工程（Ｆ）と、陽極酸化膜２６と非陽極酸化部分２７とを除去する工程（Ｇ１）とを順次実施する。 （もっと読む）

【課題】構造体の機械的な特性を保持しながら電気的な抵抗値を軽減し、優れた動作特性を有するＭＥＭＳデバイス、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１上に形成された多結晶シリコンからなる固定電極１０と、シリコン基板１上に形成された窒化膜３と隙間を設けて機械的に可動な状態で配置された多結晶シリコンからなる可動電極２０と、可動電極２０の周囲に形成され且つ固定電極１０の一部を覆うように形成された第１層間絶縁膜１３、第１配線層２３、第２層間絶縁膜１４、第２配線層２４、および保護膜１９がこの順に積層された配線積層部と、を有し、固定電極１０の前記配線積層部に覆われた部分がシリサイド化されてシリサイド部分２５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】静電容量を含むＭＥＭＳセンサーにおいて、可動電極部の面積と可動錘部の質量の設計に関して、さらに好ましくはバネ特性の設計に関して、ＭＥＭＳセンサーの設計の自由度を向上させること。
【解決手段】基板上に形成される多層の積層構造体を加工して製造されるＭＥＭＳセンサーは、基板に形成された固定枠部１１０と、弾性変形部１３０を介して固定枠部に連結され、周囲に空洞部が形成された可動錘部１２０と、固定枠部より空洞部に向けて突出形成された固定電極部１５０と、可動錘部と一体的に移動し、固定電極部と対向する可動電極部１４０と、を有し、可動錘部１２０は、多層の積層構造体により形成される第１可動錘部１２０Ａと、第１可動錘部の下方に位置し、前記基板の材料にて形成される第２可動錘部１２０Ｂと、を含む。 （もっと読む）